北大微电子专业考研数模电专业课（科目代码938）中考试的主要内容是数电和模电。
该科目从2005年设立，之前微电子专业只能考半导体物理专业课。
所以目前市面上只有2006、2007、2008的真题，2008年以后学校不再公布真题，因此2009年真题在市面上从未出现，而2010年真题只有我自己的回忆版。
由于北大本专业不提供参考教材和考试大纲，所以以上这些真题具有极大的参考价值，同学们在复习时要认真分析试卷中的题目，把握考试重点。
有重点，有区别的进行复习，以避免浪费宝贵的备考时间。
这里我将结合自己的复习经验对历年的真题考点进行总结，这些真题考点也可以做为大家复习时的大纲参考。
下面我们就数模电分别进行总结。
模电考点分析2006年真题涉及到的考点：1、三极管的工作原理（填空题）2、三极管构成的基本放大电路（计算题）3、负反馈技术（填空题）4、信号的运算与处理（计算题）5、信号产生电路（填空题）2007年真题涉及到的考点：1、三极管构成的基本放大电路（计算题）2、MOSFET基础知识（判断题）3、负反馈技术（判断题、计算题）4、MOS基本放大电路（计算题）5、信号的运算与处理---滤波内容（计算题）2008年真题涉及到的考点：1、MOS基本放大电路（计算题）2、运放的特性（简答题）3、信号产生电路---LC谐振（简答题）4、信号的运算与处理（计算题）5、负反馈技术---频率补偿技术（计算题）2010年真题涉及到的考点：1、信号的运算与处理---滤波器、调制解调（简答题、计算题）2、负反馈技术（简答题、计算题）3、信号产生电路（计算题）4、运放的特性（计算题）数电考点分析2006年真题涉及到的考点：1、门电路基本概念（名词解释）2、进制基础（计算题）3、组合逻辑设计（计算题）4、时序逻辑设计（计算题）2007年真题涉及到的考点：1、进制基础（判断题）2、触发器基本概念（判断题）3、CMOS组合逻辑（计算题）4、组合逻辑设计（计算题）5、时序逻辑设计（计算题）2008年真题涉及到的考点：1、触发器特性（简答题）2、CMOS组合逻辑---CMOS反相器（简答题）3、组合逻辑设计（计算题）4、时序逻辑设计（计算题）2010年真题涉及到的考点：1、进制基础（简答题）2、CMOS组合逻辑（简答题）3、组合逻辑设计（计算题）4、时序逻辑设计（计算题）5、存储器扩展（计算题）6、触发器---触发器的构成（计算题）综合分析：以上模电考点分析中列出的知识点均是以康华光教材中对应的知识点所在章的标题命名的。
物理与电子信息系《DSP原理及应用》课程考试试题（A卷）2008年上学期电子05-1BF班级时量：120分钟总分：100分考试说明：本试题中所指DSP芯片均指TI公司TMS32C54x系列DSP芯片，使用到的相关存储器影像寄存器在相应地方有其格式说明。
一、单项选择题(本大题总共8小题，每小题4分，共32分)每小题所列出有4小项，其中仅1项是符合题目要求的，请将正确的选项序号填写在题目中的括号中。
1、对于TMS320C54x系列DSP芯片，下列说法正确的是( c )(A) 专用型DSP （B）32位定点DSP (C) 16位定点型DSP (D) 浮点型DSP2、TMS320C54x系列DSP的CPU具有三个16位寄存器来作为CPU状态和控制寄存器，下面有一项不是的是：（d ）(A) ST0 (B) ST1 (C) PMST (D) TDDR3、要使DSP能够响应某个可屏蔽中断，下面的说法正确的是( c )(A) 需要把状态寄存器ST1的INTM位置1，且中断屏蔽寄存器IMR相应位置0(B)需要把状态寄存器ST1的INTM位置0，且中断屏蔽寄存器IMR相应位置1(C)需要把状态寄存器ST1的INTM位置1，且中断屏蔽寄存器IMR相应位置1(D)需要把状态寄存器ST1的INTM位置0，且中断屏蔽寄存器IMR相应位置04、下面对TMS320C54xDSP的中断系统叙述错误的是（d ）(A)TMS320C54xDSP的中断系统具有硬件中断和软件中断。
(B)TMS320C54xDSP的硬件中断指由片外扩展的外设引起的中断。
(C)TMS320C54xDSP的中断可以根据是否能被屏蔽分为可屏蔽中断和非屏蔽中断。
(D)TMS320C54xDSP的非屏蔽中断指软件中断、RS中断和NMI中断。
