短波红外成像芯片及其形成方法与相关技术

矿产资源开发利用方案编写内容要求及审查大纲
矿产资源开发利用方案编写内容要求及《矿产资源开发利用方案》审查大纲一、概述
㈠矿区位置、隶属关系和企业性质。

如为改扩建矿山, 应说明矿山现状、
特点及存在的主要问题。

㈡编制依据
(1简述项目前期工作进展情况及与有关方面对项目的意向性协议情况。

(2 列出开发利用方案编制所依据的主要基础性资料的名称。

如经储量管理部门认定的矿区地质勘探报告、选矿试验报告、加工利用试验报告、工程地质初评资料、矿区水文资料和供水资料等。

对改、扩建矿山应有生产实际资料, 如矿山总平面现状图、矿床开拓系统图、采场现状图和主要采选设备清单等。

二、矿产品需求现状和预测
㈠该矿产在国内需求情况和市场供应情况
1、矿产品现状及加工利用趋向。

2、国内近、远期的需求量及主要销向预测。

㈡产品价格分析
1、国内矿产品价格现状。

2、矿产品价格稳定性及变化趋势。

三、矿产资源概况
㈠矿区总体概况
1、矿区总体规划情况。

2、矿区矿产资源概况。

3、该设计与矿区总体开发的关系。

㈡该设计项目的资源概况
1、矿床地质及构造特征。

2、矿床开采技术条件及水文地质条件。

专利名称：一种宽带短波红外发光材料及制备方法和应用专利类型：发明专利
发明人：梁延杰,苗世海
申请号：CN202110819657.0
申请日：20210720
公开号：CN113403073B
公开日：
20220429
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明属于短波红外发光材料技术领域，涉及一种宽带短波红外发光材料及制备方法和应用。

宽带短波红外发光材料包括：Li1‑zAzMg1‑x‑y‑cBcPO4:xCr3+,yNi2+，其中0≤x≤10％，0＜y≤0.1％，x，y分别为Cr和Ni占(LiA)(MgB)PO4的摩尔百分比；0≤zlt;1，A+为Na+和K+的一种或多种；0≤clt;1，B2+为Ca2+，Sr2+和Ba2+的一种或多种。

本发明的发光材料能有效吸收350～800nm的可见光及近红外光，产生主峰波长位于1350nm附近的短波红外光发射，并可与蓝光芯片封装成短波红外LED器件。

此外，该制取方法工艺简单，制造成本低，不污染环境，产物具有纯度高、均匀性好等特点，可广泛应用于短波红外光技术领域。

该蓝光激发的宽带短波红外发光材料在夜视、光学防伪、生物医学和短波红外光谱学技术等领域有很好的应用前景。

申请人：山东大学
地址：250061 山东省济南市历下区经十路17923号
国籍：CN
代理机构：济南圣达知识产权代理有限公司
代理人：王志坤
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红外探测芯片流片工艺在现代电子行业中，红外探测技术是一项十分重要的技术。

