第6章半导体二极管及其应用电路习题答案3

第1章半导体二极管及其基本电路自测题判断下列说法是否正确，用“√”和“?”表示判断结果填入空内1. 半导体中的空穴是带正电的离子。

（?）2. 温度升高后，本征半导体内自由电子和空穴数目都增多，且增量相等。

（√）3. 因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。

（?）4. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

（√）5. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。

（√）选择填空1. N型半导体中多数载流子是 A ；P型半导体中多数载流子是B。

A．自由电子 B．空穴2. N型半导体C；P型半导体C。

A．带正电 B．带负电 C．呈电中性3. 在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于B，而少子的浓度则受 A 的影响很大。

A．温度 B．掺杂浓度 C．掺杂工艺 D．晶体缺陷4. PN结中扩散电流方向是A；漂移电流方向是B。

A．从P区到N区 B．从N区到P区5. 当PN结未加外部电压时，扩散电流C飘移电流。

A．大于 B．小于 C．等于6. 当PN结外加正向电压时，扩散电流A漂移电流，耗尽层E；当PN结外加反向电压时，扩散电流B漂移电流，耗尽层D。

A．大于 B．小于 C．等于D．变宽 E．变窄 F．不变7. 二极管的正向电阻B，反向电阻A。

A．大 B．小8. 当温度升高时，二极管的正向电压B，反向电流A。

A．增大 B．减小 C．基本不变9. 稳压管的稳压区是其工作在C状态。

A．正向导通 B．反向截止 C．反向击穿有A、B、C三个二极管，测得它们的反向电流分别是2?A、0.5?A、5?A；在外加相同的正向电压时，电流分别为10mA、 30mA、15mA。

比较而言，哪个管子的性能最好【解】：二极管在外加相同的正向电压下电流越大，其正向电阻越小；反向电流越小，其单向导电性越好。

所以B管的性能最好。

题习题1试求图所示各电路的输出电压值U O，设二极管的性能理想。

5VVD+-3k ΩU OVD7V5V +-3k ΩU O5V1VVD +-3k ΩU O（a ） （b ） （c ）10V5VVD3k Ω+._O U 2k Ω6V9VVD VD +-123k ΩU OVD VD 5V7V+-123k ΩU O（d ） （e ） （f ）图【解】：二极管电路，通过比较二极管两个电极的电位高低判断二极管工作在导通还是截止状态。

第二章半导体二极管及其基本电路2-1．填空（1）N型半导体是在本征半导体中掺入；P型半导体是在本征半导体中掺入。

（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会。

（3）PN结的结电容包括和。

（4）晶体管的三个工作区分别是、和。

在放大电路中，晶体管通常工作在区。

（5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该。

（正偏、反偏）答案：（1）五价元素；三价元素；（2）增大；（3）势垒电容和扩散电容；（4）放大区、截止区和饱和区；放大区；（5）反偏。

2-2．判断下列说法正确与否。

（1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。

（）（2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。

（）（3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。

（）（4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。

（）（5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。

（）（6）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

（）（7）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（）（8）若耗尽型N沟道MOS场效应管的U GS大于零，则其输入电阻会明显减小。

（）答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。

（2）错；对于P型半导体或N型半导体在没有形成PN结时，处于电中性的状态。

（3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R GS大的特点。

（4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。

（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。

（6）对；N型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成P型半导体。

（7）对；PN结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。

(完整版)半导体及其应用练习题及答案题目一1. 半导体是什么？答案：半导体是介于导体和绝缘体之间的材料，在温度适当时具有导电性能。

2. 半导体的价带和导带分别是什么？答案：半导体中的价带是电子离子化合物的最高能级，而导带是能够被自由电子占据的能级。

3. 简要解释半导体中的P型和N型材料。

答案：P型半导体是通过向半导体中掺杂三价元素，如硼，来创建的，在P型材料中电子少，因此存在空穴。

N型半导体是通过向半导体中掺杂五价元素，如磷，来创建的，在N型材料中电子多，因此存在自由电子。

题目二1. 解释PN结是什么？答案：PN结是由一个P型半导体和一个N型半导体通过熔合而形成的结构，其中P型半导体中的空穴与N型半导体中的自由电子结合，形成一个边界处的耗尽区域。

