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一、概述本报告旨在对超净高纯试剂、光刻胶及配套试剂技改扩能二期项目进行检测评估，以确保其生产过程符合国家相关标准和技术要求，保障产品质量和安全。
二、项目背景超净高纯试剂、光刻胶及配套试剂技改扩能二期项目旨在提升生产线的生产能力，扩大产量，并进行生产工艺的优化，提高产品质量和安全性。
三、检测方法根据国家相关标准和技术要求，本次检测主要采用以下方法：1.检测超净高纯试剂中的杂质含量和纯度，采用化学分析方法和仪器分析法。
2.检测光刻胶的重金属含量和挥发性有机物含量，采用光谱分析法和气相色谱法。
3.检测配套试剂的各项指标，包括纯度、离子含量、溶质残留量等，采用化学分析法和仪器分析法。
四、检测结果1.超净高纯试剂中的杂质含量和纯度在国家标准范围内，符合要求。
2.光刻胶的重金属含量和挥发性有机物含量在国家标准限制范围内，符合要求。
3.配套试剂的各项指标达到或超过国家标准要求，符合要求。
五、检测结论超净高纯试剂、光刻胶及配套试剂技改扩能二期项目的生产过程和产品质量符合国家相关标准和技术要求，达到了预期的效果。
产品安全性和稳定性得到有效保障，可以正常投入市场销售。
六、建议1.继续加强生产过程中的质量控制和管理，确保产品的一致性和稳定性。
2.建议对生产线进行定期维护和设备检修，及时解决设备故障和磨损问题，确保生产能力和质量稳定。
七、总结超净高纯试剂、光刻胶及配套试剂技改扩能二期项目的检测评估结果显示，项目的生产过程和产品质量符合国家相关标准和技术要求，产品安全性和稳定性得到有效保障。
建议在后续的生产中继续加强质量控制和设备维护管理，确保产品质量和生产能力的稳定。
161012050364建设项目竣工环境保护验收检测报告YYJC-BG-2019-09257委托单位：江阴江化微电子材料股份有限公司项目名称：年产8万吨超高纯湿电子化学品一超净高纯试剂、光刻胶及其配套试剂技改扩能项目江苏源远检测科技有限公司2019年9月27日项目名称：年产8万吨超高纯湿法电子化学品一一超净高纯试剂、光刻胶及其配套试剂技改扩能项目委托单位：江阴江化微电子材料股份有限公司承担检测单位：江苏源远检测科技有限公司报告编制人：复核：审核：签发：签发人职务：参加检测人员：洪杰、李柳、朱扬帆、李逸文、许鹏栋、周梦娇、戈逸、金榕、惠尤倩、蔡琦迪、许英姿、张莉、潘新琦等江苏源远检测科技有限公司电话：86885208传真：86885208邮编：214400地址：江阴市东外环路528号检测报告说明对本报告检测结果如有异议者，请于收到报告之日起十天内向本公司提出。
二、鉴定检测，系对新产品、新工艺、新材料等有关技术性能的检测。
验收检测，系对建设项目“三同时”和限期治理项目进行的检测。
四、委托检测，系受用户委托所进行的检测，其中送样委托检测，其检测结果，本公司仅对来样负责，检测结果供委托者了解样品品质之用。
五、本报告非经本公司同意，不得以任何方式复制。
经同意复制的复印件,应有我公司加盖公章予以确认。
江阴江化微电子材料股份有限公司年产8万吨超高纯湿法电子化学品——超净高纯试剂、光刻胶及其配套试剂技改扩能项目“三同时”环保竣工验收检测报告1、概述江阴江化微电子材料股份有限公司（以下简称“江化微公司”）是国内一流的集超高纯电子化学品一一超净高纯试剂、光刻胶及其配套试剂的研发、生产、销售为一体的龙头企业。
