HV高压厚膜电阻-SUPEROHM
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Supertex生产的HV9912升压变换器控制器的集成电路是一个闭环与峰值电流控制、开关模式变换器的LED驱动器。
HV9912的内置功能克服了变换器的缺点,特别地,它有一个“切断MOSFET”驱动的输出端。
当短路或输入过电压时,由这个输出驱动的外置MOSFET可以切断LED串。
这个“切断MOSFET”还可以极大地提高变换器的PWM调光响应速度。
可见HV9912升压变换器控制器的工作原理可以如下文所示:HV9912内部的高电压调节器可将9~9OV的输入电压调节到7.75V的VDD电压,作为芯片的供电电源。
这个电压范围适于大多数的升压应用。
当降压电路和SEPIC电路需要精准的电流控制时也可以使用此芯片。
在高压降压变换应用中,输入端可串联一个稳压二极管,以便承受更高的操作电压或减小芯片的功率损耗。
当外部电压源通过一个低压(>IOV)低电流二极管馈通时,芯片的VDD端可以过驱动。
当外部电压小于内部电压时,二极管可以防止HV9912损坏。
能加在HV9912的VDD引脚的最高稳态电压是l2V(瞬时额定电压为13.5V)。
考虑到二极管的正向压降,理想的电源电压应为l2V正负5%。
HV9912升压变换器控制器包含一个1.25V、精度为2%的带缓冲的参考电压。
通过REF、IREF和CLIM引脚间连接的分压器网络,电流参考等级和输入电流限制等级可由这个参考电压设定。
内部过压点也由这个参考电压确定。
HV9912的时钟可用外部电阻来设定。
如果电阻连接在引脚RT和GND间,变换器将工作在恒频模式;如果连接在RT和GATE引脚间,变换器工作在恒关断时间模式(在恒关断时间,不必通过斜坡补偿使变换器稳定)。
将所有芯片的引脚SYNC连接在一起,多个HV9912可以同步到同一开关频率。
有时同步是必须的,如在RGB照明系统中,或用EMI滤波来去除某一频率分量时。
将输出电流采样信号接至FDBK引脚,电流参考信号接至IREF引脚,可以实现闭环控制。
华新(Walsin)LIZ丽智电阻宇阳风华高科UNIOHM厚生厚膜晶片电阻器Samaung 三星电容 :例子 CL 10 B 104 K A 8 NNNCCL 10 B 104 K A 8 N N N C系列尺寸材质容值精度耐压厚度端头材料包装方式Seriessize 03=0201(0603);01=0306(0816);05=0402(1005);14=0504(1410);12=0508(1220) ;10=0603(1608);21=0805(2012);31=1206(3216);32=1210(3225);42=1808(4520);43=1812(4532);55=2220(5750)dielectric I类:C=C0G=NPO,S=S2H,L=S2L,P=P2H,T=T2H,R=R2H ,U=U2J II类:A=X5R, F=Y5V ,B=X7R,X=X6S capacitancetolerance A=±0.05pf ; B=±0.1pf ;C=±0.25pf ;D=±0.5pf ;F=±1pf或±1% ;G=±2% ;J=±5% ;K=±10% ;M=±20% ;Z=+80/-20%voltage R=4V ;Q=6.3V ;P=10V ;O=16V ;A=25V ;L=35V ;B=50V ;C=100V ;D=200V ;E=2 50V;G=500V ;H=630V ; I=1000V ; J=2000V ;K=3000Vthickness 3=0.30;5=0.50;8=0.80;A=0.65;C=0.85;H=1.60;I=2.00;J=2.50;L=3.20termination A=Pd/Ag/Sn 100% ;N=NiCu/Sn 100% ;G=Cu/Cu/Sn 100%productsSpecislvariousPacking1mil毫英寸/密耳=0.0254mm毫米Termination 端头材料 sliver全银 nickel barrier三层电镀 no mark 无标记 bulk散装 tape & reel编带包装; bulk packaging袋式包装;packaging style包装方式A=常规产品钯/银/镍屏蔽/锡 100%N=常规产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%G=常规产品铜/铜/镍屏蔽/锡 100%L=低侧面产品镍/铜/镍屏蔽/锡 100%B=散装O=纸版箱料带,10英寸料盘E=压花纸版箱,7英寸料盘P=散装箱D=纸版箱料带,13英寸料盘(10000ea)F=压花纸版箱,13英寸料盘C=纸版箱料带,7英寸料盘L=纸版箱料带,13英寸料盘(15,000ea)S=压花纸版箱,10英寸料盘钽电容耐压用不同的字母来标注,如下:F 2.5 ,G 4 L 6.3 A 10 C 16 D 20 E 25 V 35 T 50钽电容一般分为A、B、C、D型,注意后缀是公制,比如B型,就是3.5mm*2.8mmA型3216B型3528C型6032D型7343E型7343供应TDK ,村田,太诱,风华,三星,国巨贴片电容CL=积层陶瓷电容:03=0201(0603) 21=0805(2012) 42=1808(4520)05=0402(1005) 31=1206(3216)43=1812(4532)10=0603(1608) 32=1210(3225) 55=2220(5750)14=0504(1410) 01=0306(0816) 12=0508(1220) I 类:C=C0G S=S2H L=S2LP=P2H T=T2HR=R2H U=U2J ;II 类:A=X5R F=Y5VB=X7R X=X6S R=4V O =16V B =50V E = 250V I = 1000V Q=6.3V A =25V C=100V G = 500VJ = 2000V P =10VL=35V D =200V H = 630V K= 3000V三星 NPO=CH=COG 风华 NPO=CG 电感器通常指空心线圈或磁芯线圈。
ASVMP• Storage Area Networks(SATA, SAS, Fiber Channel)• Passive Optical Networks (EPON, 10G-EPON, GPON, 10G-PON)• Ethernet (1G, 10GBASE-T,/KR/LR/SR, FCoE • PCI Express • Display port• Low Power Consumption for high speed communication • Exceptional Stability Over Temp. at -40 to +85°C, ±15ppm• Extended Automotive Grade Temp. stability at -55 to +125°C, ±25ppm • Available in 50kG Shock Resistance Configuration upon request • MIL-STD-883 shock and vibration compliant • Durable QFN Plastic Compact Packaging • Standby or Disable Tri-state function• Low jitter (Period jitter RMS and Phase jitter RMS)• High power supply noise reduction, -50dBcLow Jitter High Performance Moisture Sensitivity Level – MSL 1Common Key Electrical Specifications – CMOS, LVPECL, LVDS, and HCSL* For 2.3000MHz < F0 < 9.9999MHz, 6-8 weeks lead-time applies Key Electrical Specifications – CMOSFrequency RangeCMOS 2.3000* 170.0000 MHzCMOS3.3000* 170.0000 LVPECL 2.3000* 460.0000 Commercial, Industrial temp. rangeLVDS 2.3000* 460.0000 Commercial, Industrial temp rangeHCSL2.3000*460.0000Commercial, Industrial temp. rangeOperating Temperature -20 +70 °C See optionsC ° 051+ 55-e r u t a r e p m e T e g a r o t S Overall Frequency Stability -50 +50 ppm See options Supply Voltage (Vdd) +2.25 +3.6 Vs m 5 e m i T p u t r a t S Enable Time 20 ns STD (Tri-state)5 ms PD option (Power Down)s n 5 e m i T e l b a s i D Disable Current20 22 mA STD (Tri-state)0.095 PD option (Power Down)Tri-state Function (Standby/Disable) "1" (VIH 0.75*Vdd) or Open: Oscillation "0" (VIL<0.25*Vdd) : Hi ZV 40k pull-up resister embeddedr a e y t s r i F m p p0.5+ 0.5-g n i g A Supply Current (I dd ) 31 35 mA CL=15pF, 125MHz Output Logic Level V OH 0.9*V ddV I=±6mA V OL 0.1*V dd V Rise Time Tr 1.1 2.0 ns CL=15pF 20% to 80%Fall Time Tf1.32.0 ns% 55 54e l c y C y t u D Integrated Phase Jitter (J PH ) 0.30 2 ps 200kHz ~ 20MHz@125MHz 0.38 2 100kHz ~ 20MHz@125MHz 1.70 2 12kHz ~ 20MHz@125MHzPeriod Jitter RMS (J PERs