第01章 晶体二极管及整流电路
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第一章晶体二极管和二极管整流电路一、填空题1、半导体中的多数载流子是由产生的;少数载流子是由产生的。
2、PN结加正向电压时,其空间电荷区(耗尽层)将,电阻值将。
PN结加反向电压时,其空间电荷区(耗尽层)将,电阻值将。
3、正偏二极管的动态电阻随流过二极管的正向电流的增加而。
4、硅二极管的导通电压为伏,反向饱和电流I S为数量级;锗二极管的导通电压为伏,反向饱和电流为数量级。
5、二极管的伏安特性曲线,是加到二极管两端的和流过二极管的之间的关系曲线。
6、滤波电路的作用是使的直流电变成较的直流电。
7、在电路中,如果流过二极管的正向电流过大,二极管将会。
如果加在二极管两端的反向电压过高,二极管将会。
8、如图2-1-1所示硅二极管电路,二极管处于状态,流过二极管的电流为。
9、桥式整流电路加电容滤波之后,不仅使输出直流电压V O变得,而且使输出电压的平均值。
10、稳压二极管应工作在伏安特性曲线的。
11、电容滤波电路常用在的场合;电感滤波电路常用在的场合。
12、将变成的过程叫做整流。
在单相整流电路中常用的整流形式有、和等几种。
13、如图2-1-2所示电路中,R L1两端的电压为伏,R L2两端的电压为伏。
14、如图2-1-3所示电路中,二极管为硅管时I= 毫安;若二极管为锗管,此时I= 毫安。
15、如图2-1-4所示电路中硅稳压二极管稳压电路中,电阻R起和的作用。
若R=0,将使和。
16、如图2-1-5所示电路中二极管为理想器件,V1工作在状态,V2工作在状态V AB= 。
17、半导体根据内部两种载流子的数量分布情况,分为、和三种类型。
18、P型半导体又称,其中是多数载流子,是少数载流子;N型半导体又称电子型,其中是多数载流子,是少数载流子。
19、单相整流电路是利用二极管的实现整流的,硅稳压二极管是利用二极管的特性来实现稳压的。
20、如图2-1-6所示电路中,V为理想二极管,S闭合时,P点电位是伏,S打开时,P点电位是伏。
2015年湖北省普通高等学校招收中职毕业生技能高考电子类技能考试样库第一章•晶体二极管及二极管整流电路第一节.识记二极管单向导电性,二极管伏安特性和主要参数;A:判断题:1.半导体的导电能力在不同条件下有很大差别,若降低环境温度导电能力会减弱。
()2.用万用表测试晶体管时,选择欧姆档RX10K档位。
()3.在P型半导体中,少数载流子是空穴,多数载流子是电子。
()4.用万用表测试晶体管时,选择欧姆档RX0K档位()。
5.PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。
()6.N型半导体中,主要依靠自由电子导电,空穴是少数载流子。
()7 .二极管和三极管都是非线性器件。
()8.二极管加反向电压时,形成很小的反向电流,在电压不超过某一范围时,二极管的反向电流随反向电压的增加而基本不变()9.P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。
()B:选择题1.P型半导体的多数载流子是()。
A.电子B.空穴C.电荷D.电流2.晶体硅或锗中,参与导电的是()。
A.离子B.自由电子C.空穴D.B和C3.下列说法正确的是()。
A.N型半导体带负B.P型半导体带正C.PN结型半导体为电中性体D.PN结内存在着内电场,短接两端会有电流产生4.N型半导体的多数载流子是()。
A.电流B.自由电子C.电荷D.空穴5.关于P型.N型半导体内参与导电的粒子,下列说法正确的是()。
A.无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴B.P型半导体中只有空穴导电C.N型半导体中只有自由电子参与导电D.在半导体中有自由电子•空穴•离子参与导电6.稳压二极管是利用PN结的()来实现稳压性能的。
A.反向击穿特性B.正向导通性C.反向截止性D.单向导电性7.锗二极管导通时,它两端电压约为()。
A.1VB.0.7VC.0.3VD.0.5V8.关于N型半导体的下列说法,错误的是()。
A.自由电了是多数载流子B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼,可形成N型半导体D.在PNP型晶体管中,基区是N型半导体9.半导体的导电能力随温度升高而(),金属导体的电阻随温度升高而()A.降低/降低B.降低/升高C.升高/降低D.升高/升高10.PN结呈现正向导通的条件是()。
