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CPU存储器的范围和特性.

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S7—200 CPU存储器的范围和特性 描述 CPU221 CPU222 CPU224 CPU226 用户程序区大小 2048字 4096字 拥护数据区大小 1024字 2560字 输入映像寄存器 I0.0～I15.7 输出映像寄存器 Q0.0～Q15.7 模拟量输入（只读） － AIW0～AIW30 AIW0～AIW62 模拟量输出（只写） － AQW0～AQW30 AQW0～AQW62 变量积存器（V）① VB0.0～VB2047.7 VB0.0～VB5119.7 局部寄存器（L）② LB0.0～LB63.7 位寄存器（M） M0.0～M31.7 特殊寄存器（SM） 特殊寄存器（只读） SM0.0～SM179.7 SM0.0～SM29.7 SM0.0～SM299.7

SM0.0～SM29.7

定时器 保持型通电延时，1ms 保持型通电延时，10ms 保持型通电延时，100ms On/Off延时，1ms On/Off延时，10ms On/Off延时，100ms

256（T0～T255） T0,T64 T1～T4,T68～T68 T5～T31,T65～T95 T32,T96 T33～T36,T97～T100 T37～T63,T101～T255

计数器 C0～C255 高速计数器 HC0，HC3，HC4，HC5 HC0～HC5 顺序控制继电器 S0.0～S31.7 累加寄存器 AC0～AC3 跳转/标号 0～255 调用/子程序 0～63 中断子程序 0～127 PID回路 0～7 串行通信口 端口0 端口0，

S7—200操作数的范围 寻址方式 CPU221 CPU222 CPU224，CPU226

位存取（字节，位） V0.0～V2047.7 V0.0～V55119.7 I0.0～I15.7 Q0.0～Q15.7 M0.0～M31.7 SM0.0～SM179.7 S0.0～S31.7 T0～T255 C0～C255 L0～L63.7

字节存取 VB0～VB2047 VB0～VB5119 IB0～IB15 QB0～QB15 MB0～MB31 SMB0～SMB179 SB0～SB31 LB0～LB63 AC0～AC3 常数

字存取 VW0～VW2046 VW0～VW5118 IW0～IW14 QW0～QW14 MW0～MW30 SMW0～SMW178 SW0～SW30 T0～T255 C0～CC255 LW0～LW62 AC0～AC3 AIW0～AIW30 AQW～AQW30 AIW0～AIW62 AQW0～AQW62

常数

双字存取 VD0～VD2044 VD0～VD5116 ID0～ID12 QD0～QD12 MD0～MD28 SMD0～SMD176 SD0～SD28 LD0～LD60 AC0～AC3 HC0，HC3，HC4，HC5 HC0～HC5 常数 ① V存储器都可以存储在永久存储区。 ② LB60—LB63为STEP 7-Micro/WIN32的3.0版本或以后的版本保留。

一．存储器的数据类型与寻址方式 1．位、字节、字和双字 二进制数1位（bit）只有0和1两种不同的取值，可用来表示开关量（或称数字量）的两种不同的状态：通和断。

8位二进制数组成1个字节（Byte），第0位最低位（LSB）、第7位为最高位（MSB）。两个字节组成1字（Word）。两个字组成1双字（D表示双字）。

数据的位数与取值范围 B（字节），8位值：无符号数 十进制： 0~255 ；十六进制 ：0~FF W（字），16位值：无符号数 十进制 ：0~65535；十六进制：0~FFFF D（双字），32位值：无符号数 十进制：0~4294967295；十六进制：0~FFFFFFFF

2．数据的存取方式 位存储单元的地址由字节地址和位地址组成，如：I3.2中的I表示区域标识符input，字节地址为3，位地址为2。这种存取方式称为“字节.位”寻址方式。

输入字节IB3（B是Byte的缩写）由I3.0~I3.7这8位组成。相邻的两个字节组成一个字，VW100表示由VB100和VB101组成的1个字，V表示区域标识符；W表示字（Word）；100表示起始字节的地址。

