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高效多晶硅太阳能电池制备工艺研究朋友们！咱们得聊聊那个让太阳能变得“绿”起来的话题——高效多晶硅太阳能电池的制作。
想象一下，阳光下那些闪闪发光的小东西，它们就像是大自然派来的超级英雄，默默无闻地为我们提供着源源不断的绿色能量。
这些小英雄可不是随便就能制造出来的哦！它们背后藏着不少秘密呢。
首先得说说这个“多晶硅”，这可是个高科技玩意儿，它可是太阳能电池的核心材料之一。
科学家们就像魔术师一样，把普通的硅石变出了五彩斑斓的光芒。
他们通过一系列复杂的化学反应，把这些硅石变成了我们手中的高效能电池。
这个过程可不简单，需要精确到纳米级别的控制，才能让电池的性能达到最佳。
我们要说的是“制备工艺”。
这可是一门高深的手艺，需要科学家们像变魔术一样，巧妙地将硅石变成电池。
这不仅仅是一个物理过程，更是一个化学过程，涉及到许多复杂的步骤和细节。
科学家们就像艺术家一样，用他们的智慧和技巧，将这些硅石变成了我们生活中的必需品。
在这个过程中，科学家们还遇到了一些挑战。
比如，如何提高电池的效率？如何降低成本？这些问题就像是摆在面前的难题，需要科学家们不断地探索和创新。
他们就像勇敢的探险家一样，勇敢地面对困难，寻找解决之道。
科学家们并没有放弃。
他们坚持不懈地努力，终于取得了巨大的成功。
现在的太阳能电池已经变得越来越高效、越来越便宜。
它们就像我们的好朋友一样，默默地陪伴着我们，为我们提供着源源不断的绿色能源。
在这个过程中，我们也学到了很多。
我们要感谢那些为科学事业奋斗的人们，是他们让我们的生活变得更加美好。
我们要向他们学习，努力学习，将来也能像他们一样，为社会做出自己的贡献。
我想说，太阳能电池就像一颗颗小小的太阳，它们默默地照亮了我们的生活。
我们要感谢这些小小的太阳，因为它们给我们带来了光明和温暖。
让我们一起珍惜这些小小的太阳，保护我们的地球家园吧！。
多晶硅太阳能电池的制备和性能优化多晶硅太阳能电池是一种常见而重要的太阳能电池类型。
该电池能够将太阳能转化为电能，并被广泛应用于太阳能发电领域。
然而，多晶硅太阳能电池的制备和性能优化是一个复杂而繁琐的过程。
本文将对多晶硅太阳能电池的制备和性能优化进行探讨。
一、多晶硅太阳能电池的制备多晶硅太阳能电池的制备过程包括硅材料准备、硅片切割、清洗、扩散、金属化等多个步骤。
以下是具体制备过程的描述。
首先，需要选择高质量的硅材料。
目前市场上常用的硅材料有单晶硅、多晶硅、非晶硅等。
多晶硅是一种价格相对较为合适的硅材料，常被用来制备太阳能电池。
在材料准备阶段，需要将原材料进行熔炼、焙烧等多个步骤，以获得高纯度的硅材料。
接下来，需要进行硅片的切割。
多晶硅太阳能电池制备过程中，需要将硅材料切割成较为薄的硅片，通常厚度在200-300um之间。
在切割过程中，需要保证硅片表面光滑，无明显划痕和破损。
然后，进行清洗和扩散处理。
在清洗阶段，需要将硅片进行去污、清洗等处理，以保证硅片表面洁净。
接着进行扩散处理，即在硅片表面上涂覆P型或N型硅材料，并在加热过程中使扩散剂与硅材料反应，形成P-N结，以提高硅片的导电性。
最后，进行金属化处理。
在该步骤中，需要将金属电极沉积在硅片上，以形成正负极。
常用的金属有铝、银、铜等。
金属化处理需要精确的工艺控制，以提高太阳能电池的效率和稳定性。
二、多晶硅太阳能电池的性能优化多晶硅太阳能电池的性能受多种因素影响，如硅片质量、扩散剂配比、金属电极厚度等。
以下是针对多晶硅太阳能电池制备过程中的性能优化措施。
1. 优化硅片的质量。
选用高纯度、低氧化物含量的硅材料制备硅片可以有效提高多晶硅太阳能电池的转换效率。
2. 优化扩散剂的配比。
采用合适的扩散剂配比，可以提高硅片表面的掺杂浓度，并增加P-N结的面积和深度，从而提高电池的效率。
3. 优化金属电极厚度。
在金属化处理过程中，适当增加负极厚度，可以显著提高太阳能电池的填充因子和光电流，从而提高电池的性能。
多晶硅光伏电池制备工艺及性能测试随着人们对可再生能源的需求以及环保意识的不断提高，光伏发电逐渐成为人们关注的焦点，而多晶硅光伏电池作为一种常用的光伏电池材料，其制备工艺和性能测试也备受关注。
一、多晶硅光伏电池制备工艺多晶硅光伏电池制备工艺一般包括硅料准备、熔制生长、加工晶圆、清洗表面、强化电子接触等步骤。
其中，硅料的质量是制备多晶硅光伏电池的重要因素之一。
制备多晶硅光伏电池的硅料通常采用矽化镁还原法、硫酸法、气相输运法、新型浮区法等多种方法。
首先，熔制生长阶段是将硅料加热至熔点，使其逐渐形成晶体的过程。
其次，加工晶圆阶段是将生长出的硅晶体将其切割成小片，并使用化学机械抛光等方法使其表面平整光滑。
在清洗表面和强化电子接触阶段，则需要使用特定的清洗液和高温烘干等方法使其表面更加洁净和利于接触。
二、多晶硅光伏电池性能测试多晶硅光伏电池性能测试主要包括外量子效率、内量子效率、光伏特性等方面。
其中，外量子效率是指入射到样品上的光子被吸收后，电流产生的效率，即单位光子能够产生多少电流；内量子效率则是指在太阳光谱照射下，电流产生效率不同波长的光子成比例变化的效率。
这两个效率的测试可以通过外部查询工具进行测试，得到其数量级和变化趋势，并对样品的质量进行初步判断。
除了外、内量子效率之外，多晶硅光伏电池的另一个重要性能指标是光伏特性。
这包括光强度与电流产生效果之间的关系，即IV曲线。
在测试光电流时，通常需要在样品上加上特定的负载电阻，并将其连接至电流计上，同时引入光源来产生光照。
然后根据不同的光强度和电压下电流值的变化进行测试，从而绘制出IV 曲线图，评估样品的电荷转移性能和工作效率。
IV曲线越平滑，说明样品的电荷转移性能越好，其工作效率也就越高。
在完成多晶硅光伏电池性能测试后，还需要进一步对测试结果进行分析和定量评估。
这包括计算填充因子、转换效率、光电流密度、开路电压等方面。
其中，填充因子是指IV曲线上实际电池产生功率和理论最大功率之比，其数值越接近1，说明样品的工作效率越高；转换效率则是指样品将光能转化成电能的效率，其数值越高，则说明样品的实用价值就越大。
开发研究多晶硅纳米线的湿法刻蚀及光学性质研究刘波(江西新能源科技职业学院，江西新余338012)摘要:介绍了采用湿法刻蚀的方法来制备多晶硅纳米线，通过扫描电镜、反射率测试和XRD晶形分析等手段来对制备样岛的形貌和光学性质进行表征。
通过实验研究HF浓度、AgNOs浓度、H2O2浓度、反应时间对硅纳米线表面形貌和漫反射率的影响，从而得到刻蚀的最佳条件,制备出低反射率而又均匀的多晶硅纳米线材料。
关键词:湿法刻蚀；多晶硅;硅纳米线；反射率1硅材料及其物理特性1.1硅纳米线概念所谓纳米线，是一种在横向上被限制在100nm以下，纵向上没有限制的一维材料。
硅纳米线是一种新型的一维半导体纳米材料，线体直径一般在10nm左右，内晶核实单晶硅，外层有一层Si。
?包覆层。
硅纳米线可以通过紫外光电子刻蚀、反应性离子刻蚀、金属有机物化学气相沉积等方法制备得到。
在场效应晶体管、单电子探测器、双向电子泵、双重门电路、纳米线阵列方面都有硅纳米线的应用。
1.2硅纳米线特性1.2.1载流子浓度与迁移率载流子浓度和迁移率是半导体材料最基本的电学特性。
掺杂硅纳米线的电阻率很低，所以通过掺杂可提高硅纳米线的载流子浓度。
高载流子浓度对半导体能带有重要影响，从而对半导体光吸收边附近的吸收特性有若干重要的影响,最终导致带隙随载流子浓度变化。
