CVDProcessintrodution

2. ZERO PHOTO的目的是什么？WAFTER MARK是 否用光照？ ZERO PHOTO是为了在Si上刻出精对准的图形，ASML stepper system requires a zero mark for global alignment purpose。WAFTER MARK不用光照，用LASER刻出 WAFTER的刻号。
AAR Photo
AAR= (AA-0.4)
+?0A.4R) is si-n0g.2le side or double side?
? Single side 0.4
AAR Etch AAR Asher AAR wet strip
AA SiN Pad oxide
P Substrate
Stop on SiN Mattson (Rcp: 1) NPRRM (SPM only)
7
HDP Deposition
STI PadOX PreCln
NCR1DH75ARCAM (100:1 HF 180sec)
STI L在ineSrTOI XHD1P0前00LCI,NDERRY-OOXXI(D20E0的+-作12用A)是什么？
Anneal(Diff)
1100 C, 2 hrs (Furnace ann.) for STI
7：HDP DEP原理？
在CVD的同时，用高密度的PLASMA轰击，防止CVD填充
时洞口过早封死，产生空洞现象，因为有
PLASMA轰
击，所以HDP后要有RTA的步骤。
8：为什么HDP DEP后要有RTA？ 9
AA Reverse
9：为什么在STI CMP前要进行AR PHO 和ETCH BACK？
5800Å HDP

課程目的與大綱
• • • • • • • • • • 電力系統(AC POWER BOX/POWER DISTRIBUTION) 傳送反應室(Transfer Chamber) 傳送機制(Wafer Handling) 晶舟承載(Loadlock Chamber) 輔助反應室(Auxiliary Chamber) 系統控制器(SYSTEM CONTROLLER) 高週波(射頻)產生器(GENERATOR RACK) 熱交換系統(HEATER EXCHANGER) 氣體傳送系統(GAS DELIVERY SYSTEM) 真空系統(VACUUM SYSTEM)
製程設備主機介紹課程目的與綱• AMAT System – Mainframe+Process Chamber+Remote – Subsystem • 了解次系統觀念與次系統工作原理與應用 – 廠務設計(facility) – 主機系統輔助設備 – 反應室輔助設備
• 大綱
– – – – 安全(SAFETY/LOCKOUT TAGOUT) 概說(Introduction) 主機平台(MAINFRAME) 廠務設施設計(System Facilities)
Precision 5000
Process Chamber
Cassette Indexer
Precision 5000
®
Process Chamber
Process Chamber
Robot
Wafer Cassettes
P-5000
• P-5000 系統是世界上第一台成功地以單晶片、多反應室 理念而設計成的量產與研發均適用的半導體製程設備。 • 自1987年P-5000系統問世以來，Applied Materials發展 了許多以P-5000為主體而加掛於其上的製程反應室，包 括蝕刻製程及薄膜製程。 • P-5000系統具有絕佳的製程整合、量產製造等優點，並 在不破真空的狀況下最多可有四個相同或不相同的製程 反應室同時進行生產，更富彈性與整合能力。

Function
Strong Inversion Switch
NMOS Transistor (N 型金氧半导体)
CMOS是什么？
半导体器件分类
半导体器件
集成电路 存储器 CPU DSP/RF
CCD/CIS 其它
分立器件 DMOS IGBT SBD 其它
光电子器件 LED LD APD
Light incoming from Device wafer backside How to implementation???
Bonding
Carrier wafer
Thinning
Device wafer Carrier wafer
Outline
IC basic introduction BSI technology introduction
CVD 工艺原理
例如: A(g) + B(g) → C(s) + D(g) ① 反应气体运输 ② 在wafer表面移动、吸附 ③ 化学反应（成核） ④ 薄膜生长，副产物的解吸 ⑤ 副产物及未反应物的去除
CVD
CVD 工艺分类
Thermal CVD
SACVD(HARP) LPCVD
SACVD（Sub-atmosphere CVD）: 亚大气压CVD 特点：台阶覆盖率好；保型性好 用途：填充沟槽
Anode: Cu – 2e-
Cu2+
Cathode: Cu2+ + 2e-
Cu
RTP Basic Concept
Basic concept
Rapid Thermal Process
RTP
RTA
RTO
Rapid Thermal Anneal:

1 ALDCVD原子層沈積系統簡介本公司( 晶研科技NARC) 推出的ALD-CVD 是一部單腔製程的高密度電漿沉積系統，適用於200mm 晶固製造。

依製程氣體不同，可沉積薄膜包括SiO2、Si3N4、poly Si及CNT等。

ALD 技術是半導體產業的一項新興沈積技術, 而原子層沈積製程是半導體處理技術中發展速度最快的一個領域，90 奈米以下製程的深溝式(Trench) 結構的深寬比值愈來愈大, 表示銅阻障層及晶種層(Copper BarriedSeed) 均勻塗佈在深溝內壁的難度愈來愈高，原子層沈積(ALD) 較化學氣相沈積(CVD) 可得到更佳的階梯覆蓋性、較均勻的厚度、較高的膜層密度等優點，未來在超薄均勻薄膜的沈積上將是不可或缺的角色。

1.1 晶圓載入/ 載出腔(Load Lock chamber)系統配備一個附有透明上蓋的晶圓載入/ 載出腔(Load Lock chamber) 此Load Lock 經由一個隔離閥(isolation valve) 連結到製程腔(process chamber)，而操作人員可以利用電腦系統來驅動機械手臂傳送晶圓。

1.2 控制系統本系統由一中央電腦系統來自動控制系統的運作。

圖控式的人機介面提供使用者簡易有效率的操作環境。

系統的重要參數即元件運作可即時顯示在操作螢幕上，使用者可輕易監視系統是否操作正常。

在維修的模式下，元件的動作如幫浦、閥門等可以經滑鼠在螢幕上簡單的點選，提昇系統維護的效率。

在中央電腦系統下包含許多次系統與中央系統連接，他們統包含：依製程之需要裝置數個質流控制器(MFC) 、一個調節閥控制器、一個真空壓力計控制器、一個氣閥控制面板、一個渦輪分子幫浦控制器、一個射頻(RF) 產生器及一個緊急停機按鈕等。

1.3 真空幫浦系統一部耐腐蝕系列渦輪分子幫浦負責製程真空抽氣，而一台背壓幫浦來提供渦輪分子幫浦所需之工作壓力，此幫浦可因客戶之需求而調整，如乾式幫浦(dry pump) 或油式旋轉機械幫浦。