1螺钉型超高压陶瓷电容器（10KV~50KV ）
我公司成立于一九九三年，是专业生产高压，超高压陶瓷电容器厂家，产品广泛用于高，低频高压交直流倍压电源电路，如：电力系统电源，医疗电源，静电除尘，喷涂高频电源，激光电源，其它电源电路等。
经过18年的发展，我司HL 品牌已得到许多客户认可，在同行业中具有高性价比竞争优势，产品畅销国内外。现有超高压陶瓷电容器生产线2条，年产量3000万只，普通型高压生产线7条，年产量1亿只，生产四大类产品共400多个规格。
（一）用途：
2该产品主要使用于具有高峰值电流及高重复率的电路。如：高压倍压，分压保护，去耦电路，激光激发，切换电路，焊接设备，交流限流，直流储能，高频耦合，交流，直流滤波等场合。
（二）使用要求：
高频20KH z~1000KH z
（三）特点：
低交直流系数，低压电，电致伸缩效应。 （四）特性： 表一 材料特性表 特 性 绝缘电阻≥M Ω
损耗≤（%）
温度变化率 温度特性 N4700(DL) 200000 0.2 +22% -33% -30℃ +85℃ Y5S(D) 100000 1.0 +10% -22% -30℃ +85℃ Y5T(D)
100000
1.0
+22% -33%
-30℃ +85℃
X7R(B) 100000 1.5 +/-10% -30℃ +125℃ Y5U(E) 10000 1.5 +22% -56% -30℃ +85℃ Y5V(F) 10000
1.5
+22% -80%
-30℃ +85℃
（五）耐电压:
额定电压的1.5倍直流电压（油中）。
（六）命名规则
1 电容类型
CT8G ：C 表示电容器，第二个T 表示低频Ⅱ类陶瓷，8表示高压，G 表示大功率； CC8G ：C 表示电容器，第二个C 表示高频Ⅰ类陶瓷，8表示高压，G 表示大功率；
2 电压额定耐压值
3 材料类型，请参考表一
4 电容容值
（七）型号选型
CT8G10KVDL561K 1
2
3
4
表二
容量成品尺寸（mm）序
号型号规格
特
性
额定
电压
（KV）
静电容量
（PF）
公差
（%）
D H L M
1 CT8G10KVDL561K N4700 10 560 10 21 16 20 5
2 CT8G10KVDL102K N4700 10 1000 10 25 16 20 5
3 CT8G10KVDL202M N4700 10 2000 20 32 16 20 5
4 CT8G10KVDL282M N4700 10 2800 20 38 16 20 5
5 CT8G10KVDL502M N4700 10 5000 20 48 1
6 20 5
6 CT8G10KVDL802M N4700 10 8000 20 61 16 20 5
7 CT8G15KVDL371K N4700 15 370 10 21 18 22 5
8 CT8G15KVDL102K N4700 15 1000 10 32 18 22 5
9 CT8G15KVDL192K N4700 15 1900 10 38 18 22 5
10 CT8G15KVDL332M N4700 15 3300 20 48 18 22 5
11 CT8G15KVDL532M N4700 15 5300 20 61 18 22 5
12 CT8G20KVDL281K N4700 20 280 10 21 20 24 5
13 CT8G20KVDL561K N4700 20 560 10 25 20 24 5
14 CT8G20KVDL102K N4700 20 1000 10 32 20 24 5
15 CT8G20KVDL142K N4700 20 1400 10 38 20 24 5
16 CT8G20KVDL252M N4700 20 2500 20 48 20 24 5
17 CT8G20KVDL402M N4700 20 4000 20 61 20 24 5
18 CT8G30KVDL191K N4700 30 190 10 21 24 28 5
19 CT8G30KVDL401K N4700 30 400 10 25 24 28 5
20 CT8G30KVDL591K N4700 30 590 10 32 24 28 5
21 CT8G30KVDL941K N4700 30 940 10 38 24 28 5
22 CT8G30KVDL172K N4700 30 1700 10 48 24 28 5
23 CT8G30KVDL272M N4700 30 2700 20 61 24 28 5
24 CT8G30KVDL332M N4700 30 3300 20 61 24 28 5
25 CT8G40KVDL141K N4700 40 140 10 21 30 34 5
26 CT8G40KVDL441K N4700 40 440 10 32 30 34 5
27 CT8G40KVDL701K N4700 40 700 10 38 30 34 5
28 CT8G40KVDL102K N4700 40 1000 10 45 30 34 5
29 CT8G40KVDL132K N4700 40 1300 10 48 30 34 5
30 CT8G40KVDL202M N4700 40 2000 20 61 30 34 5
31 CT8G15KVB272M B(X7R) 15 2700 20 32 18 22 5
32 CT8G30KVB222M B(X7R) 30 2200 20 38 24 28 5
33 CT8G50KVD332M D(Y5S) 50 3300 20 61 32 36 5
34 CT8G50KVD502M D(Y5T) 50 5000 20 61 32 36 5
35 CT8G20KVF103M F(Y5V) 20 10000 20 45 24 28 5
3
容量成品尺寸（mm）序
号型号规格
特
性
额定
电压
（KV）
静电容量
（PF）
公差
（%）
D H L M
36 CT8G30KVF103M F(Y5V) 30 10000 20 48 26 30 5
37 CT8G50KVF103M F(Y5V) 50 10000 20 61 38 42 5
