计算机基础知识认识计算机存储器中的EPROM和EEPROM
计算机基础知识：认识计算机存储器中的EPROM和EEPROM
计算机存储器是指计算机系统中用于存储数据和指令的设备，其中EPROM和EEPROM是两种常见的非易失性存储器类型。本文将介绍EPROM和EEPROM的定义、特点以及它们在计算机系统中的应用。
一、EPROM的定义和特点
EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) 是一种可以被擦除和重新编程的只读存储器。它的主要特点如下：
1. 非易失性：EPROM的数据可以在断电后长期保存，不会因为断电而丢失。这使得EPROM非常适合存储那些需要长期保留的数据和指令。
2. 可擦除性：EPROM中的数据可以通过使用紫外线照射来擦除，也可以使用专门的擦除器进行擦除。擦除之后，EPROM可以被重新编程。擦除和重新编程的过程可以多次进行，但是每个EPROM只能进行有限次数的擦除和重新编程。
3. 只读性：在未擦除和重新编程之前，EPROM中的数据是只读的，无法进行修改。这使得EPROM更加安全可靠，适用于存储那些需要保护而不希望被修改的数据和指令。 4. 容量较小：EPROM的存储容量相对较小，通常在几KB到几MB的范围内。这限制了EPROM在存储大量数据方面的应用。
二、EPROM的应用
由于EPROM具有非易失性和只读的特点，它在某些应用中得到了广泛的应用。以下是一些EPROM的常见应用：
1. 系统固件：EPROM常用于存储计算机系统的固件，如BIOS
(Basic Input Output System)。这些固件在计算机启动时被加载，负责初始化硬件和提供基本的输入输出功能。
2. 音视频存储：EPROM可以用于存储音频和视频文件，如音乐合成器中的音乐数据、游戏机中的游戏数据等。
3. 电子设备配置：EPROM可以存储电子设备的配置信息和参数，如路由器、交换机等网络设备的配置信息。
Absolute Section（绝对段）
具备不可被链接器改变的固定（绝对）地址的段。
Access RAM （存取RAM，仅限PIC18CXXX系列器件）
这是数据存储器RAM中的一个区间，无论目前所选的存储体为何均可对其进行访问。有了它，即可通过指令访问特殊功能寄存器而无须改变所选存储体。存取RAM还包括一些通用寄存器（GPR）。它对于在上下文切换期间（如中断期间）保存所需变量很有用处。当用于引用PIC18CXXX器件时，存取 RAM指无论存储体选择位（BSR）设置值为何，均允许存取的特殊通用寄存器。
Acquisition Time （TACQ，采集时间）
该时间与模拟数字（A/D）转换器有关。它是PIC18CXXX A/D上的保持电容充电到模拟输入电压电平时的时间。’当GO位置1时，模拟输入与保持电容断开，A/D转换开始。
A/D
指的是模拟数字转换器。见“Analog-to-Digital （A/D，模拟数字转换）”的说明。
ALU
算术逻辑单元。器件上负责数学（加、减…）、逻辑（与、或…）和移位运算的逻辑单元。
Analog（模拟）
指通过将不同频率或幅值的信号叠加到给定频率的载波上进行电子传输的过程。
Analog-to-Digital （A/D，模拟数字转换）
将一个模拟输入电压转换到与之成正比的数字值的过程。
汇编语言
将二进制机器码描述成可读形式的符号语言。
AUSART
可寻址通用同步异步收发器。该模块可作为一个全双工异步通讯口运行，也可作为一个半双工同步通讯口运行。当运行在异步模式下时，USART可与一台PC的串行端口连接。
Alphanumeric（字母数字符）
字母数字符包括字母和0到9的数字。
Application（应用）
用户开发的一整套软硬件结合体，通常是一个由PICmicro®单片机控制的产品。
Assemble（汇编）
汇编器所做的事。见assembler（汇编器）。
DDR-简介
DDR=Double Data Rate双倍速内存
DDR
双通道同步动态随机存储器（双信道同步动态随机存取内存）即DDR
SDRAM (Double Date Rate
Synchronous Dynamic Random Access
Memory) 为具有双倍数据传输率之SDRAM，其数据传输速度为系统频率之两倍，由于速度增加，其传输效能优于传统的SDRAM。
DDR-名称来源与工作原理
DDR是一种继SDRAM后产生的 内存技术，DDR，英文原意为“Double Data Rate”，顾名思义，就是双数据传输模式。之所以称其为“双”，也就意味着有“单”，我们日常所使用的SDRAM都是“单数据传输模式”。DDR SDRAM最早是由三星公司于1996年提出，由日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、德州仪器、三星及现代等八家公司协议订立的内存规格，并得到了AMD、VIA与SiS等主要芯片组厂商的支持。
DDR这种内存的特性是在一个内存时钟周期中，在一个方波上升沿时进行一次操作（读或写），而DDR则引用了一种新的设计，其在一个内存时钟周期中，在方波上升沿时进行一次操作，在方波的下降沿时也做一次操作，之所以在一个时钟周期中，DDR则可以完成SDRAM两个周期才能完成的任务，所以理论上同速率的DDR内存与SDR内存相比，性能要超出一倍，可以简单理解为100MHZ DDR=200MHZ SDR。
DDR-DDR与SDRAM的区别
严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
题目：基于DHT11的温湿度监测电路设计
基于DHT11的温湿度监测电路设计
摘 要
本次设计是采用MSC-51系列单片机中的AT89S51和DHT11构成的低成本的温湿度的检测控制系统。单片机AT89S51是一款低消耗、高性能的CMOS8位单片机，由于它强大的功能和低价位，因此在很多领域得到广泛应用。DHT11温湿度传感器是一款含有已校准数字输出的温湿度复合传感器，传感器包括一个电阻式感湿原件和一个NTC测温元件，该产品具有品质卓越、超快响应、抗干扰能力强、性价比极高等优点。设计主要包括硬件电路的设计和系统软件的设计。
硬件电路主要包括单片机、温湿度传感器、显示模块、报警器以及控制设备等五部分。其中由DHT11温湿度传感器及LCD1602字符型液晶模块构成系统显示模块；测温湿度控制电路由温湿度传感器和预设温度值比较报警电路组成；用户根据需要预先输入预设值，当实际测量的温湿度不符合预设的温湿度标准时，发出报警信号（蜂鸣器蜂鸣）。
软件部分包括了主程序、显示子程序、测温湿度子程序。
关键词：AT89S51；DHT11；温湿度监测
DHT11 Temperature and Humidity monitoring circuit design
ABSTRACT
AT89S51 is a low consumption, high performance CMOS8 bit microcontroller.Because
of its powerful features and low price, it is used in many areas.DHT11 temperature and
humidity sensor is a temperature and humidity combined sensor containing a calibrated digital
