半导体(压电陶瓷)
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功能陶瓷名词解释陶瓷功能性主要包括:电子陶瓷、热释电陶瓷和红外线陶瓷等。
其中,电子陶瓷的研究主要集中在硅系半导体材料和其它化合物半导体材料上。
在电子陶瓷领域,研究主要是为了通过改变器件的组成,或者改变电路的结构和使用方法,使其具有新的性能。
1、电子陶瓷(有机—无机复合材料):以电子工业用的有机功能材料为基础,在一定条件下与无机功能材料复合,形成功能性有机材料。
主要用于微波和高频部分、磁学部分和光电探测器件等。
2、热释电陶瓷:又称为压电陶瓷,是一种在特殊条件下应力诱发下产生电致伸缩振动而使器件输出电信号的器件。
它广泛地应用于各种开关、继电器、温度传感器、隔离元件等。
3、红外线陶瓷:在工作波长范围内(约3— 1000nm)吸收或辐射红外线能量的陶瓷材料。
它是红外加热和红外线遥控等技术的重要材料。
4、压电陶瓷:又称为铁电陶瓷,它是一类在交变电场作用下,当外力去除后,电场消失时,仍保留在变化着的状态下的压电材料。
它是制造电子陶瓷的基础材料之一。
5、超硬陶瓷:可以抵抗相当于几百公斤至上千公斤拉力而不被破坏的陶瓷。
它的硬度大于任何金属,但是还没有达到完全绝对意义上的最硬,而且它也不能经受严格意义上的最高温度—— 2000摄氏度,所以常温下就不可能烧结,一般只有在1000摄氏度以上才有可能将它烧结。
6、记忆合金:通过周期性的热处理,形成永久记忆效应的合金,记忆效应具有可逆性。
7、导电陶瓷:在极低的温度下呈现超导电性,随温度升高,由超导电性又转入到普通导电状态的陶瓷。
8、压电陶瓷:在极低的温度下呈现超导电性,随温度升高,由超导电性又转入到普通导电状态的陶瓷。
9、超导陶瓷:在极低的温度下,也就是在接近绝对零度时,呈现零电阻的陶瓷。
10、生物陶瓷:利用生物原理和生物技术研制的医用、诊断、治疗、保健用生物陶瓷。
11、远红外陶瓷:具有红外放射性,它所释放的红外线能促进人体血液循环,调节生理机能,达到保健作用。
12、催化陶瓷:在适宜的温度下能够降解某些有毒气体的陶瓷。
1、如何区分结构陶瓷和功能陶瓷?结构陶瓷是指在应用是主要利用其力学机械、热及部分化学功能的先进陶瓷,如果能在高温下应用的陶瓷就称为高温结构陶瓷。
功能陶瓷是指应用是主要利用其非力学性能的先进陶瓷材料,这类材料具有一种或多种功能,如电学、磁学、光学、热学、化学、生物等;有的有耦合功能,如压电、压磁、热电、电光、声光、磁光等。
2、功能陶瓷的耦合效应有哪些?压电、压磁、热电、电光、声光、磁光等。
3、功能陶瓷如何分类电磁功能陶瓷:电介质陶瓷(电绝缘陶瓷,电容器陶瓷,压电陶瓷)、半导体陶瓷、磁性陶瓷、超导陶瓷、化学功能陶瓷、生物功能陶瓷4、功能陶瓷的热学性质有哪些?了解其含义。
①热导率:热导率又称导热系数,是反映材料导热性能的物理量;②热膨胀系数: 固体在温度每升高1K时长度或体积发生的相对变化量。
5、什么是绝缘强度?当电场强度超过某一临界值时,介质由介电状态变为导电状态。
相应的临界电场强度称为绝缘强度。
6、功能陶瓷的电学性质有哪些?了解其含义。
①电导率:电导率是表示物质传输电流能力强弱的一种测量值;②介电常数:是衡量介质极化行为或介质储存电荷能力的重要特征参数;③介质损耗:电介质在单位时间内消耗的能量;④击穿电场强度:当电场强度超过某一临界值时,介质由介电状态变为导电状态,相应的临界电场强度称为击穿电场强度。
7、电介质陶瓷的电导机制是什么?了解其含义。
离子电导离子作为载流子的电导机制。
8、什么是极化?自发极化?极化方式和基本原理。
极化:在外电场作用下,电介质内部沿电场方向产生感应偶极矩,在电介质表面出现极化电荷的现象叫作电介质的极化。
自发极化:极化状态并非由外电场所引起,而是由晶体内部结构特点所引起,晶体中每个晶胞内存在固有电偶极矩。
极化方式:(1)位移式极化:电子或离子在电场作用下的一种完全弹性、不消耗电场能量、介质不发热、平衡位置不发生变化、瞬间就能完成、去电电场时又恢复原状态的极化方式。
