半导体的基础知识
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半导体器件的基本知识在现代科技的高速发展中,半导体器件扮演着至关重要的角色。
从我们日常使用的智能手机、电脑,到各种智能家电、汽车电子系统,几乎都离不开半导体器件的身影。
那么,究竟什么是半导体器件?它们又是如何工作的呢?让我们一起来揭开半导体器件的神秘面纱,了解一些基本的知识。
首先,我们要明白什么是半导体。
半导体是一种导电性介于导体和绝缘体之间的材料,常见的半导体材料有硅、锗等。
半导体的导电性可以通过掺入杂质来精确控制,这一特性使得半导体成为制造各种电子器件的理想材料。
半导体器件的种类繁多,其中最常见的有二极管、三极管和集成电路等。
二极管是一种最简单的半导体器件,它具有单向导电性。
就好像是一个只能单向通行的道路,电流只能从一个方向通过,而不能反向流动。
二极管在电路中常用于整流,即将交流电转换为直流电。
例如,在我们的手机充电器中,就用到了二极管来将市电的交流电整流为直流电,以便给手机电池充电。
三极管则比二极管复杂一些,它有三个电极:基极、发射极和集电极。
三极管可以起到放大电流的作用。
打个比方,如果把输入的电流信号比作一股小水流,那么经过三极管放大后,就会变成一股大水流。
三极管的放大作用在各种放大器电路中得到了广泛应用,比如音响系统中的音频放大器,就是利用三极管来放大声音信号,从而让我们能够听到响亮清晰的声音。
集成电路则是将多个半导体器件集成在一块小小的芯片上,它是现代电子技术的核心。
集成电路的出现极大地缩小了电子设备的体积,提高了性能和可靠性。
我们的电脑CPU 就是一种高度复杂的集成电路,它包含了数以亿计的晶体管,能够进行高速的计算和数据处理。
半导体器件的工作原理主要基于半导体中的两种载流子:电子和空穴。
在半导体中,电子和空穴的运动形成了电流。
通过控制半导体中的杂质浓度、电场等因素,可以实现对电流的控制和调节,从而实现各种不同的功能。
制造半导体器件是一个非常复杂和精细的过程。
首先,需要通过一系列的工艺步骤将半导体材料制备成晶圆,然后在晶圆上通过光刻、蚀刻等工艺制造出各种半导体器件的结构。
半导体基础知识在现代科技的高速发展中,半导体无疑是其中一颗璀璨的明星。
从我们日常使用的智能手机、电脑,到各种先进的医疗设备、智能家电,半导体的身影无处不在。
那么,究竟什么是半导体?它又有着怎样的特性和重要作用呢?要理解半导体,首先得从物质的导电性说起。
我们知道,物质按照导电性可以大致分为导体、绝缘体和半导体三类。
导体,比如常见的金属铜、铝等,它们内部存在大量自由电子,能够很容易地传导电流。
绝缘体,像塑料、橡胶等,其内部几乎没有自由电子,电流很难通过。
而半导体则处于两者之间,它的导电性既不像导体那样良好,也不像绝缘体那样极差。
半导体的导电性能可以通过掺杂等方式进行调控。
比如,纯净的硅在常温下是一种半导体,但如果掺入少量的磷元素,就会变成 N 型半导体,其中的多数载流子是电子;如果掺入少量的硼元素,则会变成 P 型半导体,多数载流子为空穴。
这种特性使得半导体在电子学领域具有极其重要的应用价值。
半导体的核心元件之一是二极管。
二极管具有单向导电性,只允许电流从一个方向通过。
它由 P 型半导体和 N 型半导体结合而成,形成一个 PN 结。
当在 PN 结上加正向电压时,二极管导通;加反向电压时,二极管截止。
这种特性被广泛应用于整流电路中,将交流电转换为直流电。
三极管是另一个重要的半导体元件。
它可以实现电流的放大作用。
通过控制基极电流的大小,可以改变集电极和发射极之间的电流,从而实现对信号的放大。
这在通信、音频放大等领域有着广泛的应用。
在集成电路中,半导体更是发挥了关键作用。
集成电路将大量的半导体元件集成在一块小小的芯片上,实现了复杂的功能。
从简单的逻辑门到复杂的微处理器,集成电路的发展极大地推动了电子技术的进步。
半导体的制造工艺是一个极其复杂和精细的过程。
首先,需要从高纯度的硅材料开始,经过一系列的加工步骤,如光刻、蚀刻、掺杂等,来制造出各种半导体元件。
光刻技术就像是在硅片上进行精细的“雕刻”,通过使用特定波长的光线和光刻胶,将设计好的电路图案转移到硅片上。
半导体的基础知识半导体器件是现代电子技术的重要组成部分,是由半导体材料制造而成的。
为了能够更好的了解半导体器件的性能,有必要先了解一些半导体材料的基本性质。