该公司原位于江阴市周庄镇山泉村，企业名称原为“江阴市江化微电子材料有限公司”，后于2012年12月更名为江阴江化微电子材料股份有限公司。
因江化微公司山泉村厂区离居民区较近并且没有发展空间，不利于企业长远发展，为适应市场需求和满足企业自身发展，公司于2010年初将原山泉村厂区整体搬迁至周庄镇周南工业集中区云顾路581号并对原有规模进行扩建，该搬迁扩建项目环评《江阴市江化微电子材料有限公司年产8万吨超高纯湿法电子化学品一一超净高纯试剂、光刻胶及其配套试剂技改扩能项目环境影响报告书》已于2010年12月31日通过环评审批（锡环管[2010]90 号）。
超净高纯试剂的开发与生产方案一、实施背景随着科技的快速发展，尤其是半导体、光伏、LED等新兴产业的崛起，对超净高纯试剂的需求迅速增长。
超净高纯试剂主要用于清洗、蚀刻、掺杂等工艺环节，对产品的纯度、洁净度要求极高。
目前，国内超净高纯试剂市场主要被国外企业垄断，进口依赖度高。
因此，从产业结构改革的角度出发，开发和生产超净高纯试剂具有重要意义。
二、工作原理超净高纯试剂的生产原理主要包括精馏、离子交换、吸附、膜分离等过程。
以精馏为例，通过加热、减压等操作，使试剂中的各组分在蒸馏塔中按沸点差异分离，从而达到提纯的目的。
离子交换则是利用离子交换树脂的选择性吸附特性，将溶液中的离子进行交换、分离。
吸附和膜分离则是利用吸附剂或膜的选择性透过特性，将杂质从溶液中去除。
三、实施计划步骤1. 市场调研：收集和分析国内外超净高纯试剂市场需求、竞争格局、技术发展趋势等信息。
2. 技术研发：开展超净高纯试剂生产工艺研究，优化生产流程，提高产品质量和收率。
3. 设备选购：根据生产工艺要求，选购合适的生产设备，如精馏塔、离子交换柱、吸附剂等。
4. 生产线建设：在合适的场地建设超净高纯试剂生产线，包括原料储存、预处理、精馏、离子交换、吸附、膜分离、后处理等环节。
5. 人员培训：对生产线操作人员进行专业培训，确保他们掌握正确的操作技能和质量意识。
6. 试生产：在生产线完成后，进行试生产，检测产品质量，调整工艺参数。
7. 正式生产：在试生产成功后，正式投入生产，不断优化生产工艺和提高产品质量。
8. 市场营销：开展市场营销活动，扩大产品销售渠道，提高品牌知名度。
四、适用范围本方案适用于半导体、光伏、LED等新兴产业中对超净高纯试剂有需求的企业。
这些企业在生产过程中需要使用大量的超净高纯试剂，如氢氟酸、硝酸、硫酸、盐酸等。
五、创新要点1. 采用先进的生产工艺和设备，提高产品质量和收率。
2. 通过精细化管理，降低生产成本和能源消耗。
3. 加强研发能力，不断优化生产工艺和提高产品质量。
超纯化学试剂产品知识普及超纯化学试剂是指通过一系列精细加工和纯化过程，使其中的杂质含量大大降低的化学试剂。
它的制备过程通常涉及多次重结晶、去离子、蒸馏、过滤等工艺步骤，使得试剂的纯度更高、杂质更少。
超纯化学试剂的纯度可以达到99.999%以上，甚至可以达到无法用现有测试手段检测出杂质的极高纯度。
1.超纯酸超纯酸广泛用于实验室中的化学分析和合成反应。
常见的超纯酸有超纯盐酸、超纯硝酸、超纯硫酸等。
它们纯度高，杂质含量低，适用于高精度的实验和反应控制。
2.超纯溶剂超纯溶剂是在溶剂中除去杂质的多次纯化过程后得到的。
常见的超纯溶剂有超纯乙醇、超纯甲苯、超纯氯仿等。
它们纯度高，杂质含量低，适用于高灵敏的分析仪器和实验操作。
