薄膜电容器的使用要求和电性能参数(精)
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美的制冷家用空调国内事业部电子元器件规格书供方名称:厦门法拉电子股份有限公司器件名称:薄膜电容型号规格:参见第六项表格物料编码:参见第六项表格厂家型号:MKP62-275VAC-104TSSKP15MKP62-275VAC-274TSSMP22.5MKP62-275VAC-105TSSMP22.5MKP62-275VAC-224KP15MKP62-275VAC-474MP22.5MKP62-275VAC-105MP22.5MKP62-275VAC-335KP27.5MKP62-275VAC-155MP22.5编制:审核:供方会签:日期:版本:V1.0注意事项:1、本规格书双方签字后正式生效,本规格书连封面合共6页;2、本规格书一式两份,版本由使用方与供方共同维护;任何对内容的改动必须经双方同意,并以书面文件的形式发布。
规格书更新纪录:一厂家品牌中英文:厦门法拉电子股份有限公司(鹭岛牌)Xiamen Faratronic Co.,Ltd.,()二产地(国内的写工厂地址):中国厦门市金桥路101号三厂家型号及型号含义:F15B3.7 :F15表示电容器引线成型(弯脚)15mm,B3.7表示电容器引线成型(弯脚)15mm后,剪短引线长度为3.7mm。
3. 引线形状及间距图:Note: W±0.4 H±0.4 T±0.4五安全认证说明:●六 外观尺寸及关键参数对照表:P=7.5 or 10.0mm P ≥15.0mm and C R ≤1.0μF符号说明Marking Introduction :七、内部结构图:九关键电性能参数及可靠性能:1、全系列产品全部符合ROHS要求2、短路充放电实验方法:给安规电容器两端施加220V AC,0.5S通/0.5S断,1000次。
技术要求:容量变化不超过±20%,损耗角正切值变化量≤0.0015,绝缘电阻仍符合规格书所规定的3、损耗角正切4、耐电压、绝缘电阻5、电性能特性图表(在这里粘贴温度特性、)6、其余测试项目参考美的企业标准《QMN-J52.056-2005安规电容.doc》要求十、厂家关键控制要点1、所有薄膜来料必须经过检验合格后入仓,分切后薄膜必须真空包装放置在温度小于25度,湿度小于60%的环境下贮存,并在进行规范管理。
CBB电容104J1. 什么是CBB电容104JCBB电容104J是一种多层聚酯薄膜电容器,也被称为金属化聚酯薄膜电容器。
它的名称中的”104J”代表了其规格和参数。
在这个规格中,“104”表示电容器的电容量为100000pF,而字母”J”表示其精度等级为5%。
2. CBB电容器的结构和工作原理CBB电容器由两个金属箔之间夹着一层聚酯薄膜构成。
金属箔被涂覆上导电材料,形成两个极板。
而聚酯薄膜则起到绝缘隔离的作用。
当外加直流或交流信号通过CBB电容器时,金属箔上的导体会在极板之间产生一个静电场。
这个静电场会导致金属箔上的正负离子在极板之间移动,从而形成一个等效的电荷分布。
CBB电容器具有良好的频率响应特性和稳定性。
它们可以用于直流和低频交流信号的耦合、滤波和解耦等应用。
3. CBB电容器的特点和优势CBB电容104J具有以下特点和优势:3.1 高精度和稳定性CBB电容104J的精度等级为5%,这意味着它的实际电容值与标称值之间的偏差不会超过5%。
这种高精度可以满足许多应用的要求。
同时,CBB电容器具有良好的温度稳定性和频率响应特性,能够在不同环境条件下保持稳定性能。
3.2 低损耗和低噪声CBB电容器采用聚酯薄膜作为介质,具有较低的损耗因子和噪声水平。
这使得它们在高频应用中表现出色,并且能够提供清晰、准确的信号传输。
3.3 耐高温和耐压能力强CBB电容104J可以在较高温度下正常工作,通常可以承受高达125°C的温度。
