半导体界统计和R的应用

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第1章 传感器的一般特性
4、何为传感器的静态特性？静态特性的主要技术指标有 哪些？ 答：传感器的静态特性是在稳态信号作用下的输入输出 特性。 衡量静态特性的重要指标有灵敏度、线性度、迟滞、重 复性、稳定性等。
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第1章 传感器的一般特性
5、何为传感器的动态特性？动态特性的主要技术指标有 哪些？ 答：传感器的动态特性是传感器在被测量随时间变化的 条件下输入输出关系。动态特性有分为瞬态响应和频率 响应。
第3章 电感式传感器及其应用
(2) 接成单臂电桥后的电桥输出电压值为： U 0 U 2 Z Z 1 2 Z Z 2 1 U 2 Z Z 0 0 Z Z 0 Z Z 0 U 2 2 Z Z 0 2 4 2 1 8 0 5 . 3 5 - 0 . 1 1 7 V
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第1章 传感器的一般特性
3、对某传感器进行特性测定所得到的一组输入—输出数 据如下：
输入x：0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 输出y；2.2 4.8 7.6 9.9 12.6 15.2 17.8 20.1 22.1 试计算该传感器的非线性度和灵敏度。
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第1章 传感器的一般特性
当衔铁移动Δδ时，单端式传感器的灵敏度△L/△δ为：
k L L 0 0 5 0 4 .5 1 1 0 0 2 3 m H 1 0 .8H /m 3 3 .9 1 2 H /m
若做成差动结构形式，根据差动的变隙式的灵敏度公式 有：
k 差 动 L 2 L 0 0 2 0 5 .5 4 1 0 1 0 2 m 3 H 2 1 .6H /m 6 7 .8 2 4 H /m
故将其做成差动结构后，灵敏精品度将提高一倍。

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用Eg和Eg/ΔHv（ΔHv空位的形成热焓）这两个 参数来观察化合物半导体自补偿的程度。 Eg/ΔHv≥1时，自补偿大，不易做成两性材料；而 Eg/ΔHv<1(确切地说Eg/ΔHv<0.75)的材料可 以做成两性材料。
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化合物的化学键和元素的离子半径也是影响自补偿的因素。 共价键成分大的化合物自补偿轻，如III-Ⅴ族化合物材料； 离子键成分大的化合物自补偿重，如Ⅱ-Ⅵ族化合物材料。 空位生成能与元素的离子半径有关，离子半径越小，空位 生成能就越小，易生成空位。
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(3)Ⅱ-Ⅵ族化合物熔点较高，在熔点下具有一定的气 压，而且组成化合物的单质蒸汽压也较高。 制备Ⅱ-Ⅵ族化合物的完整单晶体比较困难；除CdTe 可以生成两种导电类型的晶体外，其它均为单一的 导电类型，而且多数为N型，很难用掺杂方法获得P 型材料。这是由于Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体内点缺陷密度 大，易发生补偿效应。 这类材料除少数外，很难制成P-N结。这限制了ⅡⅥ族化合物材料在生产方面和应用方面不如Ⅲ-Ⅴ族 化合物材料普遍。
例如：CdS在100大气压1470℃才熔化，ZnS亦需在 几十大气压1830℃才熔化，CdTe需要的压力较低，在 大气压下1090℃下即可熔化。
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将纯Cd和纯Te按一定计 量比装入石英瓶，抽真空 (10—8mmHg)后封闭， 放入坩埚内，热区温度保 持在熔点，待熔融后，以 1—5mm ／h的速度下 降坩埚并转动，即可得到 CdTe单晶。 还可生长ZnSe CdSe和 CdS等单晶。 垂直布里奇曼炉
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褚君浩实验关系式
Eg(x,T)＝-0.295十1.87x-0.28x2+(614x+3x2)(104)T十0.35x4 适用范围为0 ≤ x ≤ 0.37(包括x=1)和4.2K ≤ T ≤ 300K.

