化学气相沉积,包括低压化学气相沉积(low pressure CVD,LPCVD)、离子增强型气相沉积(plasma enhanced (assisted) CVD,PECVD,PACVD)、常压化学气相沉积(atmosphere pressure CVD,APCVD)、金属有机物气相沉积(MOCVD)和微波电子回旋共振化学气相沉积(Microwave Electron cyclotron resonance chemical vapor deposition, MW-ECR-CVD)等。
分子束外延是在超高真空条件下精确控制源材料的中性分子束强度,并使其在加热的基片上进行外延生长的一种技术。从本质上讲,分子束外延也属于真空蒸发方法,但 与传统真空蒸发不同的是,分子束外延系统具有超高真空,并配有原位监测和分析系统,能够获得高质量的单晶薄膜。
2、溅射法 荷能粒子轰击固体材料靶,使固体原子从表面射出,这些原子具有一定的动能和方向性。在原子射出的方向上放上基片,就可在基片上形成一层薄膜,这种制备薄膜的方法叫做溅射法。 溅射法属于物理气相沉积(PVD),射出的粒子大多处于原子状态,轰击靶材料的荷能粒子一般是电子、离子和中性粒子。
3.1.2 化学气相沉积 (chemical vapor deposition )
化学气相沉积:一定化学配比的反应气体,在特定激活条件下(一般是利用加热、等离子体和紫外线等各种能源激活气态物质),通过气相化学反应生成新的膜层材料沉积到基片上制取膜层的一种方法。 Chemical vapor deposition (CVD) is a chemical process often used in the semiconductor industry for the deposition of thin films of various materials.