此外,它们还具有较高的耐压能力,通常可承受数百伏特的工作电压。
这些特性使得CBB电容器适用于各种高温和高压环境下的应用。
3.4 尺寸小巧、重量轻CBB电容器通常采用SMD封装形式,尺寸小巧且重量轻。
这使得它们非常适合在有限空间和重量要求较低的应用中使用,如电子产品、通信设备等。
4. CBB电容104J的应用领域CBB电容104J广泛应用于各种电子设备和电路中,包括但不限于:•消费类电子产品:如手机、平板电脑、相机等。
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10kv变频器薄膜电容解释说明1. 引言1.1 概述10kv变频器薄膜电容是一种用于电力系统的关键元件。
它具有在高电压和高温环境下稳定工作的能力,并且能够提供精确的电容值。
在现代电力系统中,10kv 变频器的使用越来越广泛,而薄膜电容作为其中重要的组成部分,在保证系统稳定性和性能方面发挥着至关重要的作用。
1.2 文章结构本文将围绕10kv变频器薄膜电容展开论述,分为五个部分。
首先是引言部分,介绍了文章的背景和目的。
接下来将详细解释10kv变频器薄膜电容的定义与原理,并探讨其在不同领域中的应用情况。
然后,我们将深入讨论该型号薄膜电容的制造工艺,包括材料选择、沉积技术以及加工与封装工艺等方面。
随后,在第四部分中进行案例分析,阐述了薄膜电容在10kv变频器中的作用以及具体应用案例实践。
最后,在结论部分对全文进行总结,并展望薄膜电容在未来的发展前景,并指出研究中存在的局限性以及可改进之处。
1.3 目的本文的目的是通过系统地分析10kv变频器薄膜电容,从其定义和原理到制造工艺、应用案例等多个维度,揭示出其在系统中的重要作用和优势。
通过这篇文章,我们希望读者能够全面了解10kv变频器薄膜电容,并对其在电力系统中应用带来的好处有更深入的认识。
此外,我们也希望能够为相关领域的研究人员提供参考和启发,推动该技术的进一步发展与创新。
2. 10kv变频器薄膜电容2.1 定义与原理10kv变频器薄膜电容是指能够承受10千伏(kV)电压的变频器中使用的一种特殊类型的电容。
它是由一层或多层具有高绝缘性能和低损耗的薄膜材料制成,用于存储和释放电能。
其工作原理基于电场效应,当施加高电压时,会在电容两极之间形成强大且稳定的电场。
2.2 应用领域10kv变频器薄膜电容广泛应用于各种需要高电压、高功率输出和精确控制的领域。
其中包括但不限于:- 工业驱动系统:如电机驱动、风力发电、水力发电等;- 储能装置:如超级电容器、冲击起动装置等;- 新能源应用:如太阳能发电、光伏逆变器等;- 高频通信系统:如雷达设备、无线通信基站等。
《电容器》知识清单一、电容器的定义和基本原理电容器是一种能够储存电荷的电子元件。
它由两个导体板(通常称为极板)中间夹着一层绝缘介质(如云母、陶瓷、塑料薄膜等)组成。
当电容器的两个极板接上电源时,在电场的作用下,电子会从电源的正极移动到一个极板上,使这个极板带负电;同时,电源的负极会把电子夺走,使另一个极板带正电。
这样,电容器的两个极板就分别积累了等量的正负电荷,从而储存了电能。
二、电容器的常见类型1、电解电容器电解电容器是一种有极性的电容器,它的容量通常较大,但工作电压相对较低。
由于其内部电解液的存在,电解电容器在使用时需要注意正负极的连接,否则会损坏电容器。
2、陶瓷电容器陶瓷电容器的体积小、稳定性好、高频特性优良,常用于高频电路和对稳定性要求较高的场合。
3、薄膜电容器薄膜电容器具有良好的绝缘性能和低损耗,常用于大功率、大电流的电路中。
4、超级电容器超级电容器的容量比普通电容器大很多,可以快速充放电,但其工作电压一般较低。
三、电容器的主要参数1、电容值电容值是电容器储存电荷能力的度量,单位是法拉(F)。
常见的电容值有微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)。
