第三章MOS器件⏹§3.1器件的工作原理⏹§3.2 MOS 器件中的二级效应⏹§3.3 MOS器件模型⏹§3.4 MOS器件的电阻和电容§3.1器件的工作原理一、短沟效应：1、有效沟道长度L ＝L drawn－2 L diff－2∆L poly2、耗尽电荷共享沟道耗尽电荷= 栅耗尽区+ 源漏耗尽区二、窄沟效应1、有效沟道宽度W＝W drawn－∆W（1）鸟嘴（2）场注2、沟宽方向上的边缘场使耗尽电荷增加§3.2 MOS 器件中的二级效应三、迁移率变化1、影响迁移率的因素（1）载流子的类型（2）随掺杂浓度增加而减小（3）随温度增加而减小（4）随沟道纵向、横向电场增加而减小2、迁移率的纵向电场退化3、迁移率的横向电场退化4、速度饱和速度并不总是与（横向）电场强度成正比四、沟道长度调制：1、长沟道器件：沟道夹断饱和2、短沟道器件：载流子速度饱和(1) 短沟器件中，速度饱和先于夹断饱和(2) 速度饱和点在漏端处(3) 当源漏电压上升时,饱和点向源端移动五、漏感应势垒下降及源漏穿通（DIBL）1、VDS增加会使源端势垒下降2、沟道长度缩短会使源端势垒下降3、源漏穿通：发射流加大并以扩散形式到达漏端，不受栅压控制六、器件漏电七、热载流子效应1、原因：（1）漏端强电场引起高能热电子与晶格碰撞产生电子/空穴对，引起衬底电流。
（2）电子在强纵向电场作用下穿过栅氧，引起栅电流2、影响:（1）使器件参数变差，特性不稳，电路失效（2）衬底电流引起噪声，Latch-up, 以及动态节点漏电3、解决方法：LDD (lightly doped drain) : 在源漏区与沟道间加一段电阻率较高的轻掺杂n− 区（1）优点：可减小热电子效应，提高源漏电压（2）缺点：n− 区使器件跨导和I减小DS八、体效应：（Body Effect）1、衬偏引起体效应：开启电压随衬偏变化2、衬底电流感应体效应：（SCBE ─ Substrate Current Induced Body Effect ）衬底电流在衬底电阻上的压降造成衬偏电压九、输出电阻十、源漏寄生电阻RS ，RD源漏电阻取决于：1. 源漏区PN 结电阻2. 接触孔电阻十一、反型层电容分压1、反型层表面电势ΦS随栅压V G而变化2、当t OX缩小时，C OX可与沟道电容比拟使跨导减小十二、横向和纵向的非均匀掺杂1、横向非均匀掺杂：随沟道缩短，沟道中平均掺杂浓度增加，使阈值上升2、纵向非均匀掺杂引起V TH 与之间存在非线性关系BSP V V十三、其它1、体电荷效应2、耗尽层宽度不均匀引起阈值电压沿沟道分布不均匀3、参数随几何尺寸变化4、参数取决于源漏电压建立模型的目的与意义为减少设计时间和制造成本，需有效、精确的模型对模型的要求：1、精确：适合全工作范围，电流及其它小信号参数2、有物理基础：全面理解物理过程，能预测器件性能3、可扩展性：能预见不同尺寸器件的性能4、高效率：收敛，连续，减少迭代次数和模拟时间⏹MOS管的结构尺寸缩小到亚微米范围后，多维的物理效应和寄生效应使得对MOS管的模型描述带来了困难。