2. 简要描述PN结的整流作用是什么？答案：PN结的整流作用是指在正向偏置电压下，电流可以流过PN结，而在反向偏置电压下，电流几乎不会流过PN结。

3. 什么是PN结的击穿电压？答案：PN结的击穿电压是指当反向偏置电压达到一定程度时，PN结中会发生电击穿现象，导致电流迅速增加。

题目三1. 解释场效应晶体管（MOSFET）是什么？答案：场效应晶体管是一种半导体器件，可以用于控制电流的流动，其结构包括源极、漏极和栅极。

2. 简要描述MOSFET的工作原理。

答案：MOSFET的工作原理是通过栅极电场的变化来控制其上的沟道区域导电性，从而控制漏极和源极之间的电流的流动。

3. MOSFET有哪些主要优点？答案：MOSFET的主要优点包括体积小、功耗低、响应速度快和可靠性高等。

电子电工类--二极管及其应用试题及答案一、单选题1.稳压二极管电路如下图，两个稳压二极管的稳压值UZ=6.3V，正向导通压降0.7V，则Uo为A、6.3VB、0.7VC、7VD、14V【正确答案】：C2.滤波电路如下列各图所示，电路类型说法正确的是( ) ( ) ( ) ( )A、（1）为复式滤波B、（2）为电感滤波C、（3）为π滤波D、（4）为电容滤波【正确答案】：B3.电路如下图所示，已知两个稳压管的UZ1=5V，UZ2=7V，它们的正向压降均为0.7V，则输出电压Uo为A、5VB、7.7VC、12VD、5.7V【正确答案】：C4.滤波电路位于整流电路A、之前B、之后C、前后均可D、中间【正确答案】：B5.在下图中，若要将输出电压波形由图( )变换成图( )，则应在电路中增加( )元件。

A、整流二极管B、大功率负载电阻C、滤波电感D、降压变压器【正确答案】：C6.光电耦合器的输入侧等效的基本电子元件是A、发光二极管B、稳压二极管C、光电二极管D、变容二极管【正确答案】：A7.如下图电路，已知两个稳压管的稳定电压UZ1=7V，UZ1=9V，它们的正向压降均为0.7V，则输出电压Uo为A、7.7VB、9VC、9.7VD、16V【正确答案】：A8.在电容滤波电路中，电容器与负载成( )位置关系。

A、并联B、串联C、混联D、L型【正确答案】：A9.发光二极管是将( )转换成光能，它工作在( )状态。

A、电能、正向导通B、电能、反向击穿C、光能、正向导通D、光能、反向击穿【正确答案】：A10.下列常用二极管符号中，光电二极管符号是A、B、C、D、【正确答案】：D11.整流的目的是A、将交流变为直流B、将高频变为低频C、将正弦波变为方波D、将高电压降为低电压。

习题６基础知识部分：6.1 选择题1．用万用表R×1K电阻档测某一个二极管时，发现其正、反电阻均近于1000ＫΩ，这说明该二极管（）A、短路B、完好C、开路D、无法判断答案：C2.AB0.7V，反偏时电阻为∞，则以下说法正确的是（）。

A、VD导通，U AO=5.3V；B、VD导通，U AO=—5.3V；C、VD导通，U AO=—6V；D、VD导通，U AO=6V；E、VD截止，U AO=—9V。

答案：C4.下列电路中变压器二次电压均相同，负载电阻及滤波电容均相等，二极管承受反向电压最低的是( )，负载电流最小的是（）。

A.半波整流电容滤波电路B.全波整流电容滤波电路C.桥式整流电容滤波电路答案：C A5.测得输出电压为10VA.滤波电容开路B.负载开路C.滤波电容击穿短路D.其中一个二极管损坏答案：B D A6. 稳压二极管电路如图，稳压二极管的稳压值U Z=6.3V，正向导通压降0.7V，则U O 为( )。