38 CC8G50KVUJ102K UJ 50 12 10 25 30 34 5
39 CC8G30KVUJ200K UJ 30 20 10 25 24 28 5
40 CC8G30KVSL400K SL 30 40 10 25 24 28 5
41 CC8G30KVSL800K SL 30 80 10 32 24 28 5
42 CC8G50KVNP0101J NPO 50 100 5 61 30 34 5
43 CC8G50KVNP0680J NPO 50 68 5 61 38 42 5
4
铁电陶瓷材料的应用以及生产工艺之七 铁电陶瓷材料，是指具有铁电效应的一类功能性陶瓷材料，它是热释电材料的一个分支。 可用于大容量的电容器、高频用微型电容器、高压电容器、叠层电容器和半导体陶瓷电容器等，可以制作介质放大器和相移器等。利用其热释电性，可制作红外探测器等。也用于制造光阀、光调制器、激光防护镜和热电探测器等。 广泛应用于航天、军工、新能源产品。 这里介绍，主要是参考它的加工工艺，比如为固体电解质的加工提供一定的参考。另一方面是顺便了解一下这特种陶瓷的用途。 室温研磨法固相反应制备铁电陶瓷粉末： ――机械合金化制备的铁电体：锆钛酸铅 锆钛酸铅(Pb(ZrxTi1－X)O，或PZT)是PT和锆酸铅(PbZrO3或PZ)的 固溶体，具有杰出的铁电、压电、热电和光电性能，广泛应用于传感器、声纳、微动台、旋转式激励器和热电传感器中。 有专家研究了用具有碳化钨筒和球的行星高能球磨机对(PbO、ZrO2和TiO2)混合物球磨不同时间后PZT相的形成情况。球磨4h没有形成PZT，但PbO衍射峰大大变宽并弱化，球磨15和24h后，PZT成为主要相。球磨过程中，相变会导致不同程度的体积膨胀。研究表明，延长球磨时间，体积膨胀程度减小，意味着未反应的氧化物数量减少。球磨24 h的混合物反应完全，故几乎没有观察到体积膨胀。 有专家通过行星球磨机对PbO、ZrO2、TiO2氧化物强化粉碎(高的 球磨速度和大的球料比)5—480min后发现，球磨lh便得到PZT相及少量未反应的ZrO2，球磨2h时后相组成相同，未反应的ZrO2量达到最少。对球磨粉末做比表面积测试后发现，球磨30min后其比表面积达到最大，并促进了初始氧化物间的反应，以致球磨1h后几乎得到纯PZT相，
陶瓷电容器简介及使用注意事项 1.分类 1类多层瓷介电容器，温度稳定性好，材料C0G或NP0（注意C0G里面的0是代表零，NP0里面的0也是代表零，不是英文字母O），随温度变化是0，偏差是±30ppm/℃、±0.3%或±0.05pF，这类电容量较小，耐压较低，主要用于滤波器线路的谐振回路中，但其中损耗小，绝缘电阻较高，制造误差J=±5% G=±2% F=±1%，执行标准：GB/T20141-2007 2类多层瓷介电容器，温度稳定性差，但容量大、耐压高， 例如：X7R 在-55℃～到+125℃内温度偏移±15%，X5R在-55℃～到+85℃内温度偏移也是±15%，Y5V在-30℃～到+85℃内温度偏移+22%～-82%，Z5U在+10℃～+85℃内温度偏移+22%～-56%，生产误差：K=±10%、M=±20%。 注意：生产电容器时产生的误差与温度偏差是不同的概念。 2类多层瓷介电容器主要用于旁路、滤波、低频耦合电路或对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中，执行标准：GB/T20142-2007 2.在使用贴片电容器的PCB设计中，用于波峰焊的焊盘尺寸与用于回流焊的 焊盘尺寸不同，因为焊料的量的大小会影响零件的机械应力，从而导致电容器破碎或开裂。 3.在PCB设计时巧用适当多的阻焊层将2个或以上电容器焊盘隔开。 4.在靠近分板线附近，电容器要平行排列，即长边与分板线平行，减少分板 时的裂缝。 5.自动贴片机装配SMD时，适当的部位支撑PCB是完全必要的，单面板时和 双面板时支撑都要考虑两面SMD的裂缝。
6.在波峰焊工艺中，粘着胶的选用和点胶位置及份量直接影响SMD焊接后的 性能稳定性，胶的份量以不能接触PCB中焊盘为准。 7.焊接中使用助焊剂： 7.1如果助焊剂中有卤化物多或使用了高酸性的助焊剂，那么焊接后过多 的残留物会腐蚀电容器端头电极或降解电容器表面的绝缘。 7.2回流焊中如果使用了过多的助焊剂，助焊剂大量的雾气会射到电容器 上，可能影响电容器的可焊性。 7.3水溶助焊剂的残留物容易吸收空气中的水，在高湿条件下电容器表面 的残留物会导致电容器绝缘性能下降，并影响电容器的可靠性，所以，当选用了水溶性助焊剂时，要特别注意清洗方法和所使用的机器的清洗力。 7.4处理贴好电容器的板时，过程中温差不能超过100℃，否则会引起裂缝。 8. 焊料的使用量为电容器厚度的1/2或1/3. 9. 使用烙铁焊接时，烙铁头的顶尖直径最大为1.0mm，烙铁头尖顶不能直接 碰到电容器上，要接触在线路板上，加锡在线路板与电容器之间。 10. 在搬运和生产过程中，电容器包装箱应避免激烈碰撞，从0.5米或以上 高度落下的单个电容器可能会产生电容器瓷体破损或微裂，应不能在使用。 11. 储存条件： 温度范围：-10℃～+40℃ 湿度范围：小于70%（相对湿度） 存储期：半年 如果超过了6个月（从电容器发货之日算起），在使用电容器之前要对其进行可焊性检验，同时高介电常数的电容器的容量也会随时间的推移
