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AVR单片机熔丝位详解

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注意：对于所有的熔丝位， “1” 表示未编程， “0” 代表已编程。

壱、CKSEL3..0、CKOPT、SUT1.0：用于设置系统时钟✓CKSEL3..0 --- 时钟源模式选择。

✓SUT1.0 --- 复位启动时间选择。

1、如果没有特殊要求推荐SUT 1/0设置复位启动时间稍长，使电源缓慢上升。

2、对应时钟源模式的不同，SUT的设置也不同，详情看下文说明。

✓CKOPT --- 选择放大器模式。

0对应高幅度振荡输出；1对应低幅度振荡输出。

当CKOPT 被编程时，振荡器在输出引脚产生满幅度的振荡，这种模式适合于噪声环境，以及需要通过XTAL2驱动第二个时钟缓冲器的情况，而且这种模式的频率范围比较宽；当保持CKOPT 为未编程状态时，振荡器的输出信号幅度比较小。

其优点是大大降低了功耗，但是频率范围比较窄，而且不能驱动其他时钟缓冲器。

对于谐振器，CKOPT 未编程时的最大频率为8 MHz，CKOPT 编程时为16 MHz。

1、当用外部晶体/ 陶瓷振荡器（1）CKOPT和CKSEL3..1设置晶体振荡器工作模式大器的输入和输出，如左图所示，这个振荡器可以使用石英晶体，也可以使用陶瓷谐振器。

C1和C2 的数值要一样，不管使用的是晶体还是谐振器。

最佳的数值与使用的晶体或谐振器有关，还与杂散电容和环境的电磁噪声有关。

表1-1给出了不同模式对应的频率范围及针对晶体选择电容的一些指南。

对于陶瓷谐振器，应该使用厂商提供的数值。

表1-1：振荡器工作模式（1）SUT1.0和CKSEL0设置选择启动时间表1-2：晶体振荡器时钟选项对应的启动时间表2、当用外部低频振荡器为了使用32.768 kHz 钟表晶体作为器件的时钟源，必须将熔丝位CKSEL 设置“1001”以选择低频晶体振荡器。

晶体的连接方式和用上面外部晶振的一样。

通过对熔丝位CKOPT 的编程，可以使能XTAL1 和XTAL2 的内部电容，从而去除外部电容。

内部电容的标称数值为36 pF。

选择了这个振荡器之后，启动时间由熔丝位SUT 确定，如表2-1所示。

表2-1：低频晶体振荡器启动时间表3、当用外部R-C振荡器（1）CKOPT和CKSEL3..0设置晶体振荡器工作模式对于时间不敏感的应用可以使用左图的外部RC 振荡器。

频率可以通过方程f =1/(3RC) 进行粗略地鼓估计。

电容C 至少要22 pF。

通过编程熔丝位CKOPT，用户可以使能XTAL1 和GND 之间的片内 36 pF 电容，从而无需外部点燃。

若想获取有关振荡器如何工作以及如何选择R 和C 的具体信息，请参考外部RC 振荡器应用手册。

振荡器可以工作于四个不同的模式，每个模式有自己的优化频率范围。

工作模式通过熔丝位CKSEL3..0 选取，如表3-1所示。

表3-1：外部R-C振荡器工作模式（2）SUT1.0设置选择启动时间选择了振荡器之后，启动时间由熔丝位SUT 确定，如表3-2所示：表3-2：外部R-C振荡器启动时间4、当用标定内部R-C振荡器（1）CKOPT和CKSEL3..0设置晶体振荡器工作模式标定的片内RC 振荡器提供了固定的1.0、2.0、4.0 或8.0 MHz 的时钟。

这些频率都是5V、25°C 下的标称数值。

这个时钟也可以作为系统时钟，只要按照表4-1对熔丝位CKSEL 进行编程即可。

选择这个时钟(此时不能对CKOPT进行编程)之后就无需外部器件了。

复位时硬件将标定字节加载到OSCCAL 寄存器，自动完成对RC 振荡器的标定。

在5V，25°C 和频率为1.0 MHz 时，这种标定可以提供标称频率 ± 1% 的精度。

当使用这个振荡器作为系统时钟时，看门狗仍然使用自己的看门狗定时器作为溢出复位的依据。

表4-1：片内标定R-C振荡器工作模式（2）SUT1.0设置选择启动时间启动时间由熔丝位SUT 确定，如表4-2所示。

XTAL1 和XTAL2 要保持为空(NC)。

表4-2：片内标定R-C振荡器启动时间（3）振荡器标定寄存器OSCCAL的设置将标定数据写入这个地址可以对内部振荡器进行调节以消除由于生产工艺所带来的振荡器频率偏差。