3.超纯金属超纯金属是通过冶炼和多次纯化过程得到的高纯度金属。
常见的超纯金属有超纯铝、超纯铜、超纯锌等。
它们具有高纯度、低杂质含量的特点，广泛应用于电子工业、光学仪器等领域。
4.超纯缓冲液超纯缓冲液是通过精细调配和纯化过程得到的，用于调节溶液的酸碱性和稳定性。
常见的超纯缓冲液有超纯磷酸盐缓冲液、超纯醋酸缓冲液、超纯氢氧化钠缓冲液等。
它们纯度高，杂质含量低，适用于各种生化实验和分析应用。
5.其他超纯化学试剂除了上述常见的超纯化学试剂，还有一些特殊用途的超纯试剂，如超纯试剂级水、超纯梯度离心试剂、超纯染料等。
它们在特定的实验、分析和工艺应用中起着重要的作用。
总结起来，超纯化学试剂的重要性在于它们具有高纯度、低杂质含量的特点，可以确保实验和分析结果的准确性和可靠性。
在科学研究和工业生产中，选择适合的超纯化学试剂对实验的成功和产品的质量至关重要。
超净高纯电子化学试剂_异丙醇制备方法异丙醇是一种重要的有机化合物，在化工领域有广泛的应用。
下面将介绍一种超净高纯异丙醇的制备方法。
超净高纯异丙醇制备方法如下：1.原料准备：异丙醛是制备异丙醇的重要原料，通常以工业级异丙醛为起始物质。
首先需要对工业级异丙醛进行超净化处理，以提高产品的纯度。
2.超净化处理：超净化处理是异丙醇制备中的重要步骤。
超净化处理的主要目的是除去异丙醛中的杂质和不纯物质，以获得高纯度的异丙醛。
超净化处理可以采用物理方法和化学方法相结合的方式进行。
物理方法包括蒸馏、吸附和结晶等，化学方法包括酸碱中和反应、热分解反应等。
3.异丙醛醇化反应：将超净化后的异丙醛进行醇化反应，得到异丙醇。
醇化反应通常采用催化剂促进反应的进行。
常见的催化剂有酸性催化剂和碱性催化剂。
酸性催化剂可以选择硫酸、磷酸等，碱性催化剂可以选择氢氧化钠、氢氧化钾等。
4.分离纯化：异丙醇醇化反应后，还会伴随一些副产物和杂质的生成，需要进行分离纯化。
分离纯化可以采用蒸馏、结晶、吸附等方法，通过不同组分的沸点、溶解度和吸附性质等差异来实现。
5.超净化处理：分离纯化后的异丙醇仍然可能含有一些不纯物质和杂质，因此需要进行再次超净化处理，以获得超净高纯度的异丙醇。
6.包装存储：经过超净高纯异丙醇制备过程后，将产物进行包装并储存。
包装要求严格，使用特定的容器存放，避免与空气、水分等有害物质接触，以保持产品的高纯度。
通过上述方法，可以获得超净高纯异丙醇。
在具体操作过程中，需要严格控制反应条件、催化剂的种类和用量，以及分离纯化过程中的温度、压力等参数，从而获得高纯度的异丙醇产品。
2024年超净高纯试剂市场前景分析摘要本文主要对超净高纯试剂市场进行前景分析。
首先介绍了超净高纯试剂的定义和分类，然后对市场规模和增长趋势进行了分析。
接下来，从产业链和竞争格局两个方面深入探讨了市场的发展潜力和机遇。
最后，对市场面临的挑战进行了分析，并提出了未来发展的建议。
1. 引言超净高纯试剂是在实验室和工业生产中广泛使用的一类化学试剂，具有极高的纯度和低的杂质含量。
它在科学研究、药物研发、电子工业等领域有着广泛的应用。
随着科技的不断进步和相关产业的发展，超净高纯试剂市场也呈现出快速增长的态势。
2. 市场规模和增长趋势根据市场调研数据显示，超净高纯试剂市场规模在过去几年中呈现持续增长的趋势。
这主要得益于科技发展的推动，以及相关领域的需求增加。
预计未来几年，超净高纯试剂市场将继续保持稳定的增长，市场规模有望进一步扩大。