1.2.2场发射特性场发射是利用肖特基效应，将指向导体表面的强电场(即所谓的提拉电场)作用于导体的表面，使其表面势垒降低、变窄，当势垒的宽度窄到可以与电子波长相比拟时，电子的隧道效应开始起作用，部分高能电子就可顺利穿透表面势垒进入真空。
2实验讨论在这次试验中,我们通过改变HF浓度、AgNOs浓度、HQ?浓度、反应时间，来制备不同的硅纳米线样品。
每个实验只改变一个条件作为自变量,其他条件则完全相同，通过阶梯性改变自变量的值来得到不同的硅纳米线样品组。
使用紫外分光光度计测试样品组反射率,分析实验测试结果，得到自变量最佳条件。
DOI:10.16661/j.c n k i.1672-3791.2017.25.087多晶硅栅极刻蚀过程中边缘刻蚀缺陷的研究及改善任昱 聂钰节 唐在峰（上海华力微电子有限公司 上海 201203）摘 要:刻蚀缺陷是半导体制程中最关键和最基本的问题,理想的等离子体刻蚀工艺过程中,刻蚀气体必须完全参与反应而形成气态生成物,最后由真空泵抽离反应室。
但实际上,多晶硅栅极等离子体刻蚀过程中,生成的反应聚合物(polymer)无法由真空泵抽离反应室而附着在刻蚀腔壁上,造成反应室的污染,有些甚至附着在晶圆表面而形成元器件的微粒子污染,造成产品良率下降甚至报废。
本文通过改变调整刻蚀工艺参数等方式,成功解决了多晶硅栅极刻蚀工艺制程中反应生成物转变为微粒子污染物这一问题,使得产品良率提升了3%,刻蚀反应腔体保养时数延长了一倍,晶圆报废率降低了0.03%。
关键词:多晶硅刻蚀 干法刻蚀 等离子体 栅极 刻蚀缺陷中图分类号:TN305.7文献标识码:A文章编号:1672-3791(2017)09(a)-0087-05随着微电子技术的发展,使器件的特征尺寸(Cr it i c a l D i m e n s io n,简称CD)不断缩小,使得集成度不断提高,功耗降低,器件性能提高。
在微电子学中,特征尺寸通常指集成电路中半导体器件的最小尺寸,如MOSE管的栅极关键尺寸,特征尺寸是衡量集成电路设计和制造工艺水平的重要参数。
但是特征尺寸越小,栅极的尺寸容差要求就变得越来越严格,尤其是大尺寸的12寸晶圆硅片的应用,使得工艺控制变得更加苛刻。
例如按照刻蚀容差绝对值应控制在10%之内,对于45n m工艺节点,容差绝对值要小于5n m [1]。
在先进的多晶硅栅极工艺中,刻蚀腔之间CD 偏差值匹配度已经小于1n m,而高的CD 精度意味着工艺步骤的可重复性需要做到完美。
与此同时,由于堆叠结构越来越复杂,刻蚀过程中反应物和生成物也相应地增加,另外刻蚀反应腔体也要承担更多的工艺刻蚀内容,于是刻蚀反应腔体的匹配和工艺的可重复性,已经成为等离子体刻蚀中很大的挑战。
高效多晶硅太阳能电池制备工艺研究 哎呀，说到太阳能，那可是个能让我们这些地球人少点碳足迹的神奇玩意儿。想象一下，太阳像个大金库，不停地往我们这儿送能量，而我们只需动动手指，就能把这些能量变成电，简直太棒了！ 不过，你知道嘛，太阳能电池的制造可不是闹着玩的。你得把硅这种“金子”弄成薄片，然后让它吸收阳光，转换成电能。这个过程可复杂了，得经过好多步骤呢。就像咱们做菜一样，先切菜、炒、蒸，最后才能尝到美味佳肴。 你得把硅矿提炼出来，这可是个大工程。然后，把硅砂磨成粉末，再把它们弄成薄片。这就像是把面粉和水搅一搅，变成面团一样。接下来，就是最关键的一步了——让硅片“吃”光所有的光子！这就像是在黑暗中寻找光明，得用尽全身解数才行。 在这个过程中，你会遇到各种各样的问题。比如，硅片的表面可能会被氧化，就像是皮肤被晒伤了一样。这时候，就得用一种特殊的溶液来处理，就像给伤口涂上药膏一样。还有啊，如果硅片上的杂质太多，也会影响电池的效率，这时候就得用更精细的工艺来清洗硅片，就像洗衣服一样，要把所有的污渍都洗干净。 