复位时1 MHz 的标定数据( 标识数据的高字节，地址为0x00) 自动加载到OSCCAL 寄存器。

如果需要内部RC 振荡器工作于其他频率，标定数据必须人工加载：首先通过编程器读取标识数据，然后将标定数据保存到F lash 或EEPROM 之中。

这些数据可以通过软件读取，然后加载到OSCCAL 寄存器。

当OSCCAL 为零时振荡器以最低频率工作。

当对其写如不为零的数据时内部振荡器的频率将增长。

写入0x FF 即得到最高频率。

标定的振荡器用来为访问EEPROM 和F lash 定时。

有写EEPROM 和F lash 的操作时不要将频率标定到超过标称频率的10%，否则写操作有可能失败。

要注意振荡器只对1.0、2.0、4.0 和8.0MHz 这四种频率进行了标定，其他频率则无法保证。

5、当用外部时钟为了从外部时钟源驱动芯片，XTAL1 必须如左图所示的进行连接。

同时，熔丝位CKSEL必须编程为“0000”。

若熔丝位CKOPT也被编程，用户就可以使用内部的XTAL1和GND 之间的36 pF 电容。

选择了这个振荡器之后，启动时间由熔丝位SUT 确定，如表5-1所示。

表5-1：外部时钟启动时间为了保证MCU 能够稳定工作，不能突然改变外部时钟源的振荡频率。

工作频率突变超过2% 将会产生异常现象。

应该在MCU 保持复位状态时改变外部时钟的振荡频率。

附：时钟源和启动时间设置对照表时钟源 启动延时 熔丝外部时钟 6 CK + 0 ms CKSEL=0000 SUT="00"外部时钟 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0000 SUT="01"外部时钟 6 CK + 65 ms CKSEL="0000" SUT="10"内部RC振荡1MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL="0001" SUT="00"内部RC振荡1MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL="0001" SUT="01"内部RC振荡1MHZ1 6 CK + 65 ms CKSEL="0001" SUT="10"内部RC振荡2MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL="0010" SUT="00"内部RC振荡2MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL="0010" SUT="01"内部RC振荡2MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL="0010" SUT="10"内部RC振荡4MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL="0011" SUT="00"内部RC振荡4MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL="0011" SUT="01"内部RC振荡4MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL="0011" SUT="10"内部RC振荡8MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL="0100" SUT="00"内部RC振荡8MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL="0100" SUT="01"内部RC振荡8MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL=0100 SUT="10"外部RC振荡≤0.9MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL="0101" SUT="00"外部RC振荡≤0.9MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL="0101" SUT="01"外部RC振荡≤0.9MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL="0101" SUT="10"外部RC振荡≤0.9MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL="0101" SUT="11"外部RC振荡0.9-3.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL="0110" SUT="00"外部RC振荡0.9-3.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL="0110" SUT="01"外部RC振荡0.9-3.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL="0110" SUT="10"外部RC振荡0.9-3.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0110 SUT="11"外部RC振荡3.0-8.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=0111 SUT="00"外部RC振荡3.0-8.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL="0111" SUT="01"外部RC振荡3.0-8.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=0111 SUT="10"外部RC振荡3.0-8.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL="0111" SUT="11"外部RC振荡8.0-12.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=1000 SUT="00"外部RC振荡8.0-12.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL="1000" SUT="01"外部RC振荡8.0-12.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL="1000" SUT="10"外部RC振荡8.0-12.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL="1000" SUT="11"低频晶振(32.768KHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL="1001" SUT="00"低频晶振(32.768KHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL="1001" SUT="01"低频晶振(32.768KHZ) 32K CK + 65 ms CKSEL="1001" SUT="10"低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 258 CK + 4.1 ms CKSEL="1010" SUT="00"低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 258 CK + 65 ms CKSEL="1010" SUT="01"低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 1K CK + 0 ms CKSEL=1010 SUT="10"低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL="1010" SUT="11"低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL="1011" SUT="00"低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 16K CK + 0 ms CKSEL=1011 SUT="01"低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 16K CK + 4.1ms CKSEL="1011" SUT="10"低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 16K CK + 65ms CKSEL="1011" SUT="11"中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 258 CK + 4.1 ms CKSEL="1100" SUT="00"中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 258 CK + 65 ms CKSEL="1100" SUT="01"中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 1K CK + 0 ms CKSEL=1100 SUT="10"中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL="1100" SUT="11"中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL="1101" SUT="00"中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 16K CK + 0 ms CKSEL="1101" SUT="01"中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 16K CK + 4.1ms CKSEL="1101" SUT="10"中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 16K CK + 65ms CKSEL="1101" SUT="11"高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 258 CK + 4.1 ms CKSEL="111"0 SUT="00"高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 258 CK + 65 ms CKSEL="111"0 SUT="01"高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 1K CK + 0 ms CKSEL="111"0 SUT="10"高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL="111"0 SUT="11"高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL=1111 SUT="00"高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 0 ms CKSEL="111"1 SUT="01"高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 4.1ms CKSEL="111"1 SUT="10"高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 65ms CKSEL="111"1 SUT="11"弐、BOD(Brown-out Detection) 掉电检测电路B ODEN(B OD功能控制)--- 1：B OD功能禁止；0：B OD功能允许如果BODEN使能（启动掉电检测），则检测电平由BODLEVEL决定。