包括电子极化,离子极化(2)松弛式极化:非弹性的、平衡位置发生变化、完成的时间比位移极化长、消耗电场能量、介质发热,是一种可逆的过程,去掉电场时不能恢复原状态的极化方式。
压电陶瓷行程放大机构
压电陶瓷行程放大机构是一种精密的机械设备,它结合了压电陶瓷材料的特性与机械传动结构的设计,以实现将压电陶瓷元件的小幅度位移(通常在微米甚至纳米级别)显著放大的目的。
这种机构常被应用于需要精密定位、大行程微调或者快速响应的场合,例如在精密仪器、光学调整、生物医学设备、纳米制造以及半导体加工等领域。
压电陶瓷本身具有逆压电效应(电场作用下产生机械变形)和正压电效应(机械应力作用下产生电荷)的特性。
当施加电压时,压电陶瓷会产生微小的伸缩变形。
为了得到更大的实际工作行程,可以采用不同的机械放大结构,如:
1. 杠杆放大:通过巧妙地设计杠杆系统,将压电陶瓷的微小位移转化为较大的直线或旋转运动。
2. 菱形结构:利用菱形或类似四边形结构的对称性和弹性变形特点,当压电陶瓷在结构一角产生位移时,整个菱形结构会相应放大这个位移。
3. 椭圆形或圆柱形谐振器:通过共振效应进一步放大压电陶瓷的位移输出,同时保持较高的精度和稳定性。
4. 多级串联或并联结构:多个压电陶瓷单元通过特定方式组合,使得各自产生的微小位移累加起来形成大幅度的整体位移。
这些行程放大机构通常需要配合高性能的压电驱动电源和控制系统,比如压电陶瓷功率放大器,来精确控制输入电压信号,确保位移的精确放大及系统的稳定运行。
压电晶体与压电陶瓷的结构、性能与应用摘要:压电晶体与压电陶瓷作为典型的功能材料,具有能实现机械能与电能之间互相转换的工作特性,在电子材料领域占据相当大的比重。
本文从压电效应入手,阐述了压电晶体与压电陶瓷的结构原理以及性能特点。
针对压电晶体与压电陶瓷在生产实践中的应用情况,综述了其近年来的研究进展,并系统介绍了其在各个领域的应用情况和发展趋势。
关键词:压电晶体压电陶瓷压电效应结构性能应用发展引言1880年皮埃尔•居里和雅克•居里兄弟在研究热电现象和晶体对称性的时候,在α石英晶体上最先发现了压电效应。
1881年,居里兄弟用实验证实了压电晶体在外加电场作用下会发生形变。
1894年,德国物理学家沃德马•沃伊特,推论出只有无对称中心的20中点群的晶体才可能具有压电效应。
[1]石英是压电晶体的代表,利用石英的压电效应可以制成振荡器和滤波器等频率控制元件。
在第一次世界大战中,居里的继承人朗之万,为了探测德国的潜水艇,用石英制成了水下超声探测器,从而揭开了压电应用史的光辉篇章。
除了石英晶体外,酒石酸钾钠、BaTiO3陶瓷也付诸应用。
1947年美国的罗伯特在BaTiO3陶瓷上加高压进行极化处理,获得了压电陶瓷的压电性。
随后,美国和日本都积极开展应用BaTiO3压电陶瓷制作超声换能器、音频换能器、压力传感器等计测器件以及滤波器和谐振器等压电器件的研究,这种广泛的应用研究进行到上世纪50年代中期。
1955年美国的B.贾菲等人发现了比BaTiO3的压电性优越的PbZrO3-PbTiO3二元系压电陶瓷,即PZT压电陶瓷,大大加快了应用压电陶瓷的速度,使压电的应用出现了一个崭新的局面。
BaTiO3时代难以实用化的一些应用,特别是压电陶瓷滤波器和谐振器以及机械滤波器等,随着PZT压电陶瓷的出现而迅速地实用化了。
采用压电材料的SAW滤波器、延迟线和振荡器等SAW器件,上世纪70年代末也已实用化。
上世纪70年代初引起人们注意的有机聚合物压电材料(PVDF),现在也已基本成熟,并已达到了生产规模。
压电陶瓷报告1.基本概念压电陶瓷由一颗颗小晶粒无规则“镶嵌”而成,如图1所示。
图1 BSPT压电陶瓷样品断面SEM照片每个小晶粒内还具有铁电畴组织,如图所示。
图PZT陶瓷中电畴结构的电子显微镜照片1.1晶胞结构目前应用最广泛的压电陶瓷是钙钛矿(CaTiO3)型结构,如PbTiO3、BaTiO3、KxNa1-xNbO3、Pb(ZrxTi1-x)O3等。
该类材料的化学通式为ABO3。
式中A的电价数为1或2,B的电价为4或5价。
其晶胞(晶格中的结构单元)结构如图所示。
压电陶瓷的晶胞结构随温度的变化是有所变化的。
