四探针测试仪安全操作规程

四探针测试仪操作规程SDY-4 型四探针测试仪是根据单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国ASTM标准而设计的，专用于测试半导体材料电阻率及方块电阻（薄层电阻）的专用仪器。

1.接上电源，开启主机，此时“R”和“I”指示灯亮。

预热约5分钟。

□2.检查工作条件：工作温度23±2℃，相对湿度为65%，满足以上条件方可进行下面操作。

3.根据硅片的直径厚度以及探针的修正系数，计算出所测硅片和标准样片的电流值。

4.取下测头保护罩，用酒精棉球擦拭测头及工作平台。

5.根据每个合同所要求电阻率值的范围，按说明书下表选择电流量程。

电阻率（Ω·cm）电流量程（mA）< 0.06 1000.03~0.6 100.3~60 1>30 0.16.用标准样片对测试仪进行校正，在硅片中心处至少检测3点，其平均值和标准样片电阻值进行比较，差值在1.5%之内，即可进行检测。

7.将已喷砂好的硅棒或者表面洁净的硅片放入探针架测试台面中心位置进行测试。

8.探针压在硅棒/片端面上的中心点，十点法要求对上、下端面测量，测量值稳定此时读取显示屏显示的电阻率值，并记录测量值。

如果有轴向测试要求，则将硅棒轴向端面进行打磨后测试轴向电阻率。

9.若测量过程中，显示屏出现测量值波动不稳定，超出偏差范围，停止工作，检查室温、硅棒测量面、及显示器是否出现异常。

10.整批测量完成，探针加上护罩，升降架下降到测量台面上方5cm-8cm处。

关闭电源开关。

注意事项：1、每次开机后需先测试标准电阻率样片/块，测试值与标称值偏差不能超过1.5%；2、硅棒、硅片测试表面温度需控制在22-24度之间，环境温度控制在21-25度之间；3、测试前需确认四探针重复测试精度，针对样片、块同一点测试3次，重复测试误差不超过1%；4、被测试表面需与四探针下降方向保持垂直；5、被测试表面需利用喷砂、打磨、酒精擦拭等方式使表面无异物沾污、表面平整无凹坑、无突起；6、电阻率测试存在诸多不确定因素，出现偏差大的现象请及时通知相关责任人处理。

四探针操作规范范文一、引言四探针操作是一种用于测试材料电学特性的方法，它通过测量材料的电流和电压来确定材料的电阻率、电导率和电阻等重要参数。

四探针操作具有高精度、非破坏性和简便的特点，在材料科学、电子工程和物理学等领域有着广泛的应用。

为确保四探针操作的准确性和可靠性，制定本操作规范。

二、仪器和设备准备1.确保四探针操作所需仪器设备的正常工作。

包括四探针测试仪、电源、数字多表、采样电阻和测试样品等。

2.检查四探针测试仪的校准情况，保证其测量精度符合要求。

3.根据测试需求选择合适的采样电阻，并确保其电阻值稳定、接触良好。

三、测试样品的准备和处理1.选择合适的测试样品，根据材料的特性和测试需求决定样品的形状和尺寸。

2.确保样品表面洁净，去除可能影响测量的尘埃、油污和氧化物等，可以使用专用清洗剂进行清洗。

3.在测试样品表面涂覆一层导电涂层，以确保四探针与样品表面之间有良好的电接触。

常用的导电涂层有铜粉、银膏等。

四、操作步骤1.将测试样品放置在四探针测试台上，并进行样品的定位和固定，保证测试过程中样品的稳定性。

2.将四个探针分别插入测试样品的四个角，探针与样品表面之间的接触点应均匀分布，并保持与样品表面垂直。

3.打开四探针测试仪和电源，调节电源输出电压和电流为预设值。

4.根据四探针测试仪的操作手册进行操作，选取测量模式和参数，并开始测试。

5.测试过程中，避免干扰源的影响，如电磁场、阳光直射等。

6.测量完成后，关闭四探针测试仪和电源，拔出探针和测试样品。

五、数据处理和分析1.将四探针测试仪测得的原始数据导入计算机，并进行数据清洗和去噪，去除异常值和噪声干扰。

2.根据导出的数据文件，计算样品的电阻率、电导率和电阻等参数。

3.根据测试需求，对数据进行统计和分析，得出相应的结论。

六、数据记录和报告1.将实验过程中的操作步骤、测试参数和结果等详细记录，并保存原始数据文件。

2.撰写实验报告，包括实验目的、原理、方法、结果和讨论等内容。

目录一. 目的 (003)二. 范围 (003)三. 职责 (003)四. 名词定义 (003)五. 内容 (003)六. 安全 (005)七．设备材料 (005)八. 相关文件 (005)九. 记录 (005)1. 目的：规范四探针测试仪的操作与维修保养工作。

2. 范围：适用于车间内四探针测试仪的操作与维修保养工作。

3. 职责：3.1 负责扩散后方块电阻的测试。

3.2 规范操作，为测试数据规范化提供依据。

3.3 负责发现扩散后硅片质量、工艺异常状况时的反映。

4名词定义：4.1 SDY-4型四探针测试仪5.内容:5.1 仪器介绍：SDY-4型四探针测试仪是根据单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准设计的半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)测试专用仪器.仪器以大规模集成电路为核心部件,采用平面轻触式开关控制,及各种工作状态LED指示.应用微计算机技术，利用HQ－710E型测量数据处理器，使得测量读数更加直观、快速，整套仪器体积小、功耗低、测量精度高、测试速度快、稳定性好、易操作。

