(完整版)自动化专业《电力电子技术》复习题及答案
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自动化专业《电力电子技术》复习题 一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分) 1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。 2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为_________调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。 4、面积等效原理指的是,_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。 5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是_________,单管输出功率最大的是_____________,应用最为广泛的是___________。 6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即 ,其承受的最大正向电压为 。 7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为 逆变,如果接到负载,则称为 逆变。 8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。(1) 0~t1时间段内,电流的通路为________; (2) t1~t2时间段内,电流的通路为_______; (3) t2~t3时间段内,电流的通路为_______; (4) t3~t4时间段内,电流的通路为_______; (5) t4~t5时间段内,电流的通路为_______; 第 2 页 二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分) 1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是( ) A、V1与V4导通,V2与V3关断 B、V1常通,V2常断,V3与V4交替通断 C、V1与V4关断,V2与V3导通 D、V1常断,V2常通,V3与V4交替通断
2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是( ) A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度 B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作 第 3 页 C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度 D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度 3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2时间段内,有( )晶闸管导通。 A、1个 B、2个 C、3个 D、4个
4、对于单相交交变频电路如下图,在t1~t2时间段内,P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是( ) A、P组阻断,N组整流 B、P组阻断,N组逆变 C、N组阻断,P组整流 D、N组阻断,P组逆变
5、电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的范围是( ) A、30°~150 B、0°~120° C、15°~125° D、0°~150°
密 封 线 第 4 页 6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是( ) A、加快功率晶体管的开通 B、延缓功率晶体管的关断 C、加深功率晶体管的饱和深度 D、保护器件 7、直流斩波电路是一种( )变换电路。 A、AC/AC B、DC/AC C、DC/DC D、AC/DC 8、为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用( ) A、du/dt抑制电路 B、抗饱和电路 C、di/dt抑制电路 D、吸收电路 9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流( ) A、减小至维持电流以下 B、减小至擎住电流以下 C、减小至门极触发电流以下 D、减小至5A以下 10、IGBT是一个复合型的器件,它是( ) A、GTR驱动的MOSFET B、MOSFET驱动的GTR C、MOSFET驱动的晶闸管 D、MOSFET驱动的GTO
三、简答题(共3小题,22分) 1、简述晶闸管导通的条件与关断条件。(7分)
2、电压型逆变电路的主要特点是什么?(8分) 3、简述实现有源逆变的基本条件,并指出至少两种引起有源逆变失败的原因。(7分) 第 5 页 四、作图题(共 2 小题,每题12分,共24分) 1、三相全控桥,阻感负载,主回路整流变压器的接法是D,y5,采用NPN管的锯齿波触发器,要求在整流与逆变状态运行。同步变压器二侧电压经R-C滤波器滤波后(滞后角为30°)接到触发电路。同步变压器的的接法为Y/Y-10,4接法,如下图所示,选择晶闸管的同步电压。(要给出分析过程,分析依据) 晶 闸 管 VT1 VT2 VT3 VT4 VT5 VT6
主电路电压 +Uu -Uw +Uv -Uu +Uw -Uv 同 步 电 压
2、电路与波形如图所示。(1)若在t1时刻合上K,在t2时刻断开K,画出负载电阻R上的电压波形;(2)若在t1时刻合上K,在t3时刻断开K,画出负载电阻R上的电压波形。(ug宽度大于3600)。
(a)电路图 (b)输入电压u2的波形图
密
封 线 第 6 页 五、计算题(共 1 小题,共20分) 1、电路如图所示,单相全控桥式整流电路接大电感负载,R=4Ω,U2=220V。 (1)触发角为60°时,(a) 试求Ud、Id、晶闸管电流平均值IdVT、晶闸管电流有效值IVT、变压器副边电流有效值I2;(b)作出ud、id、iVT2、i2 的波形图(图标清楚,比例适当)。 (2)当负载两端接有续流二极管时,(a)试求Ud、Id、IdVT、IVT、IVD、IdVD 、I2;(b)作出ud、id、iVT2、iVD、i2 的波形图(图标清楚,比例适当)。
一、填空题(本题共6小题,每空1分,共15分) 1、_________存在二次击穿现象,____________存在擎住现象。 2、功率因数由 和 这两个因素共同决定的。 3、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是 __措施。 4、同一晶闸管,维持电流IH与掣住电流IL在数值大小上有IL_ _IH。 5、电力变换通常可分为: 、 、
第 7 页 和 。 6、在下图中,_______和________构成降压斩波电路使直流电动机电动运行,工作于第1象限;_______和_______构成升压斩波电路,把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源,使电动机作再生制动运行,工作于____象限。
二、选择题(本题共11小题,9,10,11小题每题2分,其余每题1分,共14分) 1、下列电路中,不可以实现有源逆变的有( )。 A、三相半波可控整流电路 B、三相桥式全控整流电路 C、单相桥式可控整流电路 D、单相全波可控整流电路外接续流二极管 2、晶闸管稳定导通的条件( ) A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流 B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流 C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流 D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流 3、三相半波可控整流电路的自然换相点是( ) A、交流相电压的过零点 B、本相相电压与相邻相电压正半周的交点处 C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30° D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60° 4、若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率,可采用的控制方法是( ) A、增大三角波幅度 B、增大三角波频率 C、增大正弦调制波频率 D、增大正弦调制波幅度 第 8 页 5、三相半波可控整流电路中,晶闸管可能承受的反向峰值电压为( )
A、U2 B、U2 C、2U2 D.U2 6、晶闸管电流的波形系数定义为( )
A、 B、 C、Kf =IdT·IT D、Kf =IdT-IT 7、降压斩波电路中,已知电源电压Ud=16V,负载电压Uo=12V,斩波周期T=4ms,则开通时Ton=( ) A、1ms B、2ms C、3ms D、4ms 8、关于单相桥式PWM逆变电路,下面说法正确的是( ) A、在一个周期内单极性调制时有一个电平,双极性有两个电平 B、在一个周期内单极性调制时有两个电平,双极性有三个电平 C、在一个周期内单极性调制时有三个电平,双极性有两个电平 D、在一个周期内单极性调制时有两个电平,双极性有一个电平 9、对于单相交交变频电路如下图,在t2~t3时间段内,P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是( ) A、P组阻断,N组整流 B、P组阻断,N组逆变 C、N组阻断,P组整流 D、N组阻断,P组逆变 第 9 页 10、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如图所示,在t2~t3时间段内,有( )晶闸管导通。 A、1个 B、2个 C、3个 D、4个
三、简答题(本题共 4 小题,共30分) 1、电压型逆变电路的主要特点是什么?(7分)
2、某一晶闸管,额定电压为300V,额定电流为100A,维持电流为4mA,使用在下图所示的各电路中是否合理?说明其理由。(不考虑电压、电流裕量)(8分)
3、下面BOOST升压电路中,电感L、电容C与二极管的作用是什么?(7分) 密
封
线