如下式及图6所示。
PbTiO3(PT ):四方相 立方相BaTiO3(BT ):三角相 正交相 四方相 立方相自发极化的产生以BT 材料由立方到四方相转变为例,分析自发极化的产生,如图7所示。
(a )立方相 (b )四方相由图可知,立方相时,正负电荷中心重合,不出现电极化;四方相时,因490℃ 120℃ 5℃ -90℃Ti4+沿c轴上移,O2-沿c轴下移,正负电荷中心不重合,出现了平行于c 轴的电极化。
这种电极化不是外加电场产生的,而是晶体内因产生的,所以成为自发极化,其相变温度TC称为居里温度。
1.2压电效应某些介质在力的作用下,产生形变,引起介质表面带电,这是正压电效应。
反之,施加激励电场,介质将产生机械变形,称逆压电效应。
其中,如果压力是一种高频震动,产生的就是高频电流。
如果将高频电信号加在压电陶瓷上时,则产生高频声信号(机械震动)。
1.3压电陶瓷具有这种性能的陶瓷称为压电陶瓷,发生正压电效应时,表面电荷的密度与所受的机械应力成正比。
当发生负压电效应时,形变的大小与电场强度成正比。
1.4压电作用机理压电效应首先是在水晶晶体上发现的,现在我们以水晶晶体为模型,说明产生压电效应的物理机理。
当不施以压力时,水晶晶体正、负电荷中心如上图分布,设这时正、负电荷中心重合,整个晶体的总电矩等于零,晶体表面不荷电(不呈压电性)。
工业电子陶瓷材料的分类、应用及发展趋势摘要:本文针对工业用电子陶瓷材料的性能特点,研究了工业用电子陶瓷材料的应用领域,分析了工业用电子陶瓷材料的分类,并介绍了电子陶瓷产业加速研发新材料态势。
同时,指出了工业用电子陶瓷技术的发展趋势。
关键词:电子陶瓷材料;分类;应用;发展趋势1 前言材料是人类生产和生活的物质基础,是人类进步与人类文明的标志。
随着空间技术、光电技术、红外技术、传感技术、能源技术等新技术的出现、发展,要求材料必须具有耐高温、抗腐蚀、耐磨等优越的性能,才能在比较苛刻的环境中使用。
传统材料难以满足目前的要求,因此,开发和有效利用高性能材料已经成为材料科学发展的必然趋势。
2 工业用电子陶瓷材料的分类电子陶瓷按功能和用途可以分为五类:绝缘装置瓷、电容器瓷、铁电陶瓷、半导体陶瓷和离子陶瓷。
绝缘装置瓷简称装置瓷,具有优良的电绝缘性能,用作电子设备和器件中的结构件、基片和外壳等的电子陶瓷。
电子陶瓷按特性可分为高频和超高频绝缘陶瓷、高频高介陶瓷、压电陶瓷、半导体陶瓷、光电陶瓷、电阻陶瓷等。
按应用范围可分为固定用陶瓷、电真空陶瓷、电容器陶瓷和电阻陶瓷。
按微观结构可分多晶、单晶、多晶与玻璃相、单晶与玻璃相。
(1)陶瓷基片材料陶瓷基片材料在电子陶瓷中,占有最重要位置的是绝缘体。
特别是高级集成电路用绝缘基片或封装材料,可以采用尺寸精度为微米或微米以下的高纯度致密氧化铝烧结体。
高纯度致密氧化铝具有金属材料所不具备的绝缘性和高分子材料所不具备的导热性。
(2)压电陶瓷压电陶瓷由于是多晶材料,所以使用频率受到限制。
压电元件可使电信号和机械信号相互转换。
一定形状的压电陶瓷元件主要由PbTiO3-PbZrO3系烧结而制成,即使是烧结体,通过极化也可获得单晶所具有的压电性。
压电元件的主要用途有火花塞和谐振器。
谐振器起选择性通过特定频率电波滤器的作用,是电视(TV)、无线电等调谐电路不可缺少的元件。
(3)铁电陶瓷铁电陶瓷以铁电性晶体为主晶相的电子陶瓷。
压电陶瓷弯曲片在光纤切割、焊线机、探针扫描、微型旋转台中的应用压电陶瓷弯曲片是可以产生弯曲运动的压电陶瓷片,它的构成材料是PZT锆钛酸铅,它的运动利用的是逆压电效应,通过施加电压使其产生微形变,即施加电压使压电陶瓷弯曲片产生弯曲运动。
压电陶瓷弯曲片内部结构复杂,是由非常薄的陶瓷层及电极层交替叠层构成,层厚约几十微米,结构如下图所示。
在将陶瓷层及电极层叠层后,将内部电极引到压电陶瓷弯曲片的表面,再进行整体共烧,成形后再印刷外部电极、极化,只有极化好的压电陶瓷弯曲片才具有产生弯曲运动的特性能力。
除了压电陶瓷弯曲片一端引出的外部电极外,整个压电陶瓷弯曲片的外表面都是陶瓷绝缘的。
