西工大数字集成电路实验报告 数集实验1
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实验一、反相器链
实验要求:下图反相器中的MOS 管L=0.5u ,W=1.2u 。试建立反相器子电路,并考察子电路的VTC 特性。建立完整电路后,分析该反相器链的直流传输特性、时序特性及带负载能力(负载为电容0.5P 1P 2P )。
一、设计反相器单元
Vout
Vdd
二、写出输入文件,执行DC 分析获得反相器的VTC 特性图 Sp 文件:
.TITLE 1.2UM CMOS INVERTER
.options probe
.options tnom=25
.options ingold=2 limpts=30000 method=gear
.options lvltim=2 imax=20 gmindc=1.0e-12
.protect
.lib'C:\synopsys\cmos25_level49.lib' TT
.unprotect
.global vdd
Mn out in 0 0 NMOS W=1.2u L=0.5u *(工艺中要求尺寸最大0.5u)
Mp out in vdd vdd PMOS W=2.4u L=0.5u * 此处W需做更改)
CL OUT 0 0.5PF
VDD VDD 0 5V
VIN IN 0 PULSE(0 5V 10NS 1N 1N 50N 100N)
.DC VIN 0 5V 0.1V
.op
.probe dc v(out)
.end
仿真结果:
三、写出SUBCKT并实例化三个,来实现反相器链对反相器链执行DC扫描。
Sp文件:
.TITLE 1.2UM CMOS INVERTER CHAIN
.options probe
.options tnom=25
.options ingold=2 limpts=30000 method=gear
.options lvltim=2 imax=20 gmindc=1.0e-12
.protect
.lib'C:\synopsys\cmos25_level49.lib' TT
.unprotect
.global vdd
.SUBCKT INV IN OUT
Mn out in 0 0 NMOS W=1.2u L=0.5u
Mp out in vdd vdd PMOS W=2.4u L=0.5u
.ENDS
X1 IN 1 INV
X2 1 2 INV
X3 2 OUT INV
CL OUT 0 1PF
VDD VDD 0 5V
VIN IN 0 0
.DC VIN 0 5V 0.1V
.measure DC V1 when v(out)=2.5v
.PROBE dc v(out)
.END
仿真结果:
V(out)=2.5时,V1的值:
四、执行measure 命令测量延迟时间。
Sp文件:
.TITLE 1.2UM CMOS INVERTER CHAIN
.options probe
.options tnom=25
.options ingold=2 limpts=30000 method=gear
.options lvltim=2 imax=20 gmindc=1.0e-12
.protect
.lib'C:\synopsys\cmos25_level49.lib' TT
.unprotect
.global vdd
.SUBCKT INV IN OUT
Mn out in 0 0 NMOS W=1.2u L=0.5u
Mp out in vdd vdd PMOS W=2.4u L=0.5u
.ENDS
X1 IN 1 INV
X2 1 2 INV
X3 2 OUT INV
CL OUT 0 1PF
VDD VDD 0 5V
VIN IN 0 PULSE(0 5V 10NS 1N 1N 50N 100N)
.TRAN 1N 200N
.measure tran tdelay trig v(in) val=2.5 td=8ns rise=1
+ targ v(out) val=2.5 td=9n fall=1
.PRINT V(OUT)
.end
仿真结果:
五、考察电路带容性负载的能力(建立DATA包含三个容值,
瞬态分析时执行SWEEP DATA=DATANM)Sp文件:
.TITLE 1.2UM CMOS INVERTER CHAIN
.options probe
.options tnom=25
.options ingold=2 limpts=30000 method=gear
.options lvltim=2 imax=20 gmindc=1.0e-12
.protect
.lib'C:\synopsys\cmos25_level49.lib' TT
.unprotect
.global vdd
.SUBCKT INV IN OUT
Mn out in 0 0 NMOS W=1.2u L=0.5u
Mp out in vdd vdd PMOS W=2.4u L=0.5u
.ENDS
X1 IN 1 INV
X2 1 2 INV
X3 2 OUT INV
VDD VDD 0 5V
VIN IN 0 PULSE(0 5V 10NS 1N 1N 50N 100N)
.TRAN 1N 200N
.Param C1=0
CL OUT 0 C1
.TRAN 1N 200N sweep data=d1
.data d1 C1
+ 0.5p
+ 1P
+ 2P
.enddata
.PRINT V(OUT)
.end
仿真结果: