下载文档原格式
0c002芯片参数一、概述0c002芯片是一款高性能的微控制器芯片，广泛应用于各种电子设备中。
本文档将详细介绍0c002芯片的参数，包括芯片规格、引脚定义、工作电压、工作频率、存储器容量等。
二、芯片规格1. 芯片类型：微控制器芯片2. 核心处理器：32位ARM Cortex-M0+3. 内存：16KB SRAM，8KB Flash4. 输入/输出接口：丰富，支持多种通信协议5. 工作电压：3.3V-5V6. 工作温度：-40℃-85℃7. 封装：QFN-28三、引脚定义以下是0c002芯片的引脚定义：1. VCC：电源正极2. GND：电源地线3. STANDBY/RESET：备用/复位引脚，可以通过外部电路实现芯片的启动和复位4. UART_TX：UART串口发送引脚5. UART_RX：UART串口接收引脚6. SPI_MOSI：SPI数据输出主接口引脚7. SPI_MISO：SPI数据输入从接口引脚8. SPI_SCK：SPI时钟引脚9. I2C_SDA：I2C数据引脚10. LEDn（n为数字）：LED接口引脚，用于连接LED灯四、工作电压与工作频率1. 工作电压：芯片正常工作所需的电压为3.3V-5V。
2. 工作频率：根据不同应用场景，可调节CPU工作频率，最高可达48MHz。
五、存储器容量0c002芯片内部自带8KB Flash存储器和16KB SRAM，可满足不同应用场景的需求。
同时，芯片还支持外部存储器扩展，如EEPROM、Flash等。
六、通信接口1. UART接口：支持UART串口通信，可实现RS232或RS485协议。
2. SPI接口：支持SPI通信协议，可实现高速数据传输。
3. I2C接口：支持I2C通信协议，可实现简单快速的设备间通信。
4. CAN接口：支持CAN通信协议，可用于车辆等应用场景。
七、其他参数1. 时钟源：内部RC振荡器或外部晶振。
2. 电源功耗：正常工作电流小于10mA，待机模式功耗低于1μA。
NOR flash，NAND flash，SDRAM结构和容量分析1.NOR flash结构和容量分析例如：HY29LV160 。
引脚分别如图：HY29LV160 有20根地址线，16位的数据线。
所以：容量=220(地址线)X16(数据位数)bit=1MX16bit=1MX2B=2MB2.SRAM简单介绍SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，且功耗较大。
所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。
SRAM一种是置于CPU与主存间的高速缓存，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存（Cache Memory ）；另一种是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM，存储我们所设置的配置数据。
还有为了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在Pentium CPU就有所谓的L1 Cache（一级高速缓存）和L2Cache（二级高速缓存）的名词，一般L1 Cache是内建在CPU的内部，L2 Cache是设计在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部，故Pentium Pro的体积较大。
最新的Pentium II 又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。
SRAM显然速度快，不需要刷新的操作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。
3mf9460pc的参数3mf9460pc是一台参数强大的电脑，它具有高性能和多功能的特点，适用于各种应用和需求。
下面将详细介绍3mf9460pc的各项参数。
