7焦平面APD探测器的国内外技术现状和发展趋势
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探测器技术的发展和应用探测器是一种能够将某种特定信号转换成电信号的设备。
它在科学技术,医疗诊断,能源工业和许多其他领域中都有广泛的应用。
从最简单的手持雷达到高能粒子探测器和医用放射性同位素扫描仪,探测器技术正在不断发展和提高。
本文将简要探讨探测器技术的发展历程及其应用领域。
1. 探测器技术的初期发展探测器技术的发展可以追溯到20世纪初。
早期的探测器包括闪烁计数器和用于测量辐射的盖革计数器。
这些探测器虽然精度不高,但已经为探测器技术的后续发展奠定了基础。
20世纪40年代,评估核武器威力的“曼哈顿计划”使探测器技术得到了迅速发展。
随着科学家对辐射和粒子的理解深入,探测器技术的性能得到了显著提高。
闪烁探测器、同位素计数器和气泡室是此时代表性的探测器。
2. 探测器技术的改进1960年代,半导体材料的应用让探测器技术得到了突飞猛进的发展。
由于半导体探测器具有快速响应,永久累积和高分辨率的特点,使得它们在粒子物理学、核物理学和天体物理学等领域中得到了广泛应用。
光电探测器也得到改进。
在新的探测器中,CCD(Charge-coupled device)成像器于1970年代被首次提出,并且成为现代数码相机的关键组件之一。
3. 探测器技术的应用探测器技术广泛应用于物理学、天文学、核工业和生物医学等领域。
在粒子物理学中,用于发现和识别粒子的大型探测器,如ATLAS、CMS和Belle II等,采用复杂的气体和固体探测器,涵盖几千到数万个探测元件。
这些探测器能够测量粒子的轨迹、动量、能量、电荷等。
天文学的天文望远镜和光电探测器用于观测和测量恒星的光谱,探测黑洞、彗星,以及研究暗物质和暗能量等。
宇宙中的射线天文学也是一个非常激动人心的领域。
一些探测器被装在航天飞机和空间站上,以避免地球大气层对探测器测量影响。
核工业则使用探测器来监测工业设施附近的放射性污染物。
在医学上,探测器被用于分析人体组织的成像、核素诊断及治疗等。
PET(正电子发射计算机断层摄影术)是一种新型同位素医学诊断技术,它利用放射性同位素从体内测量射线,并用特殊的探测器扫描身体从而提供医生的精确定位。
光电探测器的新性能与新应用展望光电探测器是一种将光信号转换为电信号的器件,广泛用于光通信、光测量、航空航天等领域。
近年来,光电探测器的性能不断提升,应用领域也逐步扩大。
本文将从新性能和新应用两方面,探讨光电探测器的未来发展趋势以及前景展望。
一、新性能1. 高速光电探测器的速度一直是限制其应用的重要因素,但随着技术的不断进步,高速光电探测器已成为可能。
当前,高速光电探测器的速度已经达到了数千兆赫范围,甚至接近了一百万兆赫。
这种高速探测器可以应用于高速光通信、光计算、光量子计算等领域,为实现更快、更安全的信息传输打下了坚实的基础。
2. 低噪声在某些应用场景下,噪声是光电探测器性能的重要指标之一。
过高的背景噪声会干扰信号的读取和处理,从而影响探测器的灵敏度和可靠性。
因此,研究人员一直在追求低噪声的光电探测器。
目前,一些新材料和新结构的光电探测器已经实现了低噪声探测,未来将更广泛地应用于光谱学、光学成像等领域。
3. 宽波段光电探测器的响应波段是其应用范围的基本限制之一。
但是,有一些应用需要在多个波段进行探测,例如红外成像、多波长光通信等。
宽波段光电探测器的提出,使得这些应用得到了更好的解决方案。
宽波段探测器不仅可以扩大探测范围,还可以提高探测器的灵敏度和分辨率,为更广泛的应用提供了可能。
二、新应用1. 生命科学在生命科学领域,光电探测器可以用于细胞成像、蛋白质结构分析、分子探测等方面。
随着新型探测器的不断发展,其灵敏度和空间分辨率得到了提高,能够更好地探测生命体内的微观过程。
未来,这些新型探测器将有望成为生命科学研究的有力工具,为新药研发、诊断和治疗提供支持。