红外探测器是一种将红外辐射转化成电信号的器件，用于许多领域，例如热成像、人体检测、安防、航空航天等。

而与红外探测相关的芯片，便是红外探测芯片。

本文将介绍红外探测芯片的制造工艺，以及流片的过程。

一、红外探测芯片制造工艺红外探测芯片与其他芯片的制造工艺大致相同，其主要步骤包括半导体材料的制备、晶圆制备、光刻、离子注入、刻蚀、金属化等。

但由于红外探测器的特殊性，其制造过程中需要考虑到一些特殊的因素。

1.探测器材料的选择红外探测器主要由材料组成，而其最核心的材料是半导体材料。

在红外探测器中，常用的半导体材料有硒化铅、掺杂硅等。

不同的半导体材料有不同的传感器特性，根据应用需求来选择合适数字的材料是制作探测器的关键因素之一。

2. 控制温度红外探测器需要在一定的温度下工作，通常处于较低的温度范围内，以提高探测器的灵敏度和响应速度。

因此，制造红外探测芯片时，需要在工作条件下对温度进行严格的控制，以保证探测器的性能稳定和可靠。

3. 制作光控器件光控器件是红外探测器的核心。

光控器件的制作是关键步骤之一，影响探测器的最终性能。

在制作光控器件时，需要采用多层堆叠的技术，并且需要对每一层进行严格的控制，这样才能获得较高的探测灵敏度。

二、流片过程流片是将芯片设计图通过计算机自动化工具翻译成形状图，并通过激光照射、化学腐蚀、金属沉积等技术把形状图化为实物的过程。

对于红外探测器芯片的流片过程，同样需要经过一系列科学的步骤。

流片步骤如下：1. 设计图生成首先设计师需要根据芯片的使用要求，制定芯片的设计规格，绘制芯片的版图。

随后，将版图引入计算机，并将其转化成自动化工具可编辑的文件。

这一步骤的主要目的是确定芯片的布局、电路原理图和电器性能等方面的内容。

2. 芯片版图校验在生成芯片版图后，需要对其进行校验。

主要是检查版图的正确性和一致性，保证版图符合设计要求。

3. 版图转化将校验后的版图导入工业用计算机自动化工具（CAD）软件，并生成成品图形文件。

红外成像芯片红外成像芯片是一种将红外辐射能量转换为可见光信号的器件，主要用于热成像、夜视和辐射测量等领域。

红外成像技术广泛应用于军事、安防、医疗、工业等领域，具有重要的应用价值。

红外成像芯片是红外成像技术的核心之一，它可以将红外辐射能量转换成电信号，进而通过图像处理技术将其转换成可见的热图。

红外成像芯片主要包括红外图像传感器和信号处理电路两个部分。

红外图像传感器是红外成像芯片的核心组成部分，负责将红外辐射能量转换成电信号。

目前常用的红外图像传感器主要包括焦平面阵列图像传感器（FPA）和微机械系统（MEMS）图像传感器。

焦平面阵列图像传感器是一种将红外辐射能量转变为电荷信号的器件，它由多个敏感元件（像素）组成的阵列排列在一个平面上。

当红外辐射照射在敏感元件上时，敏感元件会产生电荷，进而转换成电压信号。

通过逐行读取敏感元件的电压信号，即可获取整个红外图像。

微机械系统（MEMS）图像传感器是一种基于微机械制造工艺的红外图像传感器。

它利用微小的机械结构来感应红外辐射能量，并将其转换成电信号。

与焦平面阵列图像传感器相比，MEMS图像传感器具有体积小、功耗低、制造成本低等优点，适用于一些小型化、便携式设备。

红外图像传感器将红外辐射能量转换成电信号后，还需要通过信号处理电路进行信号放大、滤波、调制等处理，以获得高质量的红外图像。

信号处理电路主要包括前端放大电路、滤波电路、模数转换电路等。

前端放大电路负责放大红外图像传感器输出的微弱信号，以增强信号的强度。

滤波电路主要用于去除不需要的噪声信号，以提高图像信噪比。

模数转换电路将模拟信号转换成数字信号，以便进行数字图像处理。

红外成像芯片的研发和应用对提高夜视能力、监控安全、医疗诊断等方面具有重要意义。

随着技术的不断发展，红外成像芯片在体积、分辨率、灵敏度等方面不断改进，使其在各个领域的应用更加广泛。

总之，红外成像芯片是红外成像技术的核心，它能够将红外辐射能量转换成可见的热图，广泛应用于军事、安防、医疗、工业等领域。

国外短波红外芯片技术短波红外芯片技术是一种广泛应用于通信、安防、军事等领域的技术，其在国外得到了长足的发展和应用。

