光耦A3150

1500V直流开关柜技术规格书一技术条件1工程概况2环境条件因素。

3采用标准设备的制造、试验和验收除了满足本用户需求书的要求外，还应符合如下标准：1)GB/T10411《城市轨道交通直流牵引供电系统》2)EN50123-1《概述》3)EN50123-2《直流断路器》4)EN50123-3《户内直流隔离开关、负荷开关和接地开关》5)EN50123-6《直流成套开关设备》6)EN50123-7《直流牵引系统测量、控制与保护》7)EN50124-1《铁路应用-绝缘配合-部分1：对绝缘和爬距的基本要求》8)IEC60077《电力牵引设备》9)IEC60439《低压开关设备和控制设备组件》10)GB/T17950《半导体变流器》11)GB/T14048《低压开关设备和控制设备》12)GB/T14598《电气继电器》13)GB7261《继电器及继电保护装置基本试验方法》14)GB6162《静态继电器及保护装置的电气干扰试验》所采用的标准均应为项目执行时的最新有效版本，如果这些标准有矛盾时，按高标准的条款执行或按双方商定的标准执行。

若投标人采用除上述之外的其它被承认的相关国内、国际标准，应明确提出并提供相应标准复印件，经招标人批准后方可采用。

4系统参数系统额定电压：DC1500V系统最高电压：DC1800V系统最低电压：DC1000V系统近端短路电流：90kA5技术要求及性能本次招标范围包括金属封闭式1500V直流开关柜和钢轨电位限制装置。

1500V直流开关柜又包括馈线柜、进线柜(也称正极柜)、联跳柜（如果有）、负极柜等四种类型。

开关柜由若干单体设备、标准化单元组成，装配后开关柜的整体技术性能应满足如下要求。

5.1一般要求5.1.1一次回路1500V直流开关柜为户内型开关柜，具有标准防护等级的金属封闭式结构，由一系列标准化单元组成，标准化单元根据设计要求组合成不同的基本小室。

在这些标准化单元中设有操作设备、控制元件、测量元件、保护元件、母排、电源和辅助连接等（除完成当地控制、测量保护功能所需的必要元件外，还装有为实现远方监控所必需的各种转换开关、数据传输所必需的接口设备）。

飞兆半导体提供FOD3120 和 FOD3150 输出电流分别为 2.5A 和 1.0A 的门极驱动光耦，能够驱动 1200V/20A 的 IGBT 和MOSFET ，适用于太阳能逆变器、电动机驱动以及感应加热等应用场合。

这两种光耦具有同类产品中最好的共模抑制能力，使产品具有更好的抗干扰性能。

由于 FOD3120 和 FOD3150 的脉宽失真度非常小 (100ns)，可以使滤波器尺寸减小，并提高功效，而且能够承受 1414V 的峰值工作电压，适应 1200V IGBT 的开关动作。

这些 MOSFET/IGBT 门极驱动光耦充实了飞兆半导体分立功率 MOSFET 和 IGBT 产品系列，为飞兆客户提供了一站式采购服务。

这联合解决方案在一次回路与二次回路之间提供了 mW 到 kW 的电气隔离。

特征和优势• 宽工作电压范围：15V 到 30V • 高输出电流能力： • FOD3120 – 2.5A • FOD3150 – 1.0A• 5000V 隔离电压等级• 1414V （峰值）工作电压 (UIORM)• 高共模抑制能力：• FOD3120 – 35,000 V/µs 最小值 • FOD3150 – 20,000 V/µs 最小值• 低电源电流 (I CCH , I CCL )• FOD3120 – 3.8mA 最大值 • FOD3150 – 5mA 最大值• 大于 8mm 的爬电距离和电气间隙• 引线间距选项 ‘TV’，表示通孔，DIP 封装• 引线间距选项 ‘TSV’，表示表面贴装，DIP 封装Saving our world, 1mW at a time ™应用领域太阳能逆变器• 电动机传动• 感应烹饪• CC 0201EEANODE CATHODE 12348765商标、服务标志和注册商标属于飞兆半导体或其各自所有者。

