IR1150原理

  • 格式:doc
  • 大小:16.50 KB
  • 文档页数:2

单周期控制技术是一种大信号非线形控制技术,这技术利用了开关转换器的脉冲的和非线性属性并能达到对斩波电压或电流的平均值的瞬态的控制.这项技术提供了很快的动态响应速度并且能够有效地抵制输入电压扰动.
其实One Cycle Control是一种技术,由马可悦提出的,IR1150S是OCC,应用于BOOST 拓扑的PFC一个芯片,IR也买断了OCC在BOOST PFC的应用专利.除了成本比较低外,主要:单周期控制是一种不需要乘法器的新颖控制方法,它同时具有调制和控制的双重性,该
技术的突出特点是:无论是稳态还是暂态,它都能保持受控量的平均值恰好等于或正比于控制参考信号,具有动态响应快、开关频率恒定、鲁棒性强、易于实现等优点.
如果要了解OCC,不妨找找keyue Ma和cuk的论文,很多的.早期的多数应用于DCDC当中.
我做过400W的实验,没有大的问题,只是负载变动大时,电流就不稳,输入交流过高时,电流波形压平,且渐渐断续.请高人指点!
输入电压过高,调制比变大,在电流波形中的DCM导通角在满功率时会增加,引起振荡.这个是机理决定的.要么把VO增加,否则需要补偿.
在输出电阻变小时,相当于将功率增大,而实际400V输出,设计400W的,现在带360欧姆的电阻,输入是85-260VAC.现在输入到120AC时,波形就振荡了,而且电流尖蜂特大,烦请KEN21CN等高手指教
可能是连续模式的稳定条件的问题,输入增大后使得条件逐步小于1/2,你可以把频率提高,或者电感加大,减流电阻减小的方向调整.
上面JAYSHI兄的波形我以前也出现过,电感大点会好些,负载阻值大也好些,但我想是不是电流取样电阻大了啊,调压器响是因为你的电流尖峰太大,请KEN21CN指教,还有就是MOS管只加电感有什么作用呢
CCM模式有个稳定条件:Lf/Rs + duty>1/2
显然,L增大,f增大以及Rs的减小会更容易大于1/2,不过Rs不能搞的太小,否则Isense 取样太小,干扰严重.如果能取的接近1V,比较容易检测.
我不知道Rs的计算是用了什么公式,请按AN-1077上的算,由于RS在这个地方直接是表示了IL的,它的波形对单周期的影响是严重的.如果IL不等于Isense了,那波形就完了.
请问ken21cn,我在用1150调试的过程中,电流采样电压有很高的正脉冲,我已经选取了寄生电感很小的采样电阻,请问这是什么原因引起的?如何解决?在带载200w左右时输出电压很好,但当我增加到300w时,输出电压就下降,感值是1.2mH
在低压时是情况最恶劣的时候,电流容易畸变.缓冲电路理论当然有设计过程,而实际中却不是很管用,建议先选个101的电容,然后选几百欧的电阻不断试.你改变一下负载看看波形变化
jurda,你好,我现在正在研究无桥PFC,控制芯片采用IR1150,我有几个问题想请教你:
1.你做的300W无桥PFC在低压100AC时,效率最高达到多少?
2.你用无桥设计的PFC部分最终有没有导入产品,因为我听说,无桥PFC的EMI问题很严重,不知这位仁兄有没有遇到此种情况?
3.做无桥用的两个MOS管,在AC输入的正半周,一个工作的开关状态,另一个工作在整流状态,在负半周时,两者的功能交换;为了降低损耗,我希望让做整流用的MOS一直导通,不让其体二极管参与工作,因此我要检测AC输入的正负半周,我初步设想是用精密半波整流电路去检测,不知这样会不会有其他问题出现?也请你帮忙给分析一下如何进行交流输入电压的检测?
等待回复,谢谢!
你的问题我均有做过.
效率最高时候为97%稍微多点.
无桥的EMI问题相当严重.不过现在有尝试在前边加入两个二极管连接母线.这样效率基本不变,EMI与普通BOOST一样.不过一直没有使用到实际产品.
对于反向流过MOSFET的电流是如何分配是比较有意思的.当Rds上电压没有达到体二极管的倒通压降的时候就只从Rds走.之后就两者均有.所以你无法控制电流都从Rds上走.而且这样的效率提升不会找过0.1个点.所以没有意义.。