中远红外焦平面探测器
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红外焦平面阵列红外测量技术2009-12-08 21:07:23 阅读110 评论0 字号:大中小订阅1、红外焦平面阵列原理焦平面探测器的焦平面上排列着感光元件阵列,从无限远处发射的红外线经过光学系统成像在系统焦平面的这些感光元件上,探测器将接受到光信号转换为电信号并进行积分放大、采样保持,通过输出缓冲和多路传输系统,最终送达监视系统形成图像。
2、红外焦平面阵列分类(1)根据制冷方式划分根据制冷方式,红外焦平面阵列可分为制冷型和非制冷型。
制冷型红外焦平面目前主要采用杜瓦瓶/快速起动节流致冷器集成体和杜瓦瓶/斯特林循环致冷器集成体[5]。
由于背景温度与探测温度之间的对比度将决定探测器的理想分辨率,所以为了提高探测仪的精度就必须大幅度的降低背景温度。
当前制冷型的探测器其探测率达到~1011cmHz1/2W-1,而非制冷型的探测器为~109cmHz1/2W-1,相差为两个数量级。
不仅如此,它们的其他性能也有很大的差别,前者的响应速度是微秒级而后者是毫秒级。
(2)依照光辐射与物质相互作用原理划分依此条件,红外探测器可分为光子探测器与热探测器两大类。
光子探测器是基于光子与物质相互作用所引起的光电效应为原理的一类探测器,包括光电子发射探测器和半导体光电探测器,其特点是探测灵敏度高、响应速度快、对波长的探测选择性敏感,但光子探测器一般工作在较低的环境温度下,需要致冷器件。
热探测器是基于光辐射作用的热效应原理的一类探测器,包括利用温差电效应制成的测辐射热电偶或热电堆,利用物体体电阻对温度的敏感性制成的测辐射热敏电阻探测器和以热电晶体的热释电效应为根据的热释电探测器。
这类探测器的共同特点是:无选择性探测(对所有波长光辐射有大致相同的探测灵敏度),但它们多数工作在室温条件下[6]。
(3)按照结构形式划分红外焦平面阵列器件由红外探测器阵列部分和读出电路部分组成。
因此,按照结构形式分类,红外焦平面阵列可分为单片式和混成式两种[7]。
红外焦平面探测器杜瓦组件杂散辐射研究
林国画;张磊;张敏
【期刊名称】《激光与红外》
【年(卷),期】2018(048)009
【摘要】在对红外焦平面探测器杜瓦组件杂散辐射分析的过程中,建立了分析模型,通过对模型进行光线追迹,找到了窗片、滤光片、冷屏、探测器芯片的反射是产生杂散辐射的原因.针对这些原因,采取了相应抑制杂散辐射的方式,包括通过镀膜降低窗片、滤光片反射率,通过发黑、设计多层隔板来提高冷屏的吸收能力,通过在探测器芯片上制作可靠性高的微纳结构来降低表面反射率等,起到了较好的效果.
【总页数】5页(P1108-1112)
【作者】林国画;张磊;张敏
【作者单位】华北光电技术研究所,北京 100015;华北光电技术研究所,北京100015;华北光电技术研究所,北京 100015
【正文语种】中文
【中图分类】TN214
【相关文献】
1.国外碲镉汞红外焦平面杜瓦组件可靠性研究进展 [J], 王蕴辉
2.超长线列红外探测器杜瓦组件辐射热评估方法研究 [J], 夏晨希;李俊;孙闻;王小坤
3.红外焦平面杜瓦冷屏挡光环杂散辐射的抑制 [J], 尹爽;朱颖峰;黄一彬;张娴静;赵维艳;徐思轶
4.红外焦平面探测器杜瓦组件真空寿命分析 [J], 林日东;刘伟;王冠;张磊
5.HgCdTe红外焦平面用锥形节流致冷杜瓦组件 [J], 仰叶;朱魁章;杜彬
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红外探测技术及红外探测器发展现状中国安防行业网2014/7/25 14:10:00 关键字:红外,探测技术,发展现状浏览量:6731一、技术现状红外探测技术目前主要分为近红外、中红外和远红外三种研究领域。
其中,中红外探测技术由于中红外线的高强度和高穿透性,应用最为广泛,研究也最为成熟,甚至可以分析物质的分子组成;远红外的主要优点就是其穿透性,可用于探测、加热等,应用也比较广泛。
只有近红外,由于其强度小,穿透力一般,故长期以来没有引起重视,只是近些年来才成为研究热点,因为用近红外技术可以做某些成分的定量检测,最关键的是还不必破坏试样。
(一)技术优势红外技术有四大优点:环境适应性好,在夜间和恶劣天候下的工作能力优于可见光;隐蔽性好,不易被干扰;由于是靠目标和背景之间、目标各部分的温度和发射率差形成的红外辐射差进行探测,因而识别伪装目标的能力优于可见光;红外系统的体积小,重量轻,功耗低。
(二)制约因素目标的光谱特性;探测系统的性能;目标和探测口之间的环境和距离——这三大因素是红外技术发展过程中需要解决的主要问题。
例如:为充分利用大气窗口,探测器光谱响应从短波红外扩展到长波红外,实现了对室温目标的探测;探测器从单元发展到多元,从多元发展到焦平面,上了两大台阶,相应的系统实现了从点源探测到目标热成象的飞跃;系统从单波段向多波段发展;发展了种类繁多的探测器,为系统应用提供了充分的选择余地。
(三)国内领先技术红外探测器芯片一直受制于西方政府和供应商。
为打破国外技术垄断,2012年4月,高德红外用2.4亿元超募资金实施“红外焦平面探测器产业化项目”。
2014年2月25日,高德红外公告,公司“基于非晶硅的非制冷红外探测器”项目成果已获湖北省科技厅鉴定通过,下一阶段将开展试生产及批产工作。
据介绍,在高德红外芯片生产线上,国际主流的非晶硅和氧化钒两种工艺线路可以同时运行。
正因如此,高德红外也成为国际上少有的、国内唯一同时具备2条工艺线路的红外探测器芯片生产企业。