2. 工业领域在工业领域,光电探测器可以用于热成像、检测化学物质、材料分析等方面。
一些新型探测器的快速响应和高精度探测能力,使得其成为工业生产中必不可少的一部分。
未来,随着新型探测器的不断涌现,其应用范围和精度将会进一步拓展。
3. 航空航天在航空航天领域,光电探测器可以用于飞行器测速、导弹制导、星云成像等方面。
智研瞻产业研究院专注于中国产业经济情报及研究,目前主要提供的产品和服务包括传统及新兴行业研究、商业计划书、可行性研究、市场调研、专题报告、定制报告等。
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产品定义及统计范围利用内光电效应进行光电探测,通过吸收光子产生电子空穴对,从而在外电路产生光电流的光电子器件。
由半导体材料制作的光电二极管,其核心部分是P-N结。
P型半导体中空穴浓度高于电子浓度,N型半导体中电子浓度高于空穴浓度。
当两者结合时,P区的空穴扩散到N 区后留下电离受主使P区带负电荷,N区的电子扩散到P区后留下电离施主使N区带正电荷,电荷堆积在P-N结两侧形成一方向由N指向P的自建电场E。
P区电子和N区空穴在自建电场作用下分别向N区和P区作漂移运动,同时P-N结的自建电场会阻止电子和空穴进一步向对方扩散而达到平衡,于是在P-N结区形成耗尽层。
少数载流子漂移难以形成足够电流,但存在外加光场时会产生大星电子和空穴对,之后在内建电场作用下,电子空穴对分离并作漂移运动,可形成较强光电流。
根据结构不同,硅基光电探测器分为:①P-I-N光电探测器,在光电探测器的P区和N 区加入一层本征层,由于本征层的加入使得耗尽区的宽度大大提高,进而提高P--N光电探测器的性能。
②雪崩光电探测器,借助强电场作用产生载流子倍增效应〈(雪崩倍增效应),达到更高的响应度,能够探测更小功率的光信号。
③金属-半导体-金属光电探测器,本质上是一个背对背串联的两支金属半导体接触二极管。
硅基光电探测器具有小型、坚固、可靠、低功耗等优点。
响应波长为0.35~1.1微米,是从可见光到近红外光谱区最常用的光电探测器,在激光测量、光纤通信等许多应用中是主要的探测元件。
硅基光电探测器行业目前现状分析统计数据显示,2017年中国硅基光电探测器行业市场规模2.37百万元,2021年中国硅基光电探测器行业市场规模2.93百万元。
光电探测器技术及其应用在现代科技高速发展的今天,探测器技术作为其中重要的一员,被广泛应用于各个领域。
其中,光电探测器技术不仅在军事、通信、医疗等领域有着广泛应用,还在制药、化工、环保等领域具有不可替代的作用。
本文将围绕光电探测器技术进行探讨,分析其应用前景以及在各个领域中的具体应用情况。
一、光电探测器技术的概述光电探测器技术是指利用光电转换效应将光辐射转化为电信号的一种技术。
其主要由光探头、前置放大器、信号处理器以及输出界面等组成。
光探头主要负责将光辐射转化为电信号,前置放大器则对电信号进行放大处理,信号处理器负责对处理后的信号进行数字化处理,并将其传送至输出界面。
光电探测器技术的发展历程可追溯至20世纪初期。
随着电子技术、信息技术以及光学技术的快速发展,光电探测器技术得到了迅猛的发展。
经历了多年的改进和完善,目前的光电探测器技术已经趋于成熟,具有高速、高精度、高可靠性等优良特性,已经成为现代科技中不可或缺的一部分。
二、光电探测器技术的应用前景随着技术的发展和需求的增长,光电探测器技术在未来的发展前景非常广阔。
以通信领域为例,光纤通信已经成为现代通信的主流方式,光电探测器作为核心光电部件在光纤通信中扮演着极其重要的角色。
随着宽带光网络的兴起,光电探测器技术需求将进一步得到增长。
除此之外,光电探测器技术还具有广泛的应用前景。
例如,在医疗领域中,它可以用于光动力治疗等方面,帮助医生更加精准地完成治疗工作;在军事领域中,它可以用于导航、侦查、预警以及无人机等领域;在环保方面,光电探测器技术可以帮助监测环境中的污染物,从而保护环境。
