当前位置：文档之家 › 模拟电路阵列及其半定制专用集成电路实现

模拟电路阵列及其半定制专用集成电路实现

  • 格式：pdf
  • 大小：177.92 KB
  • 文档页数：4

第２２卷　第３期　

２００２年８月　固体电子学研究与进展　

ＲＥＳＥＡＲＣＨ＆ＰＲＯＧＲＥＳＳ　ＯＦ　ＳＳＥ　Ｖｏ１．２２，ＮＯ．３　

Ａｕｇ。。２００２　

模拟电路阵列及其半定制专用集成电路实现　

牵　冰　

（东南大学电子工程系，南京，２１００９６）　

（东南大学无锡分校。无锡．２１４０７２）　

吴　金　魏同立　

（东南大学微电子中心．南京．２１００９６）　

２０００１ｌＯ７收稿．２００１０３２０收改稿　

摘要：与门海数字电路阵列相类似．模拟电路阵列也是半定制集成电路设计的母体形式的一种。首先介绍了　

母体单元结构布局，然后描述了其电路的实现。在以上模拟电路阵列母体上．成功地实现了很多专用的模拟电　

路。　关键词：模拟电路阵列；门海；半定制集成电路；专用集成电路　

中图分类号：ＴＮ４０１　文献标识码：Ａ　文章编号：１０００－３８１９（２００２）０３—２９０－０４　

Ｈａｌｆ－ｃｕｓｔｏｍｅｄ　Ａｎａｌｏｇｕｅ　Ｃｉｒｃｕｉｔ　Ａｒｒａｙ　Ｄｅｓｉｇｎ　ＡＳＩＣｓ　

Ｉ．Ｉ　Ｂｉｎｇ　

（Ｓｏｕｔｈｅａｓｔ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔ。Ｎａｎｊｉｎｇ，２１００９６，ＣＨＮ）　

（ＷｕＸｉ　Ｂｒａｎｃｈ　ｏｆ　Ｓｏｕｔｈｅａｓｔ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｗｕ　Ｘｉ。２１４０７２，ＣＨＮ）　

ＷＵ　Ｊｉｎ　ＷＥＩ　Ｔｏｎｇｌｉ　

（Ｓｏｕｔｈｅａｓｔ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　Ｃｅｎｔｅｒ，Ｎａｎｊｉｎｇ，２１００９６．ＣＨＮ）　

Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｉｓ　ｐａｐｅｒ　ｐｒｅｓｅｎｔｓ　ａｎ　ａｎａｌｏｇｕｅ　ｃｉｒｃｕｉｔ　ａｒｒａｙ　ｗｉｔｈ　ｉｔｓ　ｌａｙｏｕｔ　ａｎｄ　ｒｏｕｔｉｎｇ，ａｓ　ｗｅｌｌ　

ａｓ　ｉｔｓ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ．Ｊｕｓｔ　ａｓ　ｓｅａ　ｇａｔｅｓ　ａｒｒａｙ，ｔｈｉｓ　ａｎａｌｏｇｕｅ　ａｒｒａｙ　ｉｓ　ｏｎｅ　ｋｉｎｄ　ｏｆ　ｈａｌｆ—ｃｕｓｔｏｍｅｄ　ｉｎ—　

ｔｅｇｒａｔｅｄ　ｃｉｒｃｕｉｔｓ．Ｍａｎｙ　ａｎａｌｏｇｕｅ　ＩＣｓ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｓｕｃｈ　ａｒｒａｙｓ　ｈａｖｅ　ｂｅｅｎ　ｍａｓｋｅｄ　ａｎｄ　ｔｈｏｓｅ　ＡＳＩＣｓ　

ｈａｖｅ　ｂｅｅｎ　ｐｒｏｖｅｄ　ｔｏ　ｂｅ　ｇｏｏｄ　ｉｎ　ｒｕｎｎｉｎｇ．　

Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：ａｎａｌｏｇｕｅ　ｃｉｒｃｕｉｔ　ａｒｒａｙ；ｓｅａ　ｇａｔｅｓ；ｈａｌｆ－ｃｕｓｔｏｍｅｄ　ＩＣ　ＡＳＩＣｓ　

ＥＥＡＣＣ：２５７０Ａ　

１　引　言　

半定制集成电路的设计是目前Ｉｃ设计中运用　

最广的一种设计形式。从较早的门阵列（Ｇａｔｅ　

Ａｒｒａｙ）、标准单元（Ｓｔａｎｄａｒｄ　Ｃｅｌ１）、可编程逻辑阵　

列（ＰＩ　Ｄ）、ｆ－１海（Ｓｅａｇａｔｅｓ）到现在应用广泛的现场　

可编程门阵列（ＦＰＧＡ）都是半定制１ｃ的流行设计　

方法。可说，现在通过在单片机（ＭｃＵ）掩模程序生　

产的各类控制类专用ＭＣＵ均是半定制集成电路　的设计，在很多场合，这类产品也称为专用标准产　

品（ＡＳＳＰ）或专用用户产品（ＡＳＣＰ）。这些半定制　

电路的产品最终都属于通常所说的专用集成电路　

（ＡＳＩＣ）。这些半定制集成电路使用的是规则而简　

单的模块化的ＶＬＳＩ设计技术，可以大大节省电路　

的设计成本。在当今集成电路技术中，当器件成本　

已获得大幅度的降低时，设计成本却随着系统的复　

杂性而增长，因而，半定制集成电路无疑是个折中　

的设计选择。半定制集成电路可以将分立器件和通　

用小规模集成电路实现集成，降低电路成本，也使　维普资讯 http://www.cqvip.com ３期　李　冰等：模拟电路阵列及其半定制专用集成电路实现　２９１　

电路的保密性得到增强。　

阵列型的半定制集成电路根据所采用的晶体　

管的不同，可分为双极型电路和ＭＯＳ电路；根据　

处理的信号的不同，可以分为数字（逻辑）和模拟电　

路。现在的半定制阵列电路大多是数字电路（也称　

逻辑电路），且大多采用ＭＯＳ电路结构。模拟１Ｃ　

是区别于数字逻辑ＩＣ而言的。１９６７年国际电工委　

员会（ＩＥＣ）正式提出模拟ＩＣ的概念，它包括了数　

字逻辑ＩＣ以外的所有半导体ＩＣ。模拟ＩＣ几乎没　

有数字逻辑１Ｃ那种可以重复地由标准化的简单单　

元电路构成大系统的情况，在同样的设计、工艺水　

平下，扩大模拟ＩＣ的规模要比数字逻辑ＩＣ困难得　多，一般把集成度达百元件数量级的模拟ＩＣ称为　

模拟ＬＳ１。下面描述的模拟电路阵列也是半定制电　

路的一种，其阵列中有双极晶体管单元、电阻、电　

容、ＣＭ０Ｓ门等电路常用元器件单元，可以实现　

Ｉ　ＳＩ规模的半定制模拟集成电路的标准化设计。　

２　结构描述　

文中模拟电路阵列的布局图如图１所示。Ａ～　

ｘ表示各器件单元块模块阵列组，模块标号及简称　

见表１。　

图１模拟电路阵列的布局图　

Ｆｉｇ．１　Ｌａｙｏｕｔ　ｏｆ　ｔｈｅ　ａｎａｌｏｇｕｅ　ａｒｒａｙ　

表１模块标号对照表　

Ｔａｂ．１　Ｒｅｌａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｍｏｄｕｌｅ　ａｎｄ　ｍａｒｋ　

Ｍａｒｋ　Ｍｏｄｕｌｅ　Ｍａｒｋ　Ｍｏｄｕｌｅ　Ｍａｒｋ　Ｍｏｄｕｌｅ　Ｍａｒｋ　Ｍｏｄｕｌｅ　Ａ　ＰＡＤ　Ｂ　ＰＮ＆ＦＵＳＥ　Ｃ　ＲＥ　Ｄ　１７ＲＡ　

