AM55-0003SMB中文资料

诊断仪I操作说明- 功能 -MA136510046I 型诊断仪7 段数字显示屏起动/停止按键（闪烁1）旋转脉冲LK 传感器运行：IS/RS2IS 上行SR 模块反馈IS 下行程序选择旋钮安全回路EK LN 传感器HKTK W/W1 接触器KT WO/WU 接触器当I 型诊断仪没有进入 15AF 功能时，LK 和 LN 感应器被井道码板遮挡时，诊断仪上的 LK 和LN 相应的发光二极管闪烁。

当 I 型诊断仪进入 15AF 功能时，LK 和 LN 感应器被井道码板遮挡时，诊断仪上的LK和LN相应的发光二极管不闪烁，并且在功能15AF里这两个LED的配位也互相对换（见MA13，类型6510，顺序号046）。

用诊断仪I总共可查询或处理16项功能。

用户可以通过程序选择旋钮选定各项功能。

选定的功能出现在七段数字显示屏上（闪烁显示）。

使用方法将诊断仪I插入相关的印刷电路板（CPU，门控制，LMS1等等）。

显示屏显示某项功能(闪烁)。

用户可调节程序选择旋钮，选择需要的功能。

只有在显示屏闪烁的情况下,才能从一个功能转换到另一个功能。

退出选定功能：将程序选择旋钮旋转一档，然后按启动/停止键>2秒。

用户可通过AF00（dF00，bF00）或者将主开关切断再接通，退出教入功能。

本书中对诊断仪I的阐述或功能描述适用于04.86.3版起的所有工作程序。

TCI/TCM 电梯控制系统的现行工作程序将在紧急信息栏中公布。

诊断仪I的所有功能将在以下章节中分别作详细介绍。

1）当七段显示屏闪烁时，上图侧面所示功能将由A列及B列发光二极管指示出来。

2）IS ...检修运行RS ...应急电动运行。

诊断仪I（适用于电梯控制系统TCI和TCM）当TCI采用04.86/3版起的工作程序，TCM采用MC，MC1，MC2，MC3控制系统时，以下功能可供选择。

功能界面功能名称描述页数01 00故障堆栈读出故障堆栈及事件堆栈F01 1-3402 00显示订单号06.88/6 版起的工作程序可实现此功能F02 103 00显示轿厢位置轿厢位置显示在7段显示器上；LED无意义F03 104 00运行阶段显示屏和LED显示当前的运行阶段F04 1-205 00存储器地址 A 列及 B 列 LED 显示重要的存储器地址（轿厢）F05 1-2006 00门锁装置（TCI）主门：A列及B列LED显示F06 LMS2（TCM）LMS2 教入107 00门锁装置（TCI）后门：A列及B列LED显示F07 CPI 参数（TCM）显示CPI控制器参数（仅限TCM）1-308 00轿厢召唤对主门一侧楼层发轿厢召唤F08109 00厅门召唤发下行召唤(TU) -主门侧F09 110 00厅门召唤发上行召唤(TU) -主门侧F10 111 00轿厢召唤对后门一侧楼层发轿厢召唤F11112 00厅门召唤发下行召唤(TU) -后门侧F12 113 00厅门召唤发上行召唤(TU) -后门侧F13 114 00显示版本及标志位显示CPU工作程序版本及发行日期。

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注意 – 若使用非此处指定的控制、调整或执行程序，可能会导致有害的激光辐射暴露。
产品有毒有害物质或元素清单
本产品表面标识的环保使用期限是在正常使用情况下 （产品正常使用具体条件请参见产品使用手 册）的环保使用期限，下表为产品中含有有毒物质的部件清单 :
部件名称
键盘口
³ 5155143 键盘口仿真
前缀
扫描下列某个条码，将您的扫描枪设为在每个条码前添加或删除文本开始符或 者 或 AIM 标识符。
³ 116615 STX 前缀开启
³ 107915 AIM ID 前缀开启
³ 116605 STX 前缀关闭
³ 107905 AIM ID 前缀关闭
后缀
扫描下列某个条码，将您的扫描枪设为在每个条码后添加或删除回车符、 换行、制表符或者文本结束符。
扫描 “ 进入 / 退出编程 ” 条码，即可开始。随后将 ASCII 字符的十进制等值 3 位数扫描到带代码字节条码的适当字符位置 （请参见代码字节，下页）。 若要保存，请再次扫描 “ 进入 / 退出编程 ” 条码。
示例：要添加星号 (*) 作为前缀，请扫描条码：
1. 进入 / 退出编程 2. 可配置的前缀 #1 3. 代码字节 0 4. 代码字节 4 5. 代码字节 2 6. 进入 / 退出编程

1.2
附件 .....................................................................................................1
1.3
主板特性 .............................................................................................2
1.4
后置面板接口 .....................................................................................3
1.5
主板布局图 .........................................................................................4
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目录
第一章: 主板介绍 ........................................................... 1