可见,光电探测器技术具有广泛的应用前景和市场需求,预计其在未来的发展中将持续保持高速的增长态势。
三、光电探测器技术在通信领域中的应用在通信领域中,光电探测器技术的应用相对较多。
其主要是利用光电探测器的高速、高精度等特性,完成光信号转化为电信号的工作。
以光纤通信为例,光电探测器的作用是将经过光纤传输的光信号转化为可用的电信号。
总第157期2007年第1期 舰船电子工程Ship E l ectronic Eng i nee ri ngV o.l27N o.132红外探测技术的现状与发展趋势*赵 江(东北电子技术研究所 锦州 121000)摘 要 介绍红外探测技术的发展历程以及装备的研制、改进情况,指出在现代战争中发展红外探测技术的优势和重要性,重点探讨几种红外探测技术的性能及其特点;最后分析红外探测技术的未来发展趋势。
关键词 红外探测技术;关键技术;应用中图分类号 TN9721 引言红外探测技术,国外现已发展到第四代,主要采用扫描焦平面4N或6N阵列的第二代前视红外系统。
扫描焦平面阵列(FPA)是碲镉汞多元线列并联扫描技术的进一步发展。
它不仅增加线列单元数量,且增加线列(行)数,形成串并扫描,同时采用多级时间延迟和积分(TDI)技术把串联扫描同一行单元的光电信号依次延迟并相加。
它采用阻抗低的光伏型碲镉汞材料,与硅电荷耦合器电路低耗耦合。
碲镉汞多元焦平面阵列与硅电荷耦合器中间由铟柱连接形成夹层结构,从而制成混成双片焦平面阵列红外探测器。
本文就国外红外探测技术现状与发展趋势,作进一步的研究和探讨[1]。
2 发展现状目前,美国、法国、德国、英国等已经研制出48 4、288 4、480 4、和960 4元光伏型碲镉汞扫描焦平面阵列,美国主张在第二代前视红外中采用480 4元,欧洲则采用288 4元。
扫描焦平面阵列已经成熟并列入RAH-66 曼奇 升机等计划,开始在第二代前视红外以及红外成像导弹寻的器和红外搜索跟踪系统中应用。
其分辨率较第一代前视红外增加了50%~60%,探测距离更远,在恶劣气象条件下的工作也更有效[2]。
扫描焦平面阵列的优点在于降低了噪声等效温差(NETD)和最小可分辨温差(MRTD),因而使前视红外的探测距离增大了50%甚至一倍。
但是,它的探测单元数量仍然不够多,满足不了全视场成像的要求,属于扫描线列与凝视焦平面阵列之间的过渡型。
红外焦平面成像技术发展现状姓名:高洁班级:11级硕研1班学号:S11080300007摘要红外焦平面列阵成像技术已经进入了成熟期。
本文对几种红外焦平面列阵器件如MCT、Insb 和QWIP 的最新进展作一评述,简要介绍其器件发展水平、技术路线和关键工艺。
简要提及一种新颖的非制冷焦平面成像技术:光学读出微光机红外接收器。
关键词:红外焦平面列阵;碲镉汞;锑化铟;量子阱红外探测器AbstractInfrared focal plane array (IRFPA) imaging technology has been matured during the passed decade. In this paper an overview of recent progress to several kind of IRFPA such as MCT, Insb and QWIP is provided , focusing on new device development, technical lines and key technologies. Also, a new type of uncooled FPA imaging technigue micro !optomechanical infrared receiver with optical readout is briefly introduced.Key words: IRFPA; MCT; Insb; QWIP引言红外探测器技术在20 世纪90 年代取得了飞速发展。
