模拟电子技术考试试题1

北京交通大学考试试题及参考答案 课程名称：模拟电子技术 2006-2007学年第二学 出题教师：集体 班 级： 学生姓名_________ 学号_________ 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 总分 得分 阅卷人

一、填空（20分） 1. 环境温度变低低，放大电路中晶体管的共射电流放大倍数变__________。 2. 当设计要求输出功率为20W的乙类推挽功放时，应选取PCM至少为__________W的功率管。

3. 在构成多级放大电路时，每级放大器之间的级间耦合方式主要有_______、_______、_______。如果要传送变化缓慢的信号，应采取_______耦合方式。

4. 在负反馈放大电路中，要达到提高输入电阻、改善负载能力的目的，应该给放大器接入_______反馈。

5. 在放大电路中，为了减小从信号源索取的电流，应引用_______反馈。 6. _______比例运算电路的输入电阻大，而_______比例运算电路的输入电阻小。

7. 对于差分放大电路，主要功能是放大差模信号、抑制共模信号，单端输出时要提高共模抑制比，应该______________。

8. 放大电路中对不同频率的信号的响应是不同的，影响放大器高频频率响应的主要原因是______________；影响放大器低频频率响应的主要原因是______________。

9. 测得放大电路中三只晶体三极管三个电极的直流电位如图一所示。试分别判断它们的管型、管脚、所用材料及工作状态。图一（a）为______________、图一（b）为______________、图一（c）为______________。

图一 10. E/E型NMOS放大器与E/D型NMOS放大器相比，电压增益较________，输出电阻较________。

11. NMOS管的衬底是_________型半导体，使用时应接到比源极和漏极电位________的电位上。

答： 1. 变小 2. 4W 3. 直接耦合、阻容耦合、变压器耦合、光电耦合。直接耦合 4. 电压串联负反馈 5. 串联负 6. 同相、反相 7. 增大射极电阻，如采用有源负载 8. 结电容、耦合电容和旁路电容 9. 图一解（a）是锗型PNP管，放大状态；图一解（b）是锗型PNP管，放大状态；图一解（c）是硅型NPN管，放大状态。

管脚如图一解所示。 图一解 1. 小；小 11． P；低

二、（5分）判断下列说法是否正确 1． 双极型三极管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件。( ) 2． 若放大器没接负载，说明放大器工作在开环状态。( ) 3． 在运算电路中，集成运放中的反相输入端为虚地。( ) 4． 若放大器的增益稳定，则引入的反馈一定是负反馈。( ) 5． 集成运放构成的放大电路中，输入电阻都趋近∞。( ) 答： 1对、2错、3错、4错、5错

三、简答题（10分） 1． 简述在大规模的集成电路中，为什么多采用MOS管作为基本单元，而不用双极型三极管。

2． 简述互补对称功率放大器工作在何种状态？此状态的特点是什么？ 解答： 1． MOS器件每个单元所占的芯片面积小，功耗低，输入阻抗高，电压输入范围宽，MOS工艺也比三极管工艺简单，成本低，因而在集成电路中，特别在大规模和超大规模集成电路中，多采用MOS管作为基本单元，而不用双极型三极管。

2． 互补对称功率放大器工作在乙类或甲乙类工作状态。该状态的工作效率较高，一般采用双电源供电，信号动态范围较大。乙类功率放大器存在交越失真。

北京交通大学考试试题及参考答案 课程名称：模拟电子技术 2007-2008学年第二学期 出题教师：集体 班 级： 学生姓名_________ 学号_________ 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 总分 得分 阅卷人

一、填空（15分） 1. 变容二极管在利用其变容特性工作时，应使变容二极管工作在_____________工作状态。

2. MOS管是______________器件，小信号工作时可以等效成______________源。

3. _______比例运算电路的输入电阻大，而_______比例运算电路的输入电阻小。

4. NMOS管的衬底是_______型半导体，使用时应接到比源极和漏极电位_______的电位上。

5. 二极管的V-A特性和工作范围如图1所示，工作点在Q，试求二极管的直流电阻Rbe的电阻值是______________和交流电阻rbe的电阻值是______________。 图1 1. 在共射、共集、共基三种基本放大电路中，可以放大电压、不能放大电流的是_______，不能放大电压、可以放大电流的是_______，输入电阻最小的是_______，输出电阻最小的是_______。

2. 结型场效应管的栅源极间必须加_______偏置电压才能正常放大；P沟道MOS管的栅源极间必须加_______偏置电压才能正常放大。

解答： 1. 反向偏置；或反向电压工作。 2. 电压控制；电压控制电流源。 3. 同相；反相。 4. P；低。 5.