Cascadable Silicon Bipolar MMIC␣Amplifier Technical DataFeatures•Cascadable 50 Ω Gain Block •High Output Power:18.0 dBm Typical P 1 dB at 1.0␣GHz •Low Distortion:29.0 dBm Typical I P 3 at 1.0␣GHz •7.0 dB Typical Gain at 1.0␣GHz •Surface Mount Plastic Package •Tape-and-Reel Packaging Option Available [1]MSA-050505 Plastic PackageDescriptionThe MSA-0505 is a high perfor-mance medium power silicon bipolar Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) housed in a low cost, surface mount package. This MMIC is designed for use as a general purpose 50 Ωgain block. Typical applications include narrow and broad band IF and RF amplifiers in commercial systems.The MSA-series is fabricated using HP’s 10 GHz f T , 25␣GHz f MAX ,silicon bipolar MMIC process which uses nitride self-alignment,ion implantation, and gold metalli-zation to achieve excellent performance, uniformity and reliability. The use of an external bias resistor for temperature and current stability also allows bias flexibility.Typical Biasing ConfigurationRV CC > 12 VINOUTNote:1.Refer to PACKAGING section “Tape-and-Reel Packaging for Semiconductor Devices.”MSA-0505 Absolute Maximum RatingsParameter Absolute Maximum [1]Device Current135 mA Power Dissipation [2,3] 1.5 W RF Input Power+25 dBm Junction Temperature 200°C Storage Temperature–65 to 150°CThermal Resistance [2,4]:θjc = 85°C/WNotes:1.Permanent damage may occur if any of these limits are exceeded.2.T CASE = 25°C.3.Derate at 11.8 mW/°C for T C > 73°C.4.See MEASUREMENTS section “Thermal Resistance” for more information.P 1 dB Output Power at 1 dB Gain Compression f = 0.5 GHz dBm 19.0f = 1.0 GHz dBm 16.018.0G P Power Gain (|S 21|2) f = 0.5 GHz dB7.5f = 1.0 GHz 6.07.0∆G P Gain Flatness f = 0.1 to 1.5 GHzdB ±0.75f 3 dB 3 dB Bandwidth [2]GHz2.3I nput VSWR f = 0.1 to 1.5 GHz 1.6:1Output VSWRf = 0.1 to 1.5 GHz 2.0:1I P 3Third Order Intercept Point f = 1.0 GHz dBm 29.0NF 50 Ω Noise Figure f = 1.0 GHz dB 6.5t D Group Delay f = 1.0 GHz psec 190V d Device VoltageV 6.78.410.1dV/dTDevice Voltage Temperature CoefficientmV/°C–16.0Notes:1.The recommended operating current range for this device is 60 to 100 mA. Typical performance as a function of current is on the following page.2.Referenced from 0.1 GHz Gain (G P ).Electrical Specifications [1], T A = 25°CSymbolParameters and Test Conditions: I d = 80 mA, Z O = 50 ΩUnitsMin.Typ.Max.VSWR Part Number Ordering InformationPart Number No. of DevicesContainer MSA-0505-TR15007" Reel MSA-0505-STR10StripFor more information, see “Tape and Reel Packaging for Semiconductor Devices”.MSA-0505 Typical Scattering Parameters (T A = 25°C, I d = 80 mA)Freq.MHzMagAngdBMagAngdBMagAngMagAngk5.56–3914.9 5.56161–18.5.12039.65–360.6025.24–1039.7 3.05156–13.9.20212.25–900.9750.15–1308.2 2.57163–13.7.2077.15–116 1.15100.13–1557.8 2.45165–13.7.2073.11–132 1.21200.12–1707.7 3.43161–13.5.2111.11–145 1.21400.121787.5 2.37148–13.6.209–1.14–146 1.23600.131727.4 2.34134–13.6.209–2.17–151 1.23800.131687.2 2.29119–13.6.209–3.21–157 1.231000.141667.0 2.24105–13.4.213–4.25–164 1.211500.21159 6.4 2.0972–13.3.217–6.34176 1.162000.30148 5.2 1.8242–13.1.222–9.42159 1.122500.40136 4.1 1.6017–12.9.227–11.48146 1.053000.52121 2.7 1.36–7–12.6.234–16.551330.92A model for this device is available in the DEVICE MODELS section.S 11S 21S 12 S 22Typical Performance, T A = 25°C(unless otherwise noted)24681081012141618202224POWER OUT (dBm)Figure 1. Typical Gain vs. Power Out,T A = 25°C, I d= 80 mA.G A I N (d B )FREQUENCY (GHz)Figure 2. Device Current vs. Voltage.306090120V d (V)I d (m A )36912121418162220P 1 d B (d B m )TEMPERATURE (°C)Figure 3. Output Power at 1 dB Gain Compression, vs. Case Temperature, I d = 80 mA.18–25+25+851434P 1 d B (d B m )I d (mA)Figure 5. Output Power at 1 dB Gain Compression, Third Order Intercept vs. Case Temperature, f = 1.0 GHz.Figure 4. Gain vs. Frequency,I d = 80 to 100 mA.60708090100I P 3 (d B m )0.5 GHz1.0 GHz2.0 GHz.01.050.10.5 1.05.014121086420G p (d B )05 Plastic Package Dimensions(4 PLCS)0.0005 ± 0.010 (0.013 ± 0.25)DIA Notes:(unless otherwise specified)1. Dimensions are in2. Tolerancesin .xxx = ± 0.005 mm .xx = ± 0.13mm。