陶瓷电容器的特性及选用 陶瓷电容器是目前电子设备中使用最广泛的一种电容器，占整个电容器使用数量的50%左右，但由于许多人对其特性了解不足导致在使用上缺乏应有的重视。为达到部品使用的规范化和标准化要求，下面对陶瓷电容器的特性及我司使用中需要注意的事项做一概况说明： 一、陶瓷电容器特性分类： 陶瓷电容器具有耐热性能好，绝缘性能优良，结构简单，价格低廉等优点，但不同陶瓷材料其特性有非常大的差异，必须根据使用要求正确选用。陶瓷电容按频率特性分有高频瓷介电容器（1类瓷）和低频瓷介电容器（2类瓷）；按耐压区分有高压瓷介电容器（1KV DC以上）和低压瓷介电容器（500V DC以下），现分述如下： 1．高频瓷介电容器（亦称1类瓷介电容器） 该类瓷介电容器的损耗在很宽的范围内随频率的变化很小，并且高频损耗值很小,（tanδ≤0.15%，f=1MHz），最高使用频率可达1000MHz以上。同时该类瓷介电容器温度特性优良，适用于高频谐振、滤波和温度补偿等对容量和稳定度要求较高的电路。其国标型号为CC1（低压）和CC81（高压），目前我司常用的温度特性组别有CH（NP0）和SL 组，其常规容量范围对应如下： 表中温度系数α C =1/C（C 2 -C 1 /t 2 -t 1 ）X106（PPM/°C），是指在允许温度范围内，温度每变 化1°C，电容量的相对变化率。由上表看出，1类瓷介电容器的温度系数很小，尤其是CH特性，因此也常把1类瓷介电容器中CH电容称为温度补偿电容器。但由于该类陶瓷材
料的介电常数较小，因此其容量值难以做高。因此当需要更高容量值的电容时，则只能在下面介绍的2类瓷介电容中寻找。 2、低频瓷介电容器（亦称2类瓷介电容器） 该类瓷介电容的陶瓷材料介电常数较大，因而制成的电容器体积小，容量范围宽，但频率特性和温度特性较差，因此只适合于对容量、损耗和温度特性要求不高的低频电路做旁路、耦合、滤波等电路使用。国标型号为CT1（低压）和CT81（高压），其常用温度特性组别和常规容量范围对应如下： 中2R组为低损耗电容，由于其自身温升小，频率特性较好，因而可以用于频率较高的场合。 对低压瓷介电容，当容量大于47000pF时，则只能选择3类瓷介电容器（亦称半导体瓷介电容器），例如：我司大量使用的26-ABC104-ZFX，但该类电容温度特性更差，绝缘电阻较低，只是因高介电材料，体积可以做得很小。因此只适用要求较低的工作电路。如选用较大容量电容，而对容量和温度特性又有较高使用要求，则应选用27类有机薄膜电容器。 3、交流瓷介电容器 根据交流电源的安全性使用要求，在2类瓷介电容器中专门设计生产了一种绝缘特性和抗电强度很高的交流瓷介电容器，亦称Y电容，按绝缘等级划分为Y1、Y2、Y3三大系列，其用途和特性分类如下：
高压陶瓷电容知识大全 本文摘至网络，原作者不详，如原作者不愿公开请联系本人（hlg-1@https://www.doczj.com/doc/bb7154212.html,）删除。 高压陶瓷电容、简介： 高压陶瓷电容器，即使用在电力系统中的高压陶瓷电容器，一般如电力系统的计量，储能，分压等产品中，都会用到高压陶瓷电容器。高压陶瓷电容在LED灯行业已有广泛的应用和不轻的地位，高压陶瓷电容是用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。 高压陶瓷电容、作用： 高压陶瓷电容具有耐磨直流高压的特点，适用于高压旁路和耦合电路中，其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗，特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用。 高压瓷片电容只要针对于高频，高压瓷片电容取决于使用在什么场合，典型作用可以消除高频干扰。 在大功率、高压领域使用的高压陶瓷电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点。近年来随着材料、电极和制造技术的进步，高压陶瓷电容器的发展有长足的进展，并取得广泛应用。高压陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一。 高压陶瓷电容器的用途主要分为送电、配电系统的电力设备和处理脉冲能量的设备。 因为电力系统的特殊性：交流电压高，高频，处于室外环境中(-40度到+60度)，雷击电压/电流大，等等各种因素，造成了高压陶瓷电容器在研发和生产中一直处于困境:环境的恶劣，要求电容具有超强的稳定性，即变化率要小；同时，计量，储能，分压等产品要求高精密度，这对处于这种环境下的高压陶瓷电容器的局放，即局部放电量有着极为苛刻的要求：局放为
零。 高压陶瓷电容、优点： 1.容量损耗随温度频率具高稳定性 2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性 3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构. 高压陶瓷电容、差别： ·高压陶瓷电容和高压瓷片电容的特点对比： 高压陶瓷电容的特点 1.不需要认证 2.超高压可以达到7KV在高就罕见了， 3.打印方式和Y电容比不用把各国认证打在产品表面， 4电压最低可以到16V 5，耐压最高2.5倍一般生产是1.5倍的标准测 A型材料的交流击穿电压特性外面用环氧树脂模压包封的陶瓷电容器的击穿电压厂。与间隙长G(圆片半径与电极半径之差)的关系。电容器的直径为18mm,材料介电常数为1460‘以下简称A材),电极为银电极。试验条件为25℃,施加50Hz交流电压,电压上升率为ZkV/s 高压瓷片电容特点： 常用于高压场合。 陶瓷有I类瓷，II类瓷，III类瓷之分， I类瓷，NP0，温度特性，频率特性和电压特性佳，因介电常数不高，所以容量做不大； II类瓷，X7R次之，温度特性和电压特性较好； III类瓷，介电常数高，所以容量可以做很大，但温度特性和电压特性不太好。 瓷片电容器一般体积不大。
