《电子产品工艺》其终考试(开卷)试题

PACK工艺考核试卷

姓名： ________________________

工序： ________________________

工号: ________________________

1. 模组组合方式中有串联并联的方式，一个2P6S的模组中有（）个电芯. [单选题]

*

A. 8

B. 10

C. 12(正确答案)

D. 16

2. 半成品接插件按照完成后定扭顺序应按照（）进行定扭. [单选题] *

A.(正确答案)

B.

C.

D.

3. 电池管理系统的英文缩写是（） [单选题] *

A. BDU

B.PDU

C.BND D.BMS(正确答案)

4. 关键工序工艺和控制要素,不属于外观控制异常范围是（） [单选题] *

A. 变形

B. 打火

C. 封口焊不良＆漏液

D. 电测压差≥7mV(正确答案)

5. 右图所示中的焊接参数属于（）离焦. [单选题] *

A. 正离焦

B. 正常离焦

C. 负离焦(正确答案)

D. 无离焦

6. 安装模组串联排，控制要点为安装符合性、定扭扭矩值及划线有效性 [判断题] *

对(正确答案)

错

7. 安装加热线＆采集线控制要点为插件顺序正确、插件卡扣对插到位以及反拉无松动. [判断题] *

对(正确答案)

错 8. 关键工序工艺和控制要素,电压控制目的：降低SOC差异，提高一致性 [判断题]

*

对

错(正确答案)

9. 关键工序工艺和控制要素,焊接质量-炸点控制原因：焊缝融合不完整 [判断题] *

对

错(正确答案)

10. 关键工序工艺和控制要素,电池包绝缘控制：目的：检测安全性能，确保电池组安全无风险 [判断题] *

对(正确答案)

错

电子技术工艺基础考试试题

考试时间：60分钟,满分100分

学号__________ 姓名__________ 班级___________ 评分__________

一、填空题 每空1分,共50分

1、各代电子组装工艺中的技术： 手工装联焊接

技术、

通孔插装

技术、 表面组装 技术、 微组装 技术。

2、1904年,弗莱明发明了第一只 电子二极管 真空二极管 标志着世界从此进入了电子时代；1947年,Bell实验室肖克利发明第一只 晶体管 点接触三极管 ；1958年,TI基尔比研制成功第一块

数字IC ,宣布电子工业进入了集成电路时代。

3、皮肤干燥时,人体电阻可呈现 100kΩ

以上,一旦潮湿,电阻可降到 1kΩ 一下。

4、下列logo代表什么

A： B： C：

A、

中国强制认证 China pulsory Certification,CCC

B、 国际标准化组织 International Organization for Standardization,ISO

C、 国际电信联盟 International Telemunication Union,ITU

5、电烙铁的握法如图

a 反握法 b

正握法 c 握笔法

6、下列英文缩写名词对应的中文,ASIC： 专用集成电路 ,FPGA： 现场可编程逻辑门阵列 ,SoC：

片上系统 ,DFM： 可制造性设计 ,DFX： 最优化设计 。

7、CPLD/FPGA芯片设计流程：

设计输入 、 设计编译 、 综合优化 、 仿真校验 、测试下载

。

8、列举三个敏感电阻： 光敏电阻 、 热敏电阻 、 压敏电阻 。

9、IC引脚的形状主要有： 针式引脚 、 J形引脚 、 L形引脚 、 球状引脚 。

- 1 - 华中科技大学光学与电子信息学院考试试卷(A卷)

2014～2015学年度第一学期

课程名称： 微电子工艺学 考试年级： 2012级

考试时间： 2015 年 1 月 28 日 考试方式： 开卷

学生姓名 学号 专业班级

题号 一 二 三 四 总分

题分 20 20 36 24 100

得分

一、判断下列说法的正误，正确的在后面括号中划“√”，错误的在后面括号中划“×”(本大题共10小题，每小题2分，共20分)

1、随着器件特征尺寸不断缩小、电路性能不断完善、集成度不断提高，互连线所占面积已成为决定芯片面积的主要因素，互连线导致的延迟已可与器件门延迟相比较，单层金属互连逐渐被多层金属互连取代。(√)

2、采用区熔法进行硅单晶生长时，利用分凝现象将物料局部熔化形成狭窄的熔区，并令其沿锭长从一端缓慢地移动到另一端，重复多次使杂质被集中在尾部或头部，使中部材料被提纯。区熔法一次提纯的效果比直拉法好，可以制备更高纯度的单晶。 (×)

3、缺陷的存在对微电子器件利弊各半：在有源区不希望有二维和三维缺陷，而在非有源区的缺陷能够吸引杂质聚集，使邻近有源区内杂质减少，是有好处的。 (√)

4、光刻胶的灵敏度是指完成曝光所需最小曝光剂量(mJ/cm2)，由曝光效率决定(通常负胶比正胶有更高曝光效率) 。灵敏度大的光刻胶曝光时间较短，但曝光效果较差。(×) 5、无论对于PMOS还是NMOS器件，要得到良好受控的阈值电压，需要控制氧化层厚度、沟道掺杂浓度、金属半导体功函数以及氧化层电荷。 (√)

6、半导体掺杂中掺入的杂质必须是电活性的，能提供所需的载流子，使许多微结构和器件得以实现。掺杂的最高极限由杂质固溶度决定，最低极限由硅晶格生长的杂质决定。(√)

《电子产品制作技术》

直流稳压电源的制作与调试 测试题

班级 姓名 成绩

一、 填空题

1．5%误差的电阻应选用（E24）标称值系列来表示。这一误差等级一般用字母（J）来表示。

2.电阻单位： （ 欧姆 ）, 用（ Ω ）字母表示。

3.电阻种类可分为：（ 固定电阻 ）（ 微调电阻 ）（可变电阻 ）

4.色环电阻有（ 四 ）色环电阻和（ 五 ）色环电阻

5.电阻器的主要参数有：(标称电阻值),(允许偏差),(额定功率),(温度系数)

6.属于电阻器的种类有：(播磨电阻器),(光敏电阻器),(气敏电阻器),(排电阻器)

7.电位器的命名一般都是采用（直标法），即将电位器的型号，类别，标称电阻值和额定功率以字母、数字直接标识在电位器外壳上。

8.（电阻值）是指两个固定引脚之间的电阻值，单位为欧姆。

9.绕线电位器具有（功率大），（耐高温），（热稳定性好）且（噪声低）等特点。

10.电容器的功能：（.平滑滤波电容器）、（隔直流电容器）、（耦合电容器）、（谐振电容器）、（时间常数电容器）

11.电容器的命名及规格：根据我国国家标准的规定，电容器型号由（4）个部分构成，电容量值由（2）个部分构成。

12.电容器允许偏差可以分为3个等级：ⅰ级，即偏差为（±5%）以下的电容值，ⅱ级，即偏差为（±5%～±10%）的电容值；ⅲ级，即偏差为（±20%）以上的电容值。

13.电感元件有两个特性：（对直流呈现很小的电阻,对交流呈现阻抗）、(电感元件具有阻止其中电流变化的特性)

14.电感器的基本功能：(作为滤波线圈，阻止交流干扰)，（作为谐振线圈，与电容器组成谐振电脑）,（高频电路中作为高频信号的负载）、（制成变压器传递交流信号）、（利用电磁的感应特性制成磁性元件） 15. 电感器标识为5L713，其中L标识（电感器），713标识（电感量）。