Ｅ　２ＴＰＢ　Ｆ　１２ＴＮＣ　Ｇ　５ＲＢ　Ｈ　１　５ＲＡ　Ｉ　９ＴＮＤ　Ｊ　４ＣＡＰ　Ｋ　１　２ＣＭＯＳＧＡＴＥＳ　Ｌ　ＲＤ　Ｍ　３６ＲＣ　Ｎ　２４ＴＮＣ　Ｏ　３０ＲＡ　Ｐ　１ＯＲＢ　

Ｑ　１２ＲＦ　Ｒ　４ＴＮＢ　Ｓ　ＩＮＶ　Ｔ　ＴＰＡ　Ｕ　１ＯＲＡ　Ｖ　３ＲＢ　Ｗ　８ＴＮＣ　Ｘ　

ＴＮＡ　维普资讯 http://www.cqvip.com 固体　电　子学研究　与进展　

由于整个阵列电路采用单多晶、双层铝结构，　

各器件单元间的连线采用双层铝引线来实现，因　

此，对布线通道的要求较小，布线的自由度较大，布　

通率高。各模块的组成如下：　

（１）电阻阵列：模块Ｃ、Ｇ、Ｈ、Ｉ　、Ｍ、Ｏ、Ｐ、Ｑ、Ｔ、　

Ｕ、Ｖ均由电阻构成，主要有六种型号：ＲＡ、ＲＢ、　

ＲＣ、ＲＤ、ＲＥ和ＲＦ。如模块Ｍ～３６ＲＣ，表示Ｍ模　

块由３６个ＲＣ型电阻构成。　

（２）电容阵列：模块Ｊ是４个ＣＡＰ型电容构成　

的模块阵列。　

（３）三极管阵列：模块Ｅ、Ｆ、Ｉ、Ｎ、Ｒ、Ｔ、ｗ、Ｘ是　

由三极管构成，其中ＴＰ表示ＰＮＰ型三极管，ＴＮ　

表示ＮＰＮ型三极管。阵列中，ＰＮＰ管有两种型号：　

ＴＰＡ和ＴＰＢ；ＮＰＮ管有四种型号：ＴＮＡ～ＴＮＤ。　

三极管在阵列中的作用很大，用三极管可以实现不　

同的二极管和电容，甚至电阻。三极管在阵列电路　

中起到重要的器件的调整作用。　

（４）ＭＯＳ阵列：模块Ｋ、Ｓ为ＣＭ（）Ｓ阵列。其　

中Ｋ为１２组ＣＭＯＳ标准门阵列；Ｓ为高速ＣＭＯＳ　

倒相器阵列。ＭＯＳ阵列的存在，使得一些逻辑电路　

在本阵列电路中得以轻松实现，也使本模拟电路阵　

列在半定制电路中更具优势。　

（５）外围阵列：Ａ～ＰＡＤ压焊块；Ｂ～保护二极　

管及熔丝（可熔齐纳管）。　

３　典型单元版图　

部分单元的版图如下：　

①电阻单元：　

一＿＿　

（ＲＥ）　ＣＭＯＳ门阵列单元ｆ部分）　

（ＣＭＯＳ　ＧＡＴＥＳ）　③可熔齐纳管：　

＿　

（ＦＵＳＥ）　ｊ三极管单元（部分）　

（ＴＮＣ）　

（ＴＮＡＪ　

圄　

（ＴＰＢ）　（ｒＮ　Ｌ））　以上只给出部分单元的版图结构。电阻的构成　

有多晶电阻和硼扩散电阻，它们组成电阻选择组。　

三极管的构成基本是横向结构，阵列中有横向　

ＮＰＮ管、ＰＮＰ管，双极横向ＮＰＮ管等。版图中所　

示的可熔齐纳管（称为ＦＵＳＥ）是在集成电路设计　

中常用的一种修正电路的方法，它采用齐纳管短路　

的方法来控制修正网络的电流值。有时为了电路保　

密，可将其设计在相邻的管脚间，在必要时可采用　

大电流脉冲造成齐纳管的永久性短路，从而使两个　

管脚短接，成为一个保密标志。这种修正方法的优　

点是在电路封装好以后，仍可以对电路的网络特性　

进行修正。　

模拟电路阵列在工艺上采用先进的等平面工　

艺ＩＩ。等平面工艺与平面工艺的不同在于采用氧化　维普资讯 http://www.cqvip.com ３期　李　冰等：模拟电路阵列及其半定制专用集成电路实现　２９３　