首先，3mf9460pc搭载了Intel Core i7处理器，它是一款高性能的处理器，拥有8个核心和16个线程，主频高达3.0 GHz，可以实现快速和高效的运算处理，能够满足多任务处理和复杂计算的需求。
其次，3mf9460pc配备了16GB的DDR4内存，这是一种高带宽和低延迟的内存技术，可以提供卓越的运行速度和性能。
无论是进行大型游戏、视频编辑还是多任务处理，16GB的内存都能为用户提供流畅的体验。
再次，3mf9460pc拥有512GB的固态硬盘（SSD），这是一种快速、可靠且耐用的存储设备。
相比传统的机械硬盘，固态硬盘具有更快的读写速度、更低的能耗和更小的体积。
512GB的存储空间足够存储大量的文件、游戏和媒体内容。
此外，3mf9460pc具有一块15.6英寸的显示屏，支持1920x1080像素的全高清分辨率。
这种分辨率可以提供清晰、细腻的图像和色彩，使用户能够享受到更加逼真和震撼的视觉效果。
液晶显示屏还具有良好的色彩还原能力和广视角，不论从哪个角度查看屏幕，都能看到清晰的画面。
此外，3mf9460pc还配备了一块独立显卡，这是一块NVIDIA GeForce RTX 2060显卡。
RTX 2060是一款高性能的显卡，具有6GB的显存和强大的图形处理能力。
它支持最新的图形技术，如光线追踪和DLSS，能够呈现出更加逼真和细致的游戏画面，提供更好的游戏体验和图形渲染性能。
除了以上几个关键参数，3mf9460pc还具有其他一些重要的特性。
它配备了多个USB接口，包括USB 3.0和USB 2.0，可以连接各种外部设备，并快速传输数据。
此外，它还具有HDMI接口，可以连接到外接显示器或电视，实现更大屏幕的显示。
同时，它还支持蓝牙和Wi-Fi 功能，可以无线连接到互联网和其他设备。
千里达m046参数1.引言1.1 概述千里达m046是一款技术先进的设备，它引入了许多令人印象深刻的功能和性能。
作为一种高性能的设备，千里达m046不仅在设计上精良，而且在性能方面表现出色。
首先，千里达m046采用先进的处理器和高效的内存，为用户提供流畅的操作体验。
无论是运行多个应用程序还是处理多媒体内容，千里达m046都能迅速响应和处理。
其次，千里达m046配备了高分辨率的显示屏，呈现出色彩鲜艳和清晰度高的图像。
用户可以更好地享受观看视频、浏览照片和阅读文档的体验。
此外，该设备还提供了令人难以置信的触摸体验，使用户可以轻松地操作和导航。
千里达m046还具备强大的网络连接能力，支持多种无线通信技术。
用户可以随时随地与互联网进行连接，享受高速的网络体验。
同时，该设备还支持蓝牙和NFC等功能，方便用户与其他设备进行数据传输和共享。
除此之外，千里达m046还注重用户的隐私和安全。
它采用了先进的指纹识别技术和面部解锁功能，确保只有授权用户才能访问设备。
此外，该设备还支持数据加密和远程锁定等功能，保护用户的个人信息和设备安全。
综上所述，千里达m046作为一款技术先进的设备，不仅在设计上独具匠心，而且在性能和功能上也表现出色。
它不仅能够满足用户的多样化需求，还能提供流畅的操作体验和强大的功能。
相信随着科技的不断发展，千里达m046将会带来更多惊喜和创新。
1.2文章结构文章结构部分的内容：文章结构是指整篇文章的组织框架和逻辑顺序。
一个良好的文章结构可以帮助读者更好地理解和阅读文章，同时也能使作者的思路更加清晰和有条理。
本文将按照以下结构展开讨论。
首先，在引言部分，我们将概述千里达M046的参数，并简要介绍文章的框架和目的。
这样可以为读者提供一个整体的了解和背景，引起他们的兴趣和注意。
其次，进入正文部分，我们将分为两个要点来详细介绍千里达M046的参数。
在第一个要点中，我们将深入探讨千里达M046的外观和硬件配置参数。
93系列Microwire总线型Microwire总线采用时钟(CLK)、数据输入(DI)、数据输出(DO)三根线进行数据传输，接口简单。
Microchip公司的93XXX系列串行E2 PROM存储容量从1k bit(×8/×16)至16k bit(×8/×16)，采用Microwi re总线结构。
产品采用先进的CMOS技术，是理想的低功耗非易失性存储器器件。
