电子器件辐照注意问题

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电子器件辐照注意问题
一、对辐射源的注意问题
1、源的类型,活度,粒子产额。
2、粒子空间剂量分布。

二、辐照过程注意问题
1、器件的辐照方式 a:静态辐照:辐照过程中器件不加电。
b:动态辐照:辐照过程中器件加电(全程加电or间断加电)。
2、对于辐照数据采集中线路受照射产生干扰的问题。

三、对器件本身
1、常用集成电路抗辐射的比较如下表
2、常用半导体分立器件抗辐射能力比计较如下表

四、对于元器件辐照筛选的注意
1、选择的测量参数应属于辐射敏感参数。如对双极晶体管,应选择电流放大系
数和饱和压降;对MOS晶体管,应选择阀值电压。

2、选择合适的辐射源。辐射源可以采用中子,伽马射线或高能电子源。中子辐
射后的器件在试问或较低温度下退火效果较弱,需采用较高的退火温度,故适合
于在芯片阶段进行辐射筛选。伽马射线穿透物质能力强,能在较深的器件体内起
作用,故适用于大功率器件辐射的筛选。

3、选择合适的辐射剂量。该剂量既能引起器件参数发生明显变化,又不会造成
器件较大损伤。一般而言,中子辐射条件为:中子通量5*10^12~4*10^15/cm^2,
中子能量E>=0.1MEV;伽马射线条件为:剂量2~3*10^7rad(si)。

4、选择最佳的退火温度和退回时间,使器件尽可能的恢复到辐照前的特征。通
常成品器件的退火温度范围为120~180度,为封装的芯片温度范围为200~400
度。

5、器件的辐射预筛选可直接用管芯进行,这样有利于降低筛选成本。
6、通过适度辐射进行筛选,毕竟带有一定程度的破坏性,所以近年来研究完成
非破坏性的辐照预筛选的新方案。初步的研究结果表明,通过测量双极晶体管在
反偏雪崩状态下的离子体噪声或mos器件的1/f噪声,可以不经辐照对这些器件
抗辐射能力作出评估。