当然了，除了这些技术问题，还有经济成本的问题。太阳能电池的成本可不是小事，你得想办法降低成本，才能让更多的人用得上这种清洁能源。就像种庄稼一样，要想收成好，就得用心去管理。 总的来说，太阳能电池的制备工艺是一门综合性很强的学科，需要物理、化学、材料科学等多方面的知识。而且，随着科技的发展，这个领域也在不断地进步，相信未来会有更多更高效的太阳能电池问世，让我们的生活更加美好。 所以啊，下次当我们享受太阳能带来的便利时，别忘了那些辛勤工作的科学家们。他们就像勤劳的小蜜蜂，默默地在幕后付出，让我们能够享受到这份来自大自然的礼物。让我们一起为他们点赞，也为我们的地球母亲加油！
多晶硅电池背表面刻蚀提升性能产线工艺研究摘要：对比研究了产线上多晶硅太阳电池背表面刻蚀对其光电转换性能的影响。
示范性实验结果表明：多晶硅太阳电池背表面刻蚀能够改善其短路电流，从而相应的光电转换效率提升了约0．1％。
依据多晶硅太阳电池背表面刻蚀前后的扫描电镜（SEM）形貌、背表面漫反射光谱及完整电池片外量子效率的测试结果，改进的光电转换的原因可能源于背表面刻蚀“镜面”化有利于太阳光子在背表面内反射和改进印刷Al浆与背表面覆盖接触。
背表面刻蚀与当前晶硅电池产线工艺兼容，能够提升电池片的光电转换效率，是一种可供选择的产线升级工艺。
1引言如何提升产线晶硅太阳电池的光电转换效率是当前光伏产业中的一个重要研发课题。
基于晶硅太阳电池的整个光电过程，可针对增加电池片对300～1100nm太阳光子的捕获和吸收、降低电池片前后表面复合及减少电池片串并联电阻的电学损失3方面考虑，进行器件结构设计和制备工艺研发，有效地改进电池片光电转换效率。
其中，增加电池片对300～1100nm太阳光子的捕获和吸收，需要合理设计电池片前表面光电结构。
当前工业生产主流晶硅太阳电池产品前表面印有图形化栅线电极，它将遮挡太阳光子入射到电池片内部，造成反射损失。
降低栅线宽度及提高栅线高度的二次印刷技术［1］、减小主栅宽度的多主栅技术［2］均能够有效地降低遮挡面积，减少其光遮挡。
另外，未被遮挡的晶体硅在300～1100nm 光谱范围内折射率大，也将造成严重的光反射损失。
通过表面织构［3～5］，可有效地降低晶硅表面光反射损失，特别是硅纳米结构［6～9］能够使获得超低光反射率。
进一步在微纳织构上及在其表面制作减反射膜［10，11］，引入多次光反射和干涉效应，可进一步降低晶硅表面光反射损失。
另一方面，晶体硅的吸收系数［12，13］在300～1100nm 光谱范围有很大变化，短波太阳光子（300～450nm）和长波太阳光子（850～1100nm）的吸收系数相差数2～3量级，导致各种波长太阳光具有不同的吸收深度。
结合晶体硅的吸收系数及工业生产主流晶硅太阳电池产品180μm的厚度，理论计算结果表明，长波太阳光子吸收不完全而入射到晶硅电池背表面，随后被背Al电极吸收损失或内反射回晶硅中再吸收利用。
碱或酸制绒工艺中晶硅太阳电池的背表面也被织构化，导致入射到晶硅太阳电池背表面的长波太阳光子在晶硅／Al电极界面多次反射，多次撞击背Al电极而增加背Al 电极对长波光子的吸收，造成光损失。
若将晶硅太阳电池背表面“镜面”化，力争长波太阳光子在晶硅／Al电极界面单次反射，可减少Al背电极的吸收损失，提升晶硅太阳电池背表面的内反射率，从而增加晶硅太阳电池对长波太阳光子的吸收利用。
进一步探究把“镜面”化工艺集成至晶硅太阳电池产线，有利于有效提升产线电池片产品的光电转换效率。
本文以多晶硅太阳电池为研究对象，在多晶硅太阳电池产线上引入混酸各向同性腐蚀多晶硅太阳电池背表面工艺，将电池片背表面“镜面”化，证实了混酸湿法刻蚀多晶硅太阳电池背表面能够提升电池片的光电转换效率。