本文将介绍国外短波红外芯片技术的基本原理、应用领域以及发展趋势。

一、短波红外芯片技术的基本原理短波红外芯片技术是利用红外光的特性进行信息传输和控制的一种技术。

红外光是一种波长较长的电磁辐射，其波长范围在0.75-1000微米之间。

短波红外芯片通过使用特殊的材料和结构设计，能够在这个波长范围内实现高效的红外光探测和发射。

短波红外芯片技术的基本原理是利用特殊材料的半导体性质，通过外加电场的作用，使得材料的电子从价带跃迁到导带。

当红外光照射到芯片上时，会激发芯片中的电子，使其跃迁到导带，从而产生电流。

通过测量这个电流的大小，可以确定红外光的强度和频率，从而实现对红外光信号的检测和分析。

二、短波红外芯片技术的应用领域1. 通信领域：短波红外芯片技术在通信领域中有着广泛的应用。

它可以用于红外通信设备中的光源和探测器，用于实现高速、高带宽的无线通信。

此外，短波红外芯片技术还可以用于红外传感器的制造，用于实现对环境中的物体和人体的检测和识别。

2. 安防领域：短波红外芯片技术在安防领域中有着重要的应用。

它可以用于红外摄像机中的光源和探测器，用于实现对周围环境的监控和录像。

此外，短波红外芯片技术还可以用于红外报警系统的制造，用于实现对入侵者的监测和报警。

3. 军事领域：短波红外芯片技术在军事领域中有着广泛的应用。

它可以用于红外瞄准仪和红外导弹中的探测器，用于实现对目标的精确识别和打击。

此外，短波红外芯片技术还可以用于红外干扰器的制造，用于对敌方红外制导系统的屏蔽和干扰。

三、短波红外芯片技术的发展趋势国外短波红外芯片技术在过去几十年中取得了巨大的进展，但仍存在一些挑战和发展方向。

1. 增强探测灵敏度：短波红外芯片技术在探测灵敏度上仍有提升空间。

研究人员正在努力开发新的材料和结构设计，以提高芯片的探测效率和灵敏度。

红外芯片红外芯片是现代科技中的重要组成部分，用于检测和接收红外线信号。

它是一种能够将红外线辐射转换为电信号的器件。

红外芯片具有应用广泛的特点，被广泛应用于无线通信、安全监控、军事探测、工业自动化等领域。

本文将介绍红外芯片的工作原理、主要应用和未来发展方向。

红外芯片的工作原理主要是利用半导体材料的特性，将红外线信号转换成电信号。

常见的红外芯片材料有硅、锗、铟化铟等。

当红外辐射照射到芯片上时，芯片中的半导体材料会吸收能量，激发电子的跃迁。

这些跃迁过程会产生电流和电压的变化，从而将红外辐射转换成电信号。

红外芯片通常包括发射管和接收管两部分，发射管负责将电信号转换成红外辐射，而接收管则负责将红外辐射转换成电信号。

红外芯片的应用十分广泛。

首先，在无线通信领域，红外芯片可以用于红外遥控器、红外传输器等设备中。

通过红外芯片，我们可以将电信号转换成红外辐射，从而实现对电视机、空调等设备的遥控。

其次，在安全监控领域，红外芯片可以用于红外侦测器、夜视设备等设备中。

通过红外芯片，我们可以将红外辐射转换成电信号，从而实现对人体、动物、机器等的监测。

此外，在军事探测和工业自动化中，红外芯片也有广泛的应用。

红外芯片可以用于导弹导航系统、红外对抗系统、红外热成像仪等设备中。

红外芯片的未来发展方向主要集中在技术改进和应用拓展两个方面。

首先，红外芯片需要不断改进技术以提高性能。

例如，提高红外辐射转换的效率，减小芯片的尺寸和功耗等。

同时，红外芯片还需要提高对不同波长的红外辐射的感应能力，以应对不同应用场景的需求。

其次，红外芯片的应用可以进一步拓展。

例如，可以将红外芯片应用于人脸识别、虹膜识别等人体识别技术中，提高安全性和便利性。

此外，红外芯片还可以应用于环境检测、病毒检测等领域，提供更加全面和精准的监测手段。

总之，红外芯片是一种将红外辐射转换成电信号的器件，具有广泛的应用领域和潜力。

随着科技的不断进步和创新，红外芯片的性能将不断提高，应用领域也将不断拓展。

短波红外光谱成像在医学上的应用研究短波红外光谱成像（shortwave infrared (SWIR) imaging）的发展已经吸引了越来越多的人的关注，尤其在医学领域。