367欧姆；100欧姆

6. 共基；共集；共基；共集 7. 反向；反向

二、选择填空（10分） 1. 如图2所示单级共射放大电路及输出特性曲线，图中MN为直流负载线。 (a) (b) 图2

(1) 要将静态工作点由Q1点调整到Q2，应__________； (2) 要将静态工作点由Q1点调整到Q3，应__________。 A．增大RB B．减小RB C．增大RC D．减小RC E．增大UCC F．减小UCC

2. 如图3是低频功率放大器，请回答下列问题。

(1) 最大输出功率近似为______W。 (2) 级间负反馈元件________。 (3) 电路的反馈类型是____________。引入此反馈可使输入电阻____________。

(4) 要大幅度增加共模抑制比，应将此电路中的_____________改变为____________。

(5) 在没有交越失真的情况下，A、B两点间电压约为____________V。此功率放大器是______类工作状态。

图3 解答： 1．(1) B (2) C （注意：F不对，因为如果减小UCC，虽然直流负载线向左边平移，IB

也将减小）

2. (1) 9W。 (2) R10 (3) 电压串联负反馈；提高 (4) R6；恒流源 (5) 2.8V；甲乙类

三、判断题（5分） 1. 单级放大电路只要接负反馈，就一定稳定增益。（ ） 2. 既然电压负反馈稳定输出电压，那么必然稳定输出电流。（ ） 3. 在放大电路中采用复合管后，使电流增益提高，那么电压增益也一定能提高。（ ） 4. 同相加法器和同相型运放一样，各输入电阻均为无穷大。（ ） 5. 放大电路负载开路因此没有反馈作用。（ ）

解答：对；错；错；错；错

北京交通大学考试试题及参考答案 课程名称：模拟电子技术A 2008--2009学年 第I学期 出题教师：集体命题 （请考生注意：本试卷共有三道大题） 题号 一 二 三 四 五 六 七 总分 得分 阅卷人

一、填空：（20分） 1．当双极型晶体三极管工作在放大区时，偏置电压应满足发射结 ，集电结 。 2．在电子电路中，当双极型晶体三极管（硅管）工作在深度饱和时，偏置电压应满足Ube

，Uce 。 3. 现有由双极型晶体三极管组成的多级放大电路： （1）要求输入电阻较高，电压增益高，输入级应采用 ，输出级应采用 。

（2）要求输入电阻很高，负载能力强，输入级应采用 ，输出级应采用 。

4．放大电路在高频信号作用时引起增益数值下降的原因是 ，而低频信号作用时引起增益数值下降的原因是 。

5．过零比较器的输入电阻为 。 6．用同相比例放大电路构成增益为1的放大器，可以称其为 ，用于多级放大的输入级其作用是 ；用于多级放大的输出级其作用是 ；用于多级放大的中间级其作用是 。

7．甲类放大电路是在 时间内工作；乙类放大电路是在 时间内工作；因此，乙类放大电路的突出优点是 。

8．放大电路的频率响应中，上、下限截止频率是指 频率。通频带宽BW是指 。

参考答案

1. 正偏，反偏。 2. 正偏，正偏。 3. 共集，共射，共集，共集。 4. 结电容与分布电容，旁路电容与隔直电容。 5. 无穷大。 6. 电压跟随器，提高电源利用率，提高负载能力，阻抗变换（缓冲）。 7. 一个周期，半个周期，效率高。

8. 增益下降到中频增益0.707倍时所对应的， 。

二、简答题：（15分） 1．如图1所示电路，管子沟道的宽长比为SNR、SN1、SN2，各支路电流为IR、I1和I2，简略回答下列问题：

（1）增强型MOS管如图1（ ）所示；耗尽型MOS管如图1（ ）所示。 （2）图1（a）所示连接的电路等效 电路？图1（b）所示连接的电路为 电路？