中高压电容器HIGH VOLTAGE MLCC 中高压多层片状陶瓷电容器是在多层片状陶瓷电容器的工艺技术、设备基础上，通过采用特殊工艺制作的一种具有良好高压可靠性的产品，该产品适合于表面贴装，适合于多种直流高压线路，可以有效的改善电子线路的性能。●应用范围 ※模拟或数字调制解调器 。※局域网/广域网接口界面。※日光灯启动辉器照明电路。※倍压电器。※直流变送器。※背光源驱动电路。 Middle & high voltage MLCC is a kind of special design 、special technology MLCC that bases on the technology of general MLCC. This kind of MLCC has stable high voltage reliability and suitable to SMT. Middle & high MLCC is widely applicable for many direct high voltage circuits in which it can improve the performance of the circuit. ●APPLICATIONS ※Analog & Digital Modems ※LAN/WAN Interface ※Lighting Ballast Circuits ※V oltage Multipliers ※DC-DC Converters ※Back-lighting Inverters 容量范围及其电压 单位/unit: pF 尺寸规格容量范围Capacitance Size Code 工作电压Rated V oltage NPO X7R Y5V 100V 0.5～820 150～10,000 2,200～68,000 200V 0.5～470 150～6,800 ---------- 0603 250V 0.5～470 150～6,800 ---------- 100V 0.5～1,500 150～33,000 10,000～100,000 200V 0.1～1,500 150～22,000 10,000～56,000 250V 0.1～1,500 150～22,000 10,000～56,000 500V 0.1～560 150～10,000 --------- 0805 1000V 0.1～100 --------- --------- 100V 0.5～3,300 150～100,000 15,000～330,000 200V 0.1～2,700 150～47,000 10,000～150,000 250V 0.1～2,700 150～33,000 10,000～150,000 500V 0.1～1,500 150～22,000 ---------- 1000V 0.1～1,000 150～5,600 ---------- 1206 2000V 0.1～270 150～1,500 -----------
多层贴片陶瓷电容烧结原理及工艺 多层陶瓷电容器(MLCC)的典型结构中导体一般为Ag或AgPd，陶瓷介质一般为(SrBa)TiO3，多层陶瓷结构通过高温烧结而成。器件端头镀层一般为烧结Ag/AgPd，然后制备一层Ni阻挡层(以阻挡内部Ag/AgPd材料，防止其和外部Sn发生反应)，再在Ni层上制备Sn或SnPb层用以焊接。近年来，也出现了端头使用Cu的MLCC产品。 根据MLCC的电容数值及稳定性，MLCC划分出NP1、COG、X7R、Z5U等。根据MLCC 的尺寸大小，可以分为1206，0805，0603，0402，0201等。 MLCC 的常见失效模式 多层陶瓷电容器本身的内在可靠性十分优良，可以长时间稳定使用。但如果器件本身存在缺陷或在组装过程中引入缺陷，则会对其可靠性产生严重影响。 陶瓷多层电容器失效的原因分为外部因素和内在因素 内在因素主要有以下几种： 1.陶瓷介质内空洞(Voids) 导致空洞产生的主要因素为陶瓷粉料内的有机或无机污染，烧结过程控制不当等。空洞的产生极易导致漏电，而漏电又导致器件内部局部发热，进一步降低陶瓷介质的绝缘性能从而导致漏电增加。该过程循环发生，不断恶化，严重时导致多层陶瓷电容器开裂、爆炸，甚至燃烧等严重后果。 2.烧结裂纹(firing crack) 烧结裂纹常起源于一端电极，沿垂直方向扩展。主要原因与烧结过程中的冷却速度有关，裂纹和危害与空洞相仿。 3.分层(delamination) 多层陶瓷电容器的烧结为多层材料堆叠共烧。烧结温度可以高达1000℃以上。层间结合力不强，烧结过程中内部污染物挥发，烧结工艺控制不当都可能导致分层的发生。分层和空洞、裂纹的危害相仿，为重要的多层陶瓷电容器内在缺陷。 外部因素主要为： 1.温度冲击裂纹(thermal crack) 主要由于器件在焊接特别是波峰焊时承受温度冲击所致，不当返修也是导致温度冲击裂纹的重要原因。
哪些原因导致陶瓷高压电容器被击穿 作为高压电容家族中的重要成员，陶瓷高压电容器是目前被广泛应用的电容器种类之一。但是，这种高压电容却非常容易出现被击穿的情况。其实，造成陶瓷高压电容器被击穿的因素有很多，按照其导致的因素，可以将击穿情况分为电压击穿、热击穿、过电流击穿、电磁场强击穿等情况。在今天的文章中，我们就来与大家一起分析一下，导致陶瓷高压电容器击穿的现像是怎样产生的。 新晨阳电子 首先来看电压击穿情况。这是高压电容最容易出现的一种击穿情况，在应用中通常会表现为电容器表面破碎，陶瓷芯片出现开裂。导致这种击穿情况出现的原因，就在于高压电容器的承受电压的能力不够。往往是技术人员对电容器的电压安全余量把握不够，也就是说如果把电压降低一点，或者采用更高电压的高压电容器，这个问题就解
决了。以国家电网来讲，一般电压的安全余量会超过4倍。比如在10KV的电站里，所用到的电容器的电压，按国家标准，就必须能达到42KVAC保压2分钟，凡是低于这一标准的都是不合格产品。 新晨阳电子 接下来我们再来看一下高压电容中第二大高发的击穿现象，那就是热击穿。这种击穿情况一般多发生在高频脉冲电路中。一颗频率级别不够的陶瓷高压电容器用到了承受能力以外的电源里，明显会出现热击穿。这种击穿没有先兆，往往是一击即穿，或者脉冲几次很快就击穿了。导致这一问题的根本原因在于，电容器本身与电路设计要求的HZ级别不符，例如原本应该用2GHZ的电容器，却使用了2KKHZ 的电容器。甚至更低档次的产品。这样的后果直接是电容器一上机机即击穿。这种击穿很直接，因为脉冲频很强大，电容器往往被击得粉
碎。因为这是在一种极短的时间内，陶瓷芯片发生极为急剧的温度变化，这种变化是因为陶瓷不耐受高频引起的。这种瞬间的高温让技术人员措手不及，往往还容易错误地判断为电压不够。因为升温时间太短，没有发现升温现像。其实这时芯片是烫的。 不过，在实际应用的过程中，陶瓷高压电容器发生热击穿时还有一种不容易分辨的假相，需要工程人员特别注意。比如在产品在环境温度提升过程中，到一定值时，突然断路了。这时发现电容器外观是好的，极少数可能出现击穿现像，更多的一部分，则表现为电容器并没有击穿，只是换效而已。在温度降低后，它还会恢复到初始值以下。 相比较上面所提到的陶瓷高压电容的两种击穿现象，磁场击穿尽管发生的频率要低一些，但同样是需要我们认真对待的。高压电容器在强磁场下，发生击穿的现像也比较多。这种现像往往采取有效措施后可得到控制。或者改变电路结构也同样能够加以控制。
