固体物理学重要知识点
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(1)Hall系数
—— Hall系数
对于自由电子:q =-e,所以, 其中,n为单位体积中的载流子数,
即载流子浓度。
由Hall系数的测量不仅可以判断载流子的种类(带正电还是带负电),而且还是测量载
流子浓度的重要手段。载流子浓度越低,Hall系数就越大,Hall效应就越明显。
(2)F-D分布函数
——Fermi-Dirac分布函数
其中
是电子的化学势,其物理意义是在体积不变的情况下,系统增加一个电子所需的
自由能。从分布几率看,当E=时,f()=1/2 ,代表填充几率为1/2的能态。
当E- >几个kBT时,exp[(E-)/ kBT] >>1 ,
有:
这时,Fermi-Dirac分布过渡到经典的Boltzmann分布。且f(E)随E的增大而迅速趋于零。
这表明: E- >几个kBT的能态是没有电子占据的空态。
(3)Bloch函数及其物理意义
Bloch函数
行进波因子 表明在晶体中运动的电子已不再局域于某个原子周围,而是可以在整个
晶体中运动的,这种电子称为共有化电子。它的运动具有类似行进平面波的形式。那么,周
期函数 的作用则是对这个波的振幅进行调制,使它从一个原胞到下一个原胞作周期性
振荡,但这并不影响态函数具有行进波的特性。
(4)波失k的物理意义,态空间点阵,分布密度,简约区,k取值总数
波失k的物理意义:表示不同原胞间电子波函数的位相变化。
不同的波矢量k表示原胞间位相差不同,即描述晶体中电子不同的运动状态。
态空间点阵:k取值不连续,在k空间中,k的取值构成一个空间点阵,称为态空间点阵。
分布密度:在k空间中,波失k的分布密度为
简约区: ( —— 简约区)
k取值总数:在简约区中波失k的取值总数为
(5)金属,半导体电导率随温度变化的差异
金属而言:Fermi能级位于导带内,所以温度变化激发的载流子的贡献可以基本不用考虑;
那么:随温度升高,晶格的振动加剧,从而导致载流子受到晶格振动所引起的散射,也就是
声子的散射加强;从而电阻率增加,电导率下降;
半导体而言:Fermi能级位于导带和价带之间,温度变化激发的载流子的贡献必须考虑;随
温度升高,从价带激发到导带的载流子数目增加,即有更多的载流子参与了导电,从而电阻
率降低,电导率上升。半导体的电导率对温度比较敏感,温度上升会使电导率明显增加。
(6)光吸收及光发射
光吸收:当光通过材料时,光与材料中的原子(离子)、电子相互作用时即可发生光的吸收
光发射:物体依赖外界光源进行照射,从而获得能量,产生激发导至发光的现象。它大致经
过吸收、能量传递及光发射三个主要阶段,光的吸收及发射都发生于能带之间的跃迁,都经
过激发态。
(7)二次电子,透射电子及其应用
二次电子(SE):从距样品表面100A左右深度范围内激发出来的低能电子(<50ev)。
主要特点:○1对样品表面形貌敏感;○2空间分辨率高;○3信号收集率高;
1
exp1BfEEkT
1
H
Rnq
1
0HRne
ieukr
kk
rr
iekr
ukr
expexpexpBBBEEfEkTkTkT
ieukr
kk
rr
1
2sin2aqm
qaa
33
88abvNVN
k
a
VNv晶体体积
b
N晶体的原胞数k
应用:扫描垫子显微镜(SEM)
透射电子(TE):如果样品够薄(<1μm)透过样品的入射电子为透射电子,其能量近似于入
射电子能量。
主要特点:○1质厚衬度效应;○2衍射效应(Bragg方程);○3衍衬效应(位向或结构);
应用:透射电子显微镜(TEM)
(8)Eg影响因素及其尺寸关系
影响因素:禁带宽度是半导体的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,