SWIR光谱成像技术可用于无创检测、肿瘤诊断和治疗，这为医学研究和治疗带来了新的进展。

在本文中，我们将探讨SWIR 成像技术的原理、发展历程和在医学领域中的应用。

一、SWIR光谱成像技术的原理和发展SWIR光谱成像技术的原理是利用物质在不同波段的吸收、反射和散射等性质来获取图像信息。

SWIR波段范围为1-2.5微米，这些波段被称为“眼睛不可见”的区域，因此，这种技术不同于人眼对光的感知。

在这个波段中，可检测到物质分子的振动、拉伸和弯曲等特征，因此SWIR光谱成像技术可用于检测物质的组成和结构。

随着科技的发展，SWIR光谱成像技术也不断取得进步。

目前，该技术已经发展出多种成像技术，例如：全光谱成像、双波段成像、超分辨成像等。

二、SWIR光谱成像技术在医学领域的应用SWIR光谱成像技术的应用正在医学领域蓬勃发展。

它提供了一种采用无创手段检测生物组织的新方法，为实现肿瘤诊断和治疗提供了一定的帮助。

1、肿瘤诊断SWIR光谱成像技术被广泛应用于肿瘤诊断中。

该技术能够读取肿瘤处的光谱特征，并识别不同类型的肿瘤。

SWIR波段的成像能够突破磷酸盐的无法穿透的界限，并进入组织深处，达到更好的成像效果。

通过成像前和成像后的对比，可以非常明确、准确地看到肿瘤的增大或减小情况，进而评估肿瘤的治疗效果。

2、无创检测SWIR光谱成像技术可用于进行无创检测。

该技术可以通过人体皮肤和组织透过SWIR波来获取组织的信息。

因此，如果没有物理破坏组织，就可以进行组织检测。

通过这种全新的探测方式，SWIR光谱成像技术可以用于皮肤或腹部检测，并提供更为准确的成像结果。

3、治疗SWIR光谱成像技术还可以用于肿瘤治疗。

在治疗过程中，SWIR光谱成像技术提供了一种更好的监测手段。

红外热成像芯片红外热成像芯片（infrared thermal imaging chip）是一种能够通过红外热辐射来检测物体温度并将其转化成图像的芯片。

红外热成像技术可以应用于军事、医疗、安防等领域，具有无接触、实时性和便携性等优点，因此在现代科技领域中得到了广泛的应用。

红外热成像芯片的工作原理是基于物体辐射的热成像原理。

物体在温度不为绝对零度时会发出红外热辐射，红外热成像芯片能够捕捉这些热辐射并将其转化成图像。

红外热成像芯片主要包括红外探测器（infrared detector）、光学透镜、信号处理芯片等几个部分，其中红外探测器是红外热成像芯片的核心部件。

红外探测器是红外热成像芯片的核心技术之一，其能够将红外热辐射转化成电信号。

目前市场上常见的红外探测器有热电偶、热释电探测器和半导体探测器等。

热电偶探测器是使用两种不同金属材料制作的热电偶温度计，当物体温度变化时，热电偶两端产生的电压也会发生变化，通过这一变化可以得到物体的温度。

热释电探测器则是基于物质的热释电特性，在红外热辐射作用下产生电荷，通过测量电荷来获得物体的温度。

半导体探测器则是利用半导体材料在红外光作用下的电阻、电容、电流等变化来得到物体的温度。

不同的红外探测器在工作原理、灵敏度和成本等方面都有所差异，选择合适的红外探测器对于红外热成像芯片的性能和应用非常重要。

红外热成像芯片还需要配备光学透镜来对红外辐射进行聚焦和成像。

光学透镜通常采用高透光率的材料，如硫化锌、硫化镉等，能够将红外辐射聚焦在探测器上，从而得到清晰的红外热图像。

光学透镜的质量和设计也会对红外热成像芯片的成像质量有直接影响。

最后是信号处理芯片，信号处理芯片用于将探测器捕获到的电信号转化成数字化的图像信号。

信号处理芯片通常包括模拟信号放大、滤波、数字信号采样和图像处理等功能。

在信号处理过程中，还可以应用一些算法来增强图像的对比度和清晰度，提高红外热成像芯片的成像质量。

总结起来，红外热成像芯片是一种能够将红外热辐射转化成图像的芯片。

短波红外成像技术在无人机目标检测中的应用研究随着科技的不断发展，无人机已经成为现代军事、航空、航天等领域中应用广泛的重要工具。