陶瓷电容器的用途 依照电容器的特性，其用途可分成如下几个大类。 1. 利用电容器的直流充放电 1) 产生瞬间大电流：因电容器的短路电流很大，所以它有如下用途： a) 放电加工机 b) 电容式点焊熔接机 c) 闪光灯的电源，如汽车方向灯、照相用闪光灯 d) 着磁机内着磁电流电源部份，其功用系使永久磁铁着磁 2) 产生直流高电压：将多段配置的电容器予以充电，则能产生很高的 直流，如图3-1，能够一段一段地加压上去，而达到很高的电压。 图3-1 图3-2 图3-3 3) 积分及记忆用：计算机的记忆回路或比较回路，常用RC （如图3-2） 来构成回路，以积蓄脉波至某种输出电位（0v ）。 ??==dt v RC idt c v i 110 这种电容器绝缘电阻要高，并且时间常数很长。 4) 吸收涌浪电压（Surge voltage ）：涌浪电压发生时，其电压势必超 过电容器两端的电压，因此该电压就很地被电容器所吸收，做为一个绶衡 的作用。电压过去了，电容器再慢慢地放出电流，以免电路被该电压所破 坏，完成保护的功用。 5) 消除火花：将电容器加于开关或继电器（Relay ）接点的两端，一旦 这开关或继电器动作而发生火花时，则该火花即被电容器所吸收，因此对 继电器和开关产生保护作用，如图3-3。 2. 利用其阻抗特性达成选择性的滤波（Filtering ）效果 1) 一般的电子机器都要用直流电压电源，因此外来的交流电源经过整 流之后即成直流电压，但波形不平均整，若如图3-4加上电容器之后，就 会使波形变得较为平整，若再加上电感L ，及后面一段的电容C ，则波形即
呈平整的直流电压。 2) 耦合作用（Coupling ）：图3-5是一般的放大电路，为了使用两个电 晶体1r T 及2r T 能正常的动作，我们对其三极（C ：集极Collector ；B ：基集 Base ；E ：射集Emitter ）所加的直流电压都不相同，因此我们不能把1C 和 2B 直接连上来。于是加入耦合电容器C C ，因电容器的阻抗c C fC X π21=，直流电源的f =0，则C X →∞，所以直流电通不过，1C 及2B 对直流偏压（Bias ） 而言不能相通。但交流信号可以通过电容器，所以信号就可由第一级传到 第二级。 图3-4 图3-5 3) 旁路作用（By-pass ）：图3-6是一般的电晶体放大电路。通常在射 极处与射极电阻并联一电容器（p C ）使对交流信号0=e R ，以提高交流信 号的增益，此电容器称之为旁路电容器。 设若该回路未加入旁路电容器p C ，则e R 为一负回授元件，即如图 3-7所示，对直流，负回授提高了偏压的稳定性，但对交流，负回授却大大 地减少了该放大器的增益。即： EG BG G E BG BE V V V V V -=+= 此EG V 即为负回授成份。
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一、定义：由两金属极板加以绝缘物质隔离所构成的可储存电能的组件称为电容器。 二、代号：“C” 三、单位：法拉(F) 微法(uF) 纳法(nF) 皮法(pF) 1F=106 uF =109nF=1012 pF 四、特性：通交流、阻直流 因电容由两金属片构成，中间有绝缘物，直流电无法流过电容，但通上交流电时，由于电容能充放电所致，所以能通上交流 五、作用：滤波、耦合交变信号、旁路等 六、电容的串联、并联计算 1.串联电路中，总容量=1÷各电容容量倒数之和 2.并联电路中，总容量=各电容容量之和 七、电容的标示： 1.直标法：直接表示容量、单位元、工作电压等。如1uF/50V 2.代表法：用数字、字母、符号表示容量、单位元、工作电压等 如：“104”表示容量为“100000pF” “Z”表示容量误差“+80% -20%” “”表示工作电压“50V” 八、电容的分类 1.按介质分四大类 1).有机介质电容器(极性介质与非极性介质，一般有真合介质、漆膜
介质等) 2).无机介质电容器(云母电容器、陶瓷电容器、波璃釉电容器 3).电解电容器(以电化学方式形式氧化膜作介质，如铝Al2O3钽Ta2O5) 4).气体介质电容器(真空、空气、充气、气膜复合) 2.按结构分四大类 1).固定电容器2).可变电容器3).微调电容器(半可变电容器) 4).电解电容器 3.按用途分 1).按电压分低压电容器、高压电容器 2).按使用频率分低频电容器(50周/秒或60周/秒)和高频电容器(100K 周/秒) 3).按电路功能分：隔直流、旁路、藕合、抗干扰(X2)、储能、温度补偿等 电解电容(E/C) 一、概述 电解电容的构造是由阳箔、阴箔、电解纸、电解液之结合而成的，阳箔经化成后含有一高介电常数三氧化铝膜(Al2O3)，此氧化膜当作阳箔与阴箔间的绝缘层，氧化膜的厚度即为箔间之距离(d)，此厚度可由化成来加以控制，由于氧化膜的介电常数高且厚度薄，故电解电容器的容量较其它电容高。电解电容的实值阳极是氧化膜接触之电解液，
中高压高频片式瓷介电容器 □△J□ QJB(M)/K+、QJB/K □CAST C □SAST □QJ□ G 、J、工业级