1.物质的分类自然界有很多不同种类的物质。
这些物质按照导电性强弱来分类,大致可以分为三类:导体、半导体和绝缘体。
导体是很容易导电的物质,例如铜和铝等等;绝缘体是几乎不能导电的物质,比如塑料、橡胶、玻璃等;而半导体的导电能力是介于导体和绝缘体之间的这样一类物质。
常用的半导体材料有硅、锗等。
其中,硅是目前最常用的一种半导体材料。
2.半导体导电的特性半导体除了在导电能力方面与导体和绝缘体不同以外,它还具有不同于其他物质的特点。
例如:当半导体受到外界光和热的刺激时,其导电能力将发生显著的变化;在纯净的半导体中加入某种特定的微量杂质,其导电能力也会有显著的增加。
这些特点说明,半导体导电的机制一定和导体、绝缘体不同。
为了更好的理解这些特点,就必须了解半导体的结构。
3.半导体的内部结构在电子器件中,用得最多的半导体材料就是硅和锗,它们都是四价元素;半导体内部的原子具有严格的晶体结构,原子之间形成有序的排列,每个硅原子周围和四个相邻的硅原子以共价键相连接,形成共价键的这一对电子就称为“价电子”。
通常情况下,共价键对价电子的束缚能力很强,绝大多数价电子被束缚在共价键中而不能自由移动,所以半导体的导电性能较差。
在绝对零度下,纯净的半导体内部所有的价电子都被共价键所束缚,在半导体内部没有可以自由导电的带电粒子,所以此时半导体是没有导电能力的;在本征激发时,半导体才会具有导电能力。
下面,我们来学习什么是本征激发。
4.本征激发首先来学习几个概念。
(1)本征半导体:我们把结构完整、完全纯净的半导体晶体称为本征半导体。
(2)激发:半导体晶体内部共价键中的价电子由于获得足够的能量而挣脱掉共价键的束缚成为自由电子的过程称为“激发”。
(3)载流子:可以自由移动的带电粒子称为“载流子”。
找半导体行业工作要学哪些知识在寻找半导体行业工作的过程中,掌握以下知识是至关重要的:1. 半导体物理基础:- 学习半导体材料的基本特性,包括导电性、能带结构、载流子的类型和行为。
- 了解PN结、MOSFET等基本半导体器件的工作原理。
2. 微电子工程:- 掌握集成电路设计和制造的基础知识,包括CMOS技术、双极型晶体管技术等。
- 学习版图设计,了解如何将电路设计转化为可以制造的版图。
3. 电子电路设计:- 熟悉模拟和数字电路设计,包括放大器、滤波器、振荡器等基本电路。
- 掌握电路仿真工具,如SPICE,进行电路性能的预测和优化。
4. 半导体制造工艺:- 了解半导体制造的关键步骤,如光刻、蚀刻、离子注入、化学气相沉积等。
- 学习半导体工艺对器件性能的影响,以及如何控制和优化这些工艺。
5. 半导体封装技术:- 掌握各种封装技术,包括传统的DIP、QFP,以及更先进的BGA、QFN等。
- 了解封装对器件性能和可靠性的影响。
6. 半导体测试与可靠性:- 学习半导体器件的测试方法,包括参数测试、功能测试和可靠性测试。
- 掌握故障分析技术,如电镜、X射线、红外成像等,以及如何根据测试结果进行器件改进。
7. 半导体材料科学:- 了解不同半导体材料的特性,如硅、锗、砷化镓等。
- 学习材料制备技术,如单晶生长、外延生长等。
8. 计算机辅助设计(CAD):- 掌握EDA工具,如Cadence、Synopsys等,用于电路设计和仿真。
- 学习版图设计软件,如Cadence Virtuoso,进行版图设计和验证。
9. 行业标准和规范:- 了解半导体行业的国际标准,如ITRS、SEMI等。
- 学习行业内的质量管理体系,如ISO 9001、ISO/TS 16949等。
10. 项目管理和团队协作:- 掌握项目管理的基本技能,如时间管理、资源分配、风险评估等。
- 学习如何在多学科团队中有效沟通和协作。
通过系统地学习上述知识,你将为在半导体行业找到一份工作打下坚实的基础。
半导体重要基础知识点
半导体是指具有介于导体和绝缘体之间电导率的材料。
它在现代电子
学中起着重要的作用,广泛应用于各种电子器件和技术中。
在学习半
导体的基础知识时,以下几个关键概念是不可或缺的。
1. 能带理论:
能带理论是解释半导体电导性质的基础。
它将固体材料中电子的能量
划分为能量带,包括导带和禁带。
导带中的电子可以自由移动,导致
材料具备良好的导电性;而禁带中没有电子,因此电子无法自由移动。
2. 纯净半导体:
纯净半导体由单种原子构成,并且没有杂质。
其中,硅是最常用的半