在无人机的飞行过程中，目标检测是其重要的功能之一。

而短波红外成像技术作为一种先进的目标检测技术，被广泛应用于无人机目标检测领域，并取得了显著的成果。

短波红外成像技术是一种利用红外辐射进行成像的技术。

相比于可见光成像技术，短波红外成像技术能够在夜间或低光条件下实现高质量的成像效果，具有较强的穿透力和抗干扰能力。

在无人机目标检测中，短波红外成像技术可以实时获取目标的红外信息，包括目标的热辐射能量和温度分布等，从而实现对目标的精确定位和识别。

首先，短波红外成像技术在无人机目标检测中的应用主要体现在目标定位和识别方面。

通过获取目标的红外信息，可以精确计算目标的位置、尺寸和形状等参数，从而实现目标的定位。

同时，短波红外技术还可以根据目标的热辐射能量和温度分布图像，实现对目标的识别和分类。

这种技术可以在无人机飞行过程中实时监测目标，快速响应并采取相应措施，提高无人机的性能和作战能力。

其次，短波红外成像技术在无人机目标检测中的应用还体现在目标追踪和监测方面。

通过获取目标的红外图像序列，可以实现对目标的连续追踪和监测。

无人机可以根据目标的动态变化，自主调整飞行轨迹和姿态，保持对目标的持续跟踪。

同时，短波红外技术还可以实现对目标的运动特征和行为分析，为无人机提供更为准确的目标信息，提高任务执行的效率和精度。

另外，短波红外成像技术在无人机目标检测中的应用还涉及到目标隐藏和隐蔽检测。

无人机可以利用短波红外技术实现对目标的隐蔽检测和定位，包括对隐蔽目标的探测和分析。

这对于无人机在侦查、监视和打击等任务中具有重要意义。

通过短波红外成像技术，在复杂环境下可以有效地探测和识别隐蔽目标，提高无人机的侦察和作战能力。

在无人机目标检测中，短波红外成像技术的应用还能够实现目标与背景的分离。

通过对目标和背景的红外图像进行分析和处理，可以准确提取目标的红外特征，并消除或抑制背景的干扰。

短波红外超分辨成像技术的研究随着科技的不断发展，各种新型成像技术也随之涌现。

其中，短波红外超分辨成像技术是当前最为先进和有发展潜力的一种成像技术。

本文将对短波红外超分辨成像技术的研究做出详细阐述。

一、短波红外超分辨成像技术的原理短波红外超分辨成像技术是利用物体的红外辐射能量来进行成像。

因为各种物体都具有不同的红外辐射能量，所以利用这种能量可以实现对物体的成像和探测。

而短波红外超分辨成像技术则是将成像技术的分辨率提高到更高的水平，从而能够更加准确地探测和识别物体。

二、短波红外超分辨成像技术的应用短波红外超分辨成像技术有着广泛的应用领域，如红外热成像、红外夜视、天文观测等等。

其中，最为常见的应用就是在军事领域中。

军事上利用短波红外超分辨成像技术可以实现对不同单位的探测，如对敌方车辆、人员等的探测，从而减少军队的人员伤亡和损失。

此外，这种成像技术还广泛应用于医学领域，如医用红外热成像在乳腺癌筛查中的应用，对乳房组织的检测可以更加准确和迅速。

三、短波红外超分辨成像技术的研究与发展短波红外超分辨成像技术的研究目前正处于不断发展的阶段。

不断提高成像技术的分辨率和探测能力，是目前短波红外超分辨成像技术的重要研究方向。

研究人员通过不断改进成像设备以及数据采集和处理等方面，来持续提高该技术的整体性能。

而更加深入地研究短波红外超分辨成像技术可能产生的应用，也是当前研究的一个重要方向。

总之，短波红外超分辨成像技术作为当前最为先进和有发展潜力的一种成像技术，已经应用于各种不同领域，并取得了一定的成效。

其研究和发展也在逐渐深入，并带来越来越多的应用前景。

相信在未来的发展中，其能够得到更加广泛的应用和推广，为现代社会的发展带来更加广阔的空间。

高性能的短波红外半导体光电探测器研究共3篇高性能的短波红外半导体光电探测器研究1短波红外半导体光电探测器是一种能够检测0.9-2.5微米范围内的红外辐射的探测器。