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AVR第10讲复位熔丝位设置

AVR第10讲复位熔丝位设置

通过JTAG 接口实现对Flash、EEPROM、熔丝位和锁定位的编程熔丝位1.选择时钟源CKSEL0-3和启动时间SUT0, SUT12.掉电检测BODLEVEL,BODEN3.选择BOOT区大小BOOTRST,BOOTSZ0, BOOTSZ14.SPIEN=0,串行下载使能；JTAGEN=1,边界扫描功能禁用；OCDEN=1片上调试禁用5.EESAVE=1芯片擦出时EEPROM内容不保留6.CKOPT=1振荡器由CKSEL0-3决定如果不需要Boot Loader 功能，则整个Flash 都可以为应用代码所用。

Boot Loader 具有两套可以独立设置的Boot 锁定位。

用户可以灵活地选择不同的代码保护方式。

用户可以选择：• 保护整个Flash 区，不让MCU 进行软件升级• 不允许MCU 升级 Boot Loader Flash 区• 不允许MCU 升级应用Flash 区• 允许MCU 升级整个Flash 区ATmega16 有两个熔丝位字节。

Notes: 1. 在SPI 串行编程模式下SPIEN 熔丝位不可访问。

2. CKOPT 熔丝位功能由CKSEL 位设置决定，详见P23 “ 时钟源” 。

3. BOOTSZ1..0 默认值为最大Boot 大小，详见 P244Table 100。

4. 不论锁位与JTAGEN熔丝位设置为什么，产品出厂时不对OCDEN编程。

对OCDEN 熔丝位编程后会使能系统时钟的某些部分在所有的休眠模式下运行。

这会增加功耗。

5. 如果没有连接JTAG 接口，应尽可能取消JTAGEN 熔丝位的编程状态，以消除存在于JTAG 接口之TDO 引脚的静态电流。

熔丝位的状态不受芯片擦除命令的影响。

如果锁定位1(LB1) 被编程则熔丝位被锁定。

在编程锁定位前先编程熔丝位。

ATmega16 提供了6 个锁定位，根据其被编程(“0”) 还是没有被编程(“1”) 的情况可以获得Table 104 列出的附加性能。

AVR单片机熔丝位设置教程

AVR单片机熔丝位设置教程

0表示已编程，1表示未编程，未选中熔丝低位BODLEVEL设置BOD电平1（2.7V），0（4V）因为M16L可以工作在2.7v－5.5v所以触BODEN BOD功能（电源检测）1（禁止），0（允许）SUT1复位启动时间选择SUT0CKSEL3时钟源选择CKSEL2时钟源选择CKSEL1时钟源选择CKSEL0时钟源选择熔丝高位OCDEN OCD功能允许1：OCD功能禁止；0：OCD功JTAGEN JTAG允许1：JTAG禁止； 0：JTAG允许NACKOPT选择这两种放大器模式 CKOPT＝0：高幅度振荡输出；CKOPT＝1：低幅度振荡输出EESAVE烧录时EEPROM数据保留 1：不保留；0：保留BOOTSZ1引导区程序大小及入口 00： 1024Word/0xc00；BOOTSZ001： 512Word/0xe00；10： 256Word/0xf00；11： 128Word/0xf80BOOTRST 复位入口选择 1：程序从0x0000地址开始 0：复位后从BOOT区执行（参考BOOTSZ0/1）BOD功能：作为一个正式的系统或产品，当系统基本功能调试完成后，一旦进行现场测试阶段，请注意马上改写熔丝位的配置，启用AVR的对于5V系统，设置BOD电平为4.0V；对于3V系统，设置BOD电平为2.7V。