A.6.3VB.0.7VC.7VD.14V答案：C7.图示电路，若U I上升，则U O( )→U A（）→U CE1（）→U O（）。

A.增大B.不变C.减小答案：b9.某NPN硅管在放大电路中测得各极对地电压分别为U C=12V，U B=4V，U E=0V，由此可判别三极管（）。

A.处于放大状态B.处于饱和状态C.处于截止状态D.已损坏答案：D10.测得三极管的电流方向、大小如图所示，则可判断三个电极为（）。

A.①基极b，②发射极e，③集电极cB.①基极b，②集电极c，③发射极eC.①集电极cD.①发射极e答案：C6.2 填空题1.PN结具有性，偏置时导通，偏置时截止。

答案：单向导电正向反向2. 半导体二极管2AP7是半导体材料制成的，2CZ56是半导体材料制成的。

答案：N型锗N型硅3．图示电路中设二极管正向压降为0.7V，当U i=6V时，U o为答案：4.7V4.I R= mA；⑷流过稳压二极管的电流为mA。

页共3 页《二极管及其应用》章节测验一、选择1、本征半导体又叫（）A、普通半导体B、P型半导体C、掺杂半导体D、纯净半导体2、锗二极管的死区电压为( ）A、0。

3VB、0.5VC、1V D、0。

7V3、如下图所示的四只硅二极管处于导通的是( )-5.3V -6V —6V -5。

3V 5V -5V0V —0.7V4、变压器中心抽头式全波整流电路中,每只二极管承受的最高反向电压为（）A、U2B、2U2C、1.2 U2D、22 U25、在有电容滤波的单相半波整流电路中,若要使输出的直流电压平均值为60V，则变压器的次级低电压应为（）A、50VB、60V C、72V D、27V6、在下图所示电路中，正确的稳压电路为（ )7、电路如图7所示，三个二极管的正向压降均可忽略不计，三个白炽灯规格也一样，则最亮的白炽灯是（）A．A B．B C．C D．一样亮8、图8所示电路，二极管导通电压均为0.7V，当V1=10V，V 2=5V时,（1）判断二极管通断情况( ）A．VD1导通、VD2截止 B．VD1截止、VD2 导通C．VD1、VD2均导通 D．VD1、VD2均截（2）输出电压VO为（ )A．8.37V B．3。

87V C．4.3V D．9.3V9．分析图9所示电路，完成以下各题（1)变压器二次电压有效V1为ABCDR LR L图7图9（ )A．4.5V B．9V C．12V D．14V（2）若电容C脱焊，则V1为（ )A．4。

5V B．9V C．12V D．14V（3）若二极管VD1接反，则( )A．VD1、VD2或变压器烧坏 B．变为半波整流C．输出电压极性反转，C被反向击穿D．稳压二极管过流而损坏（4）若电阻R短路，则（ )A．VO将升高 B．变为半波整流C．电容C因过压而击穿 D．稳压二极管过流而损坏二、判断（）1、本征半导体中没有载流子。

( ）2、二极管的反向电流越大说明二极管的质量越好。

（ )4、RCπ型滤波器的特点是：滤波效果好，有直流损耗，带负载能力差。

模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P 型半导体，其多数载流子是空穴。

3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。

4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。

5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。

稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。

6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。

7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。

8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。

1．2 单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。

A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由(D )构成。

A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。

A．减小B．基本不变C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。

A．增大B．基本不变C．减小5．变容二极管在电路中主要用作( D )。

、A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

(√)2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

(×)3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。

(×)4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。

(×)1．4 分析计算题1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。

解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3 V。

《二极管及其应用》章节测验一、选择1、本征半导体又叫（）A、普通半导体B、P型半导体C、掺杂半导体D、纯净半导体2、锗二极管的死区电压为（）A、0.3VB、0.5VC、1VD、0.7V3、如下图所示的四只硅二极管处于导通的是（）-5.3V -6V -6V -5.3V0V -0.7V4、变压器中心抽头式全波整流电路中，每只二极管承受的最高反向电压为（）A、U2B、2U2 C、1.2 U2 D、22U25、在有电容滤波的单相半波整流电路中，若要使输出的直流电压平均值为60V，则变压器的次级低电压应为（）A、50VB、60VC、72VD、27V6、在下图所示电路中，正确的稳压电路为（）7、电路如图7所示，三个二极管的正向压降均可忽略不计，三个白炽灯规格也一样，则最亮的白炽灯是( )A．A B．B C．C D．一样亮8、图8所示电路，二极管导通电压均为0.7V，当V1=10V，V 2=5V时，（1）判断二极管通断情况( )A．VD1导通、VD2截止B．VD1截止、VD2 导通C．VD1、VD2均导通D．VD1、VD2均截（2）输出电压VO为( )A．8.37V B．3. 87V C．4.3V D．9.3V9．分析图9所示电路，完成以下各题（1）变压器二次电压有效值为10 V，则V1为( )A．4.5V B．9V C．12V D．14V(2)若电容C脱焊,则V1为( )A．4.5V B．9V C．12V D．14V(3)若二极管VD1接反，则( )A．VD1、VD2或变压器烧坏B．变为半波整流C．输出电压极性反转，C被反向击穿D．稳压二极管过流而损坏（4）若电阻R短路，则( )A．VO将升高B．变为半波整流C．电容C因过压而击穿D．稳压二极管过流而损坏二、判断（）1、本征半导体中没有载流子。

