什么是NOR和NAND闪存
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NAND Flash中文版资料页数:19
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浅谈NorFlash的原理及其应用页数:10
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总结NAND FLASH控制器的操作页数:3
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NAND FLASH在储存测试中的应用页数:4
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nandflash用法页数:20
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NAND Flash原理和使用页数:14
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Nor 与Nand Flash 区别
NAND（与非）----页。
四、组成结构：
NOR（或非）----扇区、字节；
NAND（与非）----块、页；
五、擦除单位：
NOR（或非）----扇区；
NAND（与非）----块；
六、原理区别：
A、FLASH区别EEPROM
他们的存储单元基本一致，只是FLASH的存储单元的源极都是连在一起的，因此，擦除是会一起擦除，
因此NAND页缓冲区的作用就是，保证芯片的按页的读、写操作，是I/O操作与芯片操作的接口、桥梁，因为数据是从I/O输入的又是每次一个字节，因此需要缓冲。
2、NOR则是字节为基本单位操作的，可以字节写、读，但擦除是扇区操作的。
而EEPROM是可以按字节独立擦是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。
EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，
1、NAND是以页为基本单位操作的。写入数据也是首先在页面缓冲区内缓冲，数据首先写入这里，再写命令后，再统一写入页内，因此每次改写一个字节，都要重写整个页，因为它只支持页写，而且如果页内有未擦除的部分，则无法编程，在写入前必须保证页是空的。
综上所述在芯片操作上，NAND要比NOR快很多，因为NAND是页操作的而NOR是字节操作的。
七、应用：
NAND 正是基于这种构造：块、页，无法字节寻址，页读写本身就靠的是内部复杂的串、并行转换
基于以上几点，在工业领域，NOR 用的较多，特别是程序存储，少量数据存储等。
在消费领域，大量数据存储，NAND较多。
Nor 与Nand Flash 区别
一、类型理解
分为NOR（或非） NAND（与非）
NAND闪存NOR闪存 区别
2.NVRAM可以随机访问。因此有些解释中，说Flash是属于NVRAM，是不准确的。因为从严格意义上来说，Flash分有两种：nand flash和nor flash。其中的nor属于是可以随机访问的，而na问（serial
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很大的区分，NAND规格晶片写入与清除资料的速度远快于NOR规格，但是NOR规格晶片在读取资料的速度则快于NAND规格。NAND规格晶片多应用在小型记忆卡，以储存资料为主，NOR规格则多应用在通讯产品中。
NVRAM 非易失性随机访问存储器 (Non-Volatile Random Access Memory)，是指断电后仍能保持数据的一种RAM。
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
如果通俗地解释非易失性存储器，那就是指断电之后，所存储的数据不丢失的随机访问存储器。
之所以加如此的定语，是因为：
1.与此对应的随机访问存储器（Random Access Memory，RAM）包含SRAM和DRAM（其又分为SDRAM，DDR SDRAM，DDR2 SDRAM ，RDRAM，Direct RDRAM），断电之后信息就丢失了。其中，DRAM又分为SDRAM（由6个晶体管组成），DDR SDRAM（有一个晶体管组成），DDR2 SDRAM（利用电平脉冲的上升沿和下降沿传输数据，使得数据传输频率相对于普通的DDR SDRAM加倍） ，和采用RSL技术的RDRAM，Direct RDRAM），
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很大的区分，NAND规格晶片写入与清除资料的速度远快于NOR规格，但是NOR规格晶片在读取资料的速度则快于NAND规格。NAND规格晶片多应用在小型记忆卡，以储存资料为主，NOR规格则多应用在通讯产品中。
NVRAM 非易失性随机访问存储器 (Non-Volatile Random Access Memory)，是指断电后仍能保持数据的一种RAM。
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
如果通俗地解释非易失性存储器，那就是指断电之后，所存储的数据不丢失的随机访问存储器。
之所以加如此的定语，是因为：
1.与此对应的随机访问存储器（Random Access Memory，RAM）包含SRAM和DRAM（其又分为SDRAM，DDR SDRAM，DDR2 SDRAM ，RDRAM，Direct RDRAM），断电之后信息就丢失了。其中，DRAM又分为SDRAM（由6个晶体管组成），DDR SDRAM（有一个晶体管组成），DDR2 SDRAM（利用电平脉冲的上升沿和下降沿传输数据，使得数据传输频率相对于普通的DDR SDRAM加倍） ，和采用RSL技术的RDRAM，Direct RDRAM），
NAND和NOR flash详解
● NOR 的读速度比 NAND 稍快一些。 ● NAND 的写入速度比 NOR 快很多。 ● NAND 的 4ms 擦除速度远比 NOR 的 5s 快。 ● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 ● NAND 的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
接口差别 NOR flash 带有 SRAM 接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每
驱动还用于对 DiskOnChip 产品进行仿真和 NAND 闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损 耗平衡。
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由于擦除 NOR 器件时是以 64～128KB 的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为 5s， 与此相反，擦除 NAND 器件是以 8～32KB 的块进 行的，执行相同的操作最多只需要 4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了 NOR 和 NADN 之间的性能差距，统计表明，对于 给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)， 更多的擦除操作必须在基于 NOR 的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须 权衡以下的各项因素。
2007-12-20 11:20:33
NAND 和 NOR flash 详解
NOR 和 NAND 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel 于 1988 年首先开发出 NOR flash 技术，彻底改变了原先由 EPROM 和 EEPROM 一统 天下的局面。紧接着，1989 年，东芝公司发表了 NAND flash 结构，强调降低每比特的成本， 更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口 轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清 NOR 和 NAND 闪存。
