HV高压厚膜电阻-SUPEROHM

Supertex生产的HV9912升压变换器控制器的集成电路是一个闭环与峰值电流控制、开关模式变换器的LED驱动器。

HV9912的内置功能克服了变换器的缺点，特别地，它有一个“切断MOSFET”驱动的输出端。

当短路或输入过电压时，由这个输出驱动的外置MOSFET可以切断LED串。

这个“切断MOSFET”还可以极大地提高变换器的PWM调光响应速度。

可见HV9912升压变换器控制器的工作原理可以如下文所示：HV9912内部的高电压调节器可将9～9OV的输入电压调节到7.75V的VDD电压，作为芯片的供电电源。

这个电压范围适于大多数的升压应用。

当降压电路和SEPIC电路需要精准的电流控制时也可以使用此芯片。

在高压降压变换应用中，输入端可串联一个稳压二极管，以便承受更高的操作电压或减小芯片的功率损耗。

当外部电压源通过一个低压(>IOV)低电流二极管馈通时，芯片的VDD端可以过驱动。

当外部电压小于内部电压时，二极管可以防止HV9912损坏。

能加在HV9912的VDD引脚的最高稳态电压是l2V(瞬时额定电压为13.5V)。

考虑到二极管的正向压降，理想的电源电压应为l2V正负5%。

HV9912升压变换器控制器包含一个1.25V、精度为2%的带缓冲的参考电压。

通过REF、IREF和CLIM引脚间连接的分压器网络，电流参考等级和输入电流限制等级可由这个参考电压设定。

内部过压点也由这个参考电压确定。

HV9912的时钟可用外部电阻来设定。

如果电阻连接在引脚RT和GND间，变换器将工作在恒频模式；如果连接在RT和GATE引脚间，变换器工作在恒关断时间模式(在恒关断时间，不必通过斜坡补偿使变换器稳定)。

将所有芯片的引脚SYNC连接在一起，多个HV9912可以同步到同一开关频率。

有时同步是必须的，如在RGB照明系统中，或用EMI滤波来去除某一频率分量时。

将输出电流采样信号接至FDBK引脚，电流参考信号接至IREF引脚，可以实现闭环控制。

华新（Walsin）LIZ丽智电阻宇阳风华高科UNIOHM厚生厚膜晶片电阻器Samaung 三星电容 :例子 CL 10 B 104 K A 8 NNNCCL 10 B 104 K A 8 N N N C系列尺寸材质容值精度耐压厚度端头材料包装方式Seriessize 03=0201(0603);01=0306(0816);05=0402(1005);14=0504(1410);12=0508(1220) ;10=0603(1608);21=0805(2012);31=1206(3216);32=1210(3225);42=1808(4520);43=1812(4532);55=2220(5750)dielectric I类：C=C0G=NPO,S=S2H,L=S2L,P=P2H,T=T2H,R=R2H ,U=U2J II类:A=X5R, F=Y5V ,B=X7R,X=X6S capacitancetolerance A=±0.05pf ; B=±0.1pf ；C=±0.25pf ；D=±0.5pf ；F=±1pf或±1% ；G=±2% ；J=±5% ；K=±10% ；M=±20% ；Z=+80/-20%voltage R=4V ;Q=6.3V ;P=10V ;O=16V ;A=25V ;L=35V ;B=50V ;C=100V ;D=200V ;E=2 50V;G=500V ;H=630V ; I=1000V ; J=2000V ;K=3000Vthickness 3=0.30；5=0.50；8=0.80；A=0.65;C=0.85;H=1.60;I=2.00;J=2.50;L=3.20termination A=Pd/Ag/Sn 100% ;N=NiCu/Sn 100% ;G=Cu/Cu/Sn 100%productsSpecislvariousPacking1mil毫英寸/密耳=0.0254mm毫米Termination 端头材料 sliver全银 nickel barrier三层电镀 no mark 无标记 bulk散装 tape & reel编带包装； bulk packaging袋式包装；packaging style包装方式A=常规产品钯/银/镍屏蔽/锡 100%N=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%G=常规产品铜/铜/镍屏蔽/锡 100%L=低侧面产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%B=散装O=纸版箱料带,10英寸料盘E=压花纸版箱,7英寸料盘P=散装箱D=纸版箱料带,13英寸料盘(10000ea)F=压花纸版箱,13英寸料盘C=纸版箱料带,7英寸料盘L=纸版箱料带,13英寸料盘(15,000ea)S=压花纸版箱,10英寸料盘钽电容耐压用不同的字母来标注，如下：F 2.5 ,G 4 L 6.3 A 10 C 16 D 20 E 25 V 35 T 50钽电容一般分为A、B、C、D型，注意后缀是公制，比如B型，就是3.5mm*2.8mmA型3216B型3528C型6032D型7343E型7343供应TDK ，村田，太诱，风华，三星，国巨贴片电容CL=积层陶瓷电容:03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520)05=0402(1005) 31=1206(3216)43=1812(4532)10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750)14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220) I 类:C=C0G S=S2H L=S2LP=P2H T=T2HR=R2H U=U2J ;II 类:A=X5R F=Y5VB=X7R X=X6S R=4V O =16V B =50V E = 250V I = 1000V Q=6.3V A =25V C=100V G = 500VJ = 2000V P =10VL=35V D =200V H = 630V K= 3000V三星 NPO=CH=COG 风华 NPO=CG 电感器通常指空心线圈或磁芯线圈。

