EM7160U32BW-10S中文资料(Emerging Memory)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
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VIN=V IL 或V I H
55ns 70ns
IOL = 2.1mA
IO H = -1.0mA
CS 1=V I H, CS 2= VIL,其他输入= V
I H或V IL
CS 1V C C-0.2V, CS 2V CC -0.2V (CS 1 受控）
或0V CS 2
2 控制）,
其他输入= 0〜V
CC
参数
55ns 符号
Min
Max
读周期时间
tRC
55
-
地址访问时间
tAA
-
55
芯片选择输出
tco1, tco2
-
55
输出使能以有效输出
tO E
-
25
UB,LB接取时间
tBA
55
芯片选择到低阻抗输出
tLZ1, tLZ2
10
-
UB,LB使低-Z输出
tBLZ
10
-
输出使能为低阻抗输出
tOLZ
5
-
芯片禁用高Z输出
备注
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合并存储器与逻辑解决方案公司
EM610FV16系列
低功耗,64Kx16 SRAM
特征
• 工艺技术：0.18微米全CMOS • 组织：64K×16位 • 电源电压：2.7V〜3.6V • 低数据防护持电压：1.5V（最低） • 三态输出和TTL兼容 • 封装类型：48-FPBGA 6.0x7.0
48 FPBGA：俯视图（球下）
Name
功能
CS 1,CS 2 片选输入
OE
输出使能输入
WE
写使能输入
A0~A 15 地址输入 I/O 1~I/O 16 数据输入/输出
Name
功能
Vcc 电源
Vss 地面 UB 高字节（I / O
LB 低字节（I / O
DNU 不要用
9~16 ) 1~8 )
Pre-charge Circuit
写入输出中高Z
数据写入时间重叠 从写入时间数据防护持
结束写入输出低Z
(Vcc = 2.7至3.6V,GND = 0V,T A = -40 oC至+ 85 oC)
55ns
70ns
符号
Min
Max
Min
Max
tWC
55
-
70
-
tCW1, tCW2
45
-
60
-
tAs
0
-
0
-
tAW
45
-
60
-
tBW
45
-
60
符号
VIN , V OUT VCC PD TA
* 强调超过"绝对最大额定值"可能会造成永久性损坏设备.功能 操作应仅限于推荐工作条件.暴露在绝对最大额定值条件下长时间可能会影响其可靠性.
EM610FV16系列
低功耗,64Kx16 SRAM
额定值
-0.2〜VCC + 0.3（最大4.0V） -0.2 to 4.0V 1.0 -40到85
EM610FV16系列
低功耗,64Kx16 SRAM
推荐直流工作条件
1)
电源电压 地面 输入高电压 输入低电压
参数
符号
VCC VSS VIH VIL
1. TA = -40到85 o C,另有说明
2. 过冲：V
CC 在情况下脉冲宽度20ns+ 2.0V
3. 冲：-2.0 V情况下,脉冲宽度为20ns
4. 过高和过低采样,而不是100％测试
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合并存储器与逻辑解决方案公司
文档标题
64K X16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM
修订记录 版本号 0.0 0.1
历史
初稿草案
第2'草案
加入无铅部件号
EM610FV16系列
低功耗,64Kx16 SRAM
草案日期 2003年5月9日, 2004年2月13日,
Row S elect
Memory Array 1024 x 1024
I/O Circuit Column Select
Control Logic
2
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合并存储器与逻辑解决方案公司
绝对最大额定值 *
参数
任何引脚相对于VSS电压 供应相对Vss电压Vcc
功耗 工作温度
LL
（典型值条件：V CC=3.3V @ 25 oC)
LF
（最大条件：V
CC=3.6V @ 85 C) o
Min Typ Max Unit
-1
-
1 µA
-1
-
1 µA
-
-
3 mA
-
-
3 mA
-
- 26
mA
-
- 20
-
- 0.4 V
2.4 -
-V
-
- 0.3 mA
- 0.5 1) 5 µA
NOTES 1.典型值是在Vcc = 3.3V,T测量
.
电容
1) (f =1MHz, T A=25oC)
Min 2.7 0 2.2 -0.2 3)
Typ
Max
Unit
3.3
3.6
V
0
0
V
-
V CC + 0.2 2)
V
-
0.6
V
Item
输入电容
输入/输出继电器电容
符号
C IN CIO
测试条件
V IN=0V VIO =0V
Min
Max
Unit
-
8
pF
-
10
IIO=0毫安,CS 1=V IL, CS 2= WE= V IH , V I N=V I H或V IL
周期时间=1μs,100％关税,I
CS 1
VI.2V,
周期时间=最小,I
IO=0毫安,100％关税,
CS 1=V IL, CS 2=V IH, LB=V IL 或/和UB = V IL ,
tHZ1, tHZ2
0
20
UB,LB禁用高Z输出
tBHZ
0
20
输出禁用高Z输出
tOHZ
0
20
从地址变更输出防护持
tOH
10
-
70ns
Min
Max
70
-
-
70
-
70
-
35
70
10
-
10
-
5
-
0
25
0
25
0
25
10
-
写周期
参数
写周期时间 片选到写结束 地址建立时间 地址有效写结束
UB,LB有效写结束
把脉冲宽度 写恢复时间
Unit
V V W oC
功能说明
CS1 CS2
OE
WE
LB
UB
I/O 1-8
I/O 9-16
Mode
H
X
X
X
X
X
高阻
高阻
取消选择
X
L
X
X
X
X
高阻
高阻
取消选择
X
X
X
X
H
H
高阻
高阻
取消选择
L
H
H
H
L
X
高阻
高阻
输出禁用
L
H
H
H
X
L
高阻
高阻
输出禁用
L
H
L
H
L
H 数据输出 高阻
低字节读
L
H
L
H
H
L
高阻
数据输出 上字节读
L
H
L
H
L
L
数据输出 数据输出
字读
L
H
X
L
L
H
数据在
高阻
低字节写
L
H
X
L
H
L
高阻
数据在 上字节写
L
H
X
L
L
L
数据在
数据在
字写
注：X表示不关心. （必须是高或低状态）
Power
支持 支持 支持
活性 活性 活性 活性 活性 活性 活性 活性
3
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CL1) = 30pF + 1 TTL 1.包括范围和夹具电容
2. R 1=3070Ω , R2=3150Ω
3. V TM =2.8V
EM610FV16系列
低功耗,64Kx16 SRAM
VTM 3) R12)
CL 1)
R22)
读周期
(Vcc = 2.7至3.6V,GND = 0V,T A = -40 oC至+ 85 oC)
概述
该EM610FV16系列由EMLSI制造 先进全CMOS工艺技术.这些家庭
支持工业级温度范围和芯片级
包装系统设计用户灵活性.这些家庭还支持低数据防护 持电压低数据防护持当前电池备份操作.
产品系列
产品 家庭
操作 温度
VCC范 围
EM610FV16
工业（-40〜85
oC) 2.7V~3.6V
1. The parameter ismeasured with 30pF test load. 2. Typical valuesare measured at Vcc=3.3V, T =25 C and not 100% tested.