2、工作电压工作电压是指电容器能够正常工作时所承受的最大电压,超过这个电压,电容器可能会被击穿损坏。
3、损耗角正切损耗角正切表示电容器在工作过程中能量的损耗程度,损耗越小,电容器的性能越好。
4、绝缘电阻绝缘电阻反映了电容器两极板之间绝缘介质的绝缘性能,绝缘电阻越大越好。
四、电容器的充电和放电1、充电过程当电容器接上电源时,开始充电。
充电电流逐渐减小,直到电容器两端的电压等于电源电压,充电结束。
2、放电过程当电容器与负载连接时,开始放电。
放电电流逐渐减小,直到电容器储存的电荷全部释放,放电结束。
五、电容器在电路中的作用1、滤波在直流电源电路中,电容器可以滤除电源中的交流成分,使输出的直流电压更加平稳。
2、耦合在交流信号电路中,电容器可以将前级电路的交流信号传递到后级电路,同时阻止直流成分通过。
电容的主要特性参数(1)容量与误差:实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。
一般分为3级:I 级±5%,II级±10%,III级±20%。
在有些情况下,还有0级,误差为±20%。
精密电容器的允许误差较小,而电解电容器的误差较大,它们采用不同的误差等级。
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。
用字母表示:D——005级——±0.5%;F——01级——±1%;G——02级——±2%;J——I级——±5%;K——II级——±10%;M——III级——±20%。
(2)额定工作电压:电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作,所承受的最大直流电压,又称耐压。
对于结构、介质、容量相同的器件,耐压越高,体积越大。
(3)温度系数:在一定温度范围内,温度每变化1℃,电容量的相对变化值。
温度系数越小越好。
(4)绝缘电阻:用来表明漏电大小的。
一般小容量的电容,绝缘电阻很大,在几百兆欧姆或几千兆欧姆。
电解电容的绝缘电阻一般较小。
相对而言,绝缘电阻越大越好,漏电也小。
(5)损耗:在电场的作用下,电容器在单位时间内发热而消耗的能量。
这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。
通常用损耗角正切值来表示。
(6)频率特性:电容器的电参数随电场频率而变化的性质。
在高频条件下工作的电容器,由于介电常数在高频时比低频时小,电容量也相应减小。
损耗也随频率的升高而增加。
另外,在高频工作时,电容器的分布参数,如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等,都会影响电容器的性能。
所有这些,使得电容器的使用频率受到限制。
不同品种的电容器,最高使用频率不同。
小型云母电容器在250MHZ以内;圆片型瓷介电容器为300MHZ;圆管型瓷介电容器为200MHZ;圆盘型瓷介可达3000MHZ;小型纸介电容器为80MHZ;中型纸介电容器只有8MHZ①铝电解电容与钽电解电容铝电解电容的容体比较大,串联电阻较大,感抗较大,对温度敏感。
tdk 薄膜电容
TDK(日本电气公司)是一家知名的电子元件制造商,其产品线包括薄膜电容器。
薄膜电容器是一种电子元件,用于存储和释放电荷。
以下是有关TDK薄膜电容的一般信息:
薄膜技术:TDK的薄膜电容器采用先进的薄膜技术,通常使用金属化聚酯薄膜或其他类似的材料。
高性能:这些电容器通常具有高性能,提供良好的电气特性,包括低损耗、高频响应和较低的ESR(等效串联电阻)。
应用领域: TDK薄膜电容广泛应用于电子设备和电路中,例如通信设备、计算机、消费电子产品以及各种工业应用。
稳定性:薄膜电容器通常具有稳定的性能,能够在不同的温度和湿度条件下工作。