因 为 顺 应 了半 导体 技 术 对 传 统 的真 空 管 技 术 的
在 回 顾 京 东 方 的发 展 历 程 时 说 。他 解 释 道 ， 当 初面对Ｃ Ｒ Ｔ 替 代 危 机 ，在 做 新 型 显 示 领域 进 入 决 策 时 ， 除 了Ｔ Ｆ Ｔ ～ Ｌ Ｃ Ｄ ，还 有 Ｐ Ｄ Ｐ 以及 场 致 电发 射
的特 征 。这主 要 是受 益 于 中 国政 府 对平 板 显 示产
笔 记 本 电脑 、 显 示 器 （ 监 视器 ） 、 电 视 ， 以 及 以智 能 手 机 和 平 板 电脑 为 代 表 的移 动 互 联 四 次
应 用 浪 潮 的 驱 动 ，平 面 显 示 产 业 经 过 快 速 成 长 期 后 而 进 入 了 产 业 成 熟 期 。 国 际 权 威 调 研
目前 最常 见 的接 口是 Ｒ Ｓ Ｄ Ｓ（ Ｒ ｅ ｄ ｕ ｃ ｅ ｄ Ｓ ｗ ｉ ｎ ｇ
技术 （ ￣ Ｆ Ｆ Ｅ Ｄ ，真 空 微 电子显 示 ） ，对 这 些核 心 技
术 进 行 研 究 后 ，最 后 的 结 论 是 后 两 者 的基 础 技 Ｄ ｉ ｆ ｆ ｅ ｒ ｅ ｎ ｔ ｉ ａ ｌ Ｓ ｉ ｇ ｎ ａ ｌ ｉ ｎ ｇ ）， 这 是 美 国 国家 半 术 依 然 为 真 空 电子 技 术 ，而 Ｔ Ｆ Ｔ — Ｌ Ｃ Ｄ 的基 础 技 术 导 体 （ Ｎ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ａ ｌ Ｓ ｅ ｍ ｉ ｃ ｏ ｎ ｄ ｕ ｃ ｔ ｏ ｒ ；Ｎ Ｓ）以Ｌ Ｖ Ｄ Ｓ 是 半 导 体 技 术 ，从 技 术 替 代 大 趋 势 看 ， 半 导 体
业Ｅ Ｎ Ｄ ｓ
中国大 陆地 区平板显示产业 与半导体产业协 同发展 的思考
■ 王莉红 中电熊猫液晶显示科技有限公 司

球的教学效果不同，说明念动教学法在羽毛球选修课技术教学中明 中更清晰地呈现 运动动作 。练 习者应该做 到用 意识有效地 、 自如地 显优于传统教学方法。在相同的条件之下，念动教学方法更有益于 控制在头脑中呈现的清晰生动的表象，才能使念动教学产生切实的 学生对技术动作的快速掌握。 效果。
一
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半导体 （ 电子）制冷原理
ｌ帕尔帖效应 （ｅｉ ｅ ｅｔ。半导体 （ ＿ Ｐｌ ｒ ｆｃ） ｔ ｅ 电子 ） 制冷又称温 差电 ［ 关键词］ 导 制 帕 帖 应 热电（ｉ 材 ； 冷 路 半 体 冷； 尔 效 ； ｓ ｎ） 料 制 电 半导体制冷是利用温差电效应 （ 帕尔贴效应）的一种制冷方法． 制冷，热电制冷或者帕尔帖效应。它是由半导体所组成一种制冷装 它与压缩式，吸收式等机械制冷在原理和设备方面郝不同，并相比 置， １６ 左 右才出现 ， 于 ９０ 然而其理论 基础 帕尔帖 效应 （ ｅｉ ｅｔ Ｐｌｅｅ ｃ ｔｒ ｆ ） 时，它具有体积小，无噪声，无污染，可靠性高，易于恒温控制及 可追溯到 ｌ ９世纪。如图 １ 是由Ｘ及 Ｙ两种不同的金属导线所组成 数据采集等优点。随着半导体制造工艺及品质的优化，热电转换效 的封闭线路。通一 ｋ电源之后，回路通有直流屯流时，在两金属接触 率 断提高，尤其在全球环境保护意识加强的情况下，这项 “ 环境 点处会出现冷，热端现象。冷端的热量被移到热端，导致冷端温度 冷源 ”技 术将会在科研 ，军事 ，航空 ，畜牧 业，医疗 ，日常 生活等 降低，热端温度升高， 这就是著名的 Ｐｌｅｅ ｅｔ ｅ ｉ ｃ ｔｒ ｆ 这现象最早是在 领域中有重要应用。本文将介绍主要是半导体制冷的原理，特性和 １２ 年 ， ８１ 由一 位德国科学家 Ｔ ｏ ｓ ｅｂｃ ｈｍａＳｅａｋ首先发现 ， 过他 当时