实用数字电子技术欧伟明著第7章_习题解答之欧阳光明创编

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*欧阳光明*创编 2021.03.07
*欧阳光明*创编 2021.03.07
《实用数字电子技术》第7章习题答

欧阳光明(2021.03.07)
7.1 答:该存储器具有648bit的容量
7.2 答:
(1) 64K1bit的存储单元数=641024 = 65536,该存储系统需要16
根地址线,1根数据线。
(2)256K4bit的存储单元数=25610244 = 1048576,该存储系统
需要18根地址线,4根数据线。
(3)1M2bit的存储单元数=102410242 = 2097152,该存储系统需
要20根地址线,2根数据线。
(4) 128K8bit的存储单元数=12810248 = 1048576,该存储系统
需要17根地址线,8根数据线。

7.3 答:所需要的RAM芯片数=dDnN, 其中

x

表示大于等于的

最小整数。
7.4
(1) 连线如下图所示。
(2) 当R/W=1,且地址为0011001100时,系统中第0和1个芯片被
选中。
7.5 答:
(1) 该芯片有2544=1016存储单元。
*欧阳光明*创编 2021.03.07
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(2) 该芯片每次访问4存储单元。

(3) 该芯片有8根地址线。
7.6
(1) 实现两个3bit二进制相乘的乘法器需要的ROM存储容量。
答:因为bitbit384626,则实现两个3bit二进制相乘的乘法器需要
的ROM存储容量=
384

bit。

(2) 将8bit二进制数转换成十进制数的转换电路(十进制数用BCD
码表示)
答:将8bit二进制数转换成十进制数的转换电路需要
30721228
bit.

7.7
(1) 答: 电路连线路如下图所示,A0, A1, A2, A3 作为余3码的输
入, D0, D1, D2, D3作为8421BCD码的输出,CE和OE接地,A
4
=0

时余3码转换为BCD码,A
4
=1时,BCD码转换为余3码。

(2)ROM的表内容如下:
ROM地址 值 ROM地址 值 ROM地址 值 ROM地址 值
00000 XXXX 01000 0101 10000 0011 11000 1011
00001 XXXX 01001 0110 10001 0100 11001 1100
00010 XXXX 01010 0111 10010 0101 11010 XXXX
00011 0000 01011 1000 10011 0110 11011 XXXX
00100 0001 01100 1001 10100 0111 11100 XXXX
00101 0010 01101 XXXX 10101 1000 11101 XXXX
00110 0011 01110 XXXX 10110 1001 11110 XXXX
00111 0100 01111 XXXX 10111 1010 11111 XXXX

注:XXXX表示任意内容.

7.8
将 芯片的地址输入A
0, A1, A2, A3
作为逻辑函数A, B, C,D的

输入,D
0,D1, D2, D3作为逻辑函数Y0, Y1, Y2, Y3
的输出,其电路

连线图如下:
*欧阳光明*创编 2021.03.07
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EPROM内存中保存的值如下表
EPROM地址 值 EPROM地址 值
0000 0100 1000 0000
0001 0010 1001 0110
0010 0011 1010 0011
0011 0100 1011 1000
0100 0001 1100 0101
0101 0010 1101 1010
0110 0111 1110 1011
0111 1001 1111 1101

7.9

答:当ROM中的内容如表7.5所示时,其输出端电压波形图为:
阶梯状的三角波。
7.10
采用一个 bit EPROM芯片, A
0, A1, A2, A3作为A0, A1, B0
,

B1的输入,D0,D1, D2作为L1, L2, L3的输出,电路连线图如下:
EPROM内存中保存的值如下表所示。
EPROM地址
(A3, A2, A1, A0)
值 EPROM地址 值

0000 010 1000 001
0001 100 1001 001
0010 100 1010 010
0011 100 1011 100
0100 001 1100 001
0101 010 1101 001
0110 100 1110 001
0111 100 1111 010