WSL3637 WSL3921, WSL5931 WSL4026
WSLP
WSLP2726
WSLP3921, WSLP5931
WSLP4026
WSLT3921, WSLT5931 WSMS2906 WSMS2908
功率金属条®电
阻、高功率、 1
表贴,4终端
Power Metal 0.125
Strip®
阻、低阻值(下 1
降到0.0005 )、
1005 2208 1206 1010 2010 2512
102 204 207 n/a n/a n/a
n/a 8518
2512
50
100 100 100
900 See datasheet 225 See datasheet See datasheet
Zero Ohm Zero Ohm
0.5 1 m
1 0.3 m 0.2 m
1 0.3 m
1m 0.5 1 m
0.5 m
1 2m 0.5 m 2m
1 1m 0.5 m 0.3 m
1 2m 0.5 m
1 0.5 m 0.3 m
5 0.3 m
5 50 µ
5m 0.2 0.2 0.5 0.5 0.1 0.2 0.2 0.5
40 m 5m
10 m
性mil -prf- 0.05 502 32159合 格,RCZ类型 0.07 603
0.1 505
705 0.15
1505
Zero Ohm Zero Ohm jumper jumper Zero Ohm Zero Ohm jumper jumper Zero Ohm Zero Ohm jumper jumper Zero Ohm Zero Ohm jumper jumper Zero Ohm Zero Ohm jumper jumper Zero Ohm Zero Ohm jumper jumper Zero Ohm Zero Ohm jumper jumper Zero Ohm Zero Ohm jumper jumper Zero Ohm Zero Ohm jumper jumper Zero Ohm Zero Ohm jumper jumper Zero Ohm Zero Ohm jumper jumper

7
6
8
6
10
6
12
5
15
4
16
4
20
4
30
3.5
47
3
60
2.5
120
1.8
2.5
8
1.3
10
1.5
10
2.5
9.5
3.0
9.0
5.0
8.0
6.0
7.0
7.0
7.0
8.0
7.0
10.0
7.0
12.0
6.0
15.0
6.0
16.0
6.0
20.0
6.0
30.0
5.0
47.0
4.0
120
2.5
0.7
16
1.0
NTC（负温度系数）热敏电阻是一种热敏性半导体电阻器，其电阻值随着温度的升高而下降，电阻温度系数 在-2%/k~-6%/k 范围内，约为金属电阻温度系数的 10 倍。NTC 热敏电阻器电阻值的变化可以由外部环境温度 的变化引起，也可以因有电流流过，自身发热而造成。他的各种用途都是基于这种特性。NTC 热敏电阻器由 混合氧化物的多晶陶瓷构成。这种材料的导电机理是相当复杂的。
13
≥ 13
13
≥13
13
≥ 13
13
≥ 13
13
≥13
13
≥ 13
13
≥ 13