关于飞兆半导体商标及相关资料清单，请参阅：/legalLit. No. 100010-001SC © 2008 飞兆半导体，版权所有。

科技有限公司年月日年月日年月日文件编号RIMG06/04 版次 2.0 制定部门Easepal资信处制定日期2004年5月25日K3系统物料编码原则一. 电子电器类编码01 电阻编号（碳膜电阻，金属膜电阻，氧化膜电阻，水泥电阻, 贴片电阻）(Resistance)表A：电阻类型表B：管脚类型碳膜电阻用“CF”表示金属膜电阻用“MF”表示用“B”表示氧化膜电阻用“OF”表示水泥电阻用“WF”表示贴片电阻用“RS”表示压敏电阻用“FR”表示排阻用“PR”表示热敏电阻“PC”表示表C：功率表示A→1/6W (1/8W) E→2WB→1/4W F→3WC→1/2 W G→5WD→1W H→10W表D：读数表示读数采用倍乘法（10-1~10R倍乘法）如：4.7K→472表E：表示误差F---1% J----5% K----10% M----20%表F：贴片电阻封装方式1→0805（2MM）3→20102→12064→2512科技有限公司年月日年月日年月日文件编号RIMG06/04 版次 2.0 制定部门Easepal资信处制定日期2004年5月25日1.01.01. M F 104F B B- 00表示流水号表示管脚类型，如表B表示1/4W，如表C表示100K 如表D，F表示误差为1%,如表EMF金属膜电阻，如表A用“01”表示电阻类例2：(贴片电阻编码方式)1.01.01. RS 104J A 1- 00表示流水号表示封装方式（0805封装），如表F,表示1/6W(或贴片1/8W)，如表C表示100K 如表D，J表示误差为5%如表E表示贴片电阻，如表A用“01”表示电阻类例3: 压敏电阻编码1.01.01. FR 431 000- 0000表示流水号000表示规格预留位431表示型号FR表示压敏电阻，如表A用“01”表示电阻类例4: 排阻编码1.01.01. PR 472 000- 0000表示流水号000表示规格预留位472表示规格4.7KPR表示排阻，如表A用“01”表示电阻类科技有限公司年月日年月日年月日文件编号RIMG06/04 版次 2.0 制定部门Easepal资信处制定日期2004年5月25日02电容类编号表A(电容类型,用字母表示)A→铝电解电容G→聚酯电容B→独石电容P→钽电容C→瓷片电容S→贴片电容D→涤纶电容(薄膜电容)E→电解电容F→(盒式)薄膜电容表B：读数表示用倍乘法表示，以“PF”为基本单位1UF=106PF (例: 0.1UF=0.1*106PF=100000PF=104)表D: 误差表示J-----5% K-----10% M-----20% Z------ +80% -20%表E: 电容体积代码(误差为±5%)代码体积代码体积代码体积01 4*5068*71112.5*20024*7/807 8*11/1212 10*1303 5*11/1208 8*1513 10*1604 6*809 10*20/2114 12/13*2505 6*11/1210 16*25表F :用“A”表示轴向科技有限公司年月日年月日年月日文件编号RIMG06/04 版次 2.0 制定部门Easepal资信处制定日期2004年5月25日1.01.02.E 107M A 07- 0000表示流水号07表示体积8*12,如表EA表示引脚类型(轴向)，如表FM表示误差为20%,如表D107表示容量100UF,如表B.E表示电解电容，如表A用“02”表示电容类编码例2: (瓷片电容,高压瓷片,绦沦电容,独石电容, (金属聚脂)薄膜电容, 安规电容编码方式)1.01.02.C 104K A 00- 00表示流水号表示预留位A表示引脚类型(轴向)，如表FK表示误差为10%, 如表D104表示容量0.1UF, 如表BC表示瓷片电容，如表A用“02”表示电容类编码例3: (贴片电容编码)1.01.02.S 106K A 10- 0000表示流水号1表示0805贴片封装,0表示流水号A表示引脚类型(轴向)，如表FK表示误差为10%如表D106表示容量10UF如表BS表示贴片电容，如表A用“02”表示电容类编码03. 电位器编码(RHeostat)1.01.03. RH B5K 000-0000表示流水号.000预留号.B5K,表示规格(1.01.03.RHB100K0-00, 为B100K电位器编码)RH表示电位器代码用“03”表示电位器类科技有限公司年月日年月日年月日文件编号RIMG06/04 版次 2.0 制定部门Easepal资信处制定日期2004年5月25日表A: （稳压管，发光二极管，整流二极管，触发二极管代码）R----稳压二极管Z—整流二极管D---贴片发光二极管T---触发二极管L---发光二极管S---贴片二极管表B：二极管功率代码用：1表示1/2W 2表示1W例1: 整流管编码1.01.04. Z 1N4148 0-101表示功率1/2W, 如表B. 0表示预留号.表示规格, 0表示预留位Z表示整流二极管, 如表A用“04”表示二极管类例2:稳压二极管编号(R e g u l a t o r D i o d e)1.01.04.R5V6L000-202表示功率为1W，如表B. 0为流水号。