ZXMP10A13FTA中文资料(Diodes)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
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5 806 6.4 -55到+150
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R JA R JA
VALUE 200 155
NOTES (a) For a device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions. (b) For a device surf ace mounted on FR4 PCB measured at t 5 sec. (c) Repetitive rating 25mm x 25mm FR4 PCB, D = 0.02, pulse width 300 s - pulse width limited by maximum junction temperature.
电气特性
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅压漏电流
门 - 体泄漏
门源阈值电压
静态漏源通态
抵抗性
(1)
正向跨
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
开启延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅漏极电荷 源漏二极管 二极管的正向电压
反向恢复时间 反向恢复电荷
I D= -0.6A
3.5
nC
VDS = -50V, V GS= -10V
0.6
nC
I D= -0.6A
1.6
nC
-0.85 -0.95
29 31
V T j=25°C, I S= -0.75A, VGS =0V
ns T j=25°C, I S= -0.9A, nC di/dt=100A/ s
NOTES （1）脉冲条件下进行测定.脉冲宽度300毫秒;占空比的2％. （2）开关特性是独立的工作结温. （3）设计辅助工具而已,不受生产测试.
UNIT V V A A A A A A
mW mW/°C
mW mW/°C
°C
UNIT °C/W °C/W
第 1期 - 2005年 3月
芯片中文手册,看全文,戳
特性
ZXMP10A13F
第 1期 - 2005年 3月 3
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ZXMP10A13F
-100
V I D= -250 A, V GS=0V
-1.0
A VDS = -100V, V GS =0V
100 nA VGS =±20V, V DS=0V
-2.0
-4.0 V I D= -250 A, V DS=V GS
1
VGS = -10V, I D= -0.6A
1.45
VGS = -6V, I D= -0.5A
(1)(3)
(1) (3)
(3)
（在Tamb = 25°C除非另有说明）
符号
MIN. TYP. MAX.单位条件
V(BR)DSS IDSS IGSS VGS(th) RDS(on)
gfs
Ciss Coss Crss
td(on) tr t d(of f ) tf Qg
Qg Qgs Qgd
VSD
trr Qrr
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100V P沟道增强型MOSFET
ZXMP10A13F
摘要
V（ BR） DSS= - 100V : R DS(on)= 1 ; ID = - 0.7A
说明 这种新一代从Zetex的沟槽MOSFET的采用了独特的结构,结合了低导通电阻与开关速度快的优点 .这使它们非常适用于高效率,低电压,电源管理应用.
GS=10V; T A=25°C (b) @V GS=10V; T A=70°C (b) @ V GS=10V; T A=25°C (a)
(c) (b)
(c)
A=25°C (a)
A=25°C (b)
符号
VDSS VGS ID
I DM IS I SM PD
PD
T j, T stg
LIMIT -100 ±20 -0.7 -0.5 -0.6 -3.1 -1.1 -3.1 625
3000单位
10000units
SOT23
引脚
第 1期 - 2005年 3月 1
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ZXMP10A13F
绝对最大额定值
参数 漏源电压 门源电压
连续漏电流用V
漏电流脉冲 连续源电流（体二极管） 脉冲源电流（体二极管）
在T功率耗散
线性降额因子
在T功率耗散
线性降额因子 工作和存储温度范围
1.2
S VDS = -15V, I D= -0.6A
141
pF
13.1
pF VDS = -50V, V GS=0V
10.8
pF f=1MHz
1.6
ns
2.1
ns VDD= -50V, I D= -1A
5.9
ns RG ≅ 6.0 , V GS= -10V
3.3
ns
1.8
nC VDS = -50V, V GS= -5V
第 1期 - 2005年 3月 4
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典型特征
ZXMP10A13F
第 1期 - 2005年 3月 5
特征
• 低导通电阻 • 开关速度快 • 低门槛 • 低栅极驱动 • SOT23封装
应用
• DC-DC转换器 • 电源管理功能 • 断开开关 • 电机控制
订购信息
设备
ZXMP10A13FTA ZXMP10A13FTC
器件标识
• 7P1
REEL SIZE
7”
13”
TAPE WIDTH
8mm
8mm
数量 每卷
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R JA R JA
VALUE 200 155
NOTES (a) For a device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions. (b) For a device surf ace mounted on FR4 PCB measured at t 5 sec. (c) Repetitive rating 25mm x 25mm FR4 PCB, D = 0.02, pulse width 300 s - pulse width limited by maximum junction temperature.
