半导体制程

半导体制程概要
PIE 03
DIFF 10
IMP 15
VACUUM 17
WET 19
CVD 21
PVD 24
CMP 27
PHOTO 30
ETCH 41
MFG 49
FAC 69
Accounting 73
FA 75
PIE
1, 300mm wafer代表何意义？
答：12寸芯片直径为300mm即12寸wafer.
2, 为何需要300mm?
答：wafer size变大，单一wafer上的芯片数变多，单位成本降低。

200->300面积增加2.25倍，芯片数目约增加2.5倍。

3, 300mm wafer所用的原材料type?
答：P-type。

4, 何谓p-type的wafer?
答：P-type的wafer是指掺杂positive dopant（3价电荷元素）的芯片。

5, 何谓N-type的wafer?
答：N-type的wafer是指掺杂negative dopant（5价电荷元素）的芯片。

6, 目前常用的芯片阻值?
答：P-type的芯片，阻值为8~12Ω。

7, 为何需要长start oxide?
答：不希望有机成分的光阻直接碰触Si表面。

8, 何谓Laser mark?
答：Laser mark是用来刻wafer ID。

9, 何谓wafer ID?
答：wafer ID就如同晶片上的身份证一样，一个ID代表一片晶片的身份。

10, 为何需要zero layer?
答：作为将来曝光机对准的标识，芯片的制程需要许多不同道题，非导体层，层与层相迭对就有了对准的为题，一般来说ASML曝光机需要有zero mark用来对准，而canon曝光机是把对准做在芯片曝光区内的，是不需要另外的zero mark的。

11, 为何需要把元件(device)越做越小呢？
答：1，增加单位面积组件的密度。

2，增加组件的电流速度。

12, 芯片制程里为何需要用SiO2?
答：1，SiO2是一种稳定的非导体，用来当介质(dielectric)。

2，SiO2可用于当绝缘层(isolation)。

3，SiO2可由高温的制程产生。

13, 那SiO2在芯片的制程中有何功用？
答：1, for screen. 2, diffusion mask. 3, PAD OX. 4, SAC OX. 5, Gate OX. 6, Barrier layer.
14, 何谓screen oxide?
答：在芯片进入离子植入时，当成表面保护层，避免在离子植入中造成芯片伤害。

15, 何谓diffusion mask?
答：用于当绝缘层，来阻挡dopant的扩散。

16, 何谓dopant?
答：掺杂的物质。

17, 何谓PAD OX?
答：用于当垫层，当做SiN与Si的中间层，因为SiN的stress（应力）太大，会造成peeling（剥裂）
18, 何谓SAC oxide?
答：在芯片进行离子植入时，当成表面保护层，避免在离子植主中造成芯片伤害，SAC oxide也是一种子screen oxide，用于保护N-Well，P-WII的离子植入。

19, 何谓Cate oxide?
答：用来当组件的介电层，利用不同厚度的gate oxide，可对不同组件进行开关。

20, STI 是什么的缩写?
答：Shallow Trench Isolation
21, 为何需要STI?
答：当做两个组件的阻隔，避免两个组件间的短路。

22, AA 是哪两个字的缩写?
答：Active area
23, 简单说明AA 的用途?
答：建立晶体管主体的位置所在，在其上形成源、漏和栅。

24, 黄光的制程后通常接下来是那二种制程呢?
答：1）Etch (蚀刻) ，2）Implantation（离子植入）
25, Dopant (Imp area) 的目的为何？
答：添加dopant 来改变导电率，电性，Dopant 的浓度越高，电阻值越低。

26, 为何在离子植入后，需要热退火的制程？
答：1）为恢复经离子植入后造成的晶片表面损伤
2）启动植入离子3）使植入离子移动到适当位置
27, RPO 是什么的缩写?
答：PRO: Resist Protect Oxide
28, RPO的目的为何?
答：用于保护芯片表面，在oxide 的保护下不于其它Ti, Co形成salicide
29, 何谓salicide?
答：Si与Ti或Co形成TiSi或CoSi，一般来说是用来降低电阻的。

30, LDD是什么的缩写?用途为何?
答：LDD: Lightly Doped Drain
使用较低浓度的源/漏极，用来防止元件产生热载子效应的一项制程
31, 何谓Hot carrier effect（热载子效应）？
答：因为源/漏极间的高浓度，导致载子在移动时产生热载子效应，此热载子效应会导致对gate oxide破坏，造成元件损伤。

32, BJT是什么的缩写?
答：BJT: Bipolar junction transistor 双载子电晶体。

33, DRAM是什么的缩写?
答：DRAM: Dynamic random access memory.
34, SRAM是什么的缩写?
答：SRAM: Static random access memory.
35, EPROM是什么的缩写?
答：EPROM: Electrically programmable read only memory.
36, ROM是什么的缩写?
答：ROM: Read only memory.
37, Passivation（护层）的作用为何？
答：为芯片的最后制层，用于保护位于阻挡层以下的所有图形。

38, 何谓阻挡层?
答：使用于oxide或SiN层，用来保护下层的线路。

39, Alloy的目的为何？
答：1）Release 各层间的stress，形成良好的层与层接面。

2）降低层与层接面间的电阻。

40, WAT的制程的目的?
答：Wafer Acceptance Test，芯片完成制程待出货前，预先测试芯片的电性参数部份是否合乎客户的规格。

41, WAT测试的种类?
答：1）最终产品测试（每片芯片测5点）
2）制程过程中抽测（每片芯片测5点）
3）MAPPING TEST （全片test line皆测试；工程异常时常如此做）。