≥13
13
≥13
13
≥ 13
13
≥ 13
15
≥ 21
15
≥ 22
15
≥ 22
15
≥ 22

ASVMP• Storage Area Networks(SATA, SAS, Fiber Channel)• Passive Optical Networks (EPON, 10G-EPON, GPON, 10G-PON)• Ethernet (1G, 10GBASE-T,/KR/LR/SR, FCoE • PCI Express • Display port• Low Power Consumption for high speed communication • Exceptional Stability Over Temp. at -40 to +85°C, ±15ppm• Extended Automotive Grade Temp. stability at -55 to +125°C, ±25ppm • Available in 50kG Shock Resistance Configuration upon request • MIL-STD-883 shock and vibration compliant • Durable QFN Plastic Compact Packaging • Standby or Disable Tri-state function• Low jitter (Period jitter RMS and Phase jitter RMS)• High power supply noise reduction, -50dBcLow Jitter High Performance Moisture Sensitivity Level – MSL 1Common Key Electrical Specifications – CMOS, LVPECL, LVDS, and HCSL* For 2.3000MHz < F0 < 9.9999MHz, 6-8 weeks lead-time applies Key Electrical Specifications – CMOSFrequency RangeCMOS 2.3000* 170.0000 MHzCMOS3.3000* 170.0000 LVPECL 2.3000* 460.0000 Commercial, Industrial temp. rangeLVDS 2.3000* 460.0000 Commercial, Industrial temp rangeHCSL2.3000*460.0000Commercial, Industrial temp. rangeOperating Temperature -20 +70 °C See optionsC ° 051+ 55-e r u t a r e p m e T e g a r o t S Overall Frequency Stability -50 +50 ppm See options Supply Voltage (Vdd) +2.25 +3.6 Vs m 5 e m i T p u t r a t S Enable Time 20 ns STD (Tri-state)5 ms PD option (Power Down)s n 5 e m i T e l b a s i D Disable Current20 22 mA STD (Tri-state)0.095 PD option (Power Down)Tri-state Function (Standby/Disable) "1" (VIH 0.75*Vdd) or Open: Oscillation "0" (VIL<0.25*Vdd) : Hi ZV 40k pull-up resister embeddedr a e y t s r i F m p p0.5+ 0.5-g n i g A Supply Current (I dd ) 31 35 mA CL=15pF, 125MHz Output Logic Level V OH 0.9*V ddV I=±6mA V OL 0.1*V dd V Rise Time Tr 1.1 2.0 ns CL=15pF 20% to 80%Fall Time Tf1.32.0 ns% 55 54e l c y C y t u D Integrated Phase Jitter (J PH ) 0.30 2 ps 200kHz ~ 20MHz@125MHz 0.38 2 100kHz ~ 20MHz@125MHz 1.70 2 12kHz ~ 20MHz@125MHzPeriod Jitter RMS (J PERs p0.3)PbRoHS/RoHS II compliant7.0 x 5.0 x 0.85mm-20 ~ +70°C -40 ~ +85°C -40 ~ +105°C -55 ~ +125°CKey Electrical Specifications – LVPECLKey Electrical Specifications – LVDS NotesSupply Current (I dd)56.5 58 mA RL=50 Output Logic Level V OH V dd-1.08 V RL=50V OL V dd-1.55 VPeak to Peak Output Swing (V pp) 800 mV Single endedRise Time Tr 250ps RL=50 , CL=0pFFall Time Tf 250l a i t n e r e f f i D%2584e l c y Cy t u DIntegrated Phase Jitter (J PH) 0.25 2ps200kHz ~ 20MHz@156.25MHz0.38 2 100kHz ~ 20MHz@156.25MHz1.70 2 12kHz ~ 20MHz@156.25MHzPeriod Jitter RMS (J PER s p5.2)Notes Supply Current (I dd)29 32 mA RL=100Output Offset Voltage (V OS) 1.125 1.4 V RL=100 differential Delta Offset Voltage (V OS) 50 mVPeak to Peak Output Swing (V pp) 350 mV Single endedRise Time Tr 200ps RL=50 , CL=2pFFall Time Tf 200l a i t n e r e f f i D%2584e l c y Cy t u DIntegrated Phase Jitter (J PH) 0.28 2ps200kHz ~ 20MHz@156.25MHz0.40 2 100kHz ~ 20MHz@156.25MHz1.70 2 12kHz ~ 20MHz@156.25MHzPeriod Jitter RMS (J PER s p5.2)Key Electrical Specifications – HCSLNotes Supply Current (I dd)40 42 mA RL=50Output Logic Level V OH0.725 V RL=50V OL0.1 V Peak to Peak Output Swing (V pp) 750 mV Single endedRise Time Tr 200 400ps RL=50 , CL=2pFFall Time Tf 200 400l a i t n e r e f f i D%2584e l c y Cy t u DIntegrated Phase Jitter (J PH) 0.25 2ps200kHz ~ 20MHz@156.25MHz0.37 2 100kHz ~ 20MHz@156.25MHz1.70 2 12kHz ~ 20MHz@156.25MHzPeriod Jitter RMS (J PER s p5.2)20% to 80% 20% to 80% 20% to 80%Absolute Maximum RatingsSupply Voltage -0.3 +4.0 VInput Voltage -0.3 V dd+0.3 VJunction Temp. +150 °CStorage Temp. -55 +150 °CSoldering Temp. +260 °C 40sec maxESDHBM MM CDM 4,0004001,500VCMOS OUTPUTTest Circuit(Unless specified otherwise: T=25° C, VDD=3.3 V) LVPECL outputTest CircuitASVMPTest CircuitLVDS OUTPUTHCSL OUTPUTASVMPPbRoHS/RoHS II compliantTest Circuit7.0 x 5.0 x 0.85mmASVMPASVMPFunction Tri-state NC GND Output NC (CMOS)Output (LVPECL, LVDS, HCSL)VddNote: Recommend using an approximately 0.01uF bypass capacitor between PIN 6and 3.Center pad: NC / GNDRecommended Land Pattern for CMOSRecommended Land Pattern for LVPECL, LVDS, HCSLPbRoHS/RoHS II compliant7.0 x 5.0 x 0.85mm6413ASVMPTube: 50pcs/tubeUnit orientation in tube:Dimensions: mmPbRoHS/RoHS II compliant7.0 x 5.0 x 0.85mm。