压电陶瓷弯曲片内部结构图压电陶瓷弯曲片的一端为运动端,在施加电压后产生向上及向下的弯曲运动,压电陶瓷弯曲片的运动范围可达±1.27mm(代表双向都是1.27mm位移);在压电陶瓷弯曲片的另一端有外部电极,将引线焊接于此用于电连接,标准引线颜色为红(+极)、黑(-极)、蓝(可调电压端)。
压电陶瓷弯曲片芯明天压电陶瓷弯曲片的驱动电压为-100V~+100V或0~200V,两种驱动电压产生的运动效果是不同的。
当使用-100V~+100V驱动电压控制压电陶瓷弯曲片时,压电陶瓷弯曲片可产生向上及向下两个方向的弯曲运动,其中引线红、黑、蓝分别应连接+100V、-100V、-100~+100V 电压端,其中蓝色引线上的正负电压的大小决定了压电陶瓷弯曲片的弯曲方向及弯曲幅度大小。
当使用0~200V驱动电压控制压电陶瓷弯曲片时,压电陶瓷弯曲片可产生单方向的弯曲运动,向下的弯曲运动,其中引线红、黑、蓝分别应连接0~+200V、0V、0V电压端,其中红色引线上的电压大小决定了压电陶瓷弯曲片的弯曲幅度大小。
电压的大小与压电陶瓷弯曲片弯曲的位移幅度基本成线性关系。
-100V~+100V驱动时,双向弯曲0~200V驱动时,单方向弯曲压电陶瓷弯曲片的固定端即是引线端,在固定时,固定的区域在距离边缘0.5mm至3.5mm 范围处。
压电陶瓷材料及应⽤压电陶瓷材料及应⽤⼀、概述1.1电介质电介质材料的研究与发展成为⼀个⼯业领域和学科领域,是在20世纪随着电⽓⼯业的发展⽽形成的。
国际上电介质学科是在20世纪20年代⾄30年代形成的,具有标志性的事件是:电⽓及电⼦⼯程师学会(IEEE)在1920年开始召开国际绝缘介质会议,以后⼜建⽴了相应的分会(IEEE Dielectric and Electrical Insulation Society)。
美国MIT建⽴了以Hippel教授为⾸的绝缘研究室。
苏联列宁格勒⼯学院建⽴了电⽓绝缘与电缆技术专业,莫斯科⼯学院建⽴了电介质与半导体专业。
特别是德国德拜教授在20世纪30年代由于研究了电介质的极化和损耗特性与其分⼦结构关系获得了诺贝尔奖,奠定了电介质物理学科的基础。
随着电器和电⼦⼯程的发展,形成了研究电介质极化、损耗、电导、击穿为中⼼内容的电介质物理学科。
我国电介质领域的发展是在1952年第⼀个五年计划制定和实⾏以来,电⼒⼯业和相应的电⼯制造业得到迅速发展,这些校、院、所、⾸先在我国开展了有关电介质特性的研究和⼈才的培养,并开出了“电介质物理”、“电介质化学”等关键专业课程,西安交⼤于上海交⼤、哈尔滨⼯⼤等院校⼀道为我国培养了数千名绝缘电介质专业⼈才,促进了我国⼯程电介质的发展。
80年代初中国电⼯技术学会⼜建⽴了⼯程电介质专业委员会。
近年来,随着电⼦技术、空间技术、激光技术、计算机技术等新技术的兴起以及基础理论和测试技术的发展,⼈们创造各种性能的功能陶瓷介质。
主要有:(1)、电⼦功能陶瓷如⾼温⾼压绝缘陶瓷、⾼导热绝缘陶瓷、低热膨胀陶瓷、半导体陶瓷、超导陶瓷、导电陶瓷等。
(2)、化学功能陶瓷如各种传感器、化学泵等。
(3)、电光陶瓷和光学陶瓷如铁电、压电、热电陶瓷、透光陶瓷、光⾊陶瓷、玻璃光纤等。
(电介质物理——邓宏)功能陶瓷作为信息时代的⽀柱材料,以其独特的⼒、热、电、磁、光以及声学等功能性质,在各类信息的检测、转换、处理和存储中具有⼴泛的应⽤,是⼀类重要的、国际竞争极为激烈的⾼技术材料。
半导体陶瓷加工工艺半导体陶瓷加工工艺是一种将半导体材料和陶瓷材料结合起来的加工技术。
这种技术可以制造出具有高强度、高硬度、高耐磨性和高耐腐蚀性的材料,因此在电子、机械、化工等领域得到广泛应用。
半导体陶瓷加工工艺的主要步骤包括原料的选择、制备、成型、烧结和后处理。
首先,需要选择合适的半导体材料和陶瓷材料,这些材料的物理化学性质应该相似,以便在加工过程中能够充分结合。
其次,需要将这些材料制备成粉末状,这可以通过机械研磨、化学合成等方法实现。
然后,将这些粉末进行成型,可以采用压制、注塑、挤压等方法。
接下来,将成型后的材料进行烧结,这是将材料结合在一起的关键步骤。
最后,进行后处理,包括抛光、涂层等工艺,以提高材料的表面质量和性能。
