《半导体产业介绍》PPT课件

有限，因此由它们形成的电流很小。
电子 技 术
注意:
1、空间电荷区中没有载流子。
2、空间电荷区中内电场阻碍P 区中的空穴、N 区中的电子（
都是多子）向对方运动（扩散 运动）。
所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡， 相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚 度固定不变。
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二、PN 结的单向导电性
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1. 1 半导体二极管的结构和类型
构成：实质上就是一个PN结
PN 结 + 引线 + 管壳 =
二极管(Diode)
+
PN
-
符号：P
N
阳极
阴极
分类：
按材料分 按结构分
硅二极管 锗二极管 点接触型 面接触型 平面型
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正极 引线
N 型锗片 负极 引线
外壳
触丝
点接触型
正极 负极 引线 引线
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半导体中存在两种载流子：自由电子和空穴。 自由电子在共价键以外的运动。 空穴在共价键以内的运动。
结论：
1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少。 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电。 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。
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2、杂质半导体
+4
一、N 型半导体
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三、课程特点和学习方法
本课程是研究模拟电路（Analog Circuit）及其 应用的课程。模拟电路是产生和处理模拟信号的电路。 数字电路(Digital Circuit)的知识学习由数字电子技 术课程完成。
本课程有着下列与其他课程不同的特点和分析方 法。
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封装
• 集成电路制造流程
制程
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前段 后端
晶圆处理制程 晶圆针测制程
构装制程 测试制程
晶圆处理基本步骤：
离子植 入
晶圆清 洗
氧化及 沉积
蚀刻
微影
晶圆处理制程：主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件。
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晶圆针测制程：使用针测仪器测试晶圆处理制程后晶圆上形 成的一格格的晶粒的电气特性，将不合格的的晶粒标上记号 的过程。
构装制程：利用塑料和陶瓷包装晶粒以成积体电路 目的：是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受 到机械性刮伤或是高温破坏。
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• 晶圆前处理流程
脱氧后的 沙子（包 含25%的 硅元素） 20
硅熔炼制 硅锭
单晶体硅
硅锭切割
未处理的 晶圆
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旋转浇注 光刻胶
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UV曝光
50-200 纳米尺寸
半导体的学习总结
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郑斌 2016.8
目录
1. 半导体材料 2. 半导体特性及应用 3. 半导体及其产业分类 4. 集成电路工艺流程 5. 半导体的发展趋势
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1.半导体材料
• 定义
根据物体导电能力的不同，
来划分导体、绝缘体和半导
体。
导体：ρ<10-4 Ω .cm
3
绝缘体： ρ>109Ω .cm
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谢谢！
制成P型或N型半导体
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• 温度特性
半导体的导电能力随温度升高而迅速增加，不同于金属的正的电阻温度系数。
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Thank you
6、最大的骄傲于最大的自卑都表示心灵的最软弱无力。——斯宾诺莎 7、自知之明是最难得的知识。——西班牙 8、勇气通往天堂，怯懦通往地狱。——塞内加 9、有时候读书是一种巧妙地避开思考的方法。——赫尔普斯 10、阅读一切好书如同和过去最杰出的人谈话。——笛卡儿
半导体制造流程与IC产业链简介ppt课 件
1、战鼓一响，法律无声。——英国 2、任何法律的根本；不，不成文法本 身就是 讲道理 ……法 律，也 ----即 明示道 理。— —爱·科 克
3、法律是最保险的头盔。——爱·科 克 4、一个国家如果纲人人平等，但是在法律 面前人 人是平 等的。 ——波 洛克

半导体工艺技术
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目录
第一章：半导体产业介绍 第二章：器件的制造步骤 第三章：晶圆制备 第四章：芯片制造 第五章：污染控制 第六章：工艺良品率
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第一章 半导体产业介绍
概述
微电子从40年代末的第一只晶体管（Ge合金 管）问世，50年代中期出现了硅平面工艺，此工 艺不仅成为硅晶体管的基本制造工艺，也使得将 多个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路 成为可能，随着制造工艺水平的不断成熟，使微 电子从单只晶体管发展到今天的ULSI。
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第二章 器件的制造步骤
半导体器件制造分4个不同阶段： 1.材料准备 2.晶体生长与晶圆准备 3.芯片制造 4.封装
材料 准备
晶体生 长与晶 圆准备
晶圆 制造
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封装
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第一步 材料准备
第二步晶体生长与晶圆准备
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第三步 芯片制造
制造
电性测试 （芯片分捡）
尺寸和数量是IC发展的两个共同目标。
芯片上的物理尺寸特征称为特征尺寸，将此定义 为制造复杂性水平的标准。
通常用微米来表示。一微米为1/10000厘米。
Gordon Moore在1964年预言IC的密度每隔18～24 个月将翻一番，------摩尔定律。
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一个尺寸相同的芯片上，所容纳的晶体管数量， 因制程技术的提升，每18个月到两年晶体管数量会 加倍，IC性能也提升1倍。现以1961年至2006年 期间半导体技术的发展为例加以说明，IC电路线宽由 25微米减至65纳米，晶圆直径由1英寸增为12英寸， 每一芯片上由6个晶体管增为80亿个晶体管， DRAM密度增加为4G位，晶体管年销售量由1000 万个增加到10的18次方至19次方个，但晶体管平均 售价却大幅下降10的9次方倍。