三极管的三种状态ppt

+ ∆vO VCC
则 ∆iC = β ⋅ ∆iB
α = ⋅ ∆iB 1−α
= 0.98mA
IE +∆iE
共射极放大电路 图 共射极放大电路 共射极放大电路
∆vO = -∆iC• RL = -0.98 V， ∆ ， 电压放大倍数
∆vO − 0.98V AV = = = −49 ∆v I 20mV
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放大区——iC仅取决于iB。
此时，发射结正偏， 集电结反偏。 判断：满足放大关系。
∆iC = β∆i B
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输出特性曲线三个区域的特点: 输出特性曲线三个区域的特点 饱和区——iC随uCE增大而增大，此时发射结正偏，集电结正偏。 临界饱和状态：uCE=uBE 或 uCB=0 判断：uBE增大，IB增大，iC基本不变。 截止区——iC<ICEO，iB=0。 此时，发射结反偏，集电结反偏。 判断：近似认为iC=0
三极管的三种组态
BJT的三种组态 的三种组态
共发射极接法，发射极作为公共电极， 表示； 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 表示 共基极接法，基极作为公共电极， 表示。 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共集电极接法，集电极作为公共电极， 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;
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若 ∆vI = 20mV 使 ∆iB = 20 uA 设 α = 0.98
+ ∆vI VBB IB +∆iB b + VBE +∆vBE e c
IC +∆iC RL 1kΩ
1.3.3 BJT的特性曲线 的特性曲线
以共射极放大电路为例） （以共射极放大电路为例） 一. 输入特性曲线 iB=f(uBE) UCE=const
(1) 当UCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 时 相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ) 当UCE > 0V时， uCB= uCE - uBE>0，部分非平衡少子形成集电极电流 时 ， 基区复合减少，同样的u 减小，特性曲线右移 右移。 基区复合减少，同样的 BE下 IB减小，特性曲线右移。
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当UCE≥1V时， ≥1V时 IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。 右移很不明 再增加时，曲线右移 但UCE再增加时，曲线右移很不明 非平衡少子大多数到达 显。非平衡少子大多数到达 集电极， 集电极，集电极电流随集射极 电压无明显变化， 电压无明显变化，此时三极管 内部反馈很小（见输出特性）。 内部反馈很小（见输出特性）。
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增加到使集电结反偏电压较大时 到使集电结反偏电压较大时， 当uCE增加到使集电结反偏电压较大时，如 uCE ≥1 V UBE ≥0.7 V 运动到集电结的电子 基本上都可以被集电 区收集，此后u 区收集，此后 CE再增 加，电流也没有明显 的增加， 的增加，特性曲线进 入与u 入与 CE轴基本平行的 区域 (这与输入特性曲 这与输入特性曲 线随u 线随 CE增大而右移的 原因是一致的) 原因是一致的 。
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1.3.3 BJT的特性曲线 的特性曲线
为参变量的一族特性曲线。 输出特性曲线是以IB为参变量的一族特性曲线。现以 其中任何一条加以说明， 其中任何一条加以说明， V时 因集电极无收集作用， =0。 当uCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。当uCE稍增 发射结虽处于正向电压之下，但集电结反偏电压很小， 大时