VD100表示由VB100~VB103组成的双字，V为区域标识符；D表示存取双字（Double Word）；100为起始字节的地址。

二． 存储取的寻址（I、Q、V、M、SM、L均可按位、字节、字和双字

来存取） 1．输入映像寄存器（I）寻址 输入映像寄存器的标识符为I（I0.0~I15.7），在每个扫期描周的开始，CP对输入点进行采样，并将采样值存入映像寄存器中。

2．输出映像寄存器（Q）寻址 输出映像寄存器的标识符为Q（Q0.0~Q15.7），在扫期描周的末尾，CPU输出映像寄存器数据传输给输出模块，再由后者驱动外部负载。

3．量存储器（V）寻址 在程序执行的过程中存放中间结果，或用来保存与工序或任务有关的其他数据。

4．位存储区（M）区寻址 内部存储器标志位（M0.0~M31.7）用来保存控制继电器的中间操作状态或其他控制信息。 5．特殊存储器（SM）标志位寻址 特殊存储器用于CPU与用户之间交换信息，例如SM0.0一直为“1”状态，SM0.1仅在执行用户程序的第一个扫描周期为“1”。SM0.4、SM0.5分别提供周期为1min和1s的时钟脉冲。SM1.0、SM1.1和SM1.2分别是零标志、溢出标志和负数标志。 6．局部存储器（L）区寻址 7．定时器存储器（T）区寻址 S7—200 有三种定时器为1sm、10sm、100sm，当前值寄存器是16位有 号整数，时基增量值1~32767。地址：T0~T255 8．计数器存储器（C）区寻址 计数器用来累计其计数输入端电平由低到高的次数CPU提供加计数器、减计数器和加减计数器当前值为16位有符号整数用来存放累计的脉冲数1~32767。地址：C0~C255。 9．顺序控制继电器（S）寻址 顺序控制继电器（SCR）位用于组织机器的顺序操作，SCR提供控制程序的逻辑分段。 10．拟量输入（AI）寻址（一个字长16位，地址为偶数字节如：AIW2、AIW4、AIW6等） 11．模拟量输出（AQ）寻址（一个字长16位，地址为偶数字节如：AQW2、AQW4、AQW6等） 12．累加器（AC）寻址 13．高速计数器（HC）寻址

IEC1131－3的复杂数据类型 数据类型 名称 数据范围 TON 通电延时定时器 1ms：T32，T96

10ms：T33～T36，T97～T100 100ms：T37～T63，T101～T255 TOF 断电延时定时器

TP 脉冲

CTU 加计数器

C0～C255 CTD 减计数器 CTUD 加减计数器

SR 值位优先触发器 —

RS 复位优先触发器 — S7-200的SIMATIC 指令集简表 布尔指令 LD N LDI N LDN N LDNI N

装载（开始的常开触点） 立即装载 取反后装载（开始的常开触点） 取反后立即装载 A N AI N AN N ANI N

与（串联的常开触点） 立即与 取反后与（串联的常开触点） 取反后立即与 O N OI N ON N ONI N

或（并联的常开触点） 立即或 取反后或（并联的常开触点） 取反后立即或 LDBx N1，N2 装载字节比较结果 N1( x：＜，＞，=，≤，≥，〈 〉)N2 ABx N1，N2 与字节比较结果 N1( x：＜，＞，=，≤，≥，〈 〉)N2 OBx N1，N2 或字节比较结果 N1( x：＜，＞，=，≤，≥，〈 〉)N2 LDWx N1，N2 装载字比较结果 N1( x：＜，＞，=，≤，≥，〈 〉)N2 AWx N1，N2 与字比较结果 N1( x：＜，＞，=，≤，≥，〈 〉)N2 Owx N1, N2 或字比较结果 N1( x：＜，＞，=，≤，≥，〈 〉)N2