红外焦平面列阵成像技术进入了成熟期。
高性能大规格焦平面列阵已正式地应用于各种重大国家安全项目中,例如弹道导弹防御计划和重要新型武器系统。
另外,新型非制冷红外焦平面技术的涌现正在促进红外技术走向第三代。
美国人预言,未来几年美国红外市场将出现年均30%的连续高速增长[1]。
本文简要评述了几种红外焦平面列阵器件技术的最新进展。
光电探测器的发展现状及分析光电探测器的发展现状及分析董涛 1092110319(哈尔滨工业大学电子科学与技术黑龙江哈尔滨 150001) 【摘要】本文主要论述光电探测器的分类和原理,特性参数,发展历史和现状,同时,简单的总结各类光电探测器的特点和应用,最后,对于当代出现的新型光电探测器做简要的分析说明。
【关键词】光电探测器,光电,探测器,发展现状0.引言光电探测器是一种利用光电效应将辐射能转换成电信号的器件,是光电系统的重要组成部分。
光电探测器的发展历史由来已久,早在一百八十多年前,人们就已经发明了热电偶。
由于光电探测器件在国防和人民生活中有重要的应用,其发展非常迅速。
随着科技的发展,各种新型光电材料不断涌现,同时由于制造工艺的提高,光电探测器的性能有了很大的改善。
随着激光和红外技术的发展,很多情况下单个光电探测器已不能满足系统需求,因此,阵列(线阵和面阵)光电探测器应运而生。
同时,人们对光电探测器提出了更多要求,希望探测器能集成化,小型化,提高性能,降低成本,提高稳定性等。
因此,整理现有的光电探测器为进一步的深入研究打下基础是一项很重要的课题,本文的主要任务是系统全面的梳理光电探测器的基本知识,以期读者能从中能受到启发,对光电探测器有个全面的了解。
1.光电探测器分类和原理1.1光电探测器分类第一种分类:按照光电探测器件的物理效应可分为两类:一类是利用各种光电效应的光子探测器,另一类是利用温度变化效应的热探测器;1.光子探测器光子探测器的工作原理是基于光电效应,入射的光子和材料中的电子发生相互作用,若产生的光电子逸出材料表面,则称为外光电效应;若产生了被束缚在材料内的自由电子或空穴,则称为内光电效应。
(1)外光电效应:光子发射效应;(1)内光电效应:光电导效应,光生伏特效应,光磁电效应。
2.热探测器热探测器的工作原理是光热效应,材料吸收光辐射后可以产生温差电效应、电阻率变化效应、自发极化强度的变化效应、气体体积和压强的变化效应等等,利用这些效应可制作各种热探测器。
现代探测技术的挑战与发展在当今科技飞速发展的时代,现代探测技术正以前所未有的速度和规模改变着我们对世界的认知和探索方式。
从深海到宇宙,从微观粒子到宏观天体,探测技术的触角不断延伸,为人类开启了一扇扇未知的大门。
然而,随着探索的深入,现代探测技术也面临着诸多挑战,同时也迎来了新的发展机遇。
首先,让我们来了解一下现代探测技术的主要类型和应用领域。
现代探测技术涵盖了众多领域,包括但不限于:1、遥感技术:通过卫星、飞机等平台搭载的传感器,获取大范围的地表信息,广泛应用于地质勘探、农业监测、环境评估等领域。
2、雷达探测技术:利用电磁波的反射原理,实现对目标的探测、定位和跟踪,在军事、航空航天、气象预报等方面发挥着重要作用。
3、激光探测技术:具有高精度、高分辨率的特点,常用于地形测绘、工业检测、自动驾驶等领域。
4、声学探测技术:例如声纳,在海洋探测、水下目标监测等方面有着不可替代的地位。
然而,这些技术在实际应用中并非一帆风顺,它们面临着一系列严峻的挑战。
技术瓶颈是其中之一。
例如,在遥感技术中,传感器的分辨率和精度仍有待提高,以获取更详细、更准确的地表信息。
当前的技术水平在某些情况下难以满足对微小目标或复杂地形的精细探测需求。
同样,雷达探测技术在面对复杂电磁环境时,信号的干扰和衰减问题也会影响探测的准确性和可靠性。
数据处理和分析也是一大难题。
现代探测技术产生的海量数据对计算能力和算法提出了极高的要求。
如何从庞大的数据中快速提取有价值的信息,并进行有效的分析和解读,是一个亟待解决的问题。
此外,不同探测技术获取的数据格式和标准不尽相同,数据的融合和共享也存在困难,这在一定程度上限制了探测技术的综合应用和效果。
成本高昂也是一个不可忽视的挑战。
先进的探测设备往往价格昂贵,研发、制造和维护都需要大量的资金投入。
这不仅增加了科研和应用的成本,也在一定程度上限制了探测技术的广泛推广和应用。
例如,一些高精度的激光探测设备,由于其复杂的光学系统和精密的制造工艺,导致成本居高不下,使得其在一些领域的应用受到限制。
新型光电探测器的性能与应用前景在当今科技飞速发展的时代,光电探测器作为一种能够将光信号转换为电信号的关键器件,正经历着日新月异的变革。
新型光电探测器的出现,为众多领域带来了前所未有的机遇和挑战。
本文将详细探讨新型光电探测器的性能特点以及其广阔的应用前景。
一、新型光电探测器的性能特点1、高灵敏度新型光电探测器在灵敏度方面取得了显著的提升。
这意味着它们能够检测到极其微弱的光信号,哪怕是光子级别的光量也能被精准捕捉。
这种高灵敏度的特性使得在诸如天文观测、生物医学成像等对信号微弱度要求极高的领域中,能够获取到更精确、更有价值的信息。
2、宽光谱响应传统的光电探测器往往只能在特定的光谱范围内工作,而新型光电探测器则具备了更宽的光谱响应能力。
从紫外线到红外线,甚至是太赫兹波段,都能有效地进行光信号的检测。
这一特性大大拓展了其应用场景,例如在环境监测中,可以同时检测多种不同波长的光辐射,提供更全面的环境信息。
3、快速响应速度在许多实际应用中,光电探测器的响应速度至关重要。
新型光电探测器能够实现极短的响应时间,以纳秒甚至皮秒级的速度对光信号做出反应。
这使得它们在高速通信、激光测距等领域中表现出色,能够准确地捕捉到快速变化的光信号。
4、低噪声水平噪声是影响光电探测器性能的一个重要因素。
新型光电探测器通过采用先进的材料和制造工艺,有效地降低了噪声水平,提高了信号的质量和准确性。
这在对信号精度要求苛刻的应用中,如量子通信、精密测量等,具有重要意义。
5、高分辨率具有高分辨率的新型光电探测器能够更清晰地分辨光信号的细节。
在图像传感、光学显微镜等领域,能够提供更精细、更逼真的图像和数据。
二、新型光电探测器的应用前景1、通信领域随着 5G 技术的普及和 6G 技术的研发,对高速、大容量的通信需求日益增长。
新型光电探测器凭借其快速响应速度和宽光谱响应,能够在光通信中实现更高的数据传输速率和更稳定的信号传输,为构建更高效的通信网络提供支持。
探测器技术的新进展随着科技的发展,探测器技术也在不断地进步和完善。
探测器技术作为基础科学研究中不可或缺的一环,其重要性不言而喻。
本文将介绍一些探测器技术的新进展。
核探测器核探测器是探测和测量射线的一种设备。
它可以将不同类型的射线转换为可读的电信号,以便研究人员能够了解射线的性质和来源。
目前,利用核探测器可以测量γ射线、X射线、中子、带电粒子等多种射线。
近年来,核探测器的研究不断取得新的进展。
例如,新的探测器可以更加精确地测量能量,并提高测量灵敏度。
此外,新的计数器开发成功也有助于提高探测器的性能。
由于核探测器的应用广泛,其不断的改进也为其他相关领域的研究提供了更好的支持。
暗物质探测器暗物质是目前天文学和物理学研究中的热门话题。
虽然暗物质的存在还未被直接观测到,但科学家相信它是组成宇宙大部分物质的重要组成部分。
由于暗物质不参与电磁相互作用,因此难以直接观测到。
然而,科学家们发现,利用探测器技术可以间接地探测到这些物质。
目前,暗物质探测器技术也在不断地进步。
例如,基于气体探测技术的暗物质探测器在探测灵敏度上已经取得了很大的突破。
新类型的探测器可以更加灵敏地测量和记录能量和粒子。
此外,科学家们还在对不同物理模型进行研究,以便更好地理解和解释暗物质探测器所探测到的信号。
高能物理探测器高能物理探测器是理解微观宇宙中物理过程的关键,能够帮助科学家们认识物质的最基本构成。
随着现代粒子物理学的发展,高能物理探测器的研究也在不断进步。
近年来,研究人员不断完善和提升高能物理探测器的性能和精度。
例如,在微重离子探测器技术方面,新型探测器可以实现更高粒子流量的探测,也可以用于快速数据获取和处理。
此外,某些探测器是为研究暴露在极端条件下的高能物质而设计的,这些探测器可以检测由反应释放的能量,并可为天体物理学、核物理学以及高能物理学等领域提供重要数据。
小结随着科学技术的发展,探测器技术也在快速发展。
探测器技术广泛应用于多个领域,例如核物理学、暗物质探测以及高能物理学等。
新型光电探测器的研发及性能评估随着科技的不断进步,光电探测器在实际应用中越来越广泛,特别是在通信、自动化、航空航天等领域有着广泛的应用。
最近几年,新型光电探测器在研发中颇具活力,其性能和应用范围也在逐步得到拓展。
本文将重点讨论新型光电探测器的研发及性能评估。
一、新型光电探测器介绍及研发现状新型光电探测器主要指具有高灵敏度、低噪声、快速响应等特点的探测器。
目前,其主要包括PIN探测器、APD探测器、SOI探测器等。
首先是PIN探测器,它是将P型半导体和N型半导体组成的二极管,利用内建电场使得光生电子和空穴在半导体内扩散时集中到二极管的P-N结处,从而产生电流。
PIN探测器具有灵敏度高、响应速度快的优点,可以在环境光强较高的情况下进行光谱测量等应用。
接下来是APD探测器,它是一种高增益探测器,依靠电子和空穴在高电场下的倍增效应使得输出电流比输入光信号高得多。
APD探测器主要应用在光通信、雷达等领域,其优点在于弱光探测、多光子探测等方面表现突出。
最后是SOI探测器,它是利用硅上绝缘层技术,将光子转化为电子信号的探测器。
SOI探测器主要应用于硅基微波光电器件产业,其优点是可以制备高质量的硅纳米线,并用其制备高性能的电子和光学器件。
当前新型光电探测器的研究方向包括提高探测器灵敏度、优化响应速度、降低噪声等方面。
相应的研究方法包括使用新型材料、优化器件结构等。
二、新型光电探测器性能评估为了评估光电探测器的性能,我们需要主要关注其检测能力、响应速度、灵敏度和噪声等方面的指标。
下面将对这些指标进行简单介绍。
首先是检测能力。
光电探测器的检测能力是指其能够检测到的光子能量的下限。
这个指标通常受到器件结构、材料特性和工作环境等因素的影响。
研究者通常采用量子效率和探测器噪声比等指标来评估器件的检测能力。
其次是响应速度。
光电探测器的响应速度受到多种因素的影响,如载流子传输速度、载流子寿命等。
响应速度越快,光电探测器在高频率下的应用就更广泛。
红外焦平面探测器的国内外技术现状和发展趋势一、焦平面APD探测器的背景及特点焦平面APD探测器主要是由:APD阵列和读出电路(ROIC)两部分组成,其中APD是核心元件。1、APD雪崩光电二极管(APD)是一种具有内部增益的半导体光电转换器件,具有量子响应度高、响应速度快、线性响应特性好等特点,在可见光波段和近红外波段的量子效率可达90%以上,增益在10~100倍,新型APD材料的最大增益可达200倍,有很好的微弱信号探测能力。2、APD阵列的分类按照APD的工作的区间可将其分为:Geiger-modeAPD(反向偏压超过击穿电压)和线性模式APD(偏压低于击穿电压)两种。(1)Geiger-modeAPD阵列的特点优点:1)极高的探测灵敏度,单个光子即可触发雪崩效应,可实现单光子探测;2)GM-APD输出信号在100ps量级,即有高的时间分辨率,进而有较高的距离分辨率,厘米量级;3)较高的探测效率,采用单脉冲焦平面阵列成像方式;4)较低的功耗,体积小,集成度高;5)GM-APD输出为饱和电流,可以直接进行数字处理,读出电路(ROIC)不需要前置放大器和模拟处理模块,即更简单的ROIC。