物侧墙代替常规工艺中的Ｐ型隔离扩散。在等平　

面工艺ｌｌ中，发射极同氧化物隔离墙相接，使器件　

尺寸和寄生电容大大减小，与等平面工艺相比，等　

平面工艺ＩＩ的晶体管面积减小了４０　９／５以上。等平　

面工艺ｌＩ使晶体管结面积减小，采用全离子注入　

和浅结等工艺措施，对高速电路的设计非常有益。　

采用等平面工艺ＩＩ制造的晶体管的＾可达５０　

ＧＨｚ　

４　电路范例　

由于是半定制电路的一种，此模拟电路阵列在　

应用中非常方便。阵列的各基本单元的电参数是确　

定的，可以对各基本单元建立电路模拟的单元库，　

设计的电路可以通过ＰＳＰＩＣＥ来进行模拟、验证和　

修改。电路设计中器件参数值的调整是通过基本器　

件单元的串并联组合来实现的。例如电阻３＋ＲＡ　

的实现方法是２个ＲＡ电阻并联后在与３个ＲＡ　

电阻串联后形成。简单表示如下式：　

３　ＲＡ一（尺　∥尺　）十（尺　十尺　十ＲＡ）　

电路设计中的所有元器件均采用以上公式的方式　

进行结构描述，建立电路元器件与阵列模块一一对　

应的关系。一般情况下，通过验证的电路即可在模　

板电路的基础上制成专用电路。图２表示出电路图　

元器件与实现阵列电路的对照关系。　

图２　电路图元器件与阵列电路的对照关系　Ｆｉｇ．２　Ｒｅｌａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ　ｓｃｈｅｍａｔｉｃ　ｅｌｅｍｅｎｔ　

ａｎｄ　ａｒｒａｙ　ｍｏｄｕｌｅ　５　结束语　

模拟电路阵列的设计方式仍然是基于单元的　

设计方式，它将模拟电路中常用的单元进行划分和　

归类，通过对这些单元的精心设计和生产验证，形　

成模拟电路阵列半定制集成电路的单元库。借助于　

专用集成电路的设计工具，可进行ＡＳＩＣ的设计。　

参　考　文　献　

１　Ｓｍｉｔｈ　Ｍｉｃｈａｅｌ　Ｊ　Ｓ．Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ—ｓｐｅｃｉｆｉｃ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒ—　

ｃｕｉｔｓ，ＵＳＡ：Ａｄｄｉｔｉｏｎ　Ｗｅｓｌｅｙ　Ｌａｎｇｍａｎ，Ｉｎｅ．１　９９　７　２张开华．半导体集成电路．南京：东南大学出版社．１９９５　

３　陈锦秋，管彤古．孙人杰等．ＴＴＬ集成电路应用．北京：　

人民邮电出版社．１９８３　

４张建人．ＭＯＳ集成电路分析与设计基础．北京：电子工　业出版社．１９８７　

李冰（ＬＩ　Ｂｉｎｇ）男．１９６８年１０月出生．　

东南大学电子工程系在职博士研究生．讲　

师．从事集成电路芯片与系统设计研究工　

作，包括ＡＳＳＰ等ＡＳＩＣ电路芯片的设计，　

以及ＦＰＧＡ自重组结构研究。　

吴　金（ＷＵ　Ｊｉｎ）　男．１９６５年３月出生．　

东南大学微电子中心副教授，博士。目前　

主要研究方向为小尺寸半导体器件的并行　

数值模拟和集成电路、系统的设计和开发。　

魏同立（ＷＥＩ　ＴｏｎｇＬｉ）男．１９３４年生．东　

南大学微电子中心教授．博士生导师．目前　

主要从事深亚微米半导体器件物理研究和　

ＡＳＩＣ电路和系统的设计开发等工作。　

Ｐ　维普资讯 http://www.cqvip.com

合集下载

半导体集成电路设计 附录 术语表

半导体集成电路设计 附录 术语表

附录 术语表

A

 AC

交流电：在固定周期内，电流的大小或方向的变化(改变)。

 Acceptor--受主

通过在导带中减少电子的数量，形成”空穴”，从而形成P型半导体的杂质。这些”空穴”是正电荷的载流子。参见“施主”。

 ACD

自动呼叫(来电)分配(电信)