p0.3)PbRoHS/RoHS II compliant7.0 x 5.0 x 0.85mm-20 ~ +70°C -40 ~ +85°C -40 ~ +105°C -55 ~ +125°CKey Electrical Specifications – LVPECLKey Electrical Specifications – LVDS NotesSupply Current (I dd)56.5 58 mA RL=50 Output Logic Level V OH V dd-1.08 V RL=50V OL V dd-1.55 VPeak to Peak Output Swing (V pp) 800 mV Single endedRise Time Tr 250ps RL=50 , CL=0pFFall Time Tf 250l a i t n e r e f f i D%2584e l c y Cy t u DIntegrated Phase Jitter (J PH) 0.25 2ps200kHz ~ 20MHz@156.25MHz0.38 2 100kHz ~ 20MHz@156.25MHz1.70 2 12kHz ~ 20MHz@156.25MHzPeriod Jitter RMS (J PER s p5.2)Notes Supply Current (I dd)29 32 mA RL=100Output Offset Voltage (V OS) 1.125 1.4 V RL=100 differential Delta Offset Voltage (V OS) 50 mVPeak to Peak Output Swing (V pp) 350 mV Single endedRise Time Tr 200ps RL=50 , CL=2pFFall Time Tf 200l a i t n e r e f f i D%2584e l c y Cy t u DIntegrated Phase Jitter (J PH) 0.28 2ps200kHz ~ 20MHz@156.25MHz0.40 2 100kHz ~ 20MHz@156.25MHz1.70 2 12kHz ~ 20MHz@156.25MHzPeriod Jitter RMS (J PER s p5.2)Key Electrical Specifications – HCSLNotes Supply Current (I dd)40 42 mA RL=50Output Logic Level V OH0.725 V RL=50V OL0.1 V Peak to Peak Output Swing (V pp) 750 mV Single endedRise Time Tr 200 400ps RL=50 , CL=2pFFall Time Tf 200 400l a i t n e r e f f i D%2584e l c y Cy t u DIntegrated Phase Jitter (J PH) 0.25 2ps200kHz ~ 20MHz@156.25MHz0.37 2 100kHz ~ 20MHz@156.25MHz1.70 2 12kHz ~ 20MHz@156.25MHzPeriod Jitter RMS (J PER s p5.2)20% to 80% 20% to 80% 20% to 80%Absolute Maximum RatingsSupply Voltage -0.3 +4.0 VInput Voltage -0.3 V dd+0.3 VJunction Temp. +150 °CStorage Temp. -55 +150 °CSoldering Temp. +260 °C 40sec maxESDHBM MM CDM 4,0004001,500VCMOS OUTPUTTest Circuit(Unless specified otherwise: T=25° C, VDD=3.3 V) LVPECL outputTest CircuitASVMPTest CircuitLVDS OUTPUTHCSL OUTPUTASVMPPbRoHS/RoHS II compliantTest Circuit7.0 x 5.0 x 0.85mmASVMPASVMPFunction Tri-state NC GND Output NC (CMOS)Output (LVPECL, LVDS, HCSL)VddNote: Recommend using an approximately 0.01uF bypass capacitor between PIN 6and 3.Center pad: NC / GNDRecommended Land Pattern for CMOSRecommended Land Pattern for LVPECL, LVDS, HCSLPbRoHS/RoHS II compliant7.0 x 5.0 x 0.85mm6413ASVMPTube: 50pcs/tubeUnit orientation in tube:Dimensions: mmPbRoHS/RoHS II compliant7.0 x 5.0 x 0.85mm。