产品特点 执行总规范GJB192。 产品应用实物照片示意图 适用于航天、航空、船舶、兵器等的电子 设备中，作谐振、滤波器耦合、高频放大器、 低噪声电路等。 选型示例 SAST- CCK41L- 1210- CG- 300V- 102J – Z – SASTYPS0601/0004-2015 ①②③④⑤⑥⑦⑧ ①②⑧ 质量等级产品型号执行标准 △J国军标CCK41L ZZR(Z)-Q/RQ26034B-2009 QJB(M)/K+企军标(M)/K+CCK41L Q/RQ26031-2012 CAST C 简写CC CC41L CASTPSW02/008B-2013 SAST SAST CCK41L SASTYPS0601/0004-2015 QJ 企军标CCK41L Q/RQ26021A-2014 G 七专CC41L Q/HK26013-2012+QZJ840624 J、工业级普军、工业级CC41L Q/HK26013-2012 CASS A CASS A CCK41L CASS/08.1-2015+ZZR(Z)-Q/RQ26034B-2009 CASS A CASS A CCK41L CASS/08.1-2015+CASTPSW02/008B-2013 CASS B CASS B CCK41L CASS/08.1-2015+SASTYPS0601/0004-2015 CASS C CASS C CCK41L CASS/08.1-2015+Q/RQ26021A-2014 CASS C CASS C CC41L CASS/08.1-2015+Q/HK26013-2012 SAST-G SAST-G CCK41L ASTG0601-2015-001+ Q/RQ26021A-2014 SAST-G SAST-G CC41L ASTG0601-2015-001+Q/HK26013-2012+QZJ840624
陶瓷电容器的种类和应用特点 陶瓷材料具有优越的电学、力学、热学等性质，可用作电容器介质、电路基板及封装材料等。陶瓷材料是由氧化物或其他化合物制成坯体后，在接近熔融的温度下，经高温焙烧制得的材料。通常包括原料粉碎、浆料制备、坯件成型和高温烧结等重要过程。陶瓷是一个复杂的多晶多相系统，一般由结晶相、玻璃相、气相及相界交织而成，这些相的特征、组成、相对含量及其分布情况，决定着整个陶瓷的基本性质。 陶瓷材料做成的陶瓷电容器也叫瓷介电容器或独石电容器，根据陶瓷材料的不同，可以分为低频陶瓷电容器和高频陶瓷电容器两类，按结构形式分类，又可分为圆片状电容器、管状电容器、矩形电容器、片状电容器、穿心电容器等多种。 陶瓷电容器的种类有哪些？ 1、半导体陶瓷电容器 电容器的微小型化即电容器在尽可能小的体积内获得尽可能大的容量，这是电容器发展的趋向之一。对于分离电容器组件来说，微小型化的基本途径有两个，即使介质材料的介电常数尽可能提高和使介质层的厚度尽可能减薄。 在陶瓷材料中，铁电陶瓷的介电常数很高，但是用铁电陶瓷制造普通铁电陶瓷电容器时，陶瓷介质很难做得很薄。首先是由于铁电陶瓷的强度低，较薄时容易碎裂，难于进行实际生产操作，其次，陶瓷介质很薄时易于造成各种各样的组织缺陷，生产工艺难度很大。 表面层陶瓷电容器是用BaTiO3等半导体陶瓷的表面上形成的很薄的绝缘层作为介质层，而半导体陶瓷本身可视为电介质的串联回路。表面层陶瓷电容器的绝缘性表面层厚度，视形成方式和条件不同，波动于0.01～100μm之间。这样既利用了铁电陶瓷的很高的介电常数，又有效地减薄了介质层厚度，是制备微小型陶瓷电容器一个行之有效的方案。 2、晶界层陶瓷电容器 晶粒发育比较充分的BaTiO3半导体陶瓷的表面上，涂覆适当的金属氧化物（例如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等），在适当温度下，于氧化条件下进行热处理，涂覆的氧
功能陶瓷材料总复习 绪论 什么是功能陶瓷？常见的功能陶瓷的分类、特性与用途。 1、定义：指具有电、磁、光、声、超导、化学、生物等特性，且具有相互转化功能的一类陶瓷。 2、分类：电容器陶瓷、压电、铁电陶瓷、敏感陶瓷、磁性陶瓷、导电、超导陶瓷、生物与抗菌陶瓷、发光与红外辐射陶瓷、多孔陶瓷。 3、特性：性能稳定性高、可靠性好、资源丰富、成本低、易于多功能转化和集成化等 4用途：在自动控制、仪器仪表、电子、通讯、能源、交通、冶金、化工、精密机械、航空航天、国防等部门均发挥着重要作用。举例：电容器陶瓷、谐振器元器件基材料、压电式动态力传感器、压电式振动加速度传感器。 介电陶瓷 以感应的方式对外电场作出响应，即沿着电场方向产生电偶极矩或电偶极矩的改变，这类材料称为电介质 各种极化机制以及频率范围。 极化机制：电子极化、离子极化、偶极子极化、空间电荷极化 松弛极化 频率范围：
铁电体， 晶体在某温度范围内具有自发极化Ps,且自发极化Ps的方向能随外电场而取向，称为铁电体。材料的这种性质称为铁电性。 电畴:铁电体中自发极化方向一致的微小区域 铁电体的特性:铁电体特性包括电滞回线Hysteresis loop、电畴Domains、居里点Tc及居里点附近的临界特性。 电滞回线: 铁电体的P 滞后于外电场E而变化的轨迹（如图
居里点Tc:顺电相→铁电相的转变温度 T>T c 顺电相T
高压陶瓷电容------基本常识学习 高压陶瓷电容：即使用在电力系统中的高压陶瓷电容器，一般如电力系统的计量，储能，分压等产品中，都会用到高压陶瓷电容器。高压陶瓷电容在LED灯行业已有广泛的应用和不轻的地位，高压陶瓷电容是用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。 高压陶瓷电容-----优点 1.容量损耗随温度频率具高稳定性 2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性 3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构 4.耐高压性能好，额定电压超过100kv，耐压值大于200kv. 高压陶瓷电容-------作用 1.高压陶瓷电容具有耐磨直流高压的特点，适用于高压旁路和耦合电路中，其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗，高压瓷片电容只要针对于高频，高压瓷片电容取决于使用在什么场合，典型作用可以消除高频干扰。 2.在大功率、高压领域使用的高压陶瓷电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点。近年来随着材料、电极和制造技术的进步，高压陶瓷电容器的发展有长足的进展，并取得广泛应用。高压陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一。 3.高压陶瓷电容器的用途主要分为送电、配电系统的电力设备和处理脉冲能量的设备。 因为电力系统的特殊*流电压高，高频，处于室外环境中(-40度到+60度)，雷击电压/电流大，等等各种因素，造成了高压陶瓷电容器在研发和生产中一直处于困境:环境的恶劣，要求电容具有超强的稳定性，即变化率要小；同时，计量，储能，分压等产品要求高精密度，这对处于这种环境下的高压陶瓷电容器的局放，即局部放电量有着极为苛刻的要求：局放为零。 高压陶瓷电容---分类 1.螺栓圆柱型 2.引线瓷片型 3.板型无爪型 4.板型带爪型
