第7章 辐照

晶界含两组受力 状态相反的位错， 使晶界不能迁动。
MLgb=k c
式中c5.2， k=310-6m4/J· s。
3
fcc中的[001]及[111]为倾转轴的对称倾转晶界位错分布示意图
b n n b
[001]倾转轴晶界中b与晶界 面夹角=45+/2
[111]倾转轴晶界中b与晶界 面的夹角=/2，b与界面 几乎垂直
杂质的影响
非常少的杂质含量就可以使迁移速度降低几个数 量级。 对同一种溶剂， 不同杂质引起的 2 个区域过渡的临 界浓度不同；在 低速区域对迁移 速度降低的量也 不同。 纯Al中铜Cu和镁Mg杂质 对长大速率的影响
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2016/3/16
不同纯度的铝中的 100 倾转晶界的倾 转角对晶界迁移速 度及激活能的影响。
对于典型的晶粒长大，长大的驱动力很小， D G=DpVaDpb3, Dp是驱动压力， Va 是原子体积 ( 近 似等于 b3)。如果Dpb3kT，把exp(DG/kT)按级数 展开，忽略高次项得： ΔG Δpb A A b exp( ) kT kT
3 m j A
AjAAb2exp(DGm/kT) ≈Db。 Db 为晶界扩散系数，上式简化为:
exp(
ΔG ) kT
m
v为原子振动频率
5
从晶粒1到2以及从晶粒2到1的原子流量分别为: 1 2 2 1
J
1 2
A A n exp(
j A
ΔG ) J kT
m
2 1
A A n exp(
j A
ΔG ΔG ) kT
m
• n 是单位面积晶界上可能跳跃分离的位置数 。 • Aj是晶界结构因子，nAj代表能够跳跃分离的原子数； • AA是适应因子，描述能够成功被另一侧晶粒接受的 位置数。 故从晶粒1到晶粒2的净原子流量J为：

光电成像原理与技术答案【篇一：光电成像原理与技术总复习】t>一、重要术语光电成像技术、像管、变像管、像增强器、摄像管（器）、明适（响）应、暗适（响）应、人眼的绝对视觉阈、人眼的阈值对比度、人眼的光谱灵敏度（光谱光视效率）、人眼的分辨率、图像的信噪比、凝视、凝视中心、瞥见时间、瞥见孔径、辐射度量、辐射功率、辐射强度、辐亮度、辐照度、辐射出照度、光度量、光能、光能密度、光通量、光亮度、光出射度，照度，发光强度，光亮度；坎（凯）德拉、流明、勒克司、视见函数、朗伯辐射体、气溶胶粒子、云、雾、霾、霭、大气消光、大气散射、大气吸收、大气能见度（能见距离）、大气透明度、电子透镜、光电子图像、亮度增益、等效背景照度、畸变、像管分辨力（率）、正（负）电子亲（素）和势、负电子亲和势、光电发射的极限、电流密度、mcp的饱和电流密度、荧光、磷光、表面态、微光夜视仪、照明系统的光强分布、成像系统的极限分辨力、选通技术、靶、惰性（上升惰性、衰减惰性）、摄像管的分辨力、动态范围、靶网、居里温度、热释电靶的单畴化、ccd的开启电压、ccd的转移效率、界面态“胖0”工作模式、光注入、电注入。

二、几个重要的效应1. 光电转换效应（内/外）2. 热释电能转换效率（应）3. 三环效应4. mcp的电阻效应/充电效应三、几个重要定律1. 朗伯余弦2. 基尔霍夫3. 黑体辐射（共4个）4. 波盖尔15. 斯托列托夫6. 爱因斯坦四、重要结构及其工作原理、特点1. 直视型光电成像器件的基本结构、工作原理2. 非直视型（电视型）光电成像器件的基本结构、工作原理3. 人眼的结构及其图像形成过程4. 大气层的基本构成、结构特点5. 像管的结构及其成像的物理过程6. 光阴极实现辐射图像光电转换的物理过程（光电发射过程）7. 电子光学系统的基本结构及其成像过程8. 荧光屏的结构及其发光过程9. 光谱纤维面板的结构及其成像原理10. 微通道板（mcp的结构及其电子图像的倍增原理）11. 主动红外成像系统结构及其成像过程12. 夜视成像系统结构及其成像过程13. 摄像管的结构及其工作原理14. 光电导摄像管的结构及其工作原理15. 热释电摄像管的结构及其工作原理16. 电子枪的结构及其工作原理17. mos电容器的结构及其电荷存储原理、18. ccd的结构及其电荷传输原理19. 埋沟ccd（bccd）的结构及其工作原理220. 线阵ccd的结构及其成像原理五、关键器件、系统的性能参数1. 表征光电成像器件的性能参数2. 大气辐射传输过程中，影响光电成像系统的因素3. 表征像管的性能参数4. 表征mcp的性能参数5. 微光成像系统的性能影响因素6. 摄像管的主要性能参数7. 热释电靶的主要性能参数8. 表征ccd的物理性能参数六、其他1. 辐射源的辐射能量所集中的波段2. mcp的自饱和特性3. 像管的直流高压电源的要求4. 受激辐射可见光的条件5. 计算第三章、第四章题型及分值分布：1. 术语解释（15分）2. 选择题（20分）3. 简述题（35分）4. 计算题（30分）各章习题：3第一章（29页）：4、5、6、7第二章（53页）：6、9第三章（84页）：2、3、8、9、13、14第四章（106页）：1、6第五章（209页）：1、3、4、8、10第六章（244页）：1、3、5、24、26第七章（295页）：1、2、5、6、7、10、12、16、18第八章（366页）：1、2、4、6、7整理by:??/???4【篇二：《光电成像原理与技术》教学大纲】英文名称：principle and technology of photoelectric imaging学分：3.5 学时：56(理论学时：56)先修课程：半导体物理、电动力学、应用光学、物理光学一、目的与任务本课程为电子科学与技术专业（光电子方向）的专业教育必修课程。