LDDx N1, N2 装载双字比较结果 N1( x：＜，＞，=，≤，≥，〈 〉)N2

ADx N1, N2 与双字比较结果 N1( x：＜，＞，=，≤，≥，〈 〉)N2

ODx N1, N2 或双字比较结果 N1( x：＜，＞，=，≤，≥，〈 〉)N2

LDRx N1, N2 装载实数比较结果 N1( x：＜，＞，=，≤，≥，〈 〉)N2

ARx N1, N2 与实数比较结果 N1( x：＜，＞，=，≤，≥，〈 〉)N2

ORx N1, N2 或实数比较结果 N1( x：＜，＞，=，≤，≥，〈 〉)N2

NOT 栈顶值取反

EU 上升沿检测

ED 下降沿检测

= N 赋值（线圈）

=1 N 立即赋值

S S＿BIT, N 置位一个区域 R S＿BIT, N 复位一个区域 SI S＿BIT, N 立即置位一个区域 RI S＿BIT, N 立即复位一个区域

传送、移位、循环和填充指令

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计算机组成原理第四章作业答案

计算机组成原理第四章作业答案

第四章作业答案解释概念：主存、辅存，Cache, RAM, SRAM, DRAM, ROM, PROM ,EPROM ,EEPROM CDROM, Flash Memory.解：1主存：主存又称为内存，直接与CPU交换信息。

2辅存：辅存可作为主存的后备存储器，不直接与CPU交换信息，容量比主存大，速度比主存慢。

3 Cache: Cache缓存是为了解决主存和CPU的速度匹配、提高访存速度的一种存储器。

它设在主存和CPU之间，速度比主存快，容量比主存小，存放CPU最近期要用的信息。

4 RAM; RAM是随机存取存储器，在程序的执行过程中既可读出信息又可写入信息。

5 SRAM: 是静态RAM，属于随机存取存储器，在程序的执行过程中既可读出信息又可写入信息。

靠触发器原理存储信息，只要不掉电，信息就不会丢失。

6 DRAM 是动态RAM，属于随机存取存储器，在程序的执行过程中既可读出信息又可写入信息。

靠电容存储电荷原理存储信息，即使电源不掉电，由于电容要放电，信息就会丢失，故需再生。

7 ROM: 是只读存储器，在程序执行过程中只能读出信息，不能写入信息。

8 PROM: 是可一次性编程的只读存储器。

9 EPROM 是可擦洗的只读存储器，可多次编程。

10 EEPROM: 即电可改写型只读存储器，可多次编程。

11 CDROM 即只读型光盘存储器。

12 Flash Memory 即可擦写、非易失性的存储器。

存储器的层次结构主要体现在什么地方？为什么要分这些层次？计算机如何管理这些层次？答：存储器的层次结构主要体现在Cache—主存和主存—辅存这两个存储层次上。

Cache—主存层次在存储系统中主要对CPU访存起加速作用，即从整体运行的效果分析，CPU访存速度加快，接近于Cache的速度，而寻址空间和位价却接近于主存。

主存—辅存层次在存储系统中主要起扩容作用，即从程序员的角度看，他所使用的存储器其容量和位价接近于辅存，而速度接近于主存。

S7-300 CPU技术规范

S7-300 CPU技术规范

•冲击电流，最大值
•冲击电流，典型值
• I²t
•从电源L+供电，最大值
•功率消耗，典型值
2.5 A
1 A²s
3.5 W
2.5 A
1 A²s
4 W
12A
8 A
12 W
尺寸和重量
重量
460 g
约460g
约930g
尺寸mm（W×H×D）
80×125×130mm
80×125×130mm
160×125×130mm
CPU/编程
编程语言
•STEP 7
•LAD
•FBD
•STL
•SCL
•CFC
•GRAPH
•HiGraph®
√； V5.3
√
√
√
√
√
√
√；V5.2 SP1 以上
√
√
√
√
√
√
√；V5.0 以上
√
√
√
√
√
√
√
软件库
过程诊断
软件控制器
•指令集
•括号级
•用户程序保护/密码保护
•系统功能(SFC)
•系统功能块(SFB)
511；DB1 - DB511
16 kB
511；DB1 - DB511
16 kB
1023；DB1-DB1023
16 Kbyte；本地数据容量：每个序列级最大1024 字节，每个块最大510 字节
局部数据
•可调节，最大
•预置
•每个优先级，最大
256 字节
510 字节
128 字节
地址区
I/O 地址区
•输入
124 ；每个站
计算机组成原理第四章部分课后题答案（唐朔飞版）