接口差别 NOR flash 带有 SRAM 接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每
驱动还用于对 DiskOnChip 产品进行仿真和 NAND 闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损 耗平衡。
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由于擦除 NOR 器件时是以 64～128KB 的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为 5s， 与此相反，擦除 NAND 器件是以 8～32KB 的块进 行的，执行相同的操作最多只需要 4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了 NOR 和 NADN 之间的性能差距，统计表明，对于 给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)， 更多的擦除操作必须在基于 NOR 的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须 权衡以下的各项因素。
2007-12-20 11:20:33
NAND 和 NOR flash 详解
NOR 和 NAND 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel 于 1988 年首先开发出 NOR flash 技术，彻底改变了原先由 EPROM 和 EEPROM 一统 天下的局面。紧接着，1989 年，东芝公司发表了 NAND flash 结构，强调降低每比特的成本， 更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口 轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清 NOR 和 NAND 闪存。
nand flash和nor flash区别
NAND FLASH和NOR FLASH是当前比较主流的两种结构类型的闪存芯片，应用十分广泛。
这两类芯片都是非易失存储器，可以对存储器单元块进行擦写和再编程。
他们在读取速度、写入速度、容量、坏快、擦写次数、适用性都有明显的区别NAND FLASH和NOR FLASH是当前比较主流的两种结构类型的闪存芯片，应用十分广泛。
这两类芯片都是非易失存储器，可以对存储器单元块进行擦写和再编程。
但它们之间也存在着巨大的差异，具体表现在以下几个方面。
1、读取速度NOR FLASH的读取速度比NAND FLASH稍快一些。
读取数据时，NAND FLASH 首先需要进行多次地址寻址，然后才能访问数据；而 NOR FLASH是直接进行数据读取访问。
2、写入速度NAND FLASH 由于支持整块擦写操作，所以其擦除和写入速度比NOR FLASH要快很多。
3、容量NAND FLASH 采用大量的地址线和数据线复用，而NOR FLASH直接通过地址线引脚来寻址。
因此，NAND FLASH在面积和工艺相同的情况下，可以提供更高的容量，能够相应地降低生产成本。
4、坏块NAND FLASH器件由于其大容量的特点，是允许存在坏块的（存在失效地址单元），NAND FLASH 生产厂商如果在生产过程中消除坏块会导致成品率太低、性价比很差，所以在出厂前要在高温、高压条件下检测生产过程中产生的坏块，对产生的坏块写入坏块标记，防止用户使用时向坏块写入数据；而NOR FLASH是不允许出现失效地址单元。
5、擦写次数FLASH由于写入和擦除数据时会导致介质的氧化降解，而NOR FLASH 擦写次数寿命只有NAND FLASH 的十分之一，故NOR FLASH 并不适合频繁地擦写。
6、适用性NOR FLASH较容易与其它芯片进行连接，可以直接使用，而NAND FLASH在使用前必须先写入驱动程序，而且为了防止向坏块写入内容，必须建立块地址的虚拟映射。
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。
Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。
但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。
许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。
而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。
NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。
应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。
任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。
NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。
闪存芯片类型
闪存芯片类型闪存芯片是一种用于储存数据的半导体器件，应用广泛，包括个人电脑、手机、相机和其他电子设备。
闪存芯片具有非常高的存储密度、快速读写速度、低功耗和机械可靠性等特点，因此被广泛应用于各种嵌入式系统和消费电子产品中。
根据存储介质和存储技术的不同，闪存芯片可以分为以下几种类型：1. NOR闪存芯片：NOR闪存芯片是最早出现的闪存芯片类型之一。
它具有快速的随机存取速度和较长的寿命，适合存储程序代码和启动引导程序等，但存储密度相对较低，成本比较高。
2. NAND闪存芯片：NAND闪存芯片是目前应用最广泛的闪存芯片类型之一。
它通过并行读取和写入数据来实现高速的顺序访问，适合大容量数据存储。
相比于NOR闪存芯片，NAND闪存芯片具有更高的存储密度和较低的成本，但随机读写速度较慢。
3. SLC闪存芯片：SLC（Single-Level Cell）闪存芯片是一种将每个存储单元只存储一个比特数据的闪存芯片。
SLC闪存芯片具有更快的读写速度、更长的寿命和更好的数据可靠性，但相应地价格更高，存储密度较低。
4. MLC闪存芯片：MLC（Multi-Level Cell）闪存芯片是一种将每个存储单元存储多个比特数据的闪存芯片。
MLC闪存芯片的存储密度较高，价格相对较低，但相应地读写速度较慢，寿命和数据可靠性相对较差。
5. TLC闪存芯片：TLC（Triple-Level Cell）闪存芯片是MLC 闪存芯片的升级版，每个存储单元可以存储更多的比特数据。
TLC闪存芯片的存储密度更高，价格更低，但相应地读写速度更慢，寿命和数据可靠性相对更差。
随着技术的不断发展，闪存芯片的存储密度不断提高，读写速度不断提升，价格也不断下降。
同时，新型的闪存芯片如3D NAND闪存芯片和QLC闪存芯片等也逐渐应用于市场中，进一步提升了闪存芯片的性能和可靠性，满足了不同领域对数据存储的需求。
NAND Flash和NOR Flash 区分
NAND FlashNOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。
Intel于1988年首先开发出NO Rflash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。
但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。
许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。
而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。
NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。
应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。
任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。
NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。
NandFlash和NorFlash的区别详解
NandFlash和NorFlash的区别详解写在前⾯： Flash存储器在嵌⼊式开发实施中有着重要位置，⽂本介绍⼀些关于Flash存储器的知识。
