第五章逆变电路一、填空题1、换流方式主要有器件换流、电网换流、负载换流、和强迫换流。
2、单相电压型逆变电路中二极管的作用是反馈和续流。
3、180。
导电方式三相电压型逆变电路中，为了防止同一相上下两桥臂的开关器件同时导通而引起直流侧电源短路，要求采用先断后通的方法。
t4、单相桥式电流型（并联谐振式）逆变电路中为了保证晶闸管可靠关断，反压时间应大t于晶闸管关断时间。
（大于、等于或小于）q5、串联二极管式晶闸管三相电流型逆变电路采用强迫换流方式。
二、选择题1、电压型逆变电路特点有（bcd）A、直流侧接大电感B、交流侧电流接正弦波C、直流侧电压无脉动D、直流侧电流有脉动2、电流型逆变电路特点有（a）A、直流侧接大电感B、交流侧电流接正弦波C、直流侧电压无脉动D、直流侧电流有脉动3、无源逆变电路中，以下半导体器件采用器件换流的有（acd），采用强迫换流和负载换流的有（b）。
A、GTOB、SCRC、IGBTD、MOSFET4、（ad）属于自然换流，（bc）属于外部换流。
A、器件换流B、电网换流C、负载换流D、强迫换流三、问答题1、无源逆变电路和有源逆变电路有何不同？答：两种电路的不同主要是：有源逆变电路的交流测接电网，即交流侧接有电源。
而无源逆变电路的交流侧直接和负载联接。
2、换流方式各有哪几种？各有什么特点？答：换流方多有4种：器件换流：利用全控器件的自关断能力进行换流。
全控型器件采用此换流方式。
电网换流：由电网提供换流电压，只要把负的电网电压加在欲换流的器件上即可。
负载换流：由负载提供换流电压，当负载为电容性负载即负载电流超前于负载电压时，可实现负载换流。
强迫换流：设置附加换流电路，给欲关断的晶闸管强迫施加反向电压换流称为强迫换流。
通常是利用附加电容上的能量实现，也称电容换流。
晶闸管电路不能采用器件换流，根据电路形式的不同采用电网换流、负载换流和强迫换流3种方式。
3、什么是电压型逆变电路？什么是电流型逆变电路？二者各有什么特点答：按照逆变电路直流测电源性质分类，直流侧是电压源的逆变电路称为电压型逆变电路，直流侧是电流源的逆变电路称为电流型逆变电路。
并联谐振逆变电源的电路设计本文提出了一种应用于感应加热的并联谐振逆变电源设计方案，针对其主电路、斩波电路及逆变器控制电路等进行了分析和设计。
电路构成及设计电源的系统框图为图1所示，三相交流电压通过不控整流及滤波电路后转换为直流电压，该电压被送到直流斩波器进行斩波调节，变为功率可调节的近似恒流源后输入逆变器，之后控制感应加热负载。
直流斩波控制部分则通过传感器检测斩波输出的电流信号，经PI调节器，控制PWM的输出脉宽，从而改变斩波输出电流的大小，实现闭环控制。
逆变器控制部分采用锁相环频率跟踪电路控制逆变器的工作频率，产生高频触发脉冲，驱动逆变电路中功率器件的通断。
主电路1、并联谐振逆变电源的主电路由三相不控整流桥、直流斩波器、电流源并联谐振逆变器和负载匹配电路四部分组成(图2)。
这里采用不控整流加斩波构成直流电流源，主要是考虑到其具有保护速度快以及高频斩波带来的滤波器尺寸小等优点。
斩波器和逆变器中的主功率器件(VT与VT1、VT2、VT3、VT4)均采用IGBT管。
逆变器桥臂的每一个IGBT上均串联一个二极管，通过IGBT的正向电流也将全部通过串联二极管，这就要求串联二极管能够通过很大的正向电压和承受很高的反向电压，因此VD1~VD4选用的是快速恢复二级管。
逆变器通过半导体开关有规律地切换，在负载侧得到一定频率的交流电流，其频率由开关的动作频率决定，由于是电流源供电，逆变器输出电流近似为方波，负载对基波分量呈高阻，压降较大，而三次及三次以上谐波产生的压降较小，可近似认输出电压(即电容C两端电压)为正弦波。
2、PWM斩波控制斩波的实现是通过控制IGBT(图2中VT管)的导通来控制电流的大小，从而间接控制功率。
在稳态运行过程中，为实时了解负载的变化，需从谐振回路中反馈电流的变化，通过与基准值比较获得占空比的大小。
图1系统框图中的电流检测可选用霍尔电流传感器，检测逆变器直流母线输入电流的大小。
控制电路采用PI调节器，由运放与电阻、电容等元件构成，可将检测电流与设定电流比较，只要反馈和设定有偏差，就可通过调节，使反馈向设定值逼近直至等于设定值，从而实现无差调节，提高系统稳定性。
一、单选题(共40题，每题1分)1.关于单相桥式全控整流电路，表述正确的是：（B）A.单相桥式全控整流电路简单，但整流变压器存在直流磁化现象。
B.单相桥式全控整流电路中的整流变压器不存在直流磁化现象。
C.单相桥式全控整流电路简单，在电阻性负载时，整流变压器存在直流磁化现象。
2.MOSFET和IGBT并联运行，表述正确的是：（B）A.型号相同的MOSFET可以并联运行，而IGBT不可以并联运行。
B.型号相同的MOSFET可以并联运行，IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数，也可以并联使用。
C.型号相同的MOSFET不可以并联运行，而IGBT可以并联运行。
3.关于相控电路的驱动电路，表述正确的是：（B）A.相控驱动电路要有同步环节，同步信号频率与主电路电源的频率相同，其相位关系则随外加控制信号的变化而变化。
B.相控驱动电路要有同步环节，同步信号频率与主电路电源的频率相同且相位关系确定。
C.相控驱动电路不需要同步环节，其相位关系由外加控制信号确定。
4.晶闸管正向特性表述正确的是：（C）。
A.随着门极电流幅值的增大，正向转折电压增大。
B.只要门极电流幅值大于1mA，晶闸管承受正向电压时就导通。
C.随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。
5.有关GTR的二次击穿现象表述正确的是：（C）A.虽然GTR存在二次击穿现象，但GTR的安全工作区与二次击穿现象无关。
B.GTR的安全工作区就是二次击穿曲线。
C.GTR的安全工作区与其存在二次击穿现象有关。
6.晶闸管的结构为：（B ）A.晶闸管具有PNP和NPN六层半导体结构。
B.晶闸管具有PNPN四层半导体结构C.晶闸管具有PNP和或NPN三层半导体结构。
7.三相桥式全控整流电路导通晶闸管数量，表述正确的是：（ B ）A.三相桥式全控整流电路每个时刻均需2个晶闸管同时导通，但不能肯定是否共阴极组的和共阳极组的各1个导通。
B.三相桥式全控整流电路每个时刻均需2个晶闸管同时导通，共阴极组的和共阳极组的各1个，且不能为同一相的晶闸管。