1引脚93XX系列串行E2PROM的产品很多，附图是93AA46型1k 1.8V Microwire总线串行E2PROM的引脚图。
CS是片选输入，高电平有效。
CS端低电平，93AA46为休眠状态。
但若在一个编程周期启动后，CS由高变低，93AA46将在该编程周期完成后立即进入休眠状态。
在连续指令与连续指令之间，CS必须有不小于250ns（TCSL)的低电平保持时间，使之复位(RESET)，芯片在CS为低电平期间，保持复位状态。
CLK是同步时钟输入，数据读写与CLK上升沿同步。
对于自动定时写周期不需要CLK信号。
DI是串行数据输入，接受来自单片机的命令、地址和数据。
DO是串行数据输出，在DO端需加上拉电阻。
ORG是数据结构选择输入，当ORG为高电平时选×16结构，ORG为低电平时选×8结构。
2工作模式根据单片机的不同命令，93AA46有7种不同的工作模式，附表给出在ORG=1(×16结构)时的命令集(表中“S”为Start位)。
ORG=0(×8结构)，除在地址前加A6位或在地址后加一位“X”外，其余与附表相同。
除了读数据或编程操作期间检查READY/BUSY状态时外，DO脚均为高阻状。
在擦除/写入过程中，DO为高电平表示“忙”，低电平表示“准备好”。
在CS下降沿到来时，DO进入高阻态。
若在写入和擦除转换期间，CS保持高电平，则DO端的状态信号无效。
3功能START(起始)条件CS和DI均为高电平后CLK的第一个上升沿，确定为START。
升级小利器宇瞻AS2260 M.2 SSD 240GB宇瞻AS2260 M.2240GB采用了时下流行的M.2接口，无外壳轻薄设计使得它很适合用在空间紧张的轻小型平台上面。
这款SSD为2260规格，如果你的M.2插槽短于60mm 便装不下它。
AS2260 M.2 240GB上共有4颗64GB的0MFT（由Intel 和美光合资兴办的半导体制造公司）IP79G5SAPH16nm MLC 闪存，以及一颗南亚512MB DDR3（L）缓存。
主控方面，该款产品使用的是宇瞻自主开发的SCPS08PH四核主控芯片，在支持TRIM与NCQ指令的基础上还内建企业级ECC（错误侦测回复）、平均抹写储存区块技术、智能磁区管理确保产品可靠度及使用寿命。
不仅如此，AS2260系列M.2 SSD支持深度睡眠模式（Device Sleep mode，简称DevSleep）。
DevSleep 能让SSD在待机时完全关闭SATA接口的电源并能在0.02秒内快速恢复工作状态，降低耗电量。
另外，厂家宣称的平均故障间隔时间为10000000小时，提供三年质保。
M.2接口作为mSATA的取代者，不但体积可小于后者，而且可选PCI-E（常见于高性能产品）、SATA（针对主流用户且主控芯片相对便宜）两种通道。
由于采用SATA通道，宇瞻AS2260注定不是“性能怪兽”，但成本和兼容性具有一定优势――大部分M.2插槽支持SATA通道，但未必支持PCI-E通道。
接下来，我们在基于英特尔Core i7 6700K、B150主板的平台上对其进行了性能测试。
从初始状态性能测试来看，AS2260 M.2 240GB表现良好，其Anvil's SSD总评分数为3463分，PC Mark 8存储测试项目得分为4884，已达到主流SATA 固态硬盘的水准。
而在长期使用后的满盘状态下，其性能则有所下降，Anvil'sSSD总评分数为2914，从观察来看，主要是在随机4KB文件写入性能方面出现了下降――看来垃圾回收效率有待改进。
CPU 226 CN 订货数据CPU 226 CN24V DC电源24V DC输入24V DC输出6ES7 216-2AD23-0XB8100～230V AC电源24V DC输入继电器输出6ES7 216-2BD23-0XB8返回TOP CPU 226 CN 技术数据物理特性尺寸(W X H X D) 重量功耗196 x 80 x 62 mm550 g11 W196 x 80 x 62 mm660 g17 W程序存储器在线程序编辑时非在线程序编辑时数据存储器装备(超级电容) (可选电池) 16384 bytes24576 bytes10240 bytes100小时/典型值(40°C时最少70小时)200天/典型值16384 