该探测器具有响应速度快、信噪比高、灵敏度高等优点，广泛应用于安防监控、无人机导航、夜视设备等领域。

而如何提高短波红外半导体光电探测器的性能一直是研究领域关注的问题。

本文将重点探讨提高短波红外半导体光电探测器性能的关键技术。

1. 半导体材料半导体材料是短波红外半导体光电探测器中最重要的组成部分。

当前广泛使用的半导体材料有InGaAs、HgCdTe、InAs/GaSb等。

其中，HgCdTe是应用最广泛的材料之一，但是其制备成本较高，且需要满足高纯度要求，生长技术限制研究。

因此，研究人员也提出了其他材料的选择。

例如，InAs/GaSb由于其独特的能带结构，具有更好的性能。

通过合适的掺杂可以调节半导体材料的带隙，以得到不同响应波段的光电探测器。

2. 硅基短波红外探测器通常情况下，短波红外光电探测器使用的材料是HgCdTe和InGaAs。

但是，硅基短波红外探测器也被广泛研究。

硅基短波红外探测器使用先进的微电子工艺制造，可以实现光电探测器的微缩尺寸和集成化设计。

此外，硅基材料的价格相对较低，具有较高的生产工艺稳定性，克服了HgCdTe和InGaAs等材料的缺点。

虽然硅基材料光子能量低，但是它可以通过红外吸收增强层实现波长转换。

因此，硅基短波红外探测器在未来有望成为光电探测器中的新宠。

3. 外加电场和极化层在短波红外半导体光电探测器中，外加电场和极化层是提高光电转换效率和响应速度的最佳选择之一。

外加电场可以提高载流子产生和收集的速度，进而提高探测器的响应速度。

极化层则可以帮助将光子能量转移到载流子。

通过掺杂极化层，可以在探测器中形成更多的电荷的势能梯度，提高载流子的产生效率。

4. 低噪声前置放大器在实际的应用中，环境噪声对光电探测器的影响较大。

为了减少噪声影响，通常会采用低噪声前置放大器，以获得更高的信噪比。

短波红外检测硅片的原理
具体来说，硅片的晶体结构和杂质含量会影响其在短波红外光谱范围内的吸收特性。

例如，硅片中的氧、碳等杂质会导致在特定波长处出现吸收峰，而硅的晶体结构也会对吸收光谱产生影响。

因此，通过分析硅片在短波红外光谱范围内的吸收特性，可以推断硅片的晶体结构和杂质含量，从而实现对硅片的检测和分析。

除了硅片的晶体结构和杂质含量，短波红外检测还可以用于分析硅片的表面特性和质量。

通过测量硅片表面反射、透射和散射的红外光谱，可以获取硅片表面的化学成分、结构和形貌信息，从而实现对硅片表面质量的评估和检测。

总的来说，短波红外检测硅片的原理是利用硅片在红外光谱范围内的吸收特性来获取硅片的结构、杂质含量和表面特性信息，从而实现对硅片的检测、分析和质量评估。

矿产资源开发利用方案编写内容要求及审查大纲
矿产资源开发利用方案编写内容要求及《矿产资源开发利用方案》审查大纲一、概述
㈠矿区位置、隶属关系和企业性质。

如为改扩建矿山, 应说明矿山现状、
特点及存在的主要问题。

㈡编制依据
(1简述项目前期工作进展情况及与有关方面对项目的意向性协议情况。

(2 列出开发利用方案编制所依据的主要基础性资料的名称。

如经储量管理部门认定的矿区地质勘探报告、选矿试验报告、加工利用试验报告、工程地质初评资料、矿区水文资料和供水资料等。

对改、扩建矿山应有生产实际资料, 如矿山总平面现状图、矿床开拓系统图、采场现状图和主要采选设备清单等。

二、矿产品需求现状和预测
㈠该矿产在国内需求情况和市场供应情况
1、矿产品现状及加工利用趋向。

2、国内近、远期的需求量及主要销向预测。

㈡产品价格分析