计算机组成原理第四章部分课后题答案（唐朔飞版）

计算机组成原理第四章部分课后题答案（唐朔飞版）4.1 解释概念：主存、辅存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、Flash Memory。

主存：⽤于存放数据和指令，并能由中央处理器直接随机存取，包括存储器体M、各种逻辑部件、控制电路等辅存：辅助存储器，⼜称为外部存储器（需要通过I/O系统与之交换数据）。

存储容量⼤、成本低、存取速度慢，以及可以永久地脱机保存信息。

主要包括磁表⾯存储器、软盘存储器、磁带存储设备、光盘存储设备。

Cache：⾼速缓冲存储器，⽐主存储器体积⼩但速度快，⽤于保有从主存储器得到指令的副本很可能在下⼀步为处理器所需的专⽤缓冲器。

RAM：(Random Access Memory)随机存储器。

存储单元的内容可按需随意取出或存⼊，且存取的速度与存储单元的位置⽆关的存储器。

这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要⽤于存储短时间使⽤的程序。

按照存储信息的不同，随机存储器⼜分为静态随机存储器（StaticRAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。

SRAM：(Static Random Access Memory)它是⼀种具有静⽌存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。

DRAM：(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器最为常见的系统内存。

DRAM 只能将数据保持很短的时间。

为了保持数据，DRAM使⽤电容存储，所以必须隔⼀段时间刷新（refresh）⼀次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。

（关机就会丢失数据）ROM：只读内存（Read-Only Memory）的简称，是⼀种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。

其特性是⼀旦储存资料就⽆法再将之改变或删除。

通常⽤在不需经常变更资料的电⼦或电脑系统中，资料并且不会因为电源关闭⽽消失。

PROM：(Programmable Read-Only Memory)－可编程只读存储器，也叫One-Time Programmable (OTP)ROM“⼀次可编程只读存储器”，是⼀种可以⽤程序操作的只读内存。

4第5章 CC2530 简介4

4第5章 CC2530 简介4


存储器
CODE: 一个只读的存储空间，用于程序存储。这一存储空间 地址是64KB。 DATA：一个读/写的数据存储空间，可以直接或间接被一个 单周期CPU 指令访问。这一存储空间地址是256字节。DATA 存储空间较低的128 字节可以直接或间接寻址，较高的128 字节只能间接寻址。 XDATA：一个读/写的数据存储空间，通常需要4-5 个CPU 指 令周期来访问。这一存储空间地址是64KB。而且访问XDATA 存储器慢于访问DATA，因为CODE 和XDATA 存储空间共享 CPU 内核上的一个通用总线，因此来自CODE 的指令预取可 以不必和XDATA 访问并行执行。
存储器
SFR：一个读/写的寄存器存储空间，可以直接被一个CPU 指令访问。这一存储空间含有128 字节。对于地址是被8 整 除的SFR 寄存器，每一位还可以单独寻址。 这四个存储空间在8051 结构中是分开的，但是在设备中有部 分是重叠的，以减轻DMA 传输和硬件调试操作的负担。
储存器映射
存储器映射在两个重要方面不同于标准的8051内存映射。 首先，为了使得DMA 控制器访问全部物理存储空间，并由此 使得DMA 在不同8051 存储空间之间进行传输，CODE 和 SFR 部分存储空间映射到XDATA 存储空间。 第二，CODE 存储器空间映射可以使用两个备用机制。 第一个机制是，只有程序存储器（即闪存存储器）映射到 CODE 存标准的8051 映射储空间。这一映射设备复位后默认 使用的。第二个机制用于执行来自SRAM 的代码。在这种模 式下，SRAM 映射到0x8000 到(0x8000 + SRAM_SIZE –1)的 区域。这一映射如图2-2 所示。执行来自SRAM 的代码提高了 性能，并减少了功率消耗。
执行的。因此现有的软件必须适用使用MPAGE而不是P2。