导体材料之一。
纯净的半导体通常表现为绝缘体,因为其禁带宽度较大,电子无法跃迁到导带。
3. 杂质掺杂:
为了改变半导体的导电性质,可以通过掺杂过程引入杂质。
其中,掺
入五价元素(如磷、砷)的半导体称为n型半导体,因为杂质的额外
电子可以增加导电性能;而掺入三价元素(如硼、铝)的半导体称为p 型半导体,因为杂质的缺电子位可以增加导电性能。
4. PN 结:
PN结是由n型半导体和p型半导体相接触而形成的结构。
在PN结中,形成了一个漏斗状的能带结构,其中P区域的缺电子位和N区域的额
外电子形成了势垒。
这个势垒可以控制电子的流动,使得PN结可以用
于逻辑门、二极管等电子器件中。
半导体作为现代电子技术的基础之一,无论是手机、计算机还是各种
智能设备,都离不开半导体器件的应用。
因此,熟悉半导体的基础知识对于理解和应用现代科技至关重要。
第1章半导体的基本知识1.1 半导体及PN结半导体器件是20世纪中期开始发展起来的,具有体积小、重量轻、使用寿命长、可靠性高、输入功率小和功率转换效率高等优点,因而在现代电子技术中得到广泛的应用。
半导体器件是构成电子电路的基础。
半导体器件和电阻、电容、电感等器件连接起来,可以组成各种电子电路。
顾名思义,半导体器件都是由半导体材料制成的,就必须对半导体材料的特点有一定的了解。
1.1.1半导体的基本特性在自然界中存在着许多不同的物质,根据其导电性能的不同大体可分为导体、绝缘体和半导体三大类。
通常将很容易导电、电阻率小于10* Q ?cm的物质,称为导体,例如铜、铝、银等金属材料;将很难导电、电阻率大于1010Q?cm的物质,称为绝缘体,例如塑料、橡胶、陶瓷等材料;将导电能力介于导体和绝缘体之间、电阻率在10°Q?cm-1010Q?cm 范围内的物质,称为半导体。
常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。
用半导体材料制作电子元器件,不是因为它的导电能力介于导体和绝缘体之间,而是由于其导电能力会随着温度的变化、光照或掺入杂质的多少发生显著的变化,这就是半导体不同于导体的特殊性质。
1热敏性所谓热敏性就是半导体的导电能力随着温度的升高而迅速增加。
半导体的电阻率对温度的变化十分敏感。
例如纯净的锗从20C升高到30C时,它的电阻率几乎减小为原来的1 /2。
而一般的金属导体的电阻率则变化较小,比如铜,当温度同样升高10C时,它的电阻率几乎不变。
2、光敏性半导体的导电能力随光照的变化有显著改变的特性叫做光敏性。
一种硫化铜薄膜在暗处其电阻为几十兆欧姆,受光照后,电阻可以下降到几十千欧姆,只有原来的1%自动控制中用的光电二极管和光敏电阻,就是利用光敏特性制成的。
而金属导体在阳光下或在暗处其电阻率一般没有什么变化。
3、杂敏性所谓杂敏性就是半导体的导电能力因掺入适量杂质而发生很大的变化。
在半导体硅中,只要掺入亿分之一的硼,电阻率就会下降到原来的几万分之一。
学科 模拟电子 班 级 12秋机电 日 期 授课教师
课题 半导体基础知识 课时数 2学时 课 型 新授
教学
目标
1. 了解PN结的形成;
2. 理解PN结的单向导电性。
教学
重点
难点
重点:PN结的单向导电性;
难点:1. 掺杂半导体中的多子和少子的概念;
2. PN结的形成;
3. 半导体的导电机理:两种载流子参与导电;
教具 多媒体课件
教
学
过
程
内容、步骤、方法 附 记
导入:
介绍日常生活中由半导体器件构成的物品。
新授:
一、半导体基本概念
1、半导体及其导电性能
根据物体的导电能力的不同,电工材料可分为三类:导体、
半导体和绝缘体。
半导体可以定义为导电性能介于导体和绝缘体之间的电工
材料,半导体的电阻率为10-3~10-9 cm。典型的半导体有硅
Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。
半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别:当受外界
热和光的作用时,它的导电能力明显变化;往纯净的半导体中掺
入某些特定的杂质元素时,会使它的导电能力具有可控性,这些
特殊的性质决定了半导体可以制成各种器件。
2、本征半导体的结构及其导电性能
本征半导体是纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶。制造半