结合多晶硅太阳电池背表面刻蚀前后的扫描电镜（SEM）形貌、背表面反射光谱及外量子效率的测试结果，分析和理解了电池片的光电转换效率提升的相关原因。
2实验以156mm×156mm多晶硅为衬底，在晶硅太阳电池产线制备两组太阳能电池片，对比研究其光电转换性能，探究混酸湿法刻蚀多晶硅太阳电池背表面前后对电池片光电转换的影响及原因。
其中一组电池片工艺流程主要包括混酸制绒、扩散制结、干法刻边、PECVD制减反、钝化膜、印刷及烧结前后电极，称之为干法去边电池片。
另一组电池片将干法刻边工艺替换成混酸（HF、浓HNO3）各向同性腐蚀［14～17］多晶硅太阳电池背表面工艺，将电池片背表面“镜面”化，同时完成去边，绝缘电池片前后表面，称之为湿法背刻去边电池片。
两组对照试验中除了刻边工艺不同外，后者增加了混酸各向同性腐蚀电池片背表面。
混酸各向同性腐蚀时混酸工艺中，腐蚀液体积比为浓HNO3（浓度为64％）∶HF （浓度为49％）∶去离子水＝56∶13∶29。
在腐蚀过程中，电池片背表面直接接触腐蚀液漂浮移动刻蚀反应，反应时选取移动腐蚀带速为1．9m／min，腐蚀液温度固定为12℃。
在AM1．5G模拟太阳光照下测试两组电池片电性能，光照强度为100mW／cm2，获得关键光电参数及光电转换效率，表征电池片的光电转换性能。
借助SEM和D8漫反射光谱测试仪表征太阳电池片背表面腐蚀前后形貌及背表面的漫反射光谱，并采用量子效率测试仪对比测试了传统干法刻边工艺与引入背表面刻蚀及去边工艺制备的完整多晶硅太阳电池片的外量子效率，从而进一步理解和印证采用混酸湿法腐蚀多晶硅太阳电池背表面对其光转换的影响的原因。
3实验结果与讨论图1结果比较表明，引入背表面刻蚀及去边工艺制备的多晶硅太阳电池片，相对于传统干法刻边工艺制备的多晶硅太阳电池片，其均值短路电流Isc从8．676A 增加到了8．728A，均值开路电压Voc从0．6263V提升到0．6269V，以及几乎一致的填充因子（FF）。
依据光伏理论，由晶硅太阳电池的Isc、Voc及FF的决定式，并结合相应决定式分析和理解两组晶硅太阳电池片的3个关键光电参数的差异及可能的产生原因。
晶硅太阳电池的Isc可表示为［18］其中：q为电子电量；A为器件面积；G为光生载流子的产生速率；Ln和Lp分别为电子和空穴在电池中的扩散长度。
依据公式（1），两组电池片的短路电流取决于G、Ln、Lp。
二者具有相同前表面光电结构，可认为Ln一致。
二者不同之处在于背表面结构，引入背表面“镜面”化工艺后将有利于减少背Al电极的吸收损失，提升晶硅太阳电池背表面的内反射率，从而增加对长波太阳光子的吸收利用。
因此，相应的G提高，Lsc相对于未“镜面”化干法去边工艺制备的电池片有所提升。
另外，多晶硅太阳电池片背表面“镜面”化后，印刷背Al电极及烧制背表场工艺时有利于Al浆全覆盖接触背表面，提高了背场钝化的一致性和均匀性，从而提升电池片P型基区的Ln，改进Isc。
晶硅太阳电池的VOC可表示为［19］其中：kT／q＝0．02585V为热电势；Jsc为短路电流密度；Job为基极饱和电流密度；Joe为发射极饱和电流密度。
从公式（2）中可知，Voc取决于Jsc及Job和Joe。
若Voc提升直接源于Isc的提升，则传统干法刻边工艺与引入背表面刻蚀及去边工艺制备两组多晶硅太阳电池片的Job 和Joe相同，则由公式（2）可得根据式（3）和实验获得的Voc干刻＝0．6263V、Isc干刻＝8．676A及Isc湿刻＝8．728A，可得引入背表面刻蚀及去边工艺制备的电池片的Voc计算值应为Voc湿刻＝0．6265V。
实验中的均值Voc为0．6269V。
因此，Voc的提升除了因Isc的提升诱导的之外还可能与Job和Joe的改变有关。
两种工艺制备的电池片前表面完全一样，N型Joe 可认为一致。