本⽂内容如下： （⼀） （⼆） （2-1） （2-2） （2-3） （2-4） （三） （3-1） （3-2） （3-3） （3-4） （3-5） （3-6） （3-7） （3-8） （3-9） （3-10） （四） （4-1） （4-2） （4-3） （4-4） （4-5）⼀、Nand Flash 和Nor Flash存储器简介 我们使⽤的智能⼿机除了有⼀个可⽤的空间（如苹果8G、16G等），还有⼀个RAM容量，为什么需要⼆个这样的芯⽚做存储呢，这就是我们下⾯要讲到的。
这⼆种存储设备我们都统称为“FLASH”，FLASH是⼀种存储芯⽚，全名叫Flash EEPROM Memory，通过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。
Flash⼜分为NAND flash和NOR flash⼆种。
U盘和MP3⾥⽤的就是这种存储器。
Nand flash存储器经常可以与NOR Flash存储器互换使⽤。
⼤多数情况下闪存只是⽤来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合⼀些。
⽽NAND则是⾼数据存储密度的理想解决⽅案。
（1）Nor Flash存储器简介 NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是类似，⽤户可以直接运⾏装载在 NOR FLASH ⾥⾯的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从⽽节约成本。
intel公司1988年开发出了NOR flash技术。
NOR的特点是芯⽚内执⾏（XIP, eXecute In Place），这样应⽤程序可以直接在flash 闪存内运⾏，不必再把代码读到系统RAM中。
NOR的传输效率很⾼，在1～4MB的⼩容量时具有很⾼的成本效益，但是其很低的写⼊和擦除速度⼤⼤影响了它的性能。
⼀种NorFlash存储芯⽚ （2）Nand Flash存储器简介 Nand-flash内存是flash内存的⼀种，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。
【101】NAND flash与NOR flash 的比较
NAND flash 与NOR flash的比较一、简介FLASH是一种存储芯片，全名Flash EEPROM Memory，通过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。
Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。
大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。
而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。
NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取 512 个字节，采用这种技术的 Flash 比较廉价。
用户不能直接运行 NAND Flash上的代码，因此好多使用 NAND Flash的开发板除了使用 NAND Flah 以外，还作上了一块小的 NOR Flash 来运行启动代码。
NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。
NOR 的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。
NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。
Nand-flash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。
其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。
Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
二、NAND flash和NOR flash原理【1】存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元，分别为源极、漏极和栅极，与场效应管的工作原理相同，主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断，栅极的电流消耗极小，不同的是场效应管为单栅极结构，而 FLASH 为双栅极结构，在栅极与硅衬底之间增加了一个浮置栅极。
NAND flash和NOR flash区别(最详细)
NAND flash和NOR flash详解NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。
Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。
但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。
许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。
而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。
NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。
应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
1. 性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。
任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。
NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。
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什么是NOR和NAND闪存？NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。
Intel于1988年首先开发出NORflash技术，紧接着，1989年，东芝公司 发表了NAND flash结构。
NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了产品的价格。
而且，它的写入和擦除速度很快，因此，其主要功能是存储资料，例如在CompactFlash、Secure Digi-tal、PCCards和MMC存储卡市场上所占份额最大。
NOR的传输效率很高，在小容量时具有很高的成本效益，更加安全，不容易出现数据故障，因此，主要应用以代码存储为主，多与运算相关。
目前，NAND闪存主要用在数码相机闪存卡和MP3播放机中，这两个市场的增长非常迅速。
而NOR芯片主要用在手机和机顶盒中，这两个市场的增长速度相对较慢。
NOR和NAND Flash存储器的区别NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。
Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。
但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。
许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR 技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。
而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行(XIP， eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。
NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。
应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
性能比较 flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。