导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%,常称为“九
个9”,它在物理结构上为共价键、呈单晶体形态。在热力学温
度零度和没有外界激发时,本征半导体不导电。
3、半导体的本征激发与复合现象
当导体处于热力学温度0 K时,导体中没有自由电子。当温
度升高或受到光的照射时,价电子能量增高,有的价电子可以挣
脱原子核的束缚而参与导电,成为自由电子。这一现象称为本征
激发(也称热激发)。因热激发而出现的自由电子和空穴是同时
成对出现的,称为电子空穴对。
游离的部分自由电子也可能回到空穴中去,称为复合。
在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡,此时,载流
子浓度一定,且自由电子数和空穴数相等。
4、半导体的导电机理
自由电子的定向运动形成了电子电流,空穴的定向运动也可
形成空穴电流,因此,在半导体中有自由电子和空穴两种承载电
流的粒子(即载流子),这是半导体的特殊性质。空穴导电的实
质是:相邻原子中的价电子(共价键中的束缚电子)依次填补空
穴而形成电流。由于电子带负电,而电子的运动与空穴的运动方
向相反,因此认为空穴带正电。
5、杂质半导体
掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。杂质半导体是半导
体器件的基本材料。在本征半导体中掺入五价元素(如磷),就
形成N型(电子型)半导体;掺入三价元素(如硼、镓、铟等)
就形成P型(空穴型)半导体。杂质半导体的导电性能与其掺杂
浓度和温度有关,掺杂浓度越大、温度越高,其导电能力越强。
在N型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子。
多子(自由电子)的数量=正离子数+少子(空穴)的
数量
在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。
多子(空穴)的数量=负离子数+少子(自由电子)的
数量
二、PN结的形成及其单向导电性
1、PN结的形成
半导体中的载流子有两种有序运动:载流子在浓度差作用下
的扩散运动和电场作用下的漂移运动。
PN结的形成:在同一块半导体上形成P型和N型半导体区
域,在这两个区域的交界处,当多子扩散与少子漂移达到动态平
衡时,空间电荷区(亦称为耗尽层或势垒区)的宽度基本上稳定
下来,PN结就形成了。
2、PN结的单相导电性
当P区的电位高于N区的电位时,称为加正向电压(或称
为正向偏置),此时,PN结导通,呈现低电阻,流过mA级电流,
相当于开关闭合;
当N区的电位高于P区的电位时,称为加反向电压(或称
为反向偏置),此时,PN结截止,呈现高电阻,流过μA级电流,
相当于开关断开。
PN结是半导体的基本结构单元,其基本特性是单向导电性:
即当外加电压极性不同时,PN结表现出截然不同的导电性能。
PN结的单向导电性:PN结加正向电压时,呈现低电阻,具
有较大的正向扩散电流;PN结加反向电压时,呈现高电阻,具
有很小的反向漂移电流。
PN结的反向击穿特性:当PN结的反向电压增大到一定值
时,反向电流随电压数值的增加而急剧增大。
PN结的反向击穿有两类:齐纳击穿和雪崩击穿。无论发生
哪种击穿,若对其电流不加以限制,都可能造成PN结的永久性
损坏。
2、PN结温度特性
当温度升高时,PN结的反向电流增大,正向导通电压减小,
这也是半导体器件热稳定性差的主要原因。
3、PN结电容效应
PN结具有一定的电容效应,它由两方面的因素决定:一是
势垒电容CB ,二是扩散电容CD,它们均为非线性电容。
*势垒电容是耗尽层变化所等效的电容。势垒电容与PN结
的面积、空间电荷区的宽度和外加电压等因素有关。
扩散电容是扩散区内电荷的积累和释放所等效的电容。扩散
电容与PN结正向电流和温度等因素有关。
PN结电容由势垒电容和扩散电容组成。PN结正
向偏置时,以扩散电容为主;反向偏置时以势垒电容为主。只有
在信号频率较高时,才考虑结电容的作用
作业
内容
1. 复习PN结的形成过程;
2. 预习下一小节“半导体二极管”相关内容。
教学
后记
通过这节课的学习使学生们掌握半导体的基础知识,知道半导体在我们现实生活
中的重大作用,通过本节课的学习,培养学生们的动手能力,培养学生们理论结
合实际的做事思想。