bytes24576 bytes10240 bytes100小时/典型值(40°C时最少70小时)200天/典型值本机数字量输入本机数字量输出本机模拟量输入本机模拟量输出数字I/O映象区模拟I/O映象区允许最大的扩展I/O模块允许最大的智能模块脉冲捕捉输入高速计数器总数单相计数器两相计数器24 输入16 输出无无256 (128输入/128输出)64(32输入/32输出)7个模块7个模块246个6，每个30KHz4，每个20KHz24 输入16 输出无无256 (128输入/128输出)64(32输入/32输出)7个模块7个模块246个6，每个30KHz4，每个20KHz脉冲输出2个20KHz(仅限于DC输出) 2个20KHz(仅限于DC输出)定时器总数1ms10ms100ms计数器总数内部存储器位掉电保持时间中断边沿中断模拟电位器布尔量运算执行时间时钟卡件选项256个4个16个236个256(由超级电容或电池备份)256(由超级电容或电池备份)112(存储在EEPROM)2个1ms分辨率4个上升沿和/或4个下降沿2个8位分辨率0.22μs内置存储卡和电池卡256个4个16个236个256(由超级电容或电池备份)256(由超级电容或电池备份)112(存储在EEPROM)2个1ms分辨率4个上升沿和/或4个下降沿2个8位分辨率0.22μs内置存储卡和电池卡接口PPI/T波特率自由口波特率每段最大电缆长度最大站点数最大主站数点到点(PPI主站模式) MPI连接2个RS-485接口9.6,19.2和187.5kbaud1.2kbaud 至115.2kbaud使用隔离的中继器：187.5kbaud可达1000米，38.4kbaud可达1200米未使用隔离中继器：50米每段32个站，每个网络126个站32是(NETR / NETW)共4个，2个保留(1个给PG，1个给OP)2个RS-485接口9.6,19.2和187.5kbaud1.2kbaud 至115.2kbaud使用隔离的中继器：187.5kbaud可达1000米，38.4kbaud可达1200米未使用隔离中继器：50米每段32个站，每个网络126个站32是(NETR/ NETW)共4个，2个保留(1个给PG，1个给OP)输入电源输入电压输入电流冲击电流20.4至28.8V DC150mA (仅CPU，24V DC)1050mA (最大负载，24V DC)12A，28.8V DC时85至264 V AC(47至63 Hz)80/40mA(仅CPU，120/240V AC)320/160mA(最大负载，120/240V AC)20A，264V AC时隔离(现场与逻辑) 保持时间(掉电)保险(不可替换) 不隔离10ms，24V DC时3A，250V时慢速熔断1500V AC20/80ms，120/240V AC时2A，250V时慢速熔断传感器电压电流限定纹波噪声隔离(传感器与逻辑) L+减5V1.5A峰值，终端限定非破坏性来自输入电源非隔离20.4至28.8 VDC1.5A峰值，终端限定非破坏性小于1 V峰分值非隔离本机集成数字量输入点数输入类型额定电压最大持续允许电压浪涌电压逻辑1信号(最小)逻辑0信号(最大)输入延迟连接2线接近开关传感器(Bero)允许漏电流最大隔离(现场与逻辑)光电隔离隔离组高速输入速率高速计数器逻辑1=15 – 30V DC高速计数器逻辑1=15 – 26V DC同时接通的输入电缆长度最大屏蔽非屏蔽24输入漏型/源型(IEC 类型1/漏型)24V DC，4mA典型值时30V DC35V DC，0.5秒15V DC，2.5mA5V DC，1mA可选(0.2至12.8ms)1mA是500V AC，1分钟见接线图20KHz(单相)， 10KHz(两相)30KHz(单相)， 20KHz(两相)500米(标准输入)50米(高速计数器输入)300米(标准输入)24输入漏型/源型(IEC 类型1/漏型)24V DC，4mA典型值时30V DC35V DC，0.5秒15V DC，2.5mA5V DC，1mA可选(0.2至12.8ms)1mA是500V AC，1分钟见接线图20KHz(单相)， 