第1章检测题（共100分，120分钟）
一、填空题：（每空0.5分，共25分）
1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的_五_价元素组成的。这种半导体内的
多数载流子为_自由电子_，少数载流子为_空穴—，不能移动的杂质离子带 _正_电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的_三_价元素组成的。这种半导体内的多数载流子
为—空穴一，少数载流子为—自由电子—，不能移动的杂质离子带 _负_电。
2、三极管的内部结构是由—发射一区、_基_区、—集电区_区及—发射一结和—集电一结组成的。三极管对外引出的电极分别是—发射—极、_基_极和—集电—极。
3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向—相反_，有利于—多数载流子—的_扩散一运动而不利于一少数载流子_的_漂移PN结反向偏置时，外电场的方向与内电
场的方向_一致一，有利于_少子_的_漂移—运动而不利于—多子_的_扩散—，这种情况下的电流称为—反向饱和_电流。
4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由_P_向—N_区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由_N_向_P_区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个—空间电荷区_，其方向由_N_区指向_P_区。—空间电荷区_的建立，对多数载流子的扩散一起削弱作用，对少子的—漂移一起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，_PN 结_形成。
5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的_R X 1K_档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的 _阴_极；与黑表棒相接触的电极是二极管的 _阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已
经被—击穿_；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经_绝缘老化。
6、单极型晶体管又称为 _场效应（MOS） _管。其导电沟道分有_N_沟道和_P_沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的 _面_接触型_硅晶体_二极管，正常工作应在特性曲线的_反向击穿—区。
8、MOS管在不使用时应避免_栅_极悬空，务必将各电极短接。
二、判断正误：（每小题1分，共10分）
1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错）
2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对）
3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R X10K档位。（错）
4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错）
5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错）只供学习与交流
6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。
（对）
7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错） &当三极管的集电极电流大于它
的最大允许电流I CM时，该管必被击穿。（错）
9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。
（错）
10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。
（错）
三、选择题：（每小题2分，共20分）
1、单极型半导体器件是（C ）
A、二极管；
B、双极型三极管；
C、场效应管；
D、稳压管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A ）元素构成的。
A、三价；
B、四价；
C、五价；
D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。
A、导通状态；
B、截止状态；
C、反向击穿状态；
D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1K Q，说明该二极管（C ）。
A、已经击穿；
B、完好状态；
C、内部老化不通；
D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。
A、多子扩散；
B、少子扩散；
C、少子漂移；
D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E= 2.1V , V B = 2.8V , V C= 4.4V , 说明此三极管处在（ A ）。
A、放大区；
B、饱和区；
C、截止区；
D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流（ C ）。
A、较大；
B、较小；
C、为零；
D、无法判断。
&正弦电流经过二极管整流后的波形为（ C ）。
A、矩形方波；
B、等腰三角波；
C、正弦半波；
D、仍为正弦波。
9 、三极管超过（
C ）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流I CM；U （BR）
CEO ；
C、集电极最大允许耗散功率P CM；
D、管子的电流放大倍数-o
10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ C ）
A、发射结正偏、集电结正偏；
B、发射结反偏、集电结反偏；
C、发射结正偏、集电结反偏；
D、发射结反偏、集电结正偏。
1、N 型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子， P 型半导体中的多子是带正电
的空穴载流子，因此说N 型半导体带负电，P 型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？
答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少
了电子，从而获得了 N 型半导体或P 型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电 子，所
以仍呈电中性。
2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚① 12V 、管脚② 3V 、
管脚③3.7V ，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
答：管脚③和管脚②电压相差
0.7V ，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管 则可判断出管脚②是发射极，管脚③是基极，管脚①是集电极。
3、图1-29所示电路中，已知 E=5V ,
二极管为理想元件（即认为正向导通时电阻 时
电阻R= m
），试画出u 0的波形。
答：分析：根据电路可知，当u?E 时,
当5所示: 4、 半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况 又有何不
同？
答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中则存在空穴载流子 和自由电
子两种载流子，它们同时参与导电，这就是金属导体和半导体导电机理上的本 质不同点。单极型
晶体管内部只有多数载流子参与导电，因此和双极型晶体管中同时有 两种载流子参与导电也是不
同的。
5、 图1-34所示电路中，硅稳压管 D zi 的稳定电压为 8V , D Z 2的稳定电压为 6V ，正 向压
降均为0.7V ，求各电路的输出电压 U 。。
答：（a ）图：两稳压管串联，总稳压值为 14V ，所以U °=14V ；
（b ） 图：两稳压管并联，输出电压按小值计，因此
U °=6V ； （c ） 图：两稳压管反向串联， U 0=8.7V ；
6、半导体二极管由一个 PN 结构成，三极管则由两个 PN 结构成，那么，能否将两
脚①比管脚②和③的电位都高,
所以一定是一个 NPN 型硅管。再根据管子在放大时的原
u/V