（）2、二极管的反向电流越大说明二极管的质量越好。

（）4、RCπ型滤波器的特点是：滤波效果好，有直流损耗，带负载能力差。

第1章 半导体二极管及其基本电路1-1判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

（⨯ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（⨯ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（ ） 1-2、选择正确答案填入空内。

（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 C 。

A. I S e UB. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）在本征半导体中加入 A 元素可形成N 型半导体，加入 C 元素可形成P 型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价（5）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。

A. 增大 B. 不变 C. 减小1-3能否将1.5V 的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V 时，管子会因电流过大而烧坏。

1-4 电路如图P1-4所示，已知u i ＝10sin ωt (v)，试画出u i 与u O 的波形。

设二极管正向导通电压可忽略不计。

图P1-4解图P1-4解：u i 和u o 的波形如解图P1-4所示。

1-5电路如图P1-54所示，已知u i＝5sinωt(V)，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。

图P1-5解图P1-5解：波形如解图P1-5所示。

1-6 电路如图P1-6（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。

图P1-6解：u O的波形如解图P1-6所示。

解图P1-61-7电路如图P1-7所示，二极管导通电压U D＝0.7V，常温下U T≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；u i为正弦波，有效值为10mV。

第一章半导体二极管及其电路【教学要求】本章主要介绍了半导体的基础知识及半导体器件的核心环节—PN结。

PN结具有单向导电特性、击穿特性和电容特性。

介绍了半导体二极管的物理结构、工作原理、特性曲线和主要参数。

理想情况下，二极管相当于开关闭合与断开。

介绍了二极管的简单应用电路，包括整流、限幅电路等。

同时还介绍了稳压二极管、发光二极管、光电二极管、变容二极管。

教学内容、要求和重点见如表1.1。

表1.1 教学内容、要求和重点【例题分析与解答】【例题1-1】二极管电路及其输入波形如图1-1所示，设U im>U R,，二极管为理想，试分析电路输出电压，并画出其波形。

解：求解这类电路的基本思路是确定二极管D在信号作用下所处的状态，即根据理想二极管单向导电的特性及具体构成的电路，可获得输出U o的波形。

本电路具体分析如下：当U i增大至U R时，二极管D导通，输出U o被U R嵌位，U o=U R，其他情况下，U o=U i。

这类电路又称为限幅电路。

图1-1【例题1-2】二极管双向限幅电路如图1-2 (a)所示，若输入电压U i=7sinωt (V)，试分析并画出电路输出电压的波形。

（设二极管的U on为0.7V，忽略二极管内阻）。

图1-2解：用恒压降等效模型代替实际二极管，等效电路如图1-2(b)所示，当U i<－3.7V时，D2反偏截止，D1正偏导通，输出电压被钳制在－3.7V；当－3.7V<U i <3.7V时，D1、D2均反偏截止，此时R中无电流，所以U o=U i；当3.7V<U i时，D1反偏截止，D2正偏导通，输出电压被钳制在3.7V。

综合上述分析，可画出的波形如图1-20(c)所示，输出电压的幅度被限制在正负3.7V 之间。

【例题1-3】电路如图1-3（a），二极管为理想，当B点输入幅度为±3V、频率为1kH Z的方波，A点输入幅度为3V、频率为100kH Z的正弦波时，如图1-3（b），试画出Uo点波形。