二者不同之处在于背表面结构，采用混酸湿法腐蚀将电池片背表面“镜面”化有利于印刷Al浆料与背表面有效接触，改进了背场钝化，从而能够降低P型Job，进一步提升Voc。
考虑到并联电阻效应，晶硅太阳电池的FF可表示为［20］其中：FF0为不计并联电阻影响的填充因子；Rch为电池片最大功率点时的电阻；Rsh为电池片并联电阻。
传统干法刻边工艺与引入背表面刻蚀及去边工艺制备多晶硅太阳电池片的相同功能为绝缘电池前后两个表面，确保较高的Rsh。
两组电池片的电性能测试中获得的均值Rsh 干刻＝47．19Ω和均值Rsh湿刻＝186．65Ω。
结合公式（4）可知，引入背表面刻蚀及去边工艺制备电池片的Rsh导致的FF下降将低于传统干法去边工艺制备电池片的Rsh导致的FF下降。
因此，引入背表面刻蚀及去边工艺具有很好的去边能力，相对传统干法刻边工艺能够提升Rsh，减少因Rsh 导致FF的降低。
晶硅太阳电池的光电转换η可表示为其中：Pin＝100mW／cm2为电性能测试时入射的模拟太阳光的入射功率密度。
由于引入背表面刻蚀及去边工艺制备的多晶硅太阳电池片相对于传统干法刻边工艺制备的多晶硅太阳电池片的均值Isc提升及相近的均值Voc及均值FF，因此相应的η能够得到提升。
图2为两组电池片η分布对照，引入背表面刻蚀及去边工艺相对于传统干法刻边工艺，电池片的η从17．66％增加到了17．78％，提升了约0．1％，产线上实验证实了引入背表面刻蚀及去边工艺有利于电池片η的提升。
为印证上述采用混酸湿法腐蚀多晶硅太阳电池背表面能够将其“镜面”化，及理解光电转换效率η提升的原因，测试太阳电池片背表面（未印刷Al电极）刻蚀前后的SEM形貌及漫反射光谱；同时，分别测试了传统干法刻边工艺与引入背表面及去边工艺制备的完整多晶硅太阳电池片的外量子效率。
背表面刻蚀前后的SEM形貌测试结果如图3所示。
图3表明，引入背表面混酸各向同性腐蚀后绒坑密度减小、绒坑面积增大及绒坑深度降低，整个表面趋于平坦，即“镜面”化。
绒坑密度、面积及深度决定着太阳子在该表面上的加权撞击次数，绒坑的密度越小、面积越大和深度越浅，相应太阳光撞击表面的次数也就越低。
图4（a）为背表面刻蚀前后的漫反射光谱。
由图可见，在宽光谱范围内，背表面刻蚀后相对于腐蚀前的漫反射率明显提高，证实了上述绒坑形貌决定背表面加权撞击次数。
若背表面印刷背Al电极及烧制背表场后，从Si片内部入射到Si／Al界面将产生内反射，同样存在绒坑形貌决定加权撞击次数。
由于背表面刻蚀“镜面”化后绒坑的密度变小、面积变大和深度变浅，从而太阳光子的加权撞击次数减少，Al背电极光吸收损失将有效地降低，使得太阳光内反射回晶硅中吸收增加。
实验结果印证了上述短路电流Isc提升起源于“镜面”化工艺有利于增加光吸收，提升了光生载流子产生速率。
更进一步理解，图4（b）为两组多晶硅太阳电池片的量子效率。
可以看出，二者在短波区量子效率几乎一致，而长波区“镜面”化电池片的量子效率明显提高，进一步说明背表面“镜面”化有利于太阳光子的吸收和转换。
可是，依据晶体硅的吸收系数，500～850nm光谱范围的太阳光子几乎在晶体硅内吸收完，背表面光损失对这一光谱范围的光电转换影响不大，这一波段光电转换的改善将另有其它物理原因。
结合背表面刻蚀前后的形貌及上述短路电流Isc、开路电压Voc分析可知，背表面“镜面”化有利于Al浆全覆盖接触背表面，能够提高背场钝化的一致性和均匀性，从而提高电池中P型基区少数载流子寿命及扩散长度，降低P型基极的饱和电流密度Job。
背表面“镜面”化工艺使得500～800nm光谱范围的太阳光子改进的量子效率的实验结果印证了Isc、Voc改善的分析，因此，500～850nm这一光谱范围光电转换效率η的提升可能起源于印刷铝浆与背表面覆盖接触的改善。