3. 产业链和竞争格局超净高纯试剂市场的产业链包括原材料供应商、生产商、分销商和最终用户。
各环节间的合作和协同发展对市场的健康发展起到至关重要的作用。
目前，市场上的竞争格局主要由大型国际化企业和国内化工企业构成。
大型企业凭借其品牌影响力、技术实力和市场资源优势，占据较大市场份额。
然而，国内企业在技术创新和成本优势方面具备一定竞争力。
4. 市场发展潜力和机遇超净高纯试剂市场发展的潜力和机遇主要体现在以下几个方面：•科学研究领域的不断推进，对高质量超净高纯试剂的需求增加；•电子工业的迅猛发展，对超净高纯试剂的需求增加；•生物医药行业的快速发展，对超净高纯试剂的需求增加。
市场参与者可以通过不断提高产品质量、加大技术研发投入，以及拓展市场渠道等方式，抓住市场发展潜力和机遇。
此外，加强与科研机构、高校和企业的合作，积极参与国际合作，也是发展的重要途径。
5. 市场面临的挑战超净高纯试剂市场在发展过程中也面临一些挑战。
首先，市场竞争激烈，企业需要不断提升自身竞争力。
其次，市场准入门槛较高，对资金、技术和人才等方面的要求较高。
2023年超净高纯试剂行业市场发展现状随着科技不断发展，各行各业的发展也在迅猛发展，而高端制备技术更是成为众多领域关注的重点之一。
在这其中，超净高纯试剂的市场发展也受到了越来越多的关注。
本文将介绍超净高纯试剂行业市场发展现状。
一、行业市场概览超净高纯试剂市场在化学、生物、医药、环保等多个领域具有广泛的应用。
随着制药、生物技术、半导体和电子工业的不断发展，超净高纯试剂这一产品需求也有了快速增长。
据统计，在2019年，全球超净高纯试剂市场规模已超过120亿美元。
在亚太地区和欧洲等地区，市场规模也在不断扩大，其中中国市场也是超净高纯试剂的主要消费市场之一。
二、行业市场发展状况1.市场需求增长迅速随着化学、生物、医药、环保等领域的不断发展，超净高纯试剂的需求量快速增长。
此外，科研机构的不断发展以及各种研究项目的推进，也为超净高纯试剂的需求提供了更加广泛的空间。
2. 行业市场竞争激烈随着市场规模的扩大，越来越多的企业加入了超净高纯试剂市场的竞争中。
在国内市场中，陕西、河南等地企业占据着一定的市场份额，但是经济实力较弱，缺乏核心技术的企业往往处于劣势。
3. 科技创新推动行业发展由于超净高纯试剂的制备技术要求极高，因此科技创新成为推动行业发展的重要因素。
各大企业不断加强技术研发，以提升产品质量和稳定性，进一步加强市场竞争力。
4. 国家政策鼓励行业发展当前的政策环境也在为超净高纯试剂市场的发展提供积极的支持和推动。
在质量监管、技术创新和市场开发等方面，政策不断推动行业发展，并为企业提供了更多的机会。
三、市场前景分析1. 市场规模持续扩大随着化学、生物、医药、环保等领域的不断发展，超净高纯试剂的需求量还将继续增长。
预计到2025年，全球超净高纯试剂市场规模将达到210亿美元以上。
2. 传统产业转型升级在激烈的市场竞争中，企业需要强化技术研发，加强质量控制，提高产品附加值。
此外，随着国家环保政策和工业转型升级的推进，超净高纯试剂产业将朝着绿色、环保的方向发展。
超净高纯试剂的现状、应用、制备及配套技术1 微电子技术的发展微电子技术主要是指用于半导体器件和集成电路(IC)微细加工制作的一系列蚀刻和处理技术,其中集成电路,特别是大规模及超大规模集成电路的微细加工技术又是微电子技术的核心,是电子信息产业最关键、最为重要的基础。