然后允许BOD检测。

这样，一旦AVR的供电电压低于BOD电平，AVR进入RESET（不执行程序了）。

而当电源恢复到BOD电平以上，AVR才正式开始从头执行程序。

SPIEN: SPI下载允许 1：SPI下载禁止；0：SPI下载使能当CKOPT 被编程时振荡器在输出引脚产生满幅度的振荡。

这种模式适合于噪声环境，以及需要通过XTAL2 驱动第英文中文On-Chip Debug Enabled 片内调试使能JTAG Interface Enabled JTAG 接口使能Serial program downloading (SPI) enabled 串行编程下载(SPI) 使能 (ISP下载时该位不能修改)Preserve EEPROM memory through the Chip Erase cycle; 芯片擦除时EEPROM的内容保留Boot Flash section size=xxxx words 引导(Boot)区大小为xxx个词Boot start address=$yyyy; 引导(Boot)区开始地址为 $yyyyBoot Reset vector Enabled 引导(Boot)、复位向量使能Brown-out detection level at VCC=xxxx V; 掉电检测的电平为 VCC=xxxx 伏Brown-out detection enabled; 掉电检测使能Start-up time: xxx CK + yy ms 启动时间 xxx 个时钟周期 + yy 毫秒Ext. Clock; 外部时钟Int. RC Osc. 内部 RC(阻容) 振荡器Ext. RC Osc. 外部 RC(阻容) 振荡器Ext. Low-Freq. Crystal; 外部低频晶体Ext. Crystal/Resonator Low Freq 外部晶体/陶瓷振荡器低频Ext. Crystal/Resonator Medium Freq 外部晶体/陶瓷振荡器中频Ext. Crystal/Resonator High Freq 外部晶体/陶瓷振荡器高频时钟总表时钟源 启动延时 熔丝外部时钟 6 CK + 0 ms CKSEL=0000 SUT=00外部时钟 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0000 SUT=01外部时钟 6 CK + 65 ms CKSEL=0000 SUT=10内部RC振荡1MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL=0001 SUT=00内部RC振荡1MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0001 SUT=01内部RC振荡1MHZ1 6 CK + 65 ms CKSEL=0001 SUT=10内部RC振荡2MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL=0010 SUT=00内部RC振荡2MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0010 SUT=01内部RC振荡2MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL=0010 SUT=10内部RC振荡4MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL=0011 SUT=00内部RC振荡4MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0011 SUT=01内部RC振荡4MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL=0011 SUT=10内部RC振荡8MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL=0100 SUT=00内部RC振荡8MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0100 SUT=01内部RC振荡8MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL=0100 SUT=10外部RC振荡≤0.9MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=0101 SUT=00外部RC振荡≤0.9MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL=0101 SUT=01外部RC振荡≤0.9MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=0101 SUT=10外部RC振荡≤0.9MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0101 SUT=11外部RC振荡0.9-3.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=0110 SUT=00外部RC振荡0.9-3.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL=0110 SUT=01外部RC振荡0.9-3.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=0110 SUT=10外部RC振荡0.9-3.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0110 SUT=11外部RC振荡3.0-8.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=0111 SUT=00外部RC振荡3.0-8.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL=0111 SUT=01外部RC振荡3.0-8.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=0111 SUT=10外部RC振荡3.0-8.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0111 SUT=11外部RC振荡8.0-12.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=1000 SUT=00外部RC振荡8.0-12.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL=1000 SUT=01外部RC振荡8.0-12.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=1000 SUT=10外部RC振荡8.0-12.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=1000 SUT=11低频晶振(32.768KHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL=1001 SUT=00低频晶振(32.768KHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL=1001 SUT=01低频晶振(32.768KHZ) 32K CK + 65 ms CKSEL=1001 SUT=10低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 258 CK + 4.1 ms CKSEL=1010 SUT=00 低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 258 CK + 65 ms CKSEL=1010 SUT=01 低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 1K CK + 0 ms CKSEL=1010 SUT=10低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL=1010 SUT=11 低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL=1011 SUT=00 低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 16K CK + 0 ms CKSEL=1011 SUT=01 低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 16K CK + 4.1ms CKSEL=1011 SUT=10低频石英/陶瓷振荡器(0.4-0.9MHZ) 16K CK + 65ms CKSEL=1011 SUT=11 中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 258 CK + 4.1 ms CKSEL=1100 SUT=00 中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 258 CK + 65 ms CKSEL=1100 SUT=01 中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 1K CK + 0 ms CKSEL=1100 SUT=10中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL=1100 SUT=11 中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL=1101 SUT=00 中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 16K CK + 0 ms CKSEL=1101 SUT=01 中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 16K CK + 4.1ms CKSEL=1101 SUT=10 中频石英/陶瓷振荡器(0.9-3.0MHZ) 16K CK + 65ms CKSEL=1101 SUT=11 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 258 CK + 4.1 ms CKSEL=1110 SUT=00 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 258 CK + 65 ms CKSEL=1110 SUT=01 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 1K CK + 0 ms CKSEL=1110 SUT=10高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL=1110 SUT=11 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL=1111 SUT=00 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 0 ms CKSEL=1111 SUT=01 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 4.1ms CKSEL=1111 SUT=10 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 65ms CKSEL=1111 SUT=11 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL=1111 SUT=00 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 0 ms CKSEL=1111 SUT=01 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 4.1ms CKSEL=1111 SUT=10 高频石英/陶瓷振荡器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 65ms CKSEL=1111 SUT=11在2.7v－5.5v所以触发电平可选2.7v或4.0v。