半导体陶瓷加工工艺的优点在于可以制造出具有高强度、高硬度、高耐磨性和高耐腐蚀性的材料,这些材料在电子、机械、化工等领域得到广泛应用。
例如,在电子领域,半导体陶瓷材料可以用于制造高频电容器、压电陶瓷、热敏电阻器等元器件;在机械领域,半导体陶瓷材料可以用于制造轴承、刀具、喷嘴等零部件;在化工领域,半导体陶瓷材料可以用于制造化工反应器、催化剂载体等设备。
然而,半导体陶瓷加工工艺也存在一些问题。
首先,制备过程比较复杂,需要掌握一定的技术和经验。
其次,成本较高,因为需要使用高纯度的原材料和特殊的设备。
此外,半导体陶瓷材料的性能也受到一定的限制,例如在高温下容易发生热膨胀、热裂等问题。
总的来说,半导体陶瓷加工工艺是一种重要的加工技术,可以制造出具有高强度、高硬度、高耐磨性和高耐腐蚀性的材料,广泛应用于电子、机械、化工等领域。
虽然存在一些问题,但随着技术的不断发展和改进,相信半导体陶瓷加工工艺将会得到更广泛的应用和发展。
一、实压电陶瓷振动的干涉测量实验报告验目的与实验仪器1.实验目的1了解压电陶瓷的性能参数;2了解电容测微仪的工作原理,掌握电容测微仪的标定方法;3、掌握压电陶瓷微位移测量方法.2.实验仪器压电陶瓷材料一端装有激光反射镜,可在迈克尔逊干涉仪中充当反射镜、光学防震平台、半导体激光器、双踪示波器、分束镜、反射镜、二维可调扩束镜、白屏、驱动电源、光电探头、信号线等.二、实验原理1. 压电效应压电陶瓷是一种多晶体,它的压电性可由晶体的压电性来解释.晶体在机械力作用下,总的电偶极矩极化发生变化,从而呈现压电现象,因此压电陶瓷的压电性与极化、形变等有密切关系.1 正压电效应:压电晶体在外力作用下发生形变时,正、负电荷中心发生相对位移,在某些相对应的面上产生异号电荷,出现极化强度.对于各向异性晶体,对晶体施加应力时,晶体将在 X,Y,Z 三个方向出现与应力成正比的极化强度, 即:E = g·T g为压电应力常数,2 逆压电效应:当给压电晶体施加一电场 E 时,不仅产生了极化,同时还产生形变 ,这种由电场产生形变的现象称为逆压电效应,又称电致伸缩效应.这是由于晶体受电场作用时,在晶体内部产生了应力压电应力,通过应力作用产生压电应变.存在如下关系:S = d·U d为压电应变常数对于正和逆压电效应来讲, g和d 在数值上是相同的.2. 迈克耳逊干涉仪的应用迈克耳逊干涉仪可以测量微小长度.上图是迈克耳逊干涉仪的原理图.分光镜的第二表面上涂有半透射膜,能将入射光分成两束,一束透射,一束反射.分光镜与光束中心线成 45°倾斜角.M1和 M2为互相垂直并与分束镜都成 45°角的平面反射镜,其中反射镜 M1后附有压电陶瓷材料.由激光器发出的光经分光镜后,光束被分成两路,反射光射向反射镜 M1附压电陶瓷,透射光射向测量镜 M2固定,两路光分别经 M1、M2反射后,分别经分光镜反射和透射后又会合,经扩束镜到达白屏,产生干涉条纹.M1和M2与分光镜中心的距离差决定两束光的光程差.因而通过给压电陶瓷加电压使 M1随之振动,干涉条纹就发生变化.由于干涉条纹变化一级,相当于测量镜 M1移动了λ/2,所以通过测出条纹的变化数就可计算出压电陶瓷的伸缩量.三、实验步骤1)将驱动电源分别与光探头,压电陶瓷附件和示波器相连,其中压电陶瓷附件接驱动电压插口,光电探头接光探头插口,驱动电压波形和光探头波形插口分别接入示波器 CH1 和 CH2;2)在光学实验平台上搭制迈克尔逊干涉光路,使入射激光和分光镜成 45度,反射镜 M1 和 M2与光垂直,M1 和 M2 与分光镜距离基本相等;3)打开激光器,手持小孔屏观察各光路,适当调整各元件位置和角度,保证经分光镜各透射和反射光路的激光点不射在分光镜边缘上.4)遮住 M1,用小孔屏观察扩束镜前有一光点,再遮住 M2 分辨另一光点,分别调整 M1 和 M2的倾角螺丝直至两光点重合,并调整扩束镜位置使其与光点同轴,观察白屏上出现干涉条纹,再反复调整各元件,最好能达到扩束光斑中有 2 到 3 条干涉条纹.5)打开驱动电源开关,将驱动电源面板上的波形开关拨至左边“—”直流状态,旋转电源电压旋钮,可发现条纹随之移动;每移动一条干涉条纹,代表压电陶瓷伸缩位移变化了半个波长,即650/2nm=325nm 用笔在白屏上做一参考点.