微电子技术发展的主要途径之一是通过不断缩小器件的特征尺寸,增加芯片的面积,以提高集成度和速度。
自20世纪70年代后期至今,集成电路芯片的发展基本上遵循GordonEM预言的摩尔定律,即每隔1.5年集成度增加1倍,芯片的特征尺寸每3年缩小2倍,芯片面积增加约1.5倍,芯片中晶体管数增加约4倍,也就是说大体上每3年就有一代新的IC产品问世。
在国际上,1958年美国首先研制成功集成电路开始,尤其是20世纪70年代以来,集成电路微细加工技术进入快速发展的时期,这期间相继推出了4、16、256K;1、4、16、256M;1、1.3、1. 4G的动态存贮器。
进入20世纪90年代后期,IC的发展更迅速,竞争更激烈。
美国的Intel公司、AMD公司和日本的NEC公司这3个IC生产厂家的竞争尤为激烈,1999年Intel公司、AMD公司均实现了0.25Lm技术的生产化,紧接着Intel公司在1999年底又实现了0.18Lm技术的生产化,AMD公司也在紧追不舍。
到2001年上半年,Intel公司实现了0.13Lm技术的生产化,而到2001年的2季度末,日本的NEC公司宣布突破了0.1Lm工艺技术的难关,率先成功研发出0.095Lm的半导体工艺技术,现已开始接受全球各地厂商的订货,并将于2001年的11月开始批量生产。
因此,专家们认为世界半导体工艺技术的发展将会加速,半导体制造厂商将会以更先进的技术加快升级换代以适应新的市场要求。
我国集成电路的研制开发始于1965年,与日本同时起步,比韩国早10年。
现在我国已经有了从双极(5Lm)到CMOS、从2~3Lm到0.8~1.2Lm及0.35~0.5Lm工艺技术,并形成了规模生产, 0.25Lm工艺技术生产线目前正在北京和上海同时建设,预计到2002年即可投产。
“十五”期间及到2010年北京建设的北方微电子基地将建成20条0.35、0.25和0.18Lm工艺技术生产线,上海在浦东将建成大约40条0.35、0.25及0.18Lm工艺技术生产线,深圳也将建设多条超超大规模集成电路生产线。
随着芯片制造技术向亚微米发展,出现了产品“多代同堂”的局面,以满足不同用途的需要。
可说在生产技术方面我国几乎已经与国际先进水平同步,但在研发方面,我国与国际先进水平还有较大的差距。
2 超净高纯试剂的现状超净高纯试剂(国际上称为ProcessChemi-cals)是超大规模集成电路制作过程中的关键性基础化工材料之一,主要用于芯片的清洗和腐蚀,它的纯度和洁净度对集成电路的成品率、电性能及可靠性都有着十分重要的影响。
超净高纯试剂具有品种多、用量大、技术要求高、贮存有效期短和强腐蚀性等特点。
随着IC存储容量的逐渐增大,存储器电池的蓄电量需要尽可能的增大,因此氧化膜变得更薄,而超净高纯试剂中的碱金属杂质(Na、Ca等)会溶进氧化膜中,从而导致耐绝缘电压下降;若重金属杂质(Cu、Fe、Cr、Ag等)附着在硅晶片的表面上,会使P-N结耐电压降低。
杂质分子或离子的附着又是造成腐蚀或漏电等化学故障的主要原因。
因此,随着微电子技术的飞速发展,对超净高纯试剂的要求也越来越高,不同级别超净高纯剂中的金属杂质和颗粒的含量要求各不相同,而配套于不同线宽的IC工艺技术。
超净高纯试与IC发展的关系见表1。
国外20世纪60年代便开始生产电子工业用试剂,并为微细加工技术的发展而不断开发新的产品。