± 1000
19 ≦R＜25 mΩ
± 700
25 ≦R＜50 mΩ
± 400
50 ≦R＜100 mΩ
± 200
100 ≦R＜1000 mΩ
± 1500
10 ≦R＜19 mΩ
± 1200
19 ≦R＜25 mΩ
± 900
25 ≦R＜50 mΩ
± 500
50 ≦R＜100 mΩ
± 200
100 ≦R＜1000 mΩ
6
2nd 保護層
2nd Protective coating
2 背面內部電極 Bottom inner electrode 7
字碼
Marking
3 正面內部電極 Top inner electrode 8 側面內部電極 Terminal inner electrode
4
電阻層
Resistive layer
序號：60
RALEC
旺詮
4 尺寸:
5 結構圖:
厚膜晶片電阻器規格標準書
文件編號 版本日期 頁次
IE-SP-007 2009/06/08
4/20
Unit : mm
Dimensions
L
W
TYPE Size Code
H
L1 L2
RTT01
0201 0.60± 0.03 0.30± 0.03 0.23± 0.03 0.15± 0.05 0.15AX.
核准
審查
制定
備註 非 發 行 管 制 文 件
自行注意版本更新
發行管制章 DATA Center.
非 經 允 許 ，禁 止 自 行 影 印 文 件 。
序號：60
RALEC

电源 技术领 域应用
宇波模块 宇波模块 宇波模块
负载
AC输入
DC DC
AC电流测量 AC电压测量
整流
PMW转换
整流
DC电流测量 DC电压测量
典型应用：
-通信电源系统 -UPS电源 -铁路信号电源系统 -电力输变电监测系统 -激光电源系统 -工业控制系统电源 -高频加热电源 2006年底，我国合肥建成并投入试运 行的核聚变装置－全超导托卡马克EAST系 统，43台CHB-KA型3KA~20KA霍尔电流传感 器被应用于该装置的供电控制系统，监测 控制供给核聚变装置的能量。 托卡马克EAST装置是为了研究并有效 控制“氢弹爆炸”过程的核聚变反应实验 系统，科学家称其为“人造太阳”，因为 它可以像太阳一样，为人类提供无限、清 洁和安全的能源。
9 13-17
产品认证
宇波模块的设计、生产及 服务 过程通过ISO9001:2000 国际质量管理体系认证。
5A~3000A(AC) 50A~3000A(DC) 1A~300A(AC) 1A~300A(DC)
13 13 17 17 15-16
产品的质量保证
宇波模块 将严格按照ISO9001:2000国际 质量 认证标准 进行设计、生产及服务。我们承诺对由于设计、原材料 及生产工艺造成的产品早期失效负责，产品提供自购买 日期起5年的质量保证。
工作原理：
霍尔磁补偿原理—被测电流IN 流过导体产生的磁场，由通过霍尔元件 输 出信号控制的补偿电流IM 流过次级线圈产生的磁场补偿，当原边与副边 的磁场达到平衡时，其补偿电流IM即可精确反映原边电流IN值。
CHB-50SF CHB-50TF CHB-100A CHB-100P CHB-100S CHB-100T CHB-100SE CHB-100SF CHB-100TF