1、国内矿产品价格现状。

2、矿产品价格稳定性及变化趋势。

三、矿产资源概况
㈠矿区总体概况
1、矿区总体规划情况。

2、矿区矿产资源概况。

3、该设计与矿区总体开发的关系。

㈡该设计项目的资源概况
1、矿床地质及构造特征。

2、矿床开采技术条件及水文地质条件。

采用光子晶体的多光谱成像芯片
高
【期刊名称】《红外》
【年(卷),期】2007(28)8
【摘要】本发明提供一种在芯片上进行多光谱成像和数据管理的技术，该技术基于一种具有像元级光谱调谐能力的自适应焦平面列阵，这种自适应焦平面列阵是通过在一个宽带焦平面列阵上增加与像元配准的光子晶体膜而制成的。

通过对这些光子晶体膜进行开／关或者改变材料结构、调谐其光子带隙，便可以实现光谱调谐。

这种自适应焦平面列阵能够瞬时地以不同的波段、空间分辨率和灵敏度敏感一个场景的不同区域。

【总页数】1页(P32-32)
【关键词】多光谱成像;光子晶体;成像芯片;焦平面列阵;空间分辨率;自适应;数据管理;材料结构
【作者】高
【作者单位】
【正文语种】中文
【中图分类】O734
【相关文献】
1.采用3D芯片设计技术在单芯片上制作成像子系统 [J], 何君
2.二维蜂窝格子光子晶体的远场成像特性及界面对成像质量的影响 [J], 李国俊;康
学亮;李永平
3.我国首次在拓扑保护光子晶体芯片中实现量子干涉 [J], 吴长锋
4.一维金属/介质光子晶体用于BaF_2晶体闪烁光谱修饰 [J], 吴永刚;林小燕;顾春时;顾牡;马晓辉;魏军明;陈玲燕
5.光子晶体生物硅色谱芯片应用于食用油中多环芳烃的现场SERS检测 [J], 沈正东;杨占旭;孔宪明
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矿产资源开发利用方案编写内容要求及审查大纲
矿产资源开发利用方案编写内容要求及《矿产资源开发利用方案》审查大纲一、概述
㈠矿区位置、隶属关系和企业性质。

如为改扩建矿山, 应说明矿山现状、
特点及存在的主要问题。

㈡编制依据
(1简述项目前期工作进展情况及与有关方面对项目的意向性协议情况。

(2 列出开发利用方案编制所依据的主要基础性资料的名称。

如经储量管理部门认定的矿区地质勘探报告、选矿试验报告、加工利用试验报告、工程地质初评资料、矿区水文资料和供水资料等。

对改、扩建矿山应有生产实际资料, 如矿山总平面现状图、矿床开拓系统图、采场现状图和主要采选设备清单等。

二、矿产品需求现状和预测
㈠该矿产在国内需求情况和市场供应情况
1、矿产品现状及加工利用趋向。

2、国内近、远期的需求量及主要销向预测。

㈡产品价格分析
1、国内矿产品价格现状。

2、矿产品价格稳定性及变化趋势。

三、矿产资源概况
㈠矿区总体概况
1、矿区总体规划情况。

2、矿区矿产资源概况。

3、该设计与矿区总体开发的关系。

㈡该设计项目的资源概况
1、矿床地质及构造特征。

2、矿床开采技术条件及水文地质条件。

〈综述与评论〉InGaAs短波红外探测器研究进展张卫锋，张若岚，赵鲁生，胡 锐，史衍丽（昆明物理研究所，云南 昆明650023）摘要：In x Ga1－x As材料属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金材料，随In组分含量的不同，其光谱响应的截止波长可在0.87～3.5μm范围内变化，并具有高量子效率，加之成熟的MBE和MOVCD材料生长方式，很容易获得大面积高质量的外延材料，InGaAs材料因此成为一种重要的短波红外探测材料。