本仪器可满足半导体材料、器件的研究生产单位对材料(棒材、片材)电阻率及扩散层、离子注入层、异型外延层和导电薄膜方块电阻测量的需要。

5.2 仪器电气原理如图（1）所示：电流选档 A/D 显示换相控制图(1)仪器电气原理框图5.3 SDY-4型四探针测量原理如图（2)所示：将四根排成一条直线的探针以一定的压力垂直地压在被测样品表面上，在l、4探针间通以电流I(mA)，2、3探针间就产生一定的电压V(mV)(如图1)。

测量此电压并根据测量方式和样品的尺寸不同，计算样品的电阻率或方块电阻:图（2）直线四探针法测试原理图5.4 仪器面板说明如图（3）所示：SDY-4型四探针测试仪主要由主机（电气测量装置）和测试台组成，两部分独立放置，通过连接线联接。

⑨⑩①②③④⑤⑥⑦⑧图（3）主机前面板说明按键和旋钮说明如下：①---主机数字及状态显示器；②、③、④、⑤---测量电流量程选择按键，共四个量程（0.1mA、1mA、 10mA、 100mA）；⑥---R□/ρ测量选择按键，开机时自动设置在“R□”位；⑦---测量电流方式选择按键，开机时自动设置在“I”（电流）位；⑧---电流换向按键；⑨---电流粗调电位器；⑩---电流细调电位器；5.5 使用方法仪器：首先按照说明连接四探针探头与SDY-4主机，接上电源，再按以下步骤进行操作：5.5.1 开启主电源开关，此时“R□”和“I”指示灯亮，预热约5分钟；5.5.2 估计所测样品方块电阻的范围，按表1选择电流量程，按下②、③、④、⑤中相应的键（如无法估计样品方块电阻的范围，则可以以“0.1mA”量程进行测试，再以该测试值作为估计值按表1选择量程）；方块电阻（Ω/□）电流量程（mA)< 2.5 1002.0—2.5 1020 — 250 1>200 0.1表1方块电阻测量时电流量程选择表5.5.3 放置样品压下探针，使样品接通电流。

文档来源为:从网络收集整理.word版本可编辑.欢迎下载支持.目录1.概述 (1)2.技术指标 (1)3.测量原理简介 (2)4.仪器面板说明 (4)5.使用方法 (6)6.关于低阻测量 (8)7.关于高阻测量 (8)8.附录A：脱机测量样品基本操作流程 (9)9.附表B：直径修正系数F(D/S)与D/S值的关系 (10)10.附表C：厚度修正系数F(W/S)与W/S值的关系 (11)11.附录D：S-2A探针台探头更换指导 (12)感谢您使用我们的产品！如您是首次使用本仪器，请先详读本说明书，并妥善保留之以备查阅之用。

如有问题，欢迎致电：或登陆:http//1.概述RTS-8型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。

该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国标准而设计的，专用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。

仪器由主机、探针测试台、四探针探头、计算机等部分组成，测量数据既可由四探针测试仪主机直接显示，亦可与计算机相连接通过四探针软件测试系统控制四探针测试仪进行测量并采集测试数据，把采集到的数据在计算机中加以分析，然后把测试数据以表格，图形直观地记录、显示出来。

用户可对采集到的数据在电脑中保存或者打印以备日后参考和查看，还可以把采集到的数据输出到Excel中，让用户对数据进行各种数据分析。

仪器采用了最新电子技术进行设计、装配。

具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。

本仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电阻性能测试。

2. 技术指标2.1 测量范围电阻率：10-4～105Ω.cm；方块电阻：10-3～106Ω/□；电阻：10-4～105Ω；电导率：10-5～104s/cm；可测晶片直径：140mmX150mm (配S-2A型测试台)；200mmX200mm (配S-2B型测试台)；400mmX500mm (配S-2C型测试台)；2.2 恒流源电流量程分为 1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA 六档，各档电流连续可调；2.3 数字电压表量程及表示形式：000.00～199.99mV；分辨力：10μV；输入阻抗：＞1000MΩ；精度：±0.1%；显示：四位半红色发光管数字显示；极性、超量程自动显示；2.4 四探针探头基本指标间距：1±0.01mm；针间绝缘电阻: ≥1000MΩ；机械游移率: ≤0.3％；探针：碳化钨或高速钢材质，探针直径Ф0.5mm；探针压力：5～16 牛顿(总力)；2.5 四探针探头应用参数见探头附带的合格证，合格证含三参数项：C：探针系数； F：探针间距修正因子； S：探针平均间距；2.6 模拟电阻测量相对误差（按 JJG508-87 进行）0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3％±１字；2.7 整机测量最大相对误差(用硅标样片:0.01-180Ω.cm 测试)≤±5％；2.8 整机测量标准不确定度≤5％；2.9 外型尺寸（大约）电气主机: 460mm ×320mm ×100mm ； S-2A 型测试台: 190mm ×140mm ×260mm ； S-2B 型测试台: 300mm ×210mm ×400mm ； S-2C 型测试台: 500mm ×400mm ×350mm ；2.10 仪器重量（大约）电气主机: 3.5kg ； S-2A 型测试台: 2kg ； S-2B 型测试台: 2.5kg ； S-2C 型测试台: 4kg ；2.11 标准使用环境温度:：23±2℃； 相对湿度：≤65％； 无高频干扰； 无强光直射；*.注意:使用1μA 量程时，允许有小于1.0nA 的空载电流.最好在相对湿度小于50%时使用。