尺寸多样性: TDK提供各种规格和尺寸的薄膜电容器,以满足不同应用的需求,从微型电子设备到大型工业系统。
在选择和使用TDK薄膜电容器时,建议参考其规格表和应用指南,以确保符合特定应用的要求。
薄膜电容的结构及应用
薄膜电容是一种电容器,其结构和工作原理相对简单。
结构上,它主要由两个电极和它们之间的绝缘材料和电介质组成。
电极可以是金属膜,如铝、铜、钨等,或者导电聚合物等材料。
绝缘材料和电介质则可以采用氧化铝、聚丙烯等材料。
薄膜电容的制作过程中,可以将带有金属电极的塑料膜卷绕成一个圆柱形,最后封装成型。
薄膜电容的工作原理是当在电容器的两端施加电压时,电极之间的绝缘材料和电介质会形成一个电场,电容器会带电。
电容的大小与电场的强度和电容的面积以及电极之间的距离有关。
薄膜电容的应用非常广泛,在电子信息领域和通信领域都有着重要的作用。
例如,在计算机领域,薄膜电容可用于计算机存储器、闪存等技术中,能够提供高速的读写能力和存储容量。
在电子电路领域,薄膜电容可用于数字电路、模拟电路等各种电路的设计中,能够提高电路的灵敏度和稳定性。
在通讯领域,薄膜电容可用于无线电频率电路、触摸屏幕等技术中,能够满足高速传输和高质量数据的要求。
此外,薄膜电容还因其具有结构简单、体积小、性能稳定等优点,被大量使用在模拟电路上。
尤其是在信号交连的部分,必须使用频率特性良好,介质损失极低的电容器,方能确保信号在传送时,不致有太大的失真情形发生。
当前位置 : 首页 > 技术参数技术参数“高云”牌自愈式低压并联电容器,采用金属化聚丙烯薄膜作为介质,引进国外先进的生产技术,工艺和设备,按GB/T12747及IEC60831-1:1996标准组织生产。
产品主要用于低压电网,以减少无功损耗,提高功率因数,改善电网质量。
主要特点1、体积小、重量轻。
由于采用金属化聚丙烯薄膜作为介质,体积与重量仅为老产品的1/4和1/6。
2、损耗角正切值小,温升低、使用寿命长。
“高云”牌电力电容器的独特设计,使产品自身消耗的有功功率极小,所以电容器损耗角正切值<=0.06%,远远低于GB /T12747-1991标准0。
2%的要求,正常使用温升<3摄氏度。
正因为如此,“高云”电力电容器较其他产品使用寿命更长。
3、耐高压、安全性能好。
“高云”电力电容器选材考究,设计场强较小,端子间的耐压远远高于2.15Un10秒的型式试验要求,其瞬时击穿电压一般>3.5Un 。
产品内置放电电阻及过压力隔离器(防爆装置),运行与维护极为安全可靠。
主要技术参数1、额定电压(Un ):0.25-2kVAC2、额定输出(Qn ):1-200kvar3、容量偏差:-5~+10%4、损耗角正切值 < 0.1%Un 50Hz 20 ℃5、耐压 极壳:0.5kV 以下产品3000VAC10秒 0.5kV 以上产品2Un+2kV10秒极间:2.15Un2秒6、最高允许电压:<110%Un主要技术参数 无有害气体和蒸气、无导电性或爆炸尘埃及无剧烈振动的户内。
1、海拔高度:< 2000m 2、环境温度:-25/B(-25℃/45℃)3、湿度:< 85%RH7、最大允许电流:< 130%IN8、自放电特性:电容器断开电源3分钟后剩余电压< 75V安装运行导则:1、额定电压的选择:电容器的额定电压至少等于电容器接入电网的运行电压,考虑到电容器本身和网络谐波的影响,应留出适当的裕度。
陈永真:电容器一般参数
为了给工程师们提供优质的电子工程知识,电源网有幸邀请国内权威运算放大器应用专家陈永真为大家讲授运算放大器的相关知识。
陈永真,辽宁工业大学教授,长期从事电力电子技术的教学、科研工作。
他所研制的“铁路客车荧光灯逆变器”唯一通过铁道部标准“TB/T2219-81”的全部测试,参加过“十五”期间的国家“863”计划电动汽车重大专项“解放牌混合动力城市客车用超级电容器”项目,并出版电容和通用集成电路等相关领域的专着。
下面请大家认真听陈永真教授的精彩课程吧!