缺点:1)存在死时间效应:GM-APD饱和后需要一定时间才能恢复原来状态,为使其可以连续正常工作需要采用淬火电路对雪崩进行抑制。2)GM-APD有极高的灵敏度,其最噪声因素更加敏感,通道之间串扰更严重。(2)线性模式APD阵列的特点优点:1)光子探测率高,可达90%以上;2)有较小的通道串扰效应;3)具有多目标探测能力;4)可获取回波信号的强度信息;5)相比于GM-APD,LM-APD对遮蔽目标有更好的探测能力。缺点:1)灵敏度低于GM-APD;(现今已经研制出有单光子灵敏度的LM-APD)2)读出电路的复杂度大于GM-APD(需对输入信号进行放大、滤波、高速采样、阈值比较、存储等操作)。(其信号测量包括强度和时间测量两部分)按照基底半导体材料APD可分为:SiAPD、GeAPD、InGaAsAPD、HgCdTeAPD。其中Si的由于波长在1um左右,由于材料限制很难做到大于32*32的阵列,再考虑到人眼安全以及军事对高功率激光的需求,工作波长在:1.5um的InGaAsAPD及HgCdTeAPD为研究的热点内容。二、国外的技术现状按照APD的工作区间进行分类讨论。1、基于Geiger-modeAPD(GM-APD)的焦平面探测器(1)技术手段:1)APD阵列:主要采用p型衬底金属有机气相外延(MOCVD)及台面工艺方法;或者n型衬底P扩散平面工艺方法制备。2)ROIC:采用CMOS工艺代工流片。3)封装技术:采用陶瓷封装等将APD和ROIC集成在一起的探测器封装,再封装到半导体热电制冷(TEC)方式使其工作与浅低温的条件。4)APD和ROIC的集成:块接(Bump-bonding)技术或者桥接(Bridge-bonding)技术。(2)发展历史:1998年林肯实验室研制出4*4的APD焦面探测器;2001年研制出Gen-I系统;2002年研制出微型化的Gen-II;2003年研制出Gen-III(APD阵列:32*32);2011年研制出ALIRT系统(APD阵列:32*128);目前为止已经可以实现:APD阵列:256*256,测量精度:5cm以内。(3)主要的研究机构:美国MIT林肯实验室、波音Spectrolab公司、PrincetonLightwave公司等(4)结构及其原理框图:
如图一所示:激光发射的同时产生一个计时开始信号(start);当光子回波到达时产生一个COMS兼容的电压脉冲(stop);该脉冲使读出电路时间测量单元停止计数;光脉冲到达的时间数字化,同时降低偏置实现雪崩淬灭,数据经传输处理获取目标三维距离信息。
图一、GM-APDFPA原理图如图二所示:InGaAs/InPAPD阵列通过In柱子的倒装和下面的ROIC芯片集成,通过陶瓷封装之后,再封装到含有三级半导体热电制冷器(TEC)和石英玻璃光窗的金属管壳。
如图三所示:采用背照入射平面结构,材料结构上采用光吸收雪崩倍增层分离的、具有能带渐变层和电荷层的结构。
图二、GM-APDFPA结构图图三、GM-APDInGaAs/InP结构图2、基于线性模式APD(LM-APD)的焦平面探测器(1)技术手段:1)APD阵列:主要通过分子束外延生长(MBE)进行制备2)ROIC:采用CMOS工艺代工流片。3)封装技术:采用陶瓷封装等将APD和ROIC集成在一起的探测器封装,再封装到半导体热电制冷(TEC)方式使其工作与浅低温的条件。4)APD和ROIC的集成及其结构:Z堆叠(Z-stacking)技术,或者垂直互连探测器阵列技术(VerticallyIntegratedSensorArrays,VISA)。
如图四所示:VISA采用垂直互连代替Z最堆叠中的平行结构,其可以克制芯片的长度限制,用于制造更大规模的探测器阵列和更复杂的片上信号处理系统。
图四、VISA与Z堆叠技术的结构对比