将直流电压降到最低并记录,平静一段时间,等条纹稳定后,缓慢增加电压,观察条纹移动,条纹每移过参考点一条,就记录下相应的电压值;测到电压接近最高值时,再测量反方向降压过程条纹反方向移动对应的电压变化数据.由所测数据做出电压-位移关系图,并求出压电常数.6)取下白屏,换上光电探头,打开示波器.将示波器至于双踪显示,CH1 触发状态.将驱动电源波形拨至右侧“m”三角波,CH1 观察到驱动三角波电信号,CH2 观察到一系列类似正弦波的波形代表干涉条纹经光电探头转换的信号,条纹移动的级数多少反映压电陶瓷伸缩长度的大小,即在三角波一个周期内正弦信号周期的数量反映压电陶瓷的振幅.将驱动幅度调到最大,光放大旋钮调到最大,改变驱动频率,记录随驱动三角波频率周期变化的正弦信号周期数量,体会压电陶瓷的频率响应特性.四、数据处理1. 位移-电压特性曲线的绘制和平均压电常数的计算由位移-正向电压特性曲线斜率可知,压电常数d 1 = nm /V 由位移-反向电压特性曲线斜率可知,压电常数d 2 = nm /V 则压电常数d = d 1+d 2/2 = +/2 = nm /V 2. 振幅、周期、速度的计算我们选取某一特定周期下的图象来计算振幅、周期和速度 1振幅从右图可以看出,在三角波的一个周期内,总共有10个周期的正弦波.由于一个正弦波代表压电陶瓷移动的距离为λ/2. 则:振幅A = 10×650nm 2= 3250nm2周期振动与加在它两端的电压呈正比,则振动的周期即为 CH1 的周期,周期T = μs3速度振动的速度为半个波长除以时间,这个时间是CH2 的周期,即:v =λ/2T2= λ2·f = 325×10-9m × ≈ ×10-5m/s3. 改变驱动电压频率来观察波形特性的变化由表可知,当CH1驱动频率变大时,CH2 波形的频率不断增大.也就是说速度不断增大,周期不断减小.五、分析讨论提示:分析讨论不少于400字1. 迈克尔逊涉装置以及压电陶瓷装置可以测得压电陶瓷的压电常数,从实验数据得出误差的主要原因有:①光程差没有控制得分精确,导致涉条纹观察困难,调整电压时难以观察与暗条纹重合,使得测量电压出现较大误差;②迈克尔逊干涉仪光路搭建存在误差,使得射光电探头的光路不分稳定,让振动的波存在误差,难以清晰地数出个周期内峰值的数量,从造成计算结果的误差;③反射镜没有完全垂直造成误差.在实验中发现在白屏上出现的是等厚干涉条纹,此时的光程差公式与等倾干涉不太一样,这将对我们的计算过程产生较大影响.2. 正逆压电效应中压电常数,课本上没有对其大小和关系作出说明,我通过查阅资料发现:正压电效应实质上是机械能转化为电能的过程.当在压电材料表面施加电场,因电场作用时电偶极矩会被拉长,压电材料为抵抗变化,会沿电场方向伸长,这种通过电场作用而产生机械形变的过程称为“逆压电效应”.逆压电效应实质上是电能转化为机械能的过程.如果外界电场较强,那么压晶体管还会出现电致伸缩效应electrostricTIon effect,即材料应变与外加电场强度的平方成正比的现象.可以证明,正压电效应和逆压电效应中的系数是相等的,且具有正压电效应的材料必然具有逆压电效应.六、实验结论1. 使波器观察压电陶瓷振动的幅度和频率,只改变频率的时候,每个三波周期内的振动涉的峰数不发改变,代表涉的振幅不发改变.只改变振幅的时候,三波周期内的峰数发改变,代表振幅发改变但是频率不发改变,由此可以计算得任意点的速度.2. 本次实验我们通过改变驱动电压观察干涉条纹的移动,了解了压电陶瓷的逆压电效应,并求得了压电常数.七、原始数据要求与提示:此处将原始数据拍成照片贴图即可。
压电陶瓷
材料在我们的生活中随处可见的物质,材料的发展深深的影响着人们的生活质量,同时也是我们人类社会进步和文明的重要标志。
随着社会的进步和发展,电子陶瓷材料在信息技术中占有非常重要的作用,常常被用来制作一些重要的电子元器件如:传感器、电容器、超声换能器。
因此,高性能的电子陶瓷材料是信息技术发展和研究的重要方向。
压电陶瓷是一种具有压电性能的多晶体,是信息功能陶瓷的重要组成部分。