1、电容器基本概念与物理意义1.1电容器基本概念
1.1.1什幺是电容
电容是什幺?顾名思义,就是能容下电量的能力。
大学物理书[1]中说:“对任一‘孤立’的不受外界影响的导体来说,当导体带电时,导体所带的电量q与相应的电位U的比值C,是一个导体所带的电量无关的物理量,称为‘孤立’导体的电容”即:
C=Q/U (1.1)
导体的电容表征导体特有的性质,在两只上等于这个导体的电为为一单位时导体所带的电量。
在国际单位制中,电容的单位为[法拉]。
如果导体所带的电量为1[库伦],相应的电位为1[伏特]时,这个导体的电容即为1[法拉],可以用大写英文字母F表示。
如果嫌法拉这一单位太大还可以用mF、μF、nF、pF等较小的单位表示,他们的相互关系为:
1.1.2什幺是电容器。
电容功能分类介绍名称:聚酯(涤纶)电容(CL)符号:电容量:40p--4μ额定电压:63--630V主要特点:小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差应用:对稳定性和损耗要求不高的低频电路名称:聚苯乙烯电容(CB)符号:电容量:10p--1μ额定电压:100V--30KV主要特点:稳定,低损耗,体积较大应用:对稳定性和损耗要求较高的电路名称:聚丙烯电容(CBB)符号:电容量:1000p--10μ额定电压:63--2000V主要特点:性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差应用:代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路名称:云母电容(CY)符号:电容量:10p--0.1μ额定电压:100V--7kV主要特点:高稳定性,高可靠性,温度系数小应用:高频振荡,脉冲等要求较高的电路名称:高频瓷介电容(CC)符号:电容量:1--6800p额定电压:63--500V主要特点:高频损耗小,稳定性好应用:高频电路名称:低频瓷介电容(CT)符号:电容量:10p--4.7μ额定电压:50V--100V主要特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差应用:要求不高的低频电路名称:玻璃釉电容(CI)符号:电容量:10p--0.1μ额定电压:63--400V主要特点:稳定性较好,损耗小,耐高温(200度)应用:脉冲、耦合、旁路等电路名称:铝电解电容(CD)符号:电容量:0.47--10000μ额定电压:6.3--450V主要特点:体积小,容量大,损耗大,漏电大应用:电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等名称:钽电解电容(CA)铌电解电容(CN)符号:电容量:0.1--1000μ额定电压:6.3--125V主要特点:损耗、漏电小于铝电解电容应用:在要求高的电路中代替铝电解电容名称:空气介质可变电容器符号:可变电容量:100--1500p主要特点:损耗小,效率高;可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等应用:电子仪器,广播电视设备等名称:薄膜介质可变电容器符号:可变电容量:15--550p主要特点:体积小,重量轻;损耗比空气介质的大应用:通讯,广播接收机等名称:薄膜介质微调电容器符号:可变电容量:1--29p主要特点:损耗较大,体积小应用:收录机,电子仪器等电路作电路补偿名称:陶瓷介质微调电容器符号:可变电容量:0.3--22p主要特点:损耗较小,体积较小应用:精密调谐的高频振荡回路名称:独石电容容量范围:0.5PF--1ΜF耐压:二倍额定电压。
电容器的主要电气参数有哪些?字体: 小中大| 上一篇| 下一篇发布: 06-07 15:47 作者: 本站整理来源: 互联网查看: 34次电容器主要电气规格:1. 电容量Capacitance: 一般电解电容器的电容量范围为0.47uF-10000uF, 测试频率为120Hz. 塑料薄膜电容器的电容量范围为0.001uF-0.47uF, 测试频率为1KHz. 陶瓷电容器T/C type的电容量范围为1 pF-680pF, 测试频率为1MHz. Hi-K type的电容量范围为100pF-0.047uF, 测试频率为1KHz. S/C type的电容量范围为0.01uF-0.33uF.2. 