晶闸管的基本结构知识详解

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晶闸管的基本结构知识详解
 一般地,具有PNPN四层三结结构的器件是晶闸管。

严格来说,根据国际电工委员会(IEC)的标准定义,具有3个或者3个以上PN结,其伏安特性至少在一个象限内具有导通和阻断两个稳定状态,并可以在两个状态之间进行切换的电力半导体器件为晶闸管。

晶闸管可以分为很多类型,比如内部存在反并联二极管的逆导型晶闸管(RC-Thyristor),电流可双向控制导通的双向晶闸管(TRI-AC),门极关断晶闸管(GTO)和门极换流晶闸管(GCT)等。

在实际应用,一般将普通的具有双向阻断能力、只能控制正向导通的半控型晶闸管,直接称为晶闸管,或者SCR(硅控整流器),而其他类型晶闸管根据它们的功能和特性命名。

 晶闸管在通态时可以承受非常大的浪涌电流,而在阻态能承受非常高的电压,这两点的极限值在目前的所有器件中都是最高的,如果没有无法自关断这个严重的缺陷,那幺晶闸管就是完美的电力半导体器件。

这跟晶闸管的结构有密切关系。

 晶闸管也是一个三端器件,按照现有的应用习惯,其三个端子定义为阳极(A,anode)、阴极(K,cathode)和门极(G,gate)。

晶闸管的符号以及对应三个端子的定义如图1所示。