5、下面对TMS320C54xDSP在进行读写操作时占用总线情况，说法正确的是（）(A) 在进行程序读时，需要占用的总线是PAB和DB总线。
第6章放大电路中的反馈一、选择题在输入量不变的情况下，若引入反馈后（），则说明引入的反馈是负反馈。
[北京科技大学2011研]A．输入电阻增大B．输出量增大C．净输入量增大D．净输入量减小【答案】D【解析】根据反馈的效果可以区分反馈的极性，使放大电路净输入量减小的反馈称为负反馈，反之为正反馈。
二、判断题1．放大电路引入深度负反馈，则Xi≈Xf。
（）[北京科技大学2011研]【答案】√【解析】深度负反馈的实质是在近似分析中忽略净输入量，所以Xi≈Xf。
2．为了提高输入电阻，降低输出电阻，应当引入串联电流负反馈。
（）[北京科技大学2011研]【答案】×【解析】为了提高输入电阻，可以采用串联负反馈，为了降低输出电阻，可以采用电压负反馈，因此采用串联电压负反馈。
三、计算分析题1．图6-1（a）、（b）所示为两个反馈电路。
试指出在这两个电路中，分别由哪些元器件组成了放大通路?哪些元器件组成了反馈通路?分别是何种反馈?设放大器是理想的运放，试写出电路的电压放大倍数的表达式。
[中山大学2003研]（a）（b）图6-1解：（1）在图6-1（a）中，运放A l为放大电路，运放A2及R2为反馈通路。
由于当输出电压为零时A2的同向输入端大小为零，反馈为零，所以是电压反馈。
反馈端与输入端由同一端相连，故为并联反馈，此电路为电压并联负反馈。
因为放大器都为理想的运放，所以有虚断和虚短。
则有由上面的式子可以得到电压的放大倍数为（2）在图6-1（b）中，运放A l为放大电路。
运放A2、电阻R2和电阻R3组成反馈通路。
当输出为零时，反馈电压也为零，是电压反馈，反馈端与输入端从不同段影响输入，为串联反馈，此电路为电压串联负反馈。
因为放大器都为理想的运放，所以有虚断和虚短。
则有由上式可得，电压的放大倍数为2．一电流并联负反馈电路的交流通路如图6-2所示。
设R cl＝5kΩ，R c2＝5kΩ，R E2＝1kΩ，R f＝15kΩ，R s＝5kΩ，βl＝β2＝50，r bel＝r BE2＝1kΩ，r CE＝100kΩ，试求放大器的电压增益、输入电阻和输出电阻。
北京联合大学2008专接本《电子电路基础》试卷（A ）一、 填空题(每空1分，共30分)1．本征半导体中掺入五价元素（如磷）后会出现多余电子。
从而形成以自由电子为主的载流子，这种半导体叫做 N 型 半导体。
P 型半导体中电子为 少数 载流子，空穴为 多数 载流子。
N 型半导体中电子为 多数 载流子，空穴为 少数 载流子。
2．给PN 结外加正向电压时，PN 结导电，这时导通电流 TV v S e I i /≈ 。
这个加正向电压的状态叫做正向 偏置 。
3. 场效应管是通过改变 电压 来控制漏极电流的，所以场效应管是 电压 控制 电流 器件。
4. 当温度上升时，晶体管以下参数的变化趋势是；β 增大 ；I C 增大 。
（填写：增大 、减小、不变）5. 为了提高集成运放带负载的能力，在集成运放电路内部的输出级采用 互补对称电路 。
6. 使逻辑函数B A B A F --+=1值为1的各变量取值是（按A 、B 、顺序写） 01或10 ；使逻辑函数B A B A F ⋅=2值为0的各变量取值是（按A 、B 、顺序写） 01或10 。
7. 有一个逻辑函数______________--+=B A AB F ，它的“与非—与” 表达式为 F= B A AB ⋅ ； “与或” F= B A B A --+8. 数字集成电路常用的有TTL 和CMOS 两种类型，两类相比较，一般静态功耗 CMOS 比TTL 小；传输延迟时间 CMOS 比 TTL 大。
9. 为了保证TTL 与非门正常工作，其多余输入端不允许接 地 ；为了保证TTL 或非门正常工作，其多余输入端不允许接 高电平 。
10.双极型晶体管是 两种 载流子参与导电，是 电流 控制器件。
11. (15.375)10 等于二进制数的 1111.011 ，等于8进制数的 17.3 。
12. 十进制数与BCD 码间的转换。
(999)10 = ( 100110011001)8421BCD13. 为了保证三极管工作在放大区，要求发射极 正向偏置 ，集电极 反向偏置 偏置。