电容值误差Tolerance: 一般电解电容器的电容值误差范围为M 即+/-20%, 塑料薄膜电容器为J即+/-5%或K即+/-10%, 或M即+/-20%三种, 陶瓷电容器T/C type为C即+/-0.25pF (10pF以下时), 或D即+/-0.5pF (10pF以下时), 或J或K四种. Hi-K type 及S/C type为K或M或Z即+80/-20%三种.3. 损失角即D值: 一般电解电容器因为内阻较大故D值较高, 其规格视电容值高低决定, 为0.1-0.24以下. 塑料薄膜电容器则D值较低, 视其材质决定为0.001-0.01以下. 陶瓷电容器视其材质决定, Hi-K type 及S/C type为0.025以下. T/C type其规格以Q值表示需高于400-1000. (Q值相当于D值的倒数)4. 温度系数Temperature Coefficient: 即为电容量受温度变化改变之比例值, 一般仅适用于陶瓷电容器. T/C type其常用代号为CH或NPO 即为+/-60ppm, UJ即为-750+/-120ppm, SL即为+350+/-1000ppm. Hi-K type (Z)及S/C type (Y), 其常用代号为B (5P)即为+/-10%, E (5U)即为+20/-55%, F (5V)即为+30/-80%.5. 漏电流量Leakage current: 此为电解电容器之特定规格, 一般以电容器本身额定电压加压3 Min后, 串接电流表测试, 其漏电流量需在0.01CV ( uF电容量值与额定电压相乘积) 或3uA以下(取其较大数值). 特定低漏电流量使用(Low leakage type) 则其漏电流量需在0.002CV或0.4uA以下.6. 冲击电压Surge Voltage: 一般以电容器本身额定电压之1.3倍电压加压, 需工作正常无异状.7. 使用温度范围: 一般电解电容器的使用温度范围为-25℃至+85℃, 特定高温用或低漏电流量用者为-40℃至+105℃. 塑料薄膜电容器为-40℃至+85℃. 陶瓷电容器T/C type为-40℃至+85℃, Hi-K type 及S/C type为-25℃至+85℃.度知道:如何选择电容字体: 小中大| 上一篇| 下一篇发布: 03-14 09:01 作者: 本站整理来源: 互联网查看: 1047次如何选择电容悬赏分:10-解决时间:2006-5-16 08:56在构建一个有相位差的电路中,根据电工原理知道,电流流过电容C后产生90度的相位滞后,而电阻不会。
薄膜电容器的使用要求和电性能参数
电磁加热设备把工频的交流电或纯直流电 , 通过半桥 /全桥逆变技术 , 变为高
频交流电 (1KHz— 1MHz. 高频交流电通过各种电感性负载后会产生高频交变磁场 . 当金属物体处于高频交变磁场中 , 金属分子会产生无数小涡流 . 涡流使金属分子高速无规则运动 , 金属分子间互相碰撞、磨擦而产生热能 , 最终达到把电能转换为热能的目的 . 电磁加热设备在我们的工作和生活中大量的频繁的使用 . 例如电磁炉 /
电磁茶炉 , 电磁炉 , 高频淬火机 , 封口机 , 工业熔炼炉等等 . 本文以三相大功率电磁灶为例 , 浅析薄膜电容器在电磁加热设备中的应用 .
一电磁灶三相全桥电路拓扑图
二 C1— C6功能说明
C1/C2:三相交流输入滤波、纹波吸收 , 提高设备抗电网干扰的能力
C1,C2和三相共模电感组成 Pi 型滤波 , 在设备中起电磁干扰抑制和吸收的作
用 . 该电路一方面抑制 IGBT 由于高速开关而产生的电磁干扰通过电源线传送到三相工频电网中 , 影响其他并网设备的正常使用 . 另一方面防止同一电网中其他设备产生的电磁干扰信号通过电源线传送到三相工频电网中 , 影响电磁加热设备自身的正常使用 .(对内抑制自身产生的干扰 , 对外抵抗其他设备产生的干扰 , 具有双面性EMC=EMI+EMS
在实际使用中 ,C1可以选择 MKP-X2型 (抑制电磁干扰用固定电容器 , 容量范围在 3µF-10µF之间 , 额定电压为 275V.AC -300V.AC. 采用 Y 型接法 , 公共端悬空
不接地 . C2可以选择 MKP 型金属化薄膜电容器 , 容量范围在 3µF-10µF之间 , 额
定电压为 450V.AC -500V.AC ,采用三角形接法 .
