模拟电子技术试卷4及参考答案

《线性电子线路》模拟测试卷 第 1 页 共 6 页 模拟电子技术模拟试卷四及参考答案 ………………………………………………………………………………………………………………

题号 一 二 三 四 总分 签名 分数

一、填空题（本大题共10小题，每空1分，共20分） 1、 硅二极管的正向导通电压约为_0.7V_，锗二极管的正向导通电压约为_0.25V_。 2、 NPN型晶体三极管处于放大状态时，三个电极中_集电_极电位最高，_发射_极电位最低。 3、 已知某晶体三极管的电极间电位3V.0VBE，1V.0VCE，则该管工作在_饱和_区，由_锗_材料制造。 4、 MOS场效应管分为_四_种类型，结型场效应管分为_两_种类型。 5、 N沟道JFET管工作在饱和区的条件是_PGSVV_和_0VGS_。 6、 三种晶体管基本组态放大电路中，_共集_组态输入电阻最高，_共基_组态输入电阻最低。 7、 小信号放大器的电路模型中，与信号源相联系的放大器参数是_输入电阻_，和负载相联系的放大器参数是_输出电阻_。 8、 在输入端，将输入端短接后，如果反馈信号加不到放大器输入端，则为_并联_反馈，否则为_串联_反馈。 9、 电压负反馈使输出电阻_减小_，并联负反馈使输入电阻_减小_。 10、集成运算放大器用于_线性运算_时，要求运放必须工作在线性区，而用作_开环比较_时，运放实际上已工作在非线性区。 二、单选题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） 得分 评卷人

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1、 PN结反向饱和电流SI的值( A ) A、只与温度有关 B、只与掺杂浓度有关 C、与掺杂浓度和温度都有关 D、与掺杂浓度和温度都无关 2、当半导体二极管的反向击穿电压小于6V，主要发生何种击穿现象?( B ) A、雪崩击穿 B、齐纳击穿 C、热击穿 D、碰撞击穿 3、工作在放大状态的某PNP晶体三极管，各电极电位关系为( A ) A、VCVB>VE C、VCVE>VB 4、如果将放大电路中的晶体三极管的基极和发射极短路，则( C ) A、管子深饱和 B、发射结反偏 C、管子截止 D、集电结烧坏 5、当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域?( D ) A、阻挡层 B、耗尽层 C、空间电荷区 D、突变层 6、P沟道JFET管的电路符号为( B )

7、场效应管本质上是一个_电压控制电流源_器件。( B ) A、电压控制电压源 B、电压控制电流源 C、电流控制电压源 D、电流控制电流源 8、在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输入端信号的( B ) A、和值 B、差值 C、平均值 D、乘积值 9、设计一只单级放大器，要求输入阻抗小，输出阻抗大，请选择( B ) A、共射放大 B、共基放大 C、共集放大 D、共源放大 《线性电子线路》模拟测试卷 第 3 页 共 6 页

10、电容耦合放大电路( C ) A、只能放大直流信号 B、只能放大缓变信号 C、只能放大交变信号 D、既能放大直流信号又能放大交流信号 11、差分放大器中，用恒流源替代射极电阻eR是为了( C ) A、提高Avd B、提高Avc C、提高KCMR D、提高Rod 12、希望放大器具有低的输入电阻和稳定的输出电流，应引入_电流并联_负反馈。( D ) A、电压串联 B、电压并联 C、电流串联 D、电流并联 13、已知某一放大器的A=100，现要求引入反馈以后增益Af=10，问反馈系数F应为多少?( C ) A、0.01 B、0.05 C、0.09 D、0.10 14、若要将周期性三角波电压转变为方波电压，则应选用( C ) A、反相比例运算电路 B、同相比例运算电路 C、微分运算电路 D、积分运算电路 15、由集成运放组成的同相比例运放电路，组成何种类型的负反馈电路?( A ) A、电压串联 B、电压并联 C、电流串联 D、电流并联

