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一、三种常见共射放大电路静态分析见下表所示上表是常见共射电路的静态工作点。
对于实际电路不一定完全跟表中电路相同。
求解时遵循以下几点可以求出。
1.思路：①画出该电路的直流通路图。
②从电源经过基极绕到地列出电压方程(有些电路需经过电工知识进行简化，像分压式可用戴维南定理对R b1、R b2部分等效)求出I BQ 。
③根据电流放大作用求出I CQ 。
④从电源经过集电极到发射极到地列电压方程求出U CEQ 。
2．静态工作点的稳定 (1)固定偏置电路没有稳定静态工作点作用，只能用在要求不高的电路中。
(2)分压式偏置电路 ①静态工作点稳定过程②工作点稳定对电路元件参数要求A ．要稳定效果好：V BQ 要一定，就要求I 1≈I 2I BQ 。
这样才能保证V BQ ≈R b2R b1＋R b2V G 。
一般情况下⎩⎪⎨⎪⎧I 1≈I 2＝（5～10）I BQ 硅管I 1≈I 2＝（10～20）I BQ 锗管B ．稳定静态工作点效果：V EQ ＝I EQ R E 的上升使U BEQ 下降。
当R e 越大，U BEQ 下降越快，调整灵敏度越高，这样就有V EQU BEQ ，一般有⎩⎪⎨⎪⎧V BQ ＝（3～5）U BEQ 或（3～5）V 硅管V BQ ＝（5～10）U BEQ 或（1～3）V 锗管。
(3)集—基反馈式静态工作点稳定过程：V CQ ＝V G －(I CQ ＋I BQ )R c二、三种常见共射放大电路动态分析见下表所示几点说明：1.r be 是三极管的输入电阻，属动态电阻，即交流阻抗，但其大小跟晶体管的静态电流大小有关，一般的估算公式为r be ＝r ′bb ＋(1＋β)26mV I E mA ＝r ′bb ＋26mVI BQ mA 单位为欧姆(Ω)。
(2)r′bb 为三极管基极的等效电阻，小功率一般约为300Ω，近似计算时，按给出值代入，不给出值时取300Ω代替。
2．输入电阻r i 和输出电阻r o 的物理意义。
大学《模拟电子技术》试题及答案一、填空题1．PN 结反向偏置时，PN 结的内电场 。
PN 具有 特性。
2．硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 伏；其门坎电压V th 约为 伏。
3．为了保证三极管工作在放大区，要求：发射结 偏置，集电结 偏置。
对于ＮＰＮ型三极管，应使V BC 。
4．放大器级间耦合方式主要有阻容（RC ）耦合、直接耦合和 耦合三大类。
5．在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，组态有电流放大作用， 组态有倒相作用； 组态带负载能力强。
6．将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路；半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的 倍；全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的 倍。
7．为了分别达到下列要求，应引人何种类型的反馈：①降低电路对信号源索取的电流：。
②当环境温度变化或换用不同值的三极管时，要求放大电路的静态工作点保持稳定： 。
③稳定输出电流： 。
8．某负反馈放大电路的开环放大倍数A=100000，反馈系数F ＝0.01，则闭环放大倍数≈⋅f A 。
二、选择题1．某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为（ ）。
A)10kΩ B)2kΩ C)4kΩ D)3kΩ2．为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ ）。
βA)共射电路B)共基电路C)共集电路D)共集-共基串联电路3．与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功放的主要优点是（）。
A)不用输出变压器B)不用输出端大电容C)效率高D)无交越失真4．有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）。
电子技术复习题一、填空1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。
2.当电源电压升高时，电抗原件将能量存储起来，而当电源电压降低时，又将能量释放出来，从而使输出电压比较平滑，这就是滤波3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。
4.晶体管是有三个电极的电流放大器，任选其中一个电极为公共电极时，可组成三种不同的四端网络，分别成为共基极、共发射极、共集电极。
5．构成放大电路的条件有两个：一是发射结正偏，集电结反偏；二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。
6、当温度升高时，会引起放大电路的静态工作点向上偏移，造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。
8．半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。
9．硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V10．二极管的反向电压在一定范围时，电流基本上是 恒定（或不变） 的。
11．稳压管工作在 反向击穿 区。
12．NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。
13．PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。
14．非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。
15．为不产生非线性失真，放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的 中点 ，输入信号的幅值不能太大。
16．在外部因素（如温度变化、三极管老化、电源电压波动等）的影响下，会引起放大电路 静态工作点 的偏移。
17．外部因素中，对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。
18．三极管级间耦合的方式主要有：阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。
19．三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。
20．三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。
21．三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。
22．场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。
23．场效应管有两种类型：结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。