其具有机电耦合系数高(压电振子在振动过程中,将机械能转变为电能,或将电能转变为机械能的效率)、价格便宜、易于批量生产等优点,已被广泛应用于社会生产的各个领域,尤其是在超声领域及电子科学技术领域中,压电陶瓷材料已逐渐处于绝对的支配地位,如医学及工业超声检测、水声探测、压电换能器、超声马达、显示器件、电控多色滤波器等。
1.压电陶瓷性能
1.1压电性
压电陶瓷最大的特性是具有正压电性和逆压电性。
正压电性是指某些电介质在机械外力作用下,介质内部正负电荷中心发生相对位移而引起极化,从而导致电介质两端表面内出现符号相反的束缚电荷。
反之,当给具有压电性的电介质加上外电场时,电介质内部正负电荷中心不但发生相对位移而被极化,同时由于此位移而导致电介质发生形变,这种效应称之为逆压电性。
1.2介电性能
材料在电场作用下,表现出对静电能的储蓄和损耗的性质,通常用介电常数(ε r )和介质损耗(tanδ)来表示。
当在两平板之间插入一种介质(材料)时,电容C将增加,此时电容 C与
真空介质时该电容器的电容量 C
0的比即为相对介电常数k:k=C/C
= (εA/d)/
(ε
0A/d)=ε/ε
(ε
—真空介电常数:8.854×10-12F/m)
当一个正弦交变电场V=V
expiωt施加于一介电体上时,电荷随时间而变化而产生了电流Ic, Ic在无损耗时比 V 超前90°。
但实际是有损耗的。
有损耗时,总电流超前电压不再是90°而是90°-δ。
δ由损耗引起故称损耗角。
电介质中电压损耗与电流矢量
损耗来自两方面:
①有一些带电质点在外场作用移动而引起漏导。
②与偶极子转动和振动相关的能量损耗。
I1/Ic=tanδ
损耗角的正切值正好是损耗电流与无损耗电流相比的结果,所以反映了材料的损耗与电荷储存能力的关系,或者反映了为储存一定量的电荷所需消耗的能量,称为介电损耗系数(因子/因数)
介质损耗因子的作用
在绝缘设计时,须注意绝缘材料的tanδ。
tanδ过大会引起发热,使绝缘加速老化,甚至可能导致热击穿。
测tanδ可判断电气设备劣化的进程,故tanδ的测量是电气设备绝缘试验中的一个基本项目。
研究温度对tanδ的影响,可使工作温度下tanδ值最小。
极化损耗随频率升高而增大,当电源中出现高次(如3次、5次)谐波时,就很容易造成电容器绝缘材料因过热而击穿。
2.压电陶瓷分类
按是否含铅分类分为:含铅压电陶瓷和无铅压电陶瓷,含铅压电陶瓷主要是锆钛酸铅(简称为 PZT) 压电陶瓷,无铅压电陶瓷主要有钨青铜系、铋层状结构系和钙钛矿系。
2.1 BaTiO3基无铅压电陶瓷
钛酸钡基钙钛矿材料有很高的介电常数,低的介电损耗和优良的铁电性能、压电性能而被广泛研究用于制造陶瓷电容器等器件。
但纯的钛酸钡陶瓷材料存在相变,在相变点附件介电常数波动大,严重影响钛酸钡在工艺中的应用,因此采用合适方法来改善钛酸钡的性能是研究的重点。
主要利用掺杂改性思想,通过传统两步固相烧结法来制备陶瓷样品
近五十多年来,因为钛酸钡基钙钛矿材料拥有很高的介电常数,低的介电损耗和优良的铁电性能、压电性能而被广泛的研究用于制造陶瓷电容器等器件。
但纯的钛酸钡陶瓷材料在-90℃、0℃、130℃,存在着相变,在相变点附近钛酸钡陶瓷材料的介电常数波动很大,严重的限制了钛酸钡在工业中的应用。
因此,采用合适的方法来改善钛酸钡的性能,使钛酸钡拥有稳定的温度系数并且能够保证其他性能的优良性是人们研究的重点。
表示,钛酸钡属于一种典型的钙钛矿结构,钙钛矿的结构通式可以用ABO
3
从通式可以看出他们之间的化学计量比为A:B:O=1:1:3。
其中A,B元素都是金属元素,O是非金属元素。
钛酸钡晶体的熔点为1625℃,在钛酸钡的熔点温度以下,晶体共有五种相结构分别是六方、斜方、三方、四方以及立方,并且钛酸钡随着温度的升高会分别发生如下的相变:在-90℃由三方相向斜方相转变,在0℃由斜方相向四方相转变,在130℃由四方相向立方相转变,在1460℃由立方相向六方相转变。
钛酸钡介电材料也叫做电介质材料,是属于电的绝缘体。
电介质材料中的带电粒子被束缚着,只有在电场的作用下带电粒子上的电荷才能发生微观范围内的移动。