型号
RI820.125 RI820.125 RI820.25S RI82-0.25 RI82-0.25 RI82-0.5 RI82-0.5 RI82-1 RI82-1 RI82-1 RI82-1 RI82-2 RI82-2 RI82-3 RI82-3 RI82-3 RI82-5 RI82-10 RI82-20 RI82-30
应用:
X 激光/显像设备，冲击电压发生器。 电容消弧电路，高电压缓冲电路，电弧炉阻尼。 脉冲调制器，雷达脉冲网络，能源研究，和EMI /闪电抑制。 应用包括电源，变压器和要求在高压环境下使用的产品。
高压电阻 RI82 - 表面贴装
一般规格 (单位:mm)
L max H max
Silver Palladium Pole Resistent Film Insulation Coating 96%A1023 Ceramic Base
阻值公差
F(±1%) G(±2%) J(±5%) K(±10%) M(±20%)
备注: 额定持续工作电压 (RCWW) 应由公式计算 RCWW =
额定功率 × 电阻值 (Ω)
当 RCWW 大于规格的最大工作电压，RCWW = 规格的最大工作电压。
Version 2014
德键电子工业股份有限公司
03 of 04
机械规格 :
电阻元件：厚膜。 基底： 96 % 纯氧化铝。 封装：环氧基，保形涂料（C型）。 终端：银钯杆，镀锡铜引线。
Version 2014
德键电子工业股份有限公司
01 of 04
TOKEN
特性:
-
RI82 片状玻璃釉高压电阻器
额定功率从 0.1W 到 30W。 最大工作电压从 2KV 到 30KV。 可生产客户提供的原图设计。 坚固的环氧树脂涂层和高电压稳定性。 温度系数从 200 ppm/°C 到 300 ppm/°C。 高阻值范围从 10 Megohm 到 1KK Megohms (1 Gegaohms)。 阻值精度有 F(±1%), G(±2%), J(±5%), K(±10%), and M(±20%)。 稳定陶瓷电阻元件烧结高纯度氧化铝衬底。

常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器1．电阻器和电位器的型号命名方法(1)精密金属膜电阻器R J7 3第四部分：序号第三部分：类别（精密）第二部分：材料（金属膜）第一部分：主称（电阻器）(2) 多圈线绕电位器W X D 3第四部分：序号第三部分：类别（多圈）第二部分：材料（线绕）第一部分：主称（电位器）2．电阻器的主要技术指标(1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。

电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。

不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。

(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。

根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。

E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。

(3) 允许误差等级3．电阻器的标志内容及方法(1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。

符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。

如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ，RJ71－0.125－5k1－II允许误差±10%标称阻值(5.1kΩ)额定功率1/8W型号由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。

(2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。

色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。

其含义如图1和图2所示。

三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。

例如，色环为棕黑红，表示10⨯102＝1.0kΩ±20%的电阻器。

电子元器件基础知识--电阻电容的品牌大全1、请列举您知道的电阻、电容、电感品牌（最好包括国内、国外品牌）。

电阻：美国：AVX、VISHAY威世日本：KOA兴亚、Kyocera京瓷、muRata村田、Panasonic 松下、ROHM罗姆、susumu、TDK台湾： LIZ丽智、PHYCOM飞元、RALEC旺诠、ROYALOHM厚生、SUPEROHM美隆、TA-I大毅、TMTEC泰铭、TOKEN德键、TYOHM幸亚、UniOhm厚声、VITROHM、VIKING 光颉、WALSIN华新科、YAGEO国巨新加坡：ASJ 中国：FH风华、捷比信电容：美国：AVX、KEMET基美、Skywell泽天、VISHAY威世英国：NOVER诺华德国：EPCOS、WIMA威马丹麦：JENSEN战神日本：ELNA伊娜、FUJITSU富士通、HITACHI日立、KOA兴亚、Kyocera京瓷、Matsushita松下、muRata村田、NEC、nichicon（蓝宝石）尼吉康、Nippon Chemi-Con（黑金刚、嘉美工）日本化工、Panasonic松下、Raycon威康、Rubycon（红宝石）、SANYO三洋、TAIYO YUDEN太诱、TDK、TK东信韩国：SAMSUNG三星、SAMWHA 三和、SAMYOUNG三莹台湾：CAPSUN、CAPXON（丰宾）凯普松、Chocon、Choyo、ELITE金山、EVERCON、EYANG宇阳、GEMCON至美、GSC杰商、G-Luxon世昕、HEC 禾伸堂、HERMEI合美电机、JACKCON融欣、JPCON正邦、LELON立隆、LTEC辉城、OST奥斯特、SACON士康、SUSCON 冠佐、TAICON台康、TEAPO智宝、WALSIN华新科、YAGEO国巨香港：FUJICON富之光、SAMXON万裕中国：AiSHi 艾华科技、Chang常州华威电子、FCON深圳金富康、FH广东风华、HEC东阳光、JIANGHAI南通江海、JICON吉光电子、LM佛山利明、R.M佛山三水日明电子、Rukycon海丰三力、Sancon海门三鑫、SEACON深圳鑫龙茂电子、SHENGDA扬州升达、TAI-TECH台庆、TF南通同飞、TEAMYOUNG天扬、QIFA奇发电子电感：美国：AEM、AVX、Coilcraft线艺、Pulse普思、VISHAY威世德国：EPCOS、WE 日本：KOA兴亚、muRata村田、Panasonic松下、sumida胜美达、TAIYO YUDEN 太诱、TDK、TOKO、TOREX特瑞仕台湾：CHILISIN奇力新、yers美磊、TAI-TECH台庆、TOKEN德键、VIKING光颉、WALSIN华新科、YAGEO国巨中国：Gausstek丰晶、GLE格莱尔、FH风华、CODACA科达嘉、Sunlord顺络、紫泰荆、肇庆英达2、请解释电阻、电容、电感封装的含义：0402、0603、0805。