电气特性
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅压漏电流
门 - 体泄漏
门源阈值电压
静态漏源通态
抵抗性
(1)
正向跨
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
开启延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅漏极电荷 源漏二极管 二极管的正向电压
反向恢复时间 反向恢复电荷
I D= -0.6A
3.5
nC
VDS = -50V, V GS= -10V
0.6
nC
I D= -0.6A
1.6
nC
-0.85 -0.95
29 31
V T j=25°C, I S= -0.75A, VGS =0V
ns T j=25°C, I S= -0.9A, nC di/dt=100A/ s
NOTES （1）脉冲条件下进行测定.脉冲宽度300毫秒;占空比的2％. （2）开关特性是独立的工作结温. （3）设计辅助工具而已,不受生产测试.
UNIT V V A A A A A A
mW mW/°C
mW mW/°C
°C
UNIT °C/W °C/W
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特性
ZXMP10A13F
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ZXMP10A13F
-100
V I D= -250 A, V GS=0V
-1.0
A VDS = -100V, V GS =0V
100 nA VGS =±20V, V DS=0V
-2.0
-4.0 V I D= -250 A, V DS=V GS
1
VGS = -10V, I D= -0.6A
1.45
VGS = -6V, I D= -0.5A
(1)(3)
(1) (3)
(3)
（在Tamb = 25°C除非另有说明）
符号
MIN. TYP. MAX.单位条件
V(BR)DSS IDSS IGSS VGS(th) RDS(on)
gfs
Ciss Coss Crss
td(on) tr t d(of f ) tf Qg
Qg Qgs Qgd
VSD
trr Qrr
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100V P沟道增强型MOSFET
ZXMP10A13F
摘要
V（ BR） DSS= - 100V : R DS(on)= 1 ; ID = - 0.7A
说明 这种新一代从Zetex的沟槽MOSFET的采用了独特的结构,结合了低导通电阻与开关速度快的优点 .这使它们非常适用于高效率,低电压,电源管理应用.
GS=10V; T A=25°C (b) @V GS=10V; T A=70°C (b) @ V GS=10V; T A=25°C (a)
(c) (b)
(c)
A=25°C (a)
A=25°C (b)
符号
VDSS VGS ID
I DM IS I SM PD
PD
T j, T stg
LIMIT -100 ±20 -0.7 -0.5 -0.6 -3.1 -1.1 -3.1 625
3000单位
10000units
SOT23
引脚
第 1期 - 2005年 3月 1
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ZXMP10A13F
绝对最大额定值
参数 漏源电压 门源电压
连续漏电流用V
漏电流脉冲 连续源电流（体二极管） 脉冲源电流（体二极管）
在T功率耗散
线性降额因子
在T功率耗散
线性降额因子 工作和存储温度范围
1.2
S VDS = -15V, I D= -0.6A
141
pF
13.1
pF VDS = -50V, V GS=0V
10.8
pF f=1MHz
1.6
ns
2.1
ns VDD= -50V, I D= -1A
5.9
ns RG ≅ 6.0 , V GS= -10V
3.3
ns
1.8
nC VDS = -50V, V GS= -5V
第 1期 - 2005年 3月 4
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典型特征
ZXMP10A13F
第 1期 - 2005年 3月 5
特征
• 低导通电阻 • 开关速度快 • 低门槛 • 低栅极驱动 • SOT23封装
应用
• DC-DC转换器 • 电源管理功能 • 断开开关 • 电机控制
订购信息
设备
ZXMP10A13FTA ZXMP10A13FTC
器件标识
• 7P1
REEL SIZE
7”
13”
TAPE WIDTH
8mm
8mm
数量 每卷