一次性使用真空采血管适用范围：本产品与一次性使用无菌静脉血样采集针配套使用，采集静脉血样进行临床检验。

含有不同添加剂或附加物的真空采血管用途依照具体临床检验项目的要求而定。

1.1规格型号的表示方法如下：ST-X-XX-XXX-（2或8）①—②-③-④——⑤①积水技术的第一个字母表示为ST。

②试管容量：5表示试管内最大容量为5ml，是5cc的试管；7 表示试管内最大容量为7ml ，是7cc的试管；10表示试管内最大容量为10ml ，是10cc的试管。

③公称容量：1.0ml：表示为10 ；1.5ml：表示为15；2.0ml：表示为20；2.5ml：表示为25；3.0ml：表示为30。

依此类推，最大公称容量为10ml：表示为100。

④添加剂种类表示为：i. 促凝剂（硅油状物质+硅胶） C；促凝剂+分离胶（烯烃系高分子化合物+硅胶）CG；氟化钠+草酸钾 SFP；氟化钠+肝素锂 SFL；氟化钠+肝素钠 SFH；肝素钠 SH；肝素锂 LH； EDTA-K2 EK；氟化钠+ EDTA-Na2EF；EDTA-K3EK3；EDTA-Na2ENA；柠檬酸钠（9∶1）SC；柠檬酸钠（4∶1）SR；肝素钠+分离胶 SHG；肝素锂+分离胶 LHG；无添加剂 NR；EDTA-Na2+分离胶（烯烃系高分子化合物+硅胶） ENAG；EDTA-K2+分离胶 EKG；EDTA-K3+分离胶 EK3G。

⑤柠檬酸钠浓度 3.2%的柠檬酸钠浓度表示为2；3.8%的柠檬酸钠浓度表示为8。

1.2包装规格见下表：1.3原材料采血管由PET材料制成，包括采血容器（试管）、胶塞、保护帽、标签、添加剂（如果有）、附加物（如果有）、白托/黑托、铝箔袋、瓦楞纸箱等。

2.1 外观在进行目力检验时，采血管材料不应有杂质，不应有能使使用者的皮肤或手套受到意外划伤、刺破或磨伤的锐边、毛刺或粗糙表面。

检验者以正常或矫正视力在平均照度为300lx～750lx，且无放大条件下进行目力检验。

第六章 诱变育种
第七章 诱变育种
2、处理方法：
溶液浸泡处理种子、植物枝条、芽 滴液处理植株切口或花序 结合组织培养 气体熏蒸花粉（烷化剂） 有效PH是成败的关键 烷化剂PI的碱性范围，叠氮钠PI的酸性范围
处理环境影响诱变效果
低浓度、延长处理时间，能减轻伤害，提高存活率和突变率 3、化学诱变剂的特点： ① ② ③ 诱发突变率较高，点突变多，染色体损伤轻，不引起染色体断裂； 生理代谢损伤大，容易引起生活力和可育性下降； 使用所需的设备比较简单，成本较低，诱变效果较好； 对人体更具有危险性
体细胞培养产生的愈伤组织 3、诱变剂和剂量的选择 根据文献和经验，选择目标性状的高频诱变源 确立该诱变源的高频剂量范围，选择 2-3 种不同剂量进行试验 4、处理群体的大小 M2群体大小，M1存活率、目标性状的预期变异率
第六章 诱变育种
第七章 诱变育种
4、处理材料的种植和选择 （ 1） M1代植株及种植：
第六章 诱变育种
第七章 诱变育种
五、诱变育种的工作程序
1、确立目标性状、选择处理材料 单一性状改良，高频突变性状（早熟、矮秆、抗病）
2、材料选择
选择综合性状和适应性较好的推广品种或优良品系进行诱变处理 多倍体突变体的死亡率低、获得较多的变异，但M2难于观察到变异
花培愈伤组织，处理当代显现，易于识别和选择，缩短育种年限
迷道：控制室与照射室之间过道，S、C、L形；
照射室：照射源、储源井、升降装置 处理对象：植株、种子、组织、器官、愈伤组织、花粉（无嵌合体）
第六章 诱变育种
第七章 诱变育种
浙江农科院的60Coγ射线种植房
慢照射 种植房 急照射的照射室结构与种植房相似
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