Functional code X : Thick film low ohm M : Metal low ohm N : Metal low ohm, high power W : Thick film low TCR P : Thick film low TCR high power ( 2512 size=2 watt, 2010 size=1 watt, 1210 size=0.5 watt, 1206 size=0.5 watt,
R002
Tolerance F : +/- 1% J : +/- 5% P : Jumper
Packaging code P : 4” reel taping T : 7” reel taping A : 7” reel taping 15Kpcs Q : 10” reel taping G : 13” reel taping R : 0603 2mm pitch taping B : Bulk K : Bulkcase
Termination code L = Sn base (Lead free) 5 3E SSP (total)
WW
25
M
F
T
L
Type code WW: R< 1ohm MW: R< 1ohm Automotive SW: R< 1ohm Anti-sulfuration
Size code 25 : 2512 (6432) 20 : 2010 (5025) 18 : 1218 (3248) 12 : 1206 (3216) 10 : 1210 (3225) 08 : 0805 (2012) 06 : 0603 (1608) 04 : 0402 (1005)

ContentsIntroduction ………………………………………………………………………………………Page1.0 Scope (4)2.0 Ratings & Dimension ………………………………………………………….…………....4~53.0 Structure.................................... (5)4.0 Marking…….…………………………………… ………………………. ..… …………… 6~75.0 Derating Curve................................................... .. (8)6.0 Performance Specification …………………………………………….……………..........8~97.0 Explanation of Part No. System ………………………………….…………………………9~108.0 Ordering Procedure (10)9.0 Standard Packing ………………………………………………….…………………………11~1210.0 Note Matter.................................................................. . (12)File Name:CHIP SERIES±0.5%,±1%,±2%,±5%& 0ΩDate 2013.12.20EditionNo. 1Amendment Record Signature Edition Prescription of amendment Amend Page Amend Date Amended by Checked by1.0 Scope:This specification for approve relates to the Lead-Free Thick Film Chip Resistors manufactured byROYALOHM.2.0 Ratings & Dimension:01005、0201、04020603、0805、1206、1210、1812、2010、25122.1 Dimension & Resistance Range ：Type70℃ PowerDimension(mm) Resistance RangeL W H A B 0.5% 1.0% 2.0% 5.0%01005 1/32W 0.40±0.02 0.20±0.02 0.13±0.02 0.10±0.050.10±0.03--10Ω-10M Ω 10Ω-10M Ω10Ω-10M Ω0201 1/20W 0.60±0.03 0.30±0.03 0.23±0.03 0.10±0.050.15±0.05-- 1Ω-10M Ω 1Ω-10M Ω1Ω-10M Ω0402 1/16W 1.00±0.100.50±0.05 0.35±0.05 0.20±0.100.25±0.101Ω-10M Ω0.2Ω~22M Ω 0.2Ω~22M Ω0.2Ω~22M Ω06031/16W 1/10WS 1.60±0.10 0.80±0.10 0.45±0.10 0.30±0.200.30±0.201Ω-10M Ω0.1Ω~33M Ω 0.1Ω~33M Ω0.1Ω~100M Ω0805 1/10W 1/8WS 2.00±0.15 +0.151.25-0.10 0.55±0.10 0.40±0.200.40±0.201Ω-10M Ω0.1Ω~33M Ω 0.1Ω~33M Ω0.1Ω~100M Ω1206 1/8W 1/4WS 3.10±0.15 +0.151.55-0.100.55±0.10 0.45±0.200.45±0.201Ω-10M Ω0.1Ω~33M Ω 0.1Ω~33M Ω0.1Ω~100M Ω1210 1/4W1/3WS 1/2WSS3.10±0.10 2.60±0.20 0.55±0.10 0.50±0.250.50±0.201Ω-10M Ω0.1Ω~10M Ω 0.1Ω~22M Ω0.1Ω~100M Ω18121/2W 3/4WS 4.50±0.20 3.20±0.20 0.55±0.20 0.50±0.200.50±0.200.1Ω-10M Ω0.1Ω-10M Ω 0.1Ω-10M Ω0.1Ω-10M Ω2010 1/2W 3/4WS5.00±0.10 2.50±0.20 0.55±0.10 0.60±0.250.50±0.201Ω-10M Ω0.1Ω~22M Ω 0.1Ω~22M Ω0.1Ω~22M Ω2512 1W 6.35±0.10 3.20±0.20 0.55±0.10 0.60±0.250.50±0.201Ω-10M Ω0.1Ω~33M Ω 0.1Ω~33M Ω0.1Ω~33M Ω2.2 RatingsType70℃PowerMax 。