 ACIA

异步通信接口适配器

 酸度

溶液中氢离子的浓度水平。酸度用pH值表示。PH值是对数标度。酸度值大多从1(极高的酸度值)到14(极高的碱度值)。

 ACL

先进互补型金属氧化物半导体逻辑

 Active Component--有源组件

一种具有增益或开关电流的(非机械)电路组件，如二极管、晶体管等。

 A/D--模-数

模-数转换器

 ADC

模-数转换器

把取样的模拟信号转换成数字码的过程，表示最初抽样信号的幅度。

 ADSL

非对称数字用户线路

(机顶盒)

 AE

自动曝光

 AEL

机载曝光限制

 AES

俄歇电子谱仪  AF

1) 音频

2) 自动聚焦

 AFC

自动频率控制

 AFM

原子力显微镜

 AGC

自动增益控制

 AI

人工智能

 ALC

自动电平控制

 Aligne--光刻机定位器r

用于光刻的机器，根据硅芯片上提前刻的记号与掩模或模板对准。有四种定位器：接触式、临近效应、投影和步进机。

 Alignment-对准

调整掩模和芯片之间的位置。对准之后，当照射光通过掩模的透明区域时，芯片上对辐射敏感的光刻胶曝光。

 Alignment mark--对准标记

单个器件或电路中使几层光掩模对准的参考标志。

 ALSTTL

先进低功率肖特基晶体管-晶体管逻辑

一种功耗只有LSTTL一半的高速双极逻辑系列产品。

 Alloy-合金

1) 在半导体工艺中，合金工艺指加处理，用于改进硅衬底和互连金属的金相之间的相互作用。这一步骤可以改进欧姆接触。

IC设计面试笔试题目

IC设计面试笔试题目

IC设计面试笔试题目集合分类

笔试/面试题目集合分类--IC设计基础

1、我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路

相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念）。（仕兰微面试题目） 2、FPGA和ASIC的概念，他们的区别。（未知）

答案：FPGA是可编程ASIC。

ASIC:专用集成电路，它是面向专门用途的电路，专门为一个用户设计和制造的。根据一个用户的特定要求，能以低研制成本，短、交货周期供货的全定制，半定制集成电路。与门阵列等其它ASIC(Application Specific IC)相比，它们又具有设计开发周期短、设计制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点

模拟电路

1、基尔霍夫定理的内容是什么？（仕兰微电子）

2、平板电容公式(C=εS/4πkd)。（未知）

3、最基本的如三极管曲线特性。（未知）

4、描述反馈电路的概念，列举他们的应用。（仕兰微电子）

5、负反馈种类（电压并联反馈，电流串联反馈，电压串联反馈和电流并联反馈）；负反馈馈 的优点（降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用）（未知）

6、放大电路的频率补偿的目的是什么，有哪些方法？（仕兰微电子）

7、频率响应，如：怎么才算是稳定的，如何改变频响曲线的几个方法。（未知）

8、给出一个查分运放，如何相位补偿，并画补偿后的波特图。（凹凸）

9、基本放大电路种类（电压放大器，电流放大器，互导放大器和互阻放大器），优缺

点，特别是广泛采用差分结构的原因。（未知）

10、给出一差分电路，告诉其输出电压Y+和Y-,求共模分量和差模分量。（未知）

11、画差放的两个输入管。（凹凸）

12、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。并画出一个晶体管级的

EDA概述

EDA概述

第一章 EDA概述

1.1 EDA技术的涵义

一、 EDA技术的涵义

EDA（Electronic Design Automation）即电子设计自动化是指利用计算机完成电子系统的设计。

二、 EDA技术的分类

EDA技术分：广义的EDA技术 和 狭义的EDA技术

广义的EDA技术是指以计算机和微电子技术为先导， 汇集了计算机图形学、数据库管理、图论和拓扑逻辑、编译原理、 微电子工艺与结构学和计算数学等多种计算机应用学科最新成果的先进技术。