10KHz(两相)30KHz(单相)， 20KHz(两相)500米(标准输入)50米(高速计数器输入)300米(标准输入)本机集成数字量输出点数输出类型额定电压电压范围16输出固态- MOSFET(源型)24 VDC20.4至28.8V DC16输出干触点24V DC或250V AC5至30V DC或5至浪涌电流(最大)逻辑1(最小)逻辑0(最大)每点额定电流(最大) 每个公共端的额定电流(最大)漏电流(最大)灯负载(最大)感性嵌位电压接通电阻(接点)隔离光电隔离(现场到隔离) 逻辑到接点电阻(逻辑到接点)隔离组8A，100ms20V DC，最大电流0.1V DC，10KΩ 负载0.75A6 A10μA5 WL+ 减48VDC，1W功耗0.3 Ω典型值(0.6Ω最大值)500 VAC，1分钟--见接线图250V AC5A，4s (10%工作率时)--2.0A10A-30W DC；200 W AC-0.2Ω(新的时候最大值)-1500V AC，1分钟100 MΩ见接线图延时(最大)断开到接通接通到断开切换脉冲频率(最大) 机械寿命周期触点寿命同时接通的输出两个输出并联电缆长度(最大) 屏蔽非屏蔽2μs(Q0.0, Q0.1)，15μs(其它)10μs(Q0.0, Q0.1)，130μs(其它)-20KHz(Q0.0和Q0.1)--55°C时，所有的输出(水平安装)45°C时，所有的输出(垂直安装)是，仅输出同组时500米150米--10ms1Hz10,000,000(无负载)100,000(额定负载)55°C时，所有的输出(水平)45°C时，所有的输出(垂直)否500米150米返回TOP CPU 226 CN DC/DC/DC 端子连接图CPU 226 CN 尺寸图返回TOP本页内容最新更新时间： 2007-12-28© 西门子（中国）有限公司工业业务领域工业自动化与驱动技术集团2010隐私政策| 法律条款最新更新时间：2011-7-。
2246闪存参数详解大家都知道2246en的闪存参数是放在工具目录下FlashDB\2246AA\Flash.SET 文件里的。
由各种数字组成，并没有任何注释，咋一看很容易被弄晕。
但后来发现是可以在config文件里找到参数对应的定义，经过这几周的慢慢摸索和反复实验对比，已经基本弄明白了其参数的定义，以及部分参数的作用，虽然还是有不少作用不明，但已经可以在参考原厂参数的基础下改出同制程的颗粒了。
分享如下：错误在所难免，也希望得到大家的补充和讨论。
镁光的资料是比较全的，其颗粒datasheet、编号规则等均能从官网查询下载，因此就以常见的镁光MT29F128G08CFAAB 为例吧：这里提一下：整个1套参数是指颗粒中1个CE的参数，和这个颗粒有多少CE没有任何关系。
工具是通过主控识别总共有多少个CE再根据这个CE的参数来计算总容量，比如intel pf29f32b08ncme2 和pf29f64b08pcme1 这两个的参数就是完全一样的，2片ncme2等效1片pcme1。
所以经常会有一个颗粒被工具识别出好几个型号来，一般随便选哪个型号基本都一样的，除非参数略有不同，比如jcme2和ncme2是有点不一样的，具体会在后面讲到这个参数的时候详述。
为便于解读，每个参数给予一个编号，带*号的表示这个参数非常重要，不可有错；带(Hex)的表示参数为16进制数值。
1-6：*Flash id 这个不用讲，大家都知道。
7：*BITSPERCELL 闪存类型1=SLC、2=MLC、3=TLC你没看错，我在支持库里找到了一些TLC的型号，镁光、三星、东芝、HY的都有，而且在工具里是可选的，比如K9ACGD8U0A：它是1ce的颗粒，常见的K9CFGY8U5A和它是一个id，理论上选它可开卡，但三星的TLC都是bga316的，我没有转接板无法开卡验证，有条件的同学可以尝试一下。
镁光的是B95A制程的MT29F512G08EMCBB，可能是较新上市的，没见过。
我对HY颗粒了解不多，但从参数上来看是符合TLC的判断的。
8：DrivingSetting (Hex) 作用未知所有型号这里均为21。
9：DrivingSetting2 (Hex) 作用未知所有型号这里均为01。