新晨阳
C1和 C2原则上选用的电容量越大 , 那么对于电磁干扰的抑制和吸收效果越好 . 但是电容量越大 , 那么设备待机时的无功电流就越大 . 耐压方面要根据设备使用地
域的电网情况而合理保留一定的余量 , 防止夜间用电量非常小的时候 , 电网电压过高而导致电容器电压击穿或寿命受到一定的影响 .
C3: 整流后平滑滤波、直流支撑 (DC-Link,吸收纹波和完成交流分量的回路。
C3和扼流圈 L 组成 LC 电路 , 把三相桥式整流后的脉动直流电变为平滑的直流电 , 供后级逆变桥及负载使用 . 在电磁灶机芯实际电路中 ,C3一般是由几十微法的薄膜电容器组成 . 该位置的薄膜电容器其实所起的作用是直流支撑 (DC-LINK,负责纹波的吸收和完成交流分量的回路 , 而不是很多人所认为的 (滤波 . 几十微法的电容量 , 对于几十千瓦的负载来说 , 所起到的滤波作用是非常小的 , 直流母线的电压波形根本就无法变得很平滑 . 由于 IGBT 的高速开关 , 会产生大量的高次谐波电流及尖峰谐波电压 . 如果没有电容器作为谐波电流和尖峰电压的吸收 , 那么直流母线回路会产生大量的自激振荡 , 影响 IGBT 等的安全使用及缩短寿命时间 . 因此 , 使用薄膜电容器作为直流母线纹波电压和纹波电流的吸收是目前国内外最常用的方法之一。
C3原则上选用的电容量越大 , 那么吸收效果越好 . 但是需要注意的是电容量过大 , 容易导致设备刚合闸上电的时候 , 由于电容器的瞬间充电电流过大而导致整流桥 , 保险管等过流击穿 . 在电磁灶机芯里 , 一般的选用原则是 :半桥方案(1.5µF/KW 全桥方案(1.2µF/KW.该配置是根据常规的薄膜电容器能承受的 2A/µF的设计工艺所推断。
例如电磁灶半桥 20KW 机型 , 需要的 C3容量是 20*1.5=30µF C3的总纹波电流是
30*2=60A 全桥 20KW 机型 , 需要的 C3容量是 20*1.2=24µF(实际可取 25-30µF C3的总纹波电流是 25*2=50A 建议实际选取的电容量及电容器能允许承受的纹波电流值不能低于上述建议值。
C3位置必须要考虑电路实际需要的纹波电流值是否小于所选用的薄膜电容器能承受的总纹波电流值 (还要保留一定的电流余量 , 否则假如电路需要 60A 的纹波
电流 , 而选择的电容器总共能承受的纹波电流只有 40A, 那么会导致薄膜电容器发热严重 , 长期过热运行 , 大大降低薄膜电容器的使用寿命 , 严重的导致薄膜电容器膨胀鼓包 , 甚至起火燃烧 . 耐压方面 , 一般选择额定电压为 800-1000V.DC 即可 .
C4: IGBT的尖峰电压 /电流吸收、缓冲和抑制,防止 IGBT 击穿
C4作为 IGBT 的开通 /关断尖峰吸收 , 一般用 C 型或者 RC 型接法 , 并接于IGBT 的 CE 端 . 耐压方面一般要根据 IGBT 的额定电压来选择 , 并保留一定的电压余量 . 电容量方面 , 一般可取 0.01µF-0.033µF之间 , 要根据电路和 IGBT 之间的匹配情况来选择最适合的电容量 .C4位置的电容器 , 必须使用 dv/dt值比较大的电容器型号 , 使用中要注意温升是否在允许范围里 . 如使用 RC 型接法 , 需要注意 R 发热量巨大 , 布局的时候需要 R 与 C 保留一定的空间距离 , 防止电容器受到过大的热辐射 .
C5: 谐振电容器 , 配合负载 (电感线圈、变压器等形成 LC 谐振回路 .