InGaAs探测器可以在室温或近室温下工作，且具有较高的灵敏度和探测率，是小型化、低成本和高可靠性的短波红外探测系统的最佳选择，因此InGaAs短波红外探测器获得了飞速的发展和广泛的应用。

同时对国内外InGaAs焦平面探测器发展状况和趋势进行了介绍。

关键词：InGaAs；短波红外；焦平面阵列；红外探测器中图分类号：TN215 文献标识码：A 文章编号：1001-8891(2012)06-0361-05Development Progress of InGaAs Short-wave Infrared Focal Plane ArraysZHANG Wei-feng，ZHANG Ruo-lan，ZHAO Lu-sheng，HU Rui，SHI Yan-li（Kunming Institute of Physics, Kunming Yunnan 650223, China）Abstract：As the cut-off wavelength of spectral response of the Ⅲ-Ⅴ semiconductor alloy material, In x Ga1－x As can be changed from 0.87 to 3.5μm by tuning the relative amount of Indium in the alloy.Besides, with high quantum efficiency, as well as mature MBE and MOVCD material growth technology, it is easy to gain large area and high-quality epitaxial materials. Therefore InGaAs become an important SWIR detector materials. InGaAs detector can work at room temperature with higher sensitivity and detectivity. So it is one of the best choices for miniature, low-cost and high-reliable SWIR detection system.The results of analysis and comparison provide guidance for rapid development of InGaAs short-wave infrared detectors. So InGaAs detectors obtain a rapid development and wide applications. At the same time, the status and development trends of the InGaAs infrared focal plane arrays(FPAs) domestic and abroad are introduced.Key words：InGaAs，SWIR，focal plane arrays，infrared detector0引言Ⅲ-Ⅴ族化合物In x Ga1－x As是一种直接带隙半导体合金材料，具有高的电子迁移率和量子效率、良好的抗辐照特性等特点。

基于FPGA的短波红外PAL制视频处理系统赵爽;刘云芳;冯旗【摘要】InGaAs短波红外探测器因具备可在常温下工作、灵敏度高、功耗低等优点成为短波红外成像领域的主流器件.由于短波红外在微光、夜视、雾霾等条件下的独特光谱效应,其在视频监视系统的优势得以显现.为使短波红外监视系统兼容传统模拟监视器,系统采用FPGA与ADV7127相结合的方式,对640×512原始图像进行非均匀性校正、图像放大、灰度转换,得到25帧/秒,10比特灰度,图像大小符合720×576 PAL制式的模拟视频输出.实际使用情况表明,在常温下得到了高质量的短波红外视频图像.%As its high sensitivity,low power consumption,non- cooling and other advantages of shortwave infrared imaging,InGaAs shortwave infrared detector has become the mainstream of the field. Aiming at the unique spectral characteristic of shortwave infrared in low light,night vision,haze and other conditions,the advantages of video surveillance is revealed.In order to make the shortwave infrared surveillance system compatible with the traditional analog monitor on the ma rket,the system uses FPGA and ADV7127 to process the 640×512 original image for non-uniformity correction,image enlargement, and gray-scale conversion to achieve the 25 frames per second,10 bit grayscale,image size with 720× 576 PAL standard analog video o utput. The actual use shows that the imaging system meets the requirements of the detector,and the high quality shortwave infrared video image is obtained at room temperature.【期刊名称】《电子设计工程》【年(卷),期】2018(026)004【总页数】5页(P1-5)【关键词】电子电路;PAL制视频成像;FPGA;InGaAs探测器【作者】赵爽;刘云芳;冯旗【作者单位】中国科学院红外探测与成像技术重点实验室(上海技术物理研究所),上海200083;中国科学院红外探测与成像技术重点实验室(上海技术物理研究所),上海200083;中国科学院红外探测与成像技术重点实验室(上海技术物理研究所),上海200083【正文语种】中文【中图分类】TN219短波红外的波段在1～3 μm之间，具有很强的穿透力，在遥测遥感、夜视、环保监测、农林普查、工业检测、食品检测以及医学成像等领域有着广泛应用[1-2]。