对 于 SMD 和 TO92 系列，我们推荐使用波峰焊和回流 焊工艺进行进一步自动处理。
7
Heraeus Sensor Technology GmbH Reinhard-Heraeus-Ring 23 63801 Kleinostheim GERMANY 电话：+ 49 (0)6181.35-8098 传真：+ 49 (0)6181.35-8065 info.hsnd@
电阻值 (Ω) Pt 100 Pt 500 Pt 1000
Pt 10000
颜色 浅蓝色 浅蓝色
蓝色 白色
透明 粉红色
蓝色 不透明
名称 超低温
低温 中等温度
高温
4
传感器解决方案 从开发阶段到大批量生产结构化薄膜铂电阻元件， Heraeus Sensor Technology 已积累超过 25 年的知识和 经验。
2
通过应用类似于半导体制造中所采用的技术，在过去几 年中，Heraeus Sensor Technology 已能够突破采用薄膜 技术的铂电阻传感器的决定性价格壁垒，在不降低质量 的前提下成功打入大众市场。 铂电阻传感器的一个主要优点是遵守国际标准特性。 铂测量元件的电阻严格按照物理和
数学规律随温度变化。这确保了互换性，因而并不需要 如 NTC 那样因不同批次存在较大偏差而要调整信号处理 系统。硅温度传感器 (KTY) 也存在同样问题，并且温度 范围始终受到限制。
#
但冲击测试和长期测试可根据客户要求进行调整。
ª$). $).ª! $).ª"
连接技术 采用焊接工艺（电阻焊、激光焊等）或焊料焊接（软焊 料、硬焊料）可获得最佳效果。当使用硬焊料时，须确 保铂金薄膜传感器不会被加热到超过最大标称温度。通 常，使用硬焊料的焊接时间应少于三 秒。也可以使用收 缩和超声热合。