图五、VISA的焦平面探测器结构(2)发展历史:2000年开始Raytheon在国防预先研究计划局(DARPA)支持下先后研制了:4*4,32*2,10*10,4*256等不同规格的APD阵列探测器;2001年开始DRS公司对HgCdTeAPD进行研究,并利用高密度垂直集成光电二极管的结构开发圆柱形N-on-PAPD;2005年开始ASC公司开发了一系列3D闪光激光探测成像传感器InGaAsAPD阵列(APD阵列128×128);2007年,Raytheon研制了一种应用于导弹系统和海军空中作战中心的HgCdTeAPD三维成像雷达(APD阵列2×128),目前仪可以做出256*256;2007年,DSR公司在美国陆军CELRAP计划支持下开发了HgCdTeAPD脉冲无扫描激光雷达系统(APD阵列128×128,增益可达1000倍);2011年,法国CEA/LETI和DEFIR实验室研制了一种具备主动和被动成像能力的HgCdTeAPD三维闪光激光雷达(APD阵列320*256);目前为止:APD阵列320*256(近年已经达到515*512);分辨率:ns量级;增益大于100(3)主要的研究机构:美国的:雷神公司(Raytheon)、DRS公司、ASC(AdvancedScientificConcepts)公司、LockheedMartin公司;法国的:CEA-Leti公司等等(4)一些典型的APD阵列结构及原理图
图六、Raytheon旗下的各带产品如图七所示是:Raytheon公司的一款256*4APD阵列的产品,其ROIC和APD阵列封装在TEC中,TEC使其在浅低温环境下工作,周围的电路板提供旁路电容器、多路复用器、LVDS接收器等等。
如图八所示:为法国CEA/LET研制的APD阵列为:320*256的焦平面探测器的ROIC原理图,处理系统采用脉冲飞行时间法(TOF)测距,读出电路由CTIA放大器、比较器、锁存器和采样保持电路组成.其强度测量采用与CCD类似的积分形式实现;其时间测量采用对基准参考电压采样实现;其原理右图所示脉冲发射(T1)后,参考电压开始随时间线性增加,当激光脉冲回波到达(T2)后,触发锁存器,对参考电压采样即V3D,根据电压的大小,即可判定脉冲回波时间,获取目标距离。
图七、Raytheon产品APD阵列256*4的结构图图八、CEA/LET的ROIC结构图和计时原理图如图九所示:可以很清楚的看出HgCdTe的增益大小和环境噪声基本无关,并且一直保持很小,即相比于Si和InAlAs,HgCdTe的大增益抗噪声能力更强。
对比一下GM和LM:
图九、各材料的增益和噪声的关系图
图十、LMAPD和GMAPM的对比如图所示易知:1)GM的APD的增益比LM大很多2)GM的ROIC噪音比LM大的多3)GM不能测强度但是LM能4)GM的效率比LM小的多
三、国内的技术现状及与国外对比1、国内技术现状(1)发展历史:2004年在863计划支持下,我国研制出机载推帚式激光三维成像系统(APD阵列:1*16)2010年电子科大设计了光纤耦合APD探测系统(APD阵列:4*4)2012年上海光机所设计了一种GM-APD(APD阵列:3*3)2012年清华大学设计了APD激光雷达系统(APD阵列:1*16)2013年哈尔滨工业大学设计了一种APD探测器(APD阵列:5*5)上海技术物理所设计了一款了(APD阵列:1*25)(2)主要研究机构:电子科技大学、上海技术物理所、上海光机所、清华大学、哈尔滨工业大学等(3)现存的状况:我国在阵列化APD焦平面探测器的研究工作处于起步阶段,国内公开发布的阵列APD探测系统像素数量较低,由于受到相关器件和半导体光电探测器生产工艺的限制,以及国外对高灵敏度探测器的技术封锁,国内的大部分还处于理论和实验验证的阶段,大部分关键技术和国外相比有较大的差距。
2、国内外技术对比
如图十一所示:中国和国外的APD阵列的探测器的无论是阵列规模还是系统的各项参数都远不及国外。中国需要在APD阵列探测器的系统层次上设计及系统性能的研究上着手跟上世界先进的步伐。
图十一、国内外APD阵列探测系统的对比