电池片电性能参数及影响因素介绍
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电性能参数及影响因素介绍
摘要: 一、电参数介绍 1、各个参数之间的关系 A.在所有参数中,
只有电压和电流是测量值,其他参数均是计算值。 B.Pmpp为在I-V曲线上
找一点,使改点的电压乘以电流所得最大,该点对应的电压就是最大功 …
一、电参数介绍
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1、各个参数之间的关系
A. 在所有参数中,只有电压和电流是测量值,其他参数均是计算值。
B. Pmpp为在I-V曲线上找一点,使改点的电压乘以电流所得最大,该点对应
的电压就是最大功率点电压 Umpp该点对应得电流就是最大功率点电流 Impp
C. Rs为在光强为1000W/M却500W/M2F所得最大功率点的电压差与电流差 的
比值,只是一个计算值,所以有时候会出现负值的情况
D. Rsh为暗电流曲线下接近电流为0时曲线的斜率
E. lrevl为电压为-10V时的反向电流
F. lrev2为电压为-12V时的反向电流
G. Rs和Rsh决定FF
H. Rsh和Irev1、Irev2有对应的关系
I. 计算公式:
J. Ncell= Pmpp/S (硅片面积)
K. Pmpp= Umpp*Impp= Uoc*Isc*FF
L. FF= ( Umpp*lmpp / ( Uoc*Isc )
二、转换效率的影响因素
三、测试外部参数影响
正常测试温度为25±2C,随着温度的升高,开路电压急剧降低,短路电流 略微增
大,整体转换效率降低
正常光强为1000± 50W/M2随着光强的降低,开路电压略微降低,短路电流 急
剧下降,整体转换效率降低
四、串阻Rs组成
测试中的串联电阻主要由以下几个方面组成:
1. 材料体电阻(可以认为电阻率为 p的均匀掺杂半导体)
2. 正面电极金属栅线体电阻
3. 正面扩散层电阻
4. 背面电极金属层电阻
5. 正背面金属半导体接触电阻
6•外部因素影响,如探针和片子的接触等
烧结的关键就是欧姆接触电阻,也就是金属浆料与半导体材料接触处的电阻 可以
这样考虑,上述123.4项电阻属于固定电阻,也就是基本电阻;
5则是变量电阻烧结效果的好坏直接影响 Rs的最终值;
6属于外部测试因素,也会导致 Rs变化
五、Rs影响因素
六、并阻Rsh组成
A. 测试中并联电阻Rsh主要主要是由暗电流曲线推算出,主要由边缘漏电和 体
内漏电决定
B. 边缘漏电主要由以下几个方面决定:
C. ①边缘刻蚀不彻底
D. ②硅片边缘污染
E. ③边缘过刻
F.
F. 体内漏电主要几个方面决定
G. ①方阻和烧结的不匹配导致的烧穿
H. ②由于铝粉的沾污导致的烧穿
I. ③片源本身金属杂质含量过高导致的体内漏电
J. ④工艺过程中的其他污染,如工作台板污染、网带污染、炉管污染、 DI水
陨材WI素
七、Rsh影响因素
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八、Uoc影响因素
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十、网印区工艺过程常见问题处理
A. —、翘曲:
B. 1.硅片太薄--控制原始硅片厚度
C. 2.印刷铝浆太厚--控制铝浆重量
D. 3.烧结温度过高--调整烧结炉4、5、6、7区温度
E. 4.烧结炉冷却区冷却效果不好--查看风扇状况、进出水温度压力等
F. 二、铝包:
G. 1.烧结温度太高--调整烧结炉4、5、6、7区温度
H. 2.印刷铝浆太薄--印刷铝浆重量加重
I. 3.使用前浆料搅拌不充分--搅拌时间必须达到规定时间
J. 4.铝浆印刷后烘干时间不够--增加烘干时间或提高烘干温度
K. 5.烧结排风太小--增大烧结炉排风
L. 6.烧结炉冷却区冷却效果不好--查看风扇状况、进出水温度压力等
M. 三、虚印:
N. 1.印刷压力太小--增大印刷压力
02印刷板间距太大--减小板间距
P.3.印刷刮刀条不平--更换刮刀条
Q.4. 工作台板不平,磨损严重 -- 更换工作台板
R.5. 网印机导轨不平 -- 重新调整导轨
A. 四、粗线:
B. 1. 网版使用次数太多,张力不够 -- 更换网版
C. 2. 网版参数不合格 -- 核对该批网版参数,更换网版
九、Isc影响因素
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D. 3. 浆料太稀,浆料搅拌时间太长 -- 严格执行浆料搅拌时间规定
E. 4. 网印机参数不合适 -- 调整网印机参数