AVRmega单片机熔丝位的设置详解及应用举例

AVRmega单片机熔丝位的设置详解及应用举例

应用举例：
比如我们想使用片内的RC振荡(Fra bibliotek不需要接晶振)，可以选择下面三者之一：
[CKSEL=0100 SUT=10] Int. RC Osc. 1 MHz; Start-up time: 6 CK + 0 ms;
[CKSEL=0100 SUT=00] Int. RC Osc. 1 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms;
引导(Boot)区大小为xxx个词
Boot start address=$yyyy;
引导(Boot)区开始地址为$yyyy
Boot Reset vector Enabled
引导(Boot)、复位向量使能
Brown-out detection level at VCC=xxxx V;
掉电检测的电平为VCC=xxxx伏
五、AVR Studio熔丝位配置应用举例
通过下图的方法打开连接：
使用操作界面如下：（(注意：下图中，打勾的表示选中，代表0。没有打勾的表示1）
上图的资料有很多相关项，你需要认识以下的代码，以理解意思。英文翻译说明如下
英文
中文
On-Chip Debug Enabled
片内调试使能
JTAG Interface Enabled
二、AVRmega16单片机中重要熔丝位的配置
（1）CLKSEL[3:0]：用于选择系统的时钟源。
（2）SPIEN：SPI下载使能位。默认状态为允许“0”。
（3）WDTON：WDT定时器始终开启设置位。默认为“1”，表示禁止WDT始终开启。
（4）EESAVE：执行擦除命令时是否保留EEPROM中的内容，默认状态为“1”，表示执行片内擦除命令时，EERPOM中的内容和Flash中的内容一同被擦除。
[熔丝位]AVR_ISP接口定义与熔丝位

[熔丝位]AVR_ISP接口定义与熔丝位

AVR的ISP接口定义大部分AVR MCU的ISP数据端口亦为 SCK、MOSI、MISO引脚（如Attiny13/24/2313，Atmega48/88/168，Atmega16/32/162，Atmega8515/8535等），如下：MISO MISOVCC VCCSCK SCKMOSI MOSIRESET RESETGND GND少部分AVRMCU的ISP数据端口则不是使用这些接口，而是：SCK、PDI、PDO引脚（如ATmega64/128/1281等），如下：MISO PDOVCC VCCSCK SCKMOSI PDIRESET RESETGND GND以上仅例举出常用的AVR型号的连接方式，若您使用的AVR型号没有被列举到，请查看相关型号的PDF文档，里面的编程章节将有介绍使用ISP时，需连接哪些引脚。

下面是标准的接口排列：ATMEL指定的ISP_10PIN标准接口ATMEL指定的ISP_6PIN标准接口USB AVR SKII V2.0(usb avr仿真器/调试器)问：USB AVR SKII V2.0 与 V1.0 的区别？答：USB驱动IC不同，V2.0 版本采用的USB芯片FT232，V1.0版本的PL2303，在JTAG仿真调试方面兼容性、稳定性稍差。

·基于ATMEL原厂提供的方案而设计：支持AVRStudio，借鉴了ATMEL原厂生产的JTAGICE仿真器与AVRISP下载器，使用方法同它们一致，简单易用，稳定可靠。

·支持的软件：- 直接支持AVRStudio、WINAVR(GCC)、IAR- 支持IAR、ICCAVR、CVAVR等生成的调试与烧写文件·自动识别JTAG与AVRISP：- 接入目标板的JTAG接口，使用“JTAG ICE”方式进行连接，调试器识别为JTAGICE仿真器。

- 接入目标板的ISP接口，使用“STK500 or AVRISP”方式进行连接，调试器识别为AVRISP下载器。