集成电路IC测试简介课件.ppt
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IC测试简介1.什么是IC?IC即集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件。
采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构。
2.什么是IC 测试?IC测试就是用相关的电子仪器(如万用表、示波器、直流电源,ATE等)将IC所具备的电路功能、电气性能参数测试出来。
测试的项目一般有:直流参数(电压、电流)、交流参数(频率)、功能测试等。
3.为什么要进行IC测试?IC测试是为了检测IC在设计和制造过程中,由于设计不完善、制造工艺偏差、晶圆质量环境污染等因素,造成IC功能失效、性能降低等缺陷。
通过分析测试数据,找出失效原因,并改进设计及工艺,以提高良率及产品质量,是IC产业中至关重要的.4. IC测试分类及区别?IC测试分为晶圆测试(或叫CP:Chip Probing)和成品测试(或叫FT:Final Test).CP与FT的区别CP在整个制程中算是半成品测试,目的有2个,1个是监控前道工艺良率,是对整片Water的每个DIE来测试可以直接的知道Wafer的良率.另1个是降低后道成本(避免封装过多的坏芯片,其能够测试的项比FT要少些。
最简单的一个例子,碰到大电流测试CP肯定是不测的(探针容许的电流有限),这项只能在封装后的FT测。
FT是对package进行测试检查封装厂制造的工艺水平。
一般来说,如果测试时间很长,cp和ft又都能测,像trimming项,加在PROBE能显著降低时间成本.但是有些PAD会封装到IC内部,FT无法测到,只能通过cp测试,例如功率管的gate端漏电流测试。
CP与FT的测试项目很多是完全一样的;不同的是卡的SPEC不同而已;因为封装都会导致参数飘移,所以cp SPEC 收的要比FT更紧以确保最终成品的良率.5.如何进行IC 测试?在wafer加工完成后,送至中测车间用探针卡(probecard)、探针台(probe)、测试机(ATE:Automatic Test Equipment )对wafer中的每颗裸芯片进行电气参数的测试,并按照一定的规范进行筛选,分出好坏裸片的过程。
集成电路的EMC测试北京世纪汇泽科技有限公司前言世界范围内电子产品正在以无线、便携、多功能与专业化得趋势快速发展,纯粹的模拟电子系统越来越难以进入人们的视线,取而代之的集成电路在数字电子产品与电子系统中扮演了“超级明星”的角色,而这个主角被接纳的程度也在随着集成电路产业的发展不断加深,从1965年Gordon Moore提出摩尔定律至今,集成电路一直保持着每18-24个月集成度翻番、价格减半的发展趋势,这为集成电路的大范围、多层次应用奠定了基础。
尤其在消费类产品领域,这种发展趋势尤为明显,各种数码类产品的普及就是很好的说明。
同时,这种快速发展也造成了电子系统电磁兼容性问题的日益突出,更高的集成度和使用密度,是片内和片外耦合的发生几率大大提高。
在电子产品和电子系统中,通常集成电路是最根本的骚扰信号源,它把直流供电转换成高频的电流、电压,造成了无意发射和耦合。
而当其输入或供电受到干扰时,误动作的可能性将大大增加,甚至造成硬件损坏。
这种情况下,如何衡量集成电路电磁兼容性的问题日渐凸显起来。
这种衡量方法,或者称作新的测试标准和测试方法,将作用于集成电路的设计、生产、质量控制、采购乃至应用调试等诸多方面,成为整个集成电路相关产业的关注焦点。
标准产生的背景早在1965年美国军方已就核爆电磁场对导弹发射中心设备的影响做出了分析研究,并开发了专门的SPECTRE软件,用于模拟核辐射对电气电子元件的作用。
在随后的二十多年中,各种仿真模型、测试方法和统计结果不断涌现,在集成电路电磁兼容领域积累了大量的理论基础和可供分析比较的实测数据。
其中主要测试方法包括:✓北美的汽车工程协会(SAE)建议的使用TEM小室测量集成电路的辐射发射✓SAE提出的磁场探头和电场探头表面扫描测量集成电路的辐射发射✓荷兰某公司建议的使用工作台法拉第笼(WBFC)进行集成电路传导发射测量✓德国标准化组织VDE建议的使用1Ω电阻进行地回路传导电流测量✓日本的研究人员建议的使用磁场探头进行传导发射测量✓Lubineau和Fiori等人对抗扰度测试方法和试验结果的研究等等1997年10月,国际电工委员会(IEC)第47A技术分委会下属第九工作组(WG9)成立,专门负责对各种已建议的测试方法进行分析,最终出版了针对EMI 和EMS的工具箱式的测试方法集合——IEC61967系列和IEC62132系列标准,标准IEC62215也已出版,与IEC62132互补,更加全面地考虑到了集成电路遭受电磁干扰时的情形。