实测8、9这两组参数我随便改为其他数值也能开卡成功，似乎和开卡关系不大。
10：Plane2 作用未知所有型号这里均为011：MINIMUM_BLOCK 最小块这个参数和后面一个参数有一定对应关系，如后一个为4096的话，这里onfi颗粒大都为3996，其他的颗粒各种数值都有，一般参照原厂同制程的参数即可。
PS：原先以为这个参数和后一个参数的差就是ssd的op空间，但实测并没有什么关系，这里随便改成什么数值都不影响开卡成功，也不影响开卡后容量，数值也可为0。
12：*BLOCKCNTPERDIE 指颗粒中每1个DIE所辖的块数，例如cfaab单个die的块数就是4096：13：PRETESTMODE 字面意思应该就是预测试模式，原厂这里均为2，实测改为0、1、3等也能正常开卡，可能有些特殊颗粒需要改这里，一般参照同制程的参数。
14：PRETESTMODE 13#、14#这两个参数很有意思，都是和PRETESTMODE呈对应关系，前一个为基础值后一个为补偿值，例如cfaab这里是2,3 在config 里PRETESTMODE = 16*2+3 = 35。
各型号2,3、2,9、2,8各种组合都有，一般参照同制程的参数。
15：StrongPageOffset 直译就是“强页面偏移”，作用不明，望指教。
数值0-5都有，参照同制程的参数即可。
16：*PAGEPERBLOCK 每块页数量这里的cfaab就是每个块有256页。
17：*PLANENUMBER 每个die的plane数一般大都为2。
如图：cfaab的每个die 由2个plane乘以每个plane的2048个块组成总共4096个块。
18：*PAGESIZE 每个页大小，就是常说的4KP、8KP、16KP。
19：*SPAREAREA 直译“备用区”，其实指单个页的备用区大小。
如图，镁光l74a制程的颗粒，每个页由8192+备用448个字节构成。
20：ECCBIT 2、3为常见数值，参照同制程的参数即可。
21：EXTENDBLOCK 扩展块cfaab这里数值为0，l95a等新制程颗粒这里是有数值的，参照同制程的参数即可。
22：SDRFrequency (Hex) SDR频率23：DDRFrequency (Hex) DDR频率和后面的另外2个频率参数不同，这2个参数似乎和开卡关系不大，我曾拿ncme2的参数（这里为：8F,27）强开cfaab（23,27）同步异步模式均能成功开卡。
又随意改为23,1F、23,3F 也均能成功。
所以这2个参数参照同制程的参数即可。
24：BLOCKENDURANCE 作用未知直译似乎是和块耐久度有关也不直接影响开卡，常见数值30、100，参照同制程的参数。
25：*INTERNALCHIPNUM 直译为“内部芯片数量”其实就是DIE数量/CE数量的比值，或者可以理解为1个ce对应几个die。
比如一般颗粒都是2die2ce、4die4ce之类的，那么这个数值就是1；又如nw593是4die2ce，nw388是8die4ce，那么这个数值就是2；有没有4:1的货呢？还真有！intel pf29f64b08qcme1就是8die2ce的奇葩，那么这里的数值就是4。
26：*CMDOPT1 (Hex) 作用未知常见数值为1F、2F、53、5F等，参照同制程的参数。
27：READRETRYTABLE1 作用未知参照同制程的参数。
28：READRETRYTABLE2作用未知onfi阵营常见为0，toggle阵营这里各种数值都有，参照同制程的参数。
29：PWRONINTERFACE作用未知onfi阵营常见为0，toggle阵营这里常见为1，参照同制程的参数。
30：*FLASHINTERFACE onfi异步片这里为0；同步片这里为1；toggle(包括异步)大都为2(这个阵营也有少量异步片这里数值为0的)；参照同制程的参数。
之前的帖子说的拿cfaab参数改出的cfaaa 两者唯一的区别就在这里。
31：*TOSHIBASHIFT 作用未知很多颗粒包括onfi阵营的在内这里大都为1，具体参照同制程的参数。