介电常数是反应电介质材料特性的重要参数。
在室温下纯的钛酸钡陶瓷对温度比较敏感随温度的变化介电常数变化很大。
钛酸钡的铁电性能:在没有外加电场作用下,一些晶体中的晶胞结构正负电荷重心不重合,出现了电偶极矩,产生的电极化强度不等于零,具有这种性质的晶体叫做铁电体。
钛酸钡是一种具有钙钛矿型结构的典型铁电性材料。
钛酸钡在130℃左右发生了相变,从低温的铁电相向高温的顺电相转变,因此,这一温度也称为居里点。
在居里温度以上钛酸钡存在着六方相或者立方相,这两个相晶胞的结构对称性非常好不会发生自发的极化,因此不具有铁电性。
而在居里温度以下钛酸钡存在着四方相,斜方相和三方相,这三种相晶胞中正负离子重心不重合,因此会产生自发极化,形成不为零的电偶极矩,所有这三种相结构具有铁电性。
2.2 无铅压电陶瓷制备工艺路线
无铅压电陶瓷制备过程主要包括陶瓷原料粉体的合成、成型、烧结、被电极和极化等几个主要过程,在这些过程中,伴随着一系列的物理和化学变化。
压电陶瓷的性能与材料的组分和制备的工艺过程和工艺条件有直接的关系,所以一整套稳定合理的工艺参数是获得优异材料性能的重要保证。
3.陶瓷样品的结构表征方法及性能测试技术
3.1陶瓷样品的结构表征
1.物相结构表征
X射线是一种电磁波,由经过加压后产生的高速电子去撞击物质里面的原子产生的。
通过X射线衍射对材料进行测试,分析得到的衍射图谱,可以获知材料的物相,材料成分,或内部原子的结构等其他信息。
等待测试完成获得的XRD 数据用Pert Highscore衍射数据分析软件对实验数据进行处理得到物相的衍射峰的位置和强度,然后与数据库对比和一种或者一种以上的标准数据相符,即可确定样品里面含有哪种物质或者哪几种。
在室温下我们可以用以下公式对样品晶面间距进行计算。
2.拉曼光谱
拉曼光谱的实验一般采用激光对需要分析的样品进行照射,入手激光和物质中的分子,声子,等其他激发相互作用,导致入射激光声子能量的变化,根据激光声子能量变化可以判断物质系统振动的模式和其他信息。
3.陶瓷样品微观形貌
采用的是场发射扫描电子显微镜来观察陶瓷样品烧结后的致密性和晶粒大小。
如果晶粒大小在区间1-100nm之间时,可以采用谢乐公式来计算晶粒的尺寸。
3.2陶瓷样品的介电性能分析
我们把电阻率超过108的陶瓷材料叫做电介质陶瓷材料,这种材料在电场的作用下带电的质子不会发生电流的传导而只是产生了很小的位移。
由于陶瓷电介质材料在电场中表现出的这种特殊形状因而被广泛的应用于在电的绝缘体和电容器等其他电子元器件。
因此,人们用介电损耗、介电常数、温度系数等参数来描述这一类材料在应用中的性能。
我们通常用符号tan来表示不同因素对介电材料产生的介电损耗总和。
用/,来表示不同温度条件下介电常数的稳定性。
3.3陶瓷样品的铁电性能分析
具有铁电性能的材料叫做铁电材料。
铁电材料的特征为在某一温度区间会发生自发的极化,并且随着电场反向极化强度也会随电场发生反向变化。
这个特征使得铁电材料出现了电滞回线。
电滞回线是描述铁电材料铁电性的一个重要方法。
有剩余极化强度和矫顽场两个重要参数。
矫顽场数值大小用来描述极化强度的难易程度。
矫顽场数值大说明铁电材料不容易极化反之说明铁电材料容易极化。
剩余极化强度指的是测试电场降到零是铁电材料所剩余的极化强度。
4.钙钛矿无铅压电陶瓷发展展望
目前国际上钙钛矿无铅压电陶瓷材料还处于研究阶段,实际应用的高性能压电陶瓷主要是 20 世纪 50 年代发展起来的锆钛酸铅压电陶瓷,其压电性能优异,但是,锆钛酸铅压电陶瓷含有大量的铅,这些铅基压电陶瓷在制备、使用、回收和废弃的过程中,都会给环境和人类带来损害。
因此,要使无铅压电陶瓷材料更加实用化,还需从陶瓷材料体系和器件应用多方面入手,包括:无铅压电陶瓷的压电性研究;陶瓷材料配方设计,相变研究和新相界设计;陶瓷材料性能增强机理及其控制方法;能满足不同器件应用的系列化材料的研究与开发;掺杂对陶瓷性能的影响及其机制;陶瓷材料的温度稳定性能,老化特性及其机制;陶瓷新型制备技术及工艺的稳定性和环境协调性研究等,具有很好的研究前景。