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1 模拟电子技术复习资料总结
第一章半导体二极管
一.半导体的基础知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性
*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7.PN结
*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
*PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8.PN结的伏安特性
二.半导体二极管
*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:
若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);
若V阳
1）图解分析法
该式与伏安特性曲线
的交点叫静态工作点Q。 ×××分厂×××安全生产工作履职清单及行动计划表--0202)89673
2 2)等效电路法
➢ 直流等效电路法
*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:
若V阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);
第一章 半导体二极管
1. 本征半导体
单质半导体材料是具有 4 价共价键晶体构造的硅Si 和锗Ge。
导电力气介于导体和绝缘体之间。
特性：光敏、热敏和掺杂特性。
本征半导体：纯洁的、具有完整晶体构造的半导体。在确定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发〔又称热激发〕，产生两种带电性质相反的载流子〔空穴和自由电子对〕，温度越高，本征激发越强。
空穴是半导体中的一种等效+q 的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位， 使局部显示+q 电荷的空位宏观定向运动。
在确定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消逝的现象称为复合。当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。
2. 杂质半导体
在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。表达的是半导体的掺杂特性。
P 型半导体：在本征半导体中掺入微量的3 价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
N 型半导体：在本征半导体中掺入微量的5 价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
杂质半导体的特性
载流子的浓度：多子浓度打算于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。
体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流〔与金属导电全都〕，还才能在因载流子浓度差而产生的集中电流。
3. PN 结
在具有完整晶格的P 型和N 型半导体的物理界面四周，形成一个特别的薄层〔PN 结〕。
PN 结中存在由N 区指向P 区的内建电场，阻挡结外两区的多子的集中，有利于少子的漂移。
PN 结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。
正偏PN 结〔P+，N-〕：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为 0.6-0.8V，锗材料约为 0.2-0.3V。
反偏PN 结〔P-，N+〕：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。
成考复习资料
《模拟电子技术基础》 复习资料1
一、单选题
1. 用万用表直流电压档测得电路中PNP型晶体管各极的对地电位分别是：Vb＝－12.3Ｖ，Ve＝－12Ｖ，Vc＝－18Ｖ。则三极管的工作状态为（ ）。
A. 放大
B. 饱和
C. 截止
2. 某仪表放大电路，要求Ri大，输出电流稳定，应选（ ）。
A. 电流串联负反馈
B. 电压并联负反馈
C. 电流并联负反馈
D. 电压串联负反馈
3. 直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应（ ）。
A. 差
B. 好
C. 差不多
4. 单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（ ）Uz。
A. 0. 45
B. 0. 9
C. 1. 2
5. 某场效应管的转移特性如图2所示，该管为（ ）。
A. P 沟道增强型MOS 管
B. P 沟道结型场效应管
C. N 沟道增强型MOS 管
D. N 沟道耗尽型MOS 管
6. 某场效应管的电路符号如图1所示，该管为（ ）。
A. P 沟道增强型MOS 管
B. P 沟道耗尽型MOS 管
C. N 沟道增强型MOS 管
D. N 沟道耗尽型MOS 管
7. 在如图2所示电路中，电阻RE的主要作用是（ ）。
A. 提高放大倍数
B. 稳定直流静态工作点
C. 稳定交流输出
D. 提高输入电阻
8. 利用二极管的（ ）组成整流电路。
A. 正向特性
B. 单向导电性
C. 反向击穿特性
9. 根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A. 可能
B. 不能
10. 带射极电阻Re的共射放大电路，在Re上并联交流旁路电容Ce后，其电压放大倍数将（ ）。
A. 减小；
B. 增大；
C. 不变；
D. 变为零。
二、判断题
1. ( )功率的放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。
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模拟电子技术基础总结
篇一：模拟电子技术基础总结
第一章晶体二极管及应用电路
一、半导体知识
1．本征半导体
·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。前者是制造半导体ic的材料（三五价化合物砷化镓Gaas是微波毫米波半导体器件和ic的重要材料）。
·纯净（纯度>7n）且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发或产生）（图1-3）。本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。温度越高，本征激发越强。
·空穴是半导体中的一种等效?q载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶格中的空位，使局部显示?q电荷的空位宏观定向运动（图1-4）。
·在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。
2．杂质半导体
·在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后形成n型（或竭诚为您提供优质文档/双击可除
P型）杂质半导体（n型：图1-5，P型：图1-6）。
·在很低的温度下，n型（P型）半导体中的杂质会全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）。
·由于杂质电离，使n型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。
·在常温下，多子>>少子（图1-7）。多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；两少子浓度是温度的敏感函数。
·在相同掺杂和常温下，Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。
3．半导体中的两种电流
在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流（这与金属导电一致）；还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
4．Pn结
·在具有完整晶格的P型和n型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——Pn结（图1-8）。·Pn结是非中性区（称空间电荷区），存在由n区指向P区的内建电场和内建电压；Pn结内载流子数远少于结外的中性区（称耗尽层）；Pn结内的电场是阻止结外两区的