狭义的EDA技术是指以大规模可编程逻辑器件为载体，以硬件描述语言HDL为系统逻辑的主要表达方式，借助功能强大的计算机，在EDA工具软件平台上，对用HDL描述完成的设计文件，自动完成用软件方式设计的电子系统到硬件系统的逻辑编译、逻辑简化、逻辑分割、逻辑综合及优化、逻辑布局布线、逻辑仿真，直至对特定目标芯片的适配编译、逻辑映射、编程下载等工作，最终形成集成电子系统或专用集成芯片ASIC（Application Specific Integrated Circuits）的一门新技术。本书中提到的EDA技术指的是狭义的EDA技术。

1.2 EDA技术的发展历史

EDA技术的发展，大致经历了三个发展阶段：1.计算机辅助设计CAD

2.计算机辅助工程设计CAE 3.电子设计自动化EDA

1.3 EDA技术的基本特征 EDA技术的基本特征主要包括：1.EDA技术采用自顶向下的设计方法

2.EDA技术的设计语言是硬件描述语言

3.EDA技术具有逻辑综合和优化的功能4.EDA技术采用开放性和标准化的软件框架

1.4 EDA的主要内容

EDA技术主要这几方面的内容： 1．可编程逻辑器件

2．硬件描述语言

3．软件开发工具

1.可编程逻辑器件

可编程逻辑器件是一种由用户编程以实现某种逻辑功能的新型件。 可编程逻辑器件也称为可编程ASIC，它是EDA技术的物质基础。

IC 知 识 简 介

IC 知 识 简 介

IC 知 识 简 介

IC知识一

一、IC的分类

IC按功能可分为：数字IC、模拟IC、微波IC及其他IC，其中，数字IC是近年来应用最广、发展最快的IC品种。数字IC就是传递、加工、处理数字信号的IC，可分为通用数字IC和专用数字IC。

通用IC：是指那些用户多、使用领域广泛、标准型的电路，如存储器（DRAM）、微处理器（MPU）及微控制器（MCU）等，反映了数字IC的现状和水平。

专用IC（ASIC）：是指为特定的用户、某种专门或特别的用途而设计的电路。

目前，集成电路产品有以下几种设计、生产、销售模式。

1．IC制造商（IDM）自行设计，由自己的生产线加工、封装，测试后的成品芯片自行销售。

2．IC设计公司（Fabless）与标准工艺加工线（Foundry）相结合的方式。设计公司将所设计芯片最终的物理版图交给Foundry加工制造，同样，封装测试也委托专业厂家完成，最后的成品芯片作为IC设计公司的产品而自行销售。打个比方，Fabless相当于作者和出版商，而Foundry相当于印刷厂，起到产业"龙头"作用的应该是前者。

二、世界集成电路产业结构的变化及其发展历程

自1958年美国德克萨斯仪器公司(TI)发明集成电路（IC）后，随着硅平面技术的发展，二十世纪六十年代先后发明了双极型和MOS型两种重要的集成电路，它标志着由电子管和晶体管制造电子整机的时代发生了量和质的飞跃，创造了一个前所未有的具有极强渗透力和旺盛生命力的新兴产业集成电路产业。

回顾集成电路的发展历程，我们可以看到，自发明集成电路至今40多年以来，"从电路集成到系统集成"这句话是对IC产品从小规模集成电路（SSI）到今天特大规模集成电路（ULSI）发展过程的最好总结，即整个集成电路产品的发展经历了从传统的板上系统（System-on-board）到片上系统（System-on-a-chip）的过程。在这历史过程中，世界IC产业为适应技术的发展和市场的需求，其产业结构经历了三次变革。