三、简答题（本大题共3小题，每小题5分，共15分）

1、设下图所示电路中的二极管为理想二极管，试根据输入波形，画出输出波形，并写出分析过程。 解：D1构成－6V电平二极管并联下限幅器； D2 构成＋4V电平二极管并联上限幅器； 所以，右电路是并联双向限幅器。 当输入电压高于＋4V时，则被限掉；又当输入电压低于 －6V时，也被限掉。因此输入电压的中间段被完整地保留。

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2、在下图所示电路中，已知β=100，VBE(on)=0.7V，ICBO≈0，试指出电路工作模式(放大、饱和或截

止状态)。 解： 因为发射结是正偏，所以肯定不是截止状态。 只能在放大或饱和中状态中去判断。 又因为电路满足 BCRR的饱和条件，

因此，电路工作在饱和状态。

3、电路如下图所示，设所有电容对交流视作短路， 已知VGSQ＝4V，VGS(th)

＝2V，

IDSS＝3mA。试求IDQ

的值，并画出交流通路。

解： 因为： 2

)th(GSGSQDSSDQV

V1II 所以： mA3IDQ 《线性电子线路》模拟测试卷 第 5 页 共 6 页

四、分析计算题（本大题共4小题，共35分） 1、（９分）如下图所示放大电路，已知晶体三极管β=200，rb′e=4.54kΩ，rbb′

和rce忽略不计，图中

各电容对信号频率呈短路，试求 ⑴ 电压增益Av

；

⑵ 输入电阻Ri

；

⑶ 输出电阻Ro。

解：⑴ ebLCbeLCVrR//RrR//RA

35k54.4k1//k4200 解：⑵ 

k3k45.4//k15//k30r//R//Rr//R//RR

eb2b1bbe2b1bi

解：⑶ k4RR

Co

2、（９分）在下图所示电路中，已知RL=10kΩ，VBE(on)1=VBE(on)2=VBE(on)3=0.7V，各管β=100，IEE=1.04mA，rbb′

忽略不计，试求：

(1) 差模电压增益Avd

；

(2) 共模电压增益Avc

；

(3) 共模抑制比KCMR

。

解： ⑴ 因为通道电流 mA04.1I

EE

所以 mA52.0

2

I

IIEE2EE1

100ImV26)1()2R//(Rr)2R//(RAELCbeLCvd



解： ⑵ 因为是双端输入，双端输出，电路对称。所以：0A

vc

解： ⑶ 因为共模增益趋于0，所以共模抑制比KCMR趋于无穷大。

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3、（９分）反馈放大电路的交流通路如下图所示，试： (1) 判别级间反馈的类型和极性； (2) 设满足深度负反馈条件，计算源电压增益Avfs=v0/vs

。

解 ⑴ 电流并联负反馈 解 ⑵ ifII 有“虚地” SSiR/VI

0RIRI2E2Reff， 因为：2ef2ReIII

代回上式得： 0R)II(RI2E2efff

2E2e2EfffRIRIRI 2E2c2E2e2EffRIRI)RR(I

因为： )R//R/(VI

L2Co2c



所以： 2EL2Co2EffR)]R//R/(V[)RR(I 代回ifII式得： 2EL2CoR)]R//R/(V[SSR/V

整理得：1.0RR/)R//R(V/VAS2EL2CSoVfS

4、（８分）用单只理想运放设计电路实现2i1iOV2VV的运算关系。设反馈电阻RF=100kΩ，

所有输入电压负端均接地、运放输入端要实现静态平衡。要求画出设计的电路图，标出所有元件值。 解得： 1iF1F1F2i1FoV)]RR/(R)[R/R1(V)R/R(V

所以： 2R/R1F， 得：k50R1 1)]RR/(R[3)]RR/(R)[R/R1(F1FF1F1F 整理： 1R/)R//R(3

11F

又因为： k3.33R//RR//R1F1F，代入上式 得： k100R1，k50RF