一、晶体二极管和二极管整流电路一、填空1、纯净的半导体称为,它的导电能力很。
在纯净的半导体中掺入少量的价元素,可形成P型半导体,又称型半导体,其中多数载流子为,少数载流子为。
2、在本征半导体中掺入价元素,可形成N型半导体,其中多数载流子为,少数载流子为,它的导电能力比本征半导体3、如图,这是材料的二极管的____曲线,在正向电压超过 V后,二极管开始导通,这个电压称为电压。
正常导通后,此管的正向压降约为 V。
当反向电压增大到 V时,即称为电压。
其中稳压管一般工作在区。
4、二极管的伏安特性指和关系,当正向电压超过_____后,二极管导通。
正常导通后,二极管的正向压降很小,硅管约为 V,锗管约为 V。
5、二极管的重要特性是,具体指:给二极管加电压,二极管导通;给二极管加电压,二极管截止。
6、PN结的单向导电性指,当反向电压增大到时,反向电流会急剧增大,这种现象称。
7、二极管的主要参数有 ________、_________和,二极管的主要特性是。
8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时,若两次测得的阻值都较小,则表明二极管内部;若两次测得的阻值都较大,则表明二极管内部。
两次测的阻值相差越大,则说明二极管的性能越好。
9、整流是指_______________________________________,整流电路分可为:和电路。
将交流电转换成较稳定的直流电,一般要经过以下过程:___________ →____________ →____________ →____________10、有一直流负载RL =9Ω,需要直流电压VL=45V,现有2CP21(IFM =3000mA,VRM=100V)和2CP33B(IFM=500mA, VRM=50V) 两种型号的二极管,若采用桥式整流电路,应选用型二极管只。
11、稳压二极管的稳压特性指,动态电阻rZ越大,说明稳压性能越。
12、滤波器的作用是将整流电路输出的中的成分滤去,获得比较的直流电,通常接在电路的后面。
电子线路第一章晶体二极管和二极管整流电路一、填空1、晶体二极管加一定的(正向)电压时导通,加(反向)电压时(截止)这一导电特性称为二极管的(单相导电)特性。
2、不加杂质的纯净半导体称为(本征半导体)。
3、P型半导体它又称为(空穴)型半导体,其内部(空穴)数量多于(自由电子)数量。
4、加在二极管两端的(电压)和流过二极管的(电流)间的关系称为二极管的(伏安特性)。
5、把(交流)电转换成(直流)电的过程称为整流。
6。
直流电的电路称为二极管单相整流电路,常用的有(单相半波整流)、(单相桥式整流)和(倍压整流)电路。
7。
三极管工作在放大区时,通常在它的发射结加(正向)电压,集电结加(反向)电压。
8。
三极管在电路中的三种基本连接方式是(共发射极接法)、(共基极接法)、(共集电极接法)。
9。
晶体二极管的主要参数有(最大整流电流IFm)、(最高反向工作电压VRm)、(反向漏电流IR)。
10。
导电能力介于(导体)和(绝缘体)之间物体称为半导体。
11、在半导体内部,只有(空穴)和(自由电子)两种载流子。
12、一般来说,硅晶体二极管的死区电压应(大于)锗晶体二极管的死区电压。
13、当晶体二极管的PN结导通后,则参加导电的是(既有少数载流子,又有多数载流子)。
14、用万用表测晶体二极管的正向电阻时,插在万用表标有+号插孔中的测试表笔(通常是红色表笔)所连接的二极管的管脚是二极管的(负)极,另一电极是(正)极。
15、面接触性晶体二极管比较适用(大功率整流)16。
晶体二极管的阳极电位是-10V,阴极电位是-5V,则晶体二极管处于(反偏)17。
用万用表欧姆档测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把欧姆档拨到(R1K档)18。
当硅晶体二极管加上0。
3V正向电压时,该晶体管相当于(阻值很大的电阻)19。
晶体二极管加(反向)电压过大而(击穿),并且出现(烧毁)的现象称为热击穿20。
晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时,反向电流(极小);当反向电压大于反向击穿电压后,反向电流会急速(增大)21、二极管的正极又称(阳)极,负极又称(阴)极。