常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一.电阻器和电位器1.电阻器和电位器的型号命名方法(1)精密金属膜电阻器R J7 3第四部分:序号第三部分:类别(精密)第二部分:材料(金属膜)第一部分:主称(电阻器)(2) 多圈线绕电位器W X D 3第四部分:序号第三部分:类别(多圈)第二部分:材料(线绕)第一部分:主称(电位器)2.电阻器的主要技术指标(1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏,或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。
电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率,而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。
不同类型的电阻具有不同系列的额定功率,如表2所示。
(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一,不同类型的电阻,阻值范围不同,不同精度的电阻其阻值系列亦不同。
根据国家标准,常用的标称电阻值系列如表3所示。
E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。
(3) 允许误差等级3.电阻器的标志内容及方法(1)文字符号直标法:用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值,额定功率、允许误差等级等。
符号前面的数字表示整数阻值,后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值,其文字符号所表示的单位如表5所示。
如1R5表示1.5Ω,2K7表示2.7kΩ,RJ71-0.125-5k1-II允许误差±10%标称阻值(5.1kΩ)额定功率1/8W型号由标号可知,它是精密金属膜电阻器,额定功率为1/8W,标称阻值为5.1kΩ,允许误差为±10%。
(2)色标法:色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色(色环或色点)标注在它的外表面上。
色标电阻(色环电阻)器可分为三环、四环、五环三种标法。
其含义如图1和图2所示。
三色环电阻器的色环表示标称电阻值(允许误差均为±20%)。
例如,色环为棕黑红,表示10⨯102=1.0kΩ±20%的电阻器。
电子元器件基础知识--电阻电容的品牌大全1、请列举您知道的电阻、电容、电感品牌(最好包括国内、国外品牌)。
电阻:美国:AVX、VISHAY威世日本:KOA兴亚、Kyocera京瓷、muRata村田、Panasonic 松下、ROHM罗姆、susumu、TDK台湾: LIZ丽智、PHYCOM飞元、RALEC旺诠、ROYALOHM厚生、SUPEROHM美隆、TA-I大毅、TMTEC泰铭、TOKEN德键、TYOHM幸亚、UniOhm厚声、VITROHM、VIKING 光颉、WALSIN华新科、YAGEO国巨新加坡:ASJ 中国:FH风华、捷比信电容:美国:AVX、KEMET基美、Skywell泽天、VISHAY威世英国:NOVER诺华德国:EPCOS、WIMA威马丹麦:JENSEN战神日本:ELNA伊娜、FUJITSU富士通、HITACHI日立、KOA兴亚、Kyocera京瓷、Matsushita松下、muRata村田、NEC、nichicon(蓝宝石)尼吉康、Nippon Chemi-Con(黑金刚、嘉美工)日本化工、Panasonic松下、Raycon威康、Rubycon(红宝石)、SANYO三洋、TAIYO YUDEN太诱、TDK、TK东信韩国:SAMSUNG三星、SAMWHA 三和、SAMYOUNG三莹台湾:CAPSUN、CAPXON(丰宾)凯普松、Chocon、Choyo、ELITE金山、EVERCON、EYANG宇阳、GEMCON至美、GSC杰商、G-Luxon世昕、HEC 禾伸堂、HERMEI合美电机、JACKCON融欣、JPCON正邦、LELON立隆、LTEC辉城、OST奥斯特、SACON士康、SUSCON 冠佐、TAICON台康、TEAPO智宝、WALSIN华新科、YAGEO国巨香港:FUJICON富之光、SAMXON万裕中国:AiSHi 艾华科技、Chang常州华威电子、FCON深圳金富康、FH广东风华、HEC东阳光、JIANGHAI南通江海、JICON吉光电子、LM佛山利明、R.M佛山三水日明电子、Rukycon海丰三力、Sancon海门三鑫、SEACON深圳鑫龙茂电子、SHENGDA扬州升达、TAI-TECH台庆、TF南通同飞、TEAMYOUNG天扬、QIFA奇发电子电感:美国:AEM、AVX、Coilcraft线艺、Pulse普思、VISHAY威世德国:EPCOS、WE 日本:KOA兴亚、muRata村田、Panasonic松下、sumida胜美达、TAIYO YUDEN 太诱、TDK、TOKO、TOREX特瑞仕台湾:CHILISIN奇力新、yers美磊、TAI-TECH台庆、TOKEN德键、VIKING光颉、WALSIN华新科、YAGEO国巨中国:Gausstek丰晶、GLE格莱尔、FH风华、CODACA科达嘉、Sunlord顺络、紫泰荆、肇庆英达2、请解释电阻、电容、电感封装的含义:0402、0603、0805。