目录 摘要 (1) Abstract (1) 1 前言 (1) 2 压电材料 (2) 3 储能用铁电介质材料 (3) 3.1 BaTiO3基陶瓷 (3) 3.2 SrTiO3基陶瓷 (4) 3.3 TiO2陶瓷 (4) 3.4 PMN 基陶瓷以铌镁酸铅 (4) 4 有机铁电薄膜材料 (4) 5 铁电阻变材料 (5) 6 多铁性材料 (5) 7 铁电材料的应用 (5) 7.1 铁电存储器(MFSFET) (6) 7.2 铁电存储器的应用 (8) 8 结语 (9) 参考文献 (10)
铁电材料及其在存储器领域的应用 摘要：铁电材料的优秀电学性能孕育了它广阔的应用前景，其电子元件有着集成度高、能耗小、响应速度快等众多优点。而且目前研究者将铁电材料同其它技术相结合，使新诞生的集成铁电材料性能更为优秀。介绍了铁电材料的发展历史和当前的应用概况。 关键词：铁电材料；铁电性；存储器；应用 Application of ferroelectric materials and in the area of memory Abstract：Ferroelectric materials, one of the current research focuses with numbers of physical advantages such as high integration, low energy consumption and fast response, has broad application prospects in many aspects．Being combined with other physical technologies,the properties of ferroelectric materials can be significantly improved．Describes the historical development of ferroelectric materials and current applications． Keywords：ferroelectric materials；Iron electrical；memorizer ；development 1前言 铁电材料，是指具有铁电效应的一类材料，最早的铁电效应是在1920年由法国人Valasek在罗谢尔盐中发现的，这一发现揭开了研究铁电材料的序幕。在1935 年Busch发现了磷酸二氢钾KH2PO4——简称KDP，其相对介电常数高达30，远远高于当时的其它材料。1940年之后，以BaTiO3为代表的具有钙钛矿结构的铁电材料陆续被发现，这是铁电历史上里程碑式的时期。直至20世纪80年代，随着铁电唯象理论和软膜理论的逐渐完善，铁电晶体物理内涵的研究趋于稳定。20世纪80年代中期，薄膜制备技术的突破为制备高质量的铁电薄膜扫清了障碍，并且近年来随着对器件微型化、功能集成化、可靠性等要求的不断提高，传统的铁电块体由于尺寸限制已经不能满足微电子器件的要求。铁电器件在向薄膜尺寸量级过渡的同时又与半导体工艺结合，研究者们迎来了集成铁电体的时代。集成铁电体是凝聚态物理和固体电子学领域的热门课题之一。铁电材料有着
嶄互儿盲管窮否匂 垈医侏揮擬? 芦号瞳 CD狼双 Issue date:October 2011 ●芝墮坪否，壓短嗤嚠御議秤趨和嗤辛嬬個序才延厚，萩嚠參疎盾。 ●RoHS峺綜議斤哘：燕幣茅阻卆象EU Directive 2002/95/EC窒茅議喘余岻翌，隆聞喘忍，鑽，康，鎗勺候式蒙協粤狼佃伴質PBB，PBDE吉。
嶄互儿盲管窮否匂(垈医侏揮擬?) 芦号瞳 CD狼双 膿晒蒸垉芦畠号鯉範屬喘噐住送窮坿?癖哘天巖II自膿晒蒸垉／強恬扮梁業袈律：–25～+105°C（UL号鯉：–25～+85°C）嶽窃2互初窮楕 蒙泣 ●翌廾蒸垉与創寡喘音叟伴付可創，嬬校契峭諮墻，乾窮吉裡?。 ●宥狛阻忽翌11倖忽社議芦畠炎彈範屬。 ●函誼阻癖喘噐天巖2自（膿晒蒸垉）譜姥議芦畠炎彈。塚窮儿器欺AC.4000V，侭參?輝噐及屈雫議譜姥貧峪勣喘匯倖。 ●屶隔翌廾峯妛議涙賊殆（涙賊殆瞳頁容呪炎彈恢瞳）。 窮否梁業蒙來式窮否巷餓議購狼恢瞳兆各議紛艶隈 (1) 窃侏 (2) 侘彜 (3) 窮否梁業蒙來 (4) 駆協窮儿 (5) 炎各窮否 (6) 窮否巷餓 (7) 吉雫 (8) 哈?窃侏 (9)芦号瞳 (10) 屶隔涙賊殆瞳 炎各窮否函誼袈律／樫雁 ? : 哈?侘彜旗催 炎彈哈?侘彜匯誓 哈?窃侏壓瞳兆議屎方及15了貧參旗催（忖銚）燕幣。 汽了：mm ●容呪聞喘忿淀塀。 ●柊廾瞳容呪聞喘旗催N議玉哈?塀。RoHS峺綜斤哘恢瞳 梁業蒙來霞協梁業袈律窮否巷餓 B(±10%)–25 to +85°C K(±10%) E(+20, –55%)–25 to +85°C M(±20%)CD12-E2GA222M Y N S A (1)(2)(3)(4)(5)(6)(7)(8)(9)(10) 瞳兆 窮否 梁業蒙來炎各窮否 (pF)窮否巷餓 樫雁(mm) 涙賊殆瞳?