到目前为止,在国际上以德国E.Merck公司的产量及所占市场份额为最大,其次为美国Ashland、Olin公司及日本的关东株式会社,另外还有美国的MallinckradtBaker 公司、英国的B.D.H.公司、前全苏化学试剂和高纯物质研究所、三菱瓦斯化学、伊期曼化学公司、AlliedSig-nal公司、Chemtech公司、PVS化学品公司、日本化学工业公司及德山公司等。
近年来,新加坡、台湾地区也相继建立了5000~10000t级的超净高纯试剂生产基地。
由于世界超净高纯试剂市场的不断扩大,从事超净高纯试剂研究与生产的厂家及机构也在增多,生产规模不断扩大,但各生产厂家所生产的超净高纯试剂的标准各不相同。
为了能够规范世界超净高纯试剂的标准,国际半导体设备与材料组织(SEMI)于1975年成立了SEMI化学试剂标准委员会,专门制定超净高纯试剂的国际标准。
目前国际SEMI标准化组织将超净高纯试剂按应用范围分为4个等级:(1)SEMI-C1标准(适用于>1.2Lm IC工艺技术的制作);(2)SEM I-C7标准(适用0.8~1.2Lm IC工艺技术的制作);(3)SEMI-C8标准(适用于0.2~0.6Lm IC工艺技术的制作);(4)SEMI-C12标准(适用于0.09~0.2Lm IC工艺技术的制作)。
我国超净高纯试剂的研制起步于20世纪70年代中期,1980年由北京化学试剂研究所(以下简称试剂所)在国内率先研制成功适合中小规模集成电路5Lm技术用的22种MOS级试剂。
随着集成电路集成度的不断提高,对超净高纯试剂中的可溶性杂质和固体颗粒的控制越来越严,同时对生产环境、包装方式及包装材质等提出了更高的要求。
为了满足我国集成电路发展的需求,国家自“六五”开始至“八五”,将超净高纯试剂的研究开发列入了重点科技攻关计划,并由试剂所承担攻关任务。
到目前为止,试剂所已相继推出了BV-Ⅰ级、BV-Ⅱ级和BV-Ⅲ级超净高纯试剂,其中BV-Ⅲ级超净高纯试剂达到国际SEMI-C7标准的水平,适用于0.8~1.2Lm工艺技术(1~4M)的加工制作,并在“九五”末期形成了500t年的中试规模。
目前试剂所正在进行用于0.2~0.6Lm工艺技术的BV-Ⅳ级超净高纯试剂的研究开发。
3 超净高纯试剂的应用3.1 湿法清洗超净高纯试剂的主要用途,一是用于基片在涂胶前的湿法清洗,二是用于在光刻过程中的蚀刻及最终的去胶,三是用于硅片本身制作过程中的清洗。
硅圆片在进行工艺加工过程中,常常会被不同的杂质所沾污,这些杂质的沾污将导致IC的产率下降大约50%。
为了获得高质量、高产率的集成电路芯片,必须将这些沾污物去除干净。
有关沾污类型、来源和常用清洗试剂见表2。
3.2 湿法蚀刻湿法蚀刻是指借助于化学反应从硅圆片的表面去除固体物质的过程。
它可发生在全部硅圆片表面或局部未被掩膜保护的表面上,其结果是导致固体表面全部或局部的溶解。
湿法蚀刻依蚀刻对象的不同可分为绝缘膜、半导体膜、导体膜及有机材料等多种蚀刻。
3.2.1 绝缘膜的蚀刻绝缘膜蚀刻包括图形化二氧化硅(SiO2)膜的蚀刻和氮化硅(Si3N4)膜蚀刻。
其中图形化二氧化硅膜采用缓冲氢氟酸蚀刻液(BHF)进行蚀刻,其目的是为了保护光刻掩膜和掩膜下的绝缘层。
氮化硅膜在室温下用氢氟酸或磷酸进行蚀刻。
3.2.2 半导体膜蚀刻主要是指单晶硅和多晶硅的蚀刻,通常采用混合酸蚀刻液进行蚀刻。
3.2.3 导体膜蚀刻在Si材料集成电路中,金属导线常采用Al、Al-Si合金膜,湿法蚀刻图形化后Al和Al-Si金属膜常采用磷酸蚀刻液进行蚀刻。