高压高值电阻1. 概述高压高值电阻是一种特殊的电子元件，用于限制电流流过的路径中的电压。

它具有较高的电阻值和能够承受较高电压的特性，常用于各种工业、科研和实验室应用中。

本文将介绍高压高值电阻的原理、分类、应用以及选型等方面的内容。

2. 原理高压高值电阻的工作原理基于欧姆定律，即V = I * R，其中V为通过电阻器两端的电压，I为通过电阻器的电流，R为电阻器的电阻值。

当我们需要限制某个回路中的电流时，可以通过选择合适的高压高值电阻来达到这个目的。

3. 分类根据材料和结构不同，高压高值电阻可以分为几种不同类型：3.1 碳膜电阻器碳膜电阻器是最常见和常用的一种类型。

它由一层碳膜覆盖在陶瓷或金属基底上制成。

碳膜具有较高的表面精度和稳定性，能够承受较高的电压。

碳膜电阻器具有较好的温度稳定性和线性特性，广泛应用于各种电路中。

3.2 金属膜电阻器金属膜电阻器与碳膜电阻器类似，但是使用金属薄膜代替碳薄膜。

金属膜电阻器具有更高的精度和稳定性，适用于要求更高精度的应用场合。

3.3 金属氧化物膜电阻器金属氧化物膜电阻器使用金属氧化物作为导体材料，具有较高的耐压能力和稳定性。

它们通常被用于高压环境下的应用，如高压发生器、医疗设备等。

3.4 陶瓷电阻器陶瓷电阻器由陶瓷材料制成，具有良好的耐压能力和耐温性能。

它们通常被用于高温环境下的应用，如工业加热系统、火箭发动机等。

4. 应用高压高值电阻在各个领域都有广泛的应用。

以下是一些常见的应用场景：4.1 电源供电在电源供电系统中，高压高值电阻被用于限制电流，保护其他元件不受过载或短路的影响。

它们通常被放置在电源输出端或输入端。

4.2 信号调节在信号调节电路中，高压高值电阻可以用来分压、限流或调整信号幅度。

通过选择合适的电阻值和连接方式，我们可以实现对信号的精确控制。

4.3 高压发生器高压发生器是一种产生较高输出电压的设备，常用于科研实验、医学诊断等领域。

在高压发生器中，高压高值电阻被用于限制输出电流，并提供稳定的输出。

上海海栎创微电子有限公司Hynitron MicroelectronicsCST340高性能互电容多点触控芯片Shanghai Hynitron Microelectronics Co.,Ltd1．概要CST340系列多点电容触控芯片，支持单层，多层模组及多种图案，采用10V 以上高压驱动，实现高性能，高灵敏度，低功耗的真实多点触摸(带压力检测)。

相较传统的低压驱动可提供更高的信噪比和抗干扰能力。

同时，芯片内部自互一体电容感应模块，结合智能扫描算法，在实现快速反应的同时，具有优异的抗噪、防水、低功耗表现。

2．特性高性能电容检测电路及DSP 模块 自互一体检测模块；高压驱动，实现高灵敏度，高信噪比采样； 支持被动电容触摸笔； 支持待机手势唤醒功能； 支持在线编程； 内置看门狗；多个按键支持。

性能指标 典型刷新率100Hz ；带水操作，大拇指识别及大手掌抑制； 动态模式下典型功耗：4mA ； 监控模式下典型功耗：350uA ；睡眠模式下典型功耗：50uA 。

电容屏支持最多支持40个驱动/感应通道，并支持TX/RX 互换；通道悬空/下拉设计支持；支持传统的DITO 和SITO 及各种图案；模组参数自动调校，最大支持阻抗达120K ；Cover Lens 厚度支持，玻璃<=2mm 亚克力<=1mm 。

通讯接口I2C 主/从通讯接口，速率10Khz~1Mhz 可配置；GPIO 支持多种工作模式可配，内置上拉电阻模式；内置1.8V LDO ，兼容1.8V/VDDA 接口电平可配。

芯片运行后VDD18输出1.8V ，VDDHV 输出驱动高压6~12V 。

电源供电 单电源供电2.7V ~3.6V ，电源纹<=50mv ； 少量的外围器件。

封装类型：QFN526mm*6mm 。

3．应用手机，平板，笔记本，触摸板等。

4．典型应用电路图C1 2.2uF/10VC2: 0.1uF ~ 1uF/10VC310nF ~ 100nF/16VR3: 200VDDIO VDDA VDD18R1/R2I2C 5K Sensor ID TX RX GND5．引脚排列X 2X 1X 0S S AX 25X 24X 23X 22X 21X 20X 19X 18X 17V D D 18N C I R Q N C N C S D A S C L V D D H V R S T n T X 0T X 1T X 2T X 36．引脚描述14VDD18PWR/O 1.8V，0.1~1.0uF40TX17I/O电容Tx/Rx通道15NC NC空脚41TX18I/O电容Tx/Rx通道16IRQ I/O中断42TX19I/O电容Tx/Rx通道17NC NC空脚43TX20I/O电容Tx/Rx通道18NC NC空脚44TX21I/O电容Tx/Rx通道19SDA I/O I2C数据信号45TX22I/O电容Tx/Rx通道20SCL I/O I2C时钟信号46TX23I/O电容Tx/Rx通道21VDDHV PWR/O max12V，10~100nF47TX24I/O电容Tx/Rx通道22RST n I复位引脚，低有效48TX25I/O电容Tx/Rx通道23TX0I/O电容Tx/Rx通道49VSSA GND模拟地24TX1I/O电容Tx/Rx通道50RX0I/O电容Rx/Tx通道25TX2I/O电容Tx/Rx通道51RX1I/O电容Rx/Tx通道26TX3I/O电容Tx/Rx通道52RX2I/O电容Rx/Tx通道I Input Only仅输入O Output Only仅输出I/O Input And Output输入和输出7.订购信息料号封装表面印字包装CST340QFN52-6*6(P0.40T0.55)方向点+LOGO+CST340+PO2500/盘，编带出货8.极限参数表9.电气特性9.1直流(DC)电气特性环境温度25 C，VDDA=2.8V。