恢瞳恷寄D恷寄T F d CD70-B2GA101KY ?SA CD70-B2GA101KY ?S B(±10%)100K(±10%)7.07.010+2, –10.6±0.05 CD70-B2GA151KY SA CD70-B2GA151KY S150K(±10%)7.07.010+2, –10.6±0.05 CD85-B2GA221KY SA CD85-B2GA221KY S220K(±10%)8.57.010+2, –10.6±0.05 CD90-B2GA331KY SA CD90-B2GA331KY S330K(±10%)9.07.010+2, –10.6±0.05 CD90-B2GA391KY SA CD90-B2GA391KY S390K(±10%)9.07.010+2, –10.6±0.05 CD75-E2GA681MY SA CD75-E2GA681MY S E(+20, –55%)680M(±20%)7.57.010+2, –10.6±0.05 CD85-E2GA102MY SA CD85-E2GA102MY S1,000M(±20%)8.57.010+2, –10.6±0.05 CD12-E2GA222MY SA CD12-E2GA222MY S2,200M(±20%)11.57.010+2, –10.6±0.05 CD14-E2GA332MY SA CD14-E2GA332MY S3,300M(±20%)13.57.010+2, –10.6±0.05 CD15-E2GA392MY SA CD15-E2GA392MY S3,900M(±20%)14.57.010+2, –10.6±0.05 CD16-E2GA472MY SA CD16-E2GA472MY S4,700M(±20%)15.57.010+2, –10.6±0.05 海哈?玉哈? 忿淀旗催G旗催N 箭）TDK瞳兆：CD12-E2GA222MYNSA N:哈?窃侏（忿淀玉哈?） ●RoHS峺綜議斤哘：燕幣茅阻卆象EU Directive 2002/95/EC窒茅議喘余岻翌，隆聞喘忍，鑽，康，鎗勺候式蒙協粤狼佃伴質PBB，PBDE吉。
铁电陶瓷材料的应用以及生产工艺之一 铁电陶瓷材料，是指具有铁电效应的一类功能性陶瓷材料，它是热释电材料的一个分支。 可以制作大容量的电容器、高频用微型电容器、高压电容器、叠层电容器和半导体陶瓷电容器等，可以制作介质放大器和相移器等。利用其热释电性，可以制作红外探测器等。也可用于制造光阀、光调制器、激光防护镜和热电探测器等。广泛应用于航天、军工、新能源产品。 这里介绍的目的，主要是参考它的加工工艺，比如为固体电解质的加工提供参考。另一方面是顺便了解一下这特种陶瓷的用途。 一般性描述： 铁电陶瓷(ferroelectric ceramics)材料，是指具有铁电效应的一类材料，它是热释电材料的一个分支。铁电陶瓷的主要特性为：(1)在一定温度范围内存在自发极化，当高于某一居里温度时，自发极化消失，铁电相变为顺电相；(2)存在电畴；(3)发生极化状态改变时，其介电常数-温度特性发生显著变化，出现峰值，并服从Curie-Weiss定律；(4)极化强度随外加电场强度而变化，形成电滞回线；(5)介电常数随外加电场呈非线性变化；(6)在电场作用下产生电致伸缩或电致应变。其电性能：高的抗电压强度和介电常数。在一定温度范围内(-55～+85℃)介电常数变化率较小。介电常数或介质的电容量随交流电场或直流电场的变化率小。 铁电陶瓷拥有优良的电学性能，在一定温度范围内存在自发极化，当高于某一居里温度时，自发极化消失，铁电相变为顺电相；介电常数随外加电场呈非线性变化。利用铁电陶瓷的高介电常数可制作大容量的陶瓷电容器；利用其压电性可制作各种压电器件；利用其热
释电性可制作红外探测器；通过适当工艺制成的透明铁电陶瓷具有电控光特性，利用它可制作存贮，显示或开关用的电控光特性，其具有很高的应用前景。 铁电陶瓷的特性决定了它的用途。利用其高介电常数，可以制作大容量的电容器、高频用微型电容器、高压电容器、叠层电容器和半导体陶瓷电容器等，电容量可高达0.45μF/cm2。利用其介电常数随外电场呈非线性变化的特性，可以制作介质放大器和相移器等。利用其热释电性，可以制作红外探测器等。利用其压电性可制作各种压电器件。此外，还有一种透明铁电陶瓷，具有电光效应，可用于制造光阀、光调制器、激光防护镜和热电探测器等。 目前，全球铁电元件的年产值己达数百亿美元。铁电材料是一个比较庞大的家族，当前应用的最好的是陶瓷系列，其已广泛应用于军事和工业领域。但是由于铅的有毒性及此类铁电陶瓷材料居里温度低、耐疲劳性能差等原因，应用范围受到了限制。因此开发新一代铁电陶瓷材料己成为凝聚态物理、固体电子学领域最热门的研究课题之一。 细分的品种有⑴层状铁电陶瓷，⑵弛豫型铁电陶瓷，⑶含铅型铁电陶瓷，⑷无铅型铁电陶瓷，⑸反铁电陶瓷材料，⑹可能的新型铁电陶瓷材料。
陶瓷电容器特性
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Q ：高介电常数型（X5R/B、X7R/R 特性等）与温度补偿型（CH、C0G 特性等）的特征 和用途有哪些区别？
A : 请参阅下表。
高介电常数型
温度补偿型
主要 温度 B/X5R、R/X7R 特性等 特性
CH、COG 特性等
特征
?主要原料：强介电性材料钛酸钡（BaTiO3） ?主要原料：一般介电材料氧化钛（TiO2）或
?室温下，拥有 1000~20000 的高相对介电 锆酸钙（CaZrO3）
常数，实现了体积小容量大。
?相对介电常数为 20~300 左右，与高介电常
?随着温度或电压的变化，相对介电常数也 数相比静电容量较小。
会发生变化，因此当用于电路的时间常数 ?随着温度的变化，相对介电常数会呈直线变
时，需事前确认电子电路动作状态进行变化 化。
的可能性。
随着时间的变化，容量值基本保持不变，即
?静电容量会随着时间而变化。
使处于高温、高电力、高频率的环境中 tane
（电容损耗）也很小，稳定性极佳。
?基本不会受到介电常数的时间变化或施加
电压的影响，且具有较高的 Q 值
（1000~8000）。
主要 用途
?常用于电脑、数码家电、智能手机等。 ?利用其优异的高频特性，作为去耦电容器 防止噪音发生或发挥其优异的吸收功能，广 泛应用于各领域。 最近可获得数 μF~100μF 的容量值，因此还 被应用于各类电源的平滑电容器。 ?此外还被广泛使用于分路器、连接器、过 滤电路等领域中。
?常用于电视调谐器电路中。 ?最近可扩大至 0.1μF 的静电容量，开始用于 DC-DC 转换器的缓冲电路或音频设备等。 此外还被用于高频电路中（振荡、调音、连 接器电路等）。