即与晶体结构和原子的结合性质等有关。
尺寸关系:当半导体晶粒尺寸小到一定值时(1~10nm),就会表现出量子尺寸效应。量子尺
寸效应会使其导带和价带能级变成分立能级,能隙变宽,这意味着纳米半导体粒子具有更
强的氧化或还原能力。但这同时也意味着吸收带蓝移,光谱响应范围变窄了,因此随晶体尺
寸的减小,光催化效率将会出现最大值。
(9)倒格子与正格子关系
(10)晶格振动及声子
晶格振动:晶体中原子在格点附近的热振动;
声子:晶格振动的简正模式(或格波)的能量的量子称为声子
(11)能带计算方法
近自由电子近似:在周期场中,若电子的势能随位置的变化(起伏)比较小,而电子的平均
动能要比其势能的绝对值大得多,这样,电子的运动几乎是自由的。因此,我们可以把自由
电子看成是它的零级近似,而将周期场的影响看成小的微扰。
紧束缚近似:当晶体中原子的间距较大,因而原子实对电子有相当强的束缚作用。因此,当
电子距某个原子实比较近时,电子的运动主要受该原子势场的影响,这时电子的行为同孤立
原子中电子的行为相似。这时,可将孤立原子看成零级近似,而将其他原子势场的影响看成
小的微扰。这种方法称为紧束缚近似 (Tight Binding Approximation)。
(12)导体、半导体及绝缘体能带解释
按固体能带理论,物质的核外电子有不同的能量。根据核外电子能级的不同把他们的能级划
分为三种能带:导带、禁带和价带(满带)。在禁带里,是不允许有电子存在的。禁带把导
带和价带分开,对于导体,他的大量电子处于导带,能自由移动。在电场作用下,成为载流
子。因此,导体载流子的浓度很大。 对于绝缘体和半导体,电子大多数都处于价带,不能
自由移动。但在热、光等外界因素的作用下,可以使少量价带中的电子越过禁带,跃迁到导
带上成为载流子。 绝缘体和半导体的区别主要是禁带宽度不同。半导体的禁带很窄(一般
低于3ev),绝缘体的禁带宽一些,电子的跃迁困难得多。因此,绝缘体的载流子浓度很小。
导电性很弱。实际绝缘体里,导带里的电子不是没有,并且总有一些电子会从价带跃迁到导
带,但数量极少。所以,在一般情况下,可以忽略在外场作用下他们移动所形成的电流。但
是,如果外场很强,束缚电荷挣脱束缚而成为自由电荷,则绝缘体就会被“击穿”而成为导
体。
(13)解理面、表面及其各自面指数关系面的催化活性等
矿物晶体在外力作用下严格沿着一定的结晶方向破裂,并且能裂出光滑平面的性质称为
解离,这些面称为解理面。
解理面一般光滑平整,一般平行于面间距最大、面网密度最大的晶面,因为面间距大,
面间的引力小,这样就造成解理面一般的晶面指数较低。
(14)能带形成的主要原因
V成都市五对得起啊呜·额驸,使得晶体内电子的能量状态不同于孤立原子中的电子,
晶体内电子的能量可以处于一些允许的范围之内,这些允许的范围称为能带。 而不能处于
两个能带之间的区域称为禁带。
(15)能态密度及费米面
能态密度
dZ为能量在E-E+dE两等能面间的能态数(考虑了电子自旋),即能态密度为能带中单位
能量间隔内的电子能态数。
dZ=2(k)(k空间中能量在E-E+dE两等能面间的体积)
近自由电子的能态密度 N(E)
紧束缚近似的能态密度
电子的能态密度并不是均匀分布的,电子能量越高,能态密度就越大。
费米面
是最高占据能级的等能面,k空间中能量为的EF等能面E(k)= EF,
是F→0K时电子占据态与非占据态的分界面。
这里仅就近自由电子的费米面结构进行讨论。
对金属,由于EF0>>KBT,所以,在T>0时,只有费米面附近的少量电子受到热激发,其
费米半径的相对变化为 在室温下,这个比值约为10-2,因此,可以认为
金属的费米面基本上与T无关。
dZ
NEdE
3
28VdSdk
等能面
dEEdkk
3
4dZVdSNEdEE
k
3
2
2
3223
1
2
2442Vm
Vm
kEk
F
B
FBFF
kkTTkkTT