3.2.4 有机材料蚀刻主要是指光刻胶在经过显影和图形转移后的去胶。
常用的正胶显影液有四甲基氢氧化铵,去胶剂可采用热的过氧化氢-硫酸氧化去胶或采用厂家提供的专用去胶剂或剥离液来去除胶膜。
4 超净高纯试剂的制备及配套处理技术4.1 工艺制备技术超净高纯试剂的生产,其关键是针对不同产品的不同特性而应采取何种提纯技术。
目前国内外制备超净高纯试剂的常用提纯技术主要有精馏、蒸馏、亚沸蒸馏、等温蒸馏、减压蒸馏、低温蒸馏、升华、气体吸收、化学处理、树脂交换、膜处理等技术,这些提纯技术各有特性,各有所长。
不同的提纯技术适应于不同产品的提纯工艺,有的提纯技术如亚沸蒸馏技术只能用于制备量少的产品,而有的提纯技术如气体吸收技术可以用于大规模的生产。
4.2 颗粒分析测试技术随着IC制作技术的不断发展,对超净高纯试剂中的颗粒要求越来越严,所需控制的粒径越来越小,从5Lm到1、0.5、0.2Lm及到目前的0.1Lm,因此对颗粒的分析测试技术提出了更高的要求。
颗粒的测试技术从早期的显微镜法、库尔特法、光阻挡法发展到目前的激光光散射法。
进入20世纪90年代,为了能够尽快地反映IC工艺过程中颗粒的真实变化,把原来的离线分析(取样在实验室分析)逐步过渡到在线分析。
这就要求在技术上解决样品中夹带气泡的干扰问题,因为任何气泡在检测器内均可被当做颗粒而记录下来。
气泡主要来源于样品中所溶解的气体、振荡或搅拌产生的气泡、温度高使样品挥发产生的气泡及管线不严而引起的气泡等。
目前在线测定采用间断在线取样,在加压状态进样,进行颗粒测定,较好地解决了气泡的干扰问题。
颗粒在线检测传感器采用了固态激光二极管技术,因而可设计得很小、很轻,又坚固耐用,并可密封在线布置,仪器对超净水和超净高纯试剂的检出限可达0.1Lm。
传感器的电学系统采用低压直流电源,因而能在潮湿和易燃环境中进行颗粒测定。
激光光散射型颗粒计数器的作用就是测量单个粒子通过狭窄的光束时所散发出来的散射光的强度,其工作原理如图1所示。
4.3 金属杂质分析测试技术随着IC技术的不断发展,对金属及非金属杂质含量的要求越来越高,从原来控制的ppm级, 发展到超大规模集成电路控制的ppb级及到极大规模集成电路的ppt级。
而在分析测试手段上,原有的手段不断被淘汰,新的手段不断被推出。
目前常用的痕量元素的分析测试方法主要有发射光谱法、原子吸收分光光度法、火焰发射光谱法、石墨炉原子吸收光谱、等离子发射光谱法(ICP)、电感耦合等离子体-质谱(ICP-MS)法等。
随着IC技术向亚微米及深亚微米方向的发展,ICP-MS法将成为金属杂质分析测试的主要手段。
4.4 非金属杂质分析测试技术非金属杂质的分析测试主要是指阴离子的测试,最为常用的方法就是离子色谱法。
离子色谱法是根据离子交换的原理,由于被测阴离子水合离子半径和所带电荷不同,在阴离子交换树脂上造成分配系数不同,使阴离子在分离柱上得到分离,然后经过抑制柱去除洗脱液的导电性,采用电导检测器测定Cl-、NO3-、SO42-、PO43-等离子。
4.5 高纯水技术超净高纯试剂的制备离不开超纯水,它既直接用于超净高纯试剂的生产,又用于包装容器的超净清洗,其质量的好坏直接决定着超净高纯试剂产品的质量。
同时,超纯水又是最纯、最廉价的清洗剂,就当今的水处理技术而言,已可将水提纯至接近理论纯水,电阻率可达18.25M·8·c m(25℃)。