任何flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。
NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。
这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
● NOR的读速度比NAND稍快一些。
● NAND的写入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
接口差别 NOR flash带有SRAM 接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND 器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。
8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
容量和成本 NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。
NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC 存储卡市场上所占份额最大。
可靠性和耐用性 采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。
对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。
可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。
寿命(耐用性) 在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR 的擦写次数是十万次。
NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
位交换所有flash器件都受位交换现象的困扰。
在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。
一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。
如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。
当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。
位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC 算法。
这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。
当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。
坏块处理 NAND器件中的坏块是随机分布的。
以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。
NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。
在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。
易于使用 可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。
由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。
各种NAND器件的存取方法因厂家而异。
在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。
向NAND 器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏 块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
软件支持 当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。
在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。
使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。
驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND 闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。
uClinux是近几年兴起的一个嵌入式Linux的变种。
它主要用于微控制领域的一些没有MMU(Memory Management Unit)的系列CPU。
近来在消费类电子产品中也得到了广泛的应用。
目前uClinux可以稳定的运行在ARM,MIPS,Powrepc等系列CPU上。
因为没有MMU单元的CPU相较而言更为便宜，因此国内也有大批的爱好者自己制作开发板来进行uClinux的开发。
作为此类的嵌入式系统一般采用Flash作为存储设备。
本文主要讨论在uClinux系统中启动，运行时使用Flash的理论和实践方法。
本文首先要介绍一下常用的Flash以及uClinux系统在Flash中如何进行存储｡接着会阐述一下Flash在内核中被如何驱动，同时介绍一下常用根文件系统的选择。
本文在理论上分析，阐述了怎样使用，选择根文件系统以及它们在Flash上的实现。
并且给出了一个例子。
但是真正的嵌入式系统中如何使用Flash将和使用的硬件相关。
欢迎大家和我讨论这个问题。
1，Flash的简介在过去的20年里,嵌入式系统一直使用ROM（EPROM） 作为它们的存储设备。
然而近年来Flash 全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位。
因为相较ROM而言，Flash有成本低，可*，容易改写等优点。
目前Flash主要有两种 NOR Flash 和 NADN Flash 它们在应用上有所不同因此也用于不同的场合。
读取NOR Flash和读取我们常见的SDRAM是一样的。
它的所有地址都是可见的，你可以读取它任意随机地址的值。
同时它和SDRAM一样你可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这就是作谓的XIP（Execute-In-Place）技术。
因为NORFlash有这种特性，所以它非常适用于小型嵌入式系统。
你可以把你的代码装载到Flash中，在系统启动的时候直接运行它，而减少SRAM的容量从而节约了成本。
从这种意义上来说，NOR FLASH已经可以代替原先我们一直使用的标准的ROM。
并且还具有ROM所没有的特性。
目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu，和Toshiba。
常用的容量一般在128K到64M之间。
NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术。
它的读取是以一次读取一快的形式来进行的，通常是一次读取512个字节。
采用这种技术的Flash比较廉价。
但是和所有块设备一样，NANDFlash 比较容易出现怀位。
这需要我们采用软件来避免使用这些位。
这样以来就增加了软件的复杂度。
你不能直接运行NAND Flash上的代码。
因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。
这样作会增加系统的复杂度。
不过最近这种现象有所改观。
三星最近生产的一批采用ARM Core的CPU，采用了一个内部的缓冲来存放NAND Flash里读取的东西。
以此来直接运行NAND FLASH里面启动代码。
比如基于Arm920T和新的S3c2410芯片。
另外，我们最常见的NAND FLASH的应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的“闪盘”。
目前生产NAND Flash的主要厂家有Samsung 和Toshiba。
最大容量已经突破了1G位。
写Flash和写SRAM截然不同。
它是通过一系列指令才能完成一个写操作的。