很奇怪，看名字明显和东芝有关系，可为啥很多onfi的颗粒这里的数值也是1呢？32：ONFIDrivingSetting (Hex) 作用未知，参照同制程的参数。
33：ONFIDrivingSetting2 (Hex) 作用未知，参照同制程的参数。
看名字和onfi颗粒有关，但所有颗粒在这里两个参数都是有数值的，实测和开卡影响不大，如cfaab的21,21改为52,51开卡成功。
34：FlashOutputDriving (Hex) 作用未知，参照同制程的参数。
实测和开卡影响不大，cfaab这里的31改为51开卡也能成功。
35：SLCCMDPATTERN (Hex) 作用未知，参照同制程的参数。
大部分颗粒这里为0，部分三星TLC颗粒这里为DA；部分镁光TLC颗粒为40；部分东芝闪迪颗粒为A2；部分HY颗粒BF、A2都有。
36：R_SLCCMDPATTERN (Hex) 作用未知，参照同制程的参数。
大部分颗粒这里为0，部分三星TLC 颗粒这里为DF；部分镁光TLC颗粒为43；部分HY颗粒为BF。
个人猜想可能和SLC模式有关。
37：*ISFORSM2246 数值1为可选，如果为0则在工具里找不到这个颗粒。
38：VCTSUPPORT 作用未知，参照同制程的参数。
大部分颗粒这里为0，镁光部分TLC颗粒这里为1。
39：HYNIXOPT1 作用未知，参照同制程的参数。
从名字来看应该和HY颗粒有点关系，事实上部分HY颗粒这里为1，除此之外其余颗粒大都为0。
40：F_OPT2 (Hex) 作用未知，参照同制程的参数。
常见为80，一些新制程的常见90、D0。
实测cfaab 这里的80改为0、90、D0均不影响开卡。
41：SDR_DRVSetting1_SM2246 (Hex)42：SDR_DRVSetting2_SM2246 (Hex)43：DDR_DRVSetting1_SM2246 (Hex)44：DDR_DRVSetting2_SM2246 (Hex) 这四组参数一般数值都一样，性能差点的颗粒一般55，好点的77、88，参照同制程的参数。
实测改大改小不影响开卡，可能和稳定性有关。
45：*SDR_FlshPLLFreq_SM2246 (Hex) 闪存SDR模式下的频率，较老的型号一般为0E、0A，较新的大都为12，实测异步模式下读写性能与此有关，尽量不要乱改，有的异步片如cbaaa，这个数值+-1都无法开卡，参照同制程的参数即可。
46：*DDR_FlshPLLFreq_SM2246 (Hex) 闪存DDR模式下的频率，较老的型号一般为18、1C、1E等，较新的大都为26，实测Toggle模式和onfi同步模式下读写性能与此有关，前面提到的jcme2这里是1F，ncme2是26，可能考虑tsop封装的电气特性不如bga，故数值趋于保守。
一般实际开卡中如果遇到adj错误，可能是由于各颗粒个体差异或者pcb板子电气特性不佳造成的，这时候可以考虑适当降低这个参数来通过开卡，如果你的颗粒是onfi同步片或toggle片，那么只要改这里的参数，45#参数不用管，当然代价是性能降低。
以前有人反映的4贴k9pfgy8u7a和16贴cjaab 开卡时adj错误我觉得可以尝试这个办法解决。
47：2_5Inch_DRVSetting_1 (Hex)48：2_5Inch_DRVSetting_2 (Hex) 这两组参数的数值和规律一般和41、42、43、44号参数一样，不详述了。
49：mSATA_DRVSetting_1 (Hex)50：mSATA_DRVSetting_2 (Hex) 这两组数值比前面两组要低一些。
51：NGFF_DRVSetting_1 (Hex)52：NGFF_DRVSetting_2 (Hex) 这两组和上两组一般相同。
可以看到：msata和ngff的参数比2.5inch的低一些，可能是这两种pcb比2.5的布局紧凑，考虑电气特性，因此保守些。
实测选择这三种并无太大区别。
53：FlashOutputDriving_SM2246 (Hex) 作用未知，常见为0。
部分东芝颗粒(DDK)这里为62；部分HY颗粒为82；镁光部分L85a,L95b颗粒为1。
54：TLCTYPE 看名字是和TLC有关，常见为0。
