(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号
(43)申请公布日
(21)申请号 201910156618.X
(22)申请日 2019.03.01
(71)申请人 深圳南科超膜材料技术有限公司
地址 518000 广东省深圳市龙华区观澜街
道新澜社区观光路1301-76号银星智
界3号楼(深国电大厦)601
(72)发明人 廖斌 庞盼 唐杰 罗军 陈琳
(74)专利代理机构 深圳市宾亚知识产权代理有
限公司 44459
代理人 黄磊
(51)Int.Cl.
C23C 14/35
(2006.01)
C23C 14/54
(2006.01)
(54)发明名称
一种结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓
制备方法
(57)摘要
本发明涉及一种结合高功率脉冲磁控溅射
技术的硒鼓制备方法，包括基体，和相互连接的
真空系统、高功率脉冲磁控溅射系统、真空阴极
弧沉积系统及控制系统，基体通过高功率脉冲磁
控溅射系统与真空阴极弧沉积系统结合制备成
硒鼓；通过将高功率脉冲磁控溅射与真空阴极弧
沉积系统相结合，改变等离子体区间的电势分
布，提高等离子体密度，在一定程度上解决
HIPIMS沉积速率低的问题，同时有效改善了膜基
界面结合状况，膜层的致密性良好，制备的薄膜
颜色根据薄膜成分可调，沉积速率有所提高，使
用性能优良，能够改善界面性能，提高薄膜的摩
擦学特性。
权利要求书1页 说明书4页 附图1页
CN 109735818 A
2019.05.10
C
N
1
0
9
7
3
5
8
1
8
A
1.一种结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法，其特征在于：包括基体，和相互
连接的真空系统、高功率脉冲磁控溅射系统、真空阴极弧沉积系统及控制系统，所述基体通
过所述高功率脉冲磁控溅射系统与所述真空阴极弧沉积系统结合制备成硒鼓；
所述结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法，方法步骤如下：
S01.利用重金属和气体混合等离子体对所述基体表面进行高低能交替清洗；
S02.利用高功率脉冲磁控溅射系统(HIPIMS)对所述基体进行二次清洗；
S03.所述真空阴极弧沉积系统(FCVA)以碳靶为阴极，利用双90度磁过滤沉积方法在所
述基体上进行高致密DLC涂层的沉积；
S04.利用阳极层气体离子源对所述DLC涂层进行纳米结构刻蚀形成1-3nm的无定形增
透及耐磨层；
S05.所述高功率脉冲磁控溅射系统和/或所述真空阴极弧沉积系统分别或同时进行沉
积，两者离子束呈夹角分布，制备成硒鼓。
2.如权利要求1所述的结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法，其特征在于：所
述碳靶产生的碳离子依次穿过第一强脉冲线包和T型磁过滤弯管，为T型磁过滤沉积方法。
3.如权利要求2所述的结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法，其特征在于：所
述第一强脉冲线包的频率0～200Hz，电流为0～50A。
4.如权利要求2所述的结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法，其特征在于：所
述T型磁过滤弯管正偏压采用脉冲式，频率20-100Hz，电压10-30V。
5.如权利要求2所述的结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法，其特征在于：所
述弯管的磁场采用三块线包，与阳极筒相邻的为强脉冲线包，频率为20-80Hz，电流为0-
20A，中间线包为直流线包0-5A。
6.如权利要求1所述的结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法，其特征在于：所
述真空室相接的为高脉冲聚焦线包，电流为30-200A，频率为30-300Hz。
7.如权利要求1所述的结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法，其特征在于：所
述高功率脉冲磁控溅射系统和所述真空阴极弧沉积系统的离子束的夹角的角度为30～90
度。
8.如权利要求1所述的结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法，其特征在于：所
述真空阴极弧沉积系统(FCVA)和所述高功率脉冲磁控溅射系统(HIPIMS)均配有冷却系统。
9.如权利要求1所述的结合高功率脉冲磁控溅射技术的硒鼓制备方法，其特征在于：所
述基体的样品位于真空室中。
权 利 要 求 书
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CN 109735818 A