C5作为谐振电容器 , 与 L 形成 LC 谐振回路 , 把功率输送出去 . 在使用中要注意所选用的电容器额定电压是否足够 (谐振电压跟设备功率 , 负载材质 , 磁载率 , 负载到电感的距离 , 电路 Q 值等有关 . 如所选择的电容器额定电压值比实际谐振电压值低 , 那么容易出现电容器电压击穿的情况 . 谐振电容器的电流选择方面 , 最好先通过理论值计算,然后初步选择电流值 , 待设备功能满足要求后, 让设备在最大功率的时候通过测量 LC 回路的峰值电流 /均方根值电流的实际值后再进行调整 . 如果实际通过的高频电流值比电容器的额定电流值大 , 那么会导致谐振电容器过热运行 , 长期工作容易出现鼓包或者炸毁 , 甚至是起火的情况发生 . 电路的谐振频率也要在谐振电容器允许的频率范围内 .
C6: 直流母线吸收电容 , 就地吸收 , 缓冲和抑制 IGBT 开关时产生的尖峰电压 .
C6和 C3同样并接于直流母线的正负极上 . 但是由于结构及布线回路等因数的制约 , 导致后端的 IGBT 远离 C3电容 , 所以需要在后端的 IGBT 模块的电源端直接锁上一只母线吸收电容 , 就地吸收 IGBT 产生的纹波电压和纹波电流 .C6在选择
的时候 , 耐压方面一般按照 IGBT 的额定电压来选择 . 尽量选择纹波电流大 ,dv/dt 大 , 杂散电感小的母线吸收电容 . 例如 MKPH -S 0.47µF 1µF 1.5µF 2µF等型号 , 额定电压 1200V.DC 的吸收电容器。
三薄膜电容器选型中常出现的问题
A 额定电压选择不当
额定电压选择不当 , 出现最多的地方是谐振电路部分 (C5.研发人员应该根据设备的额定功率 , 输入电压 , 电路拓扑 , 逆变控制方式 , 负载材质 , 负载磁载率 , 电路Q 值等参数作为综合考虑后作初步计算 . 待样机初步达到要求后 , 需要用示波器加高压电压探头 , 实际测量一下
设备在最大功率的时候 ,
谐振电容器两端的峰峰值电压 , 峰值电压 , 均方根值电压 , 谐振频率等参数 , 用来判定所选择的谐振电容器型号及参数是否正确 .
B 额定电流选择不当
额定电流选择不当 , 出现最多的地方是 C3(直流支撑和 C5(谐振部份 . 实际需要的电流值如果比电容器允许通过的电流值大 , 那么会造成电容器发热严重 , 长期高温工作 , 导致电容器寿命大大降低 , 严重的会炸毁甚至是起火燃烧 . 在设备研发
中 , 可以通过专用的电流探头或其他方式 , 测量一下实际需要的峰值电流,均方根值电流 , 然后调整电容器的参数 . 最终可通过设备在满功率老化测试中 , 测量一下电容器的温升 , 根据电容器的温升允许参数来判定电容器的选择是否恰当 . (电流测量及温升情况来综合评定
C 接线方式不当
接线方式不当 , 主要出现在电容器多只并联使用中 . 由于接线方式 , 走线距离不一致等因数 , 导致每只并联的电容器在电路中分流不一致 . 最终体现在多只并联的电容器 , 每只的温升都不一致 . 个别位置的电容器温升过高 , 出现烧毁的情况 . 因此 , 需要对电容器的并联使用进行合理的布线及连接 , 尽量要做到均流 , 提高电容器的使用寿命 .
四薄膜电容器使用中的波形参考
C3电压基波波形 (505V/300HZ C3纹波电压波形(38V/23.3KHz
C5谐振电流波形 (Ip=84A Irms=60A C4吸收电容波形 (Vce=581V F=19.6KHz 总结
电磁加热设备应用领域日益增大 , 薄膜电容器的使用要求和电性能参数也越来越高 . 本文通过对三相全桥电磁炉作为案例 , 分析了设备内部各位置的薄膜电容器所起的作用及选型原则 , 注意事项等等 , 望能对广大研发人员带来一些方便 !。