三极管测试方法
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三极管测试方法
若发射极VCE-IC特性(基极信号为变量)。
①根据集电极基级的极性将测试选择开关置于NPN(此时集电极电压,基极电压均为正)或(PNP(此时集电
极电压,基极电压均为负)并将“”开关置于常态,如基极需要反担时可置于“侄置”;
②被测管的C.B.E按规定进行连接;
③将Y电流/度置于IC合适档级,X电压/度置于UC合适档级;
④测试A与测试B搬向被测管连接的一边;
⑤集电极电压按照要求值进行调节并使在左下方(NPN)或右上方(PNP)的零点与零刻度线重合;
⑥选择合适的阶梯幅度/级开关旋至电流/级较小档级,再逐渐加大至要求值;
⑦选择合适的功耗限制电阻,电阻值的确定可接负载的要求或保护被测管的要进行选择;
⑧观察显示的曲线(波形),并进行读数记录;
⑨其发射极IB-IC特性:
⑩根据集电极基极的极性将测试选择开关置于NPN或PNP档级,并将“”开关置于常态,如基极需要反向可置于侄置;
11被测管的CBE按规定进行连接;
12将Y电流/度置于IC合适档级,W电压/度置于“”的档级;
13测试A与测试B搬向被测管连接的一边;⑤集电极电压按要求值与功耗限制电阻进行调节(必要时将X电压/度置于UC档级进行较精确的调节);
14将Y。Y方式开关““调节零点位置;
15选择合格的阶梯幅度/级开关一般置于较小档级再逐渐加大至要求值;
16对所显示的IB-IC曲线(波形)进行观察记录,读取数据,并计算HFE值:
HFE=IC/IB IC=示波管刻度×档次读数IB=幅度/级×级数⑵、①反压特性测试及二极管特性测试:本②仪器可进行下列各种反向击穿电压测试,测试定义见有关半导体测试标准,测试接线请参见下表:
VCBO集电极基极间电压(发射极开路)VEBO发射极与基极间电压(集电极开路)VCEO 集电极与发射间电压(基极开路)VCER集电极与发射极间电压(基极与发射极间电阻连接)VCES集电极与发射间电压(基极与发射极短)接C 接E 悬空b c e 接E 悬空b c e 接C 接E 悬空b c e 接C 接c 接E 接E b c e 接E 接E b c e 接c
①根据被测管的极性选择PNP、NPN的位置,是显示“PNP”位置时,集电极电压为(-)极性,当置于“NPN”位
置时,集电极电压为(=)极性;②被测管的CBE接上表的连接方法进行连接;③Y偏转放大器的电流/度开关置于较灵敏档级(一般100/UA度档级);④Q偏转放大器的电压/度置于UC合适的档级(视被测管的特性及集电极的电压输出值而定);⑤将功耗限制电阻置于较大档级(一般置于10KΩ-100KΩ之间);⑥选择测试A、B的位置;⑦选择合适的电压档级,峰值电压调为零,当测试时再按顺时针方向徐徐加大输出电压;
⑧对所显示的VDS-ID曲线波形进行读数或记录、观察;⑨如需要显示VGS-ID曲线可将X电压/度置于“”档级。⑷、可控硅特性测试:可控硅的测②试可根据需要对正向阻断峰值电压(PEV),正向漏电流(IPF),反向阻断峰值电压(PRV)反向漏电流(IR),控制极可触发电压(VGT),控制极可触发电流(IGE)正向电压降(VF)条参数进行测试。①将测试选择开关置于NPN,并将“”开关置于“常态”;②被测管的A接C、G接B、C接E;③将Y电流/度开关置于IC范围内的合适档级(实际为IF值);X电压/度开关置于UD合格档级(实际上UA值);
④测试A 与B搬向被测管的一边;⑤选择合适的功耗限制电阻(要求>0Ω),以免电流过大而使被测管烤坏;⑥按照V AC的要求值调节集电极峰值电压值,使显示值与右下方的零刻度重合;⑦选择合适的阶梯幅度/级开关置于电压/级的较小档级,再逐渐加大至达到可触发点;⑧对显示的V A-IF曲线(波形)进行观察、读取及记录;⑨如需要显示IGT-VGT曲线可将X电压/度置于VBE档级,Y电流/度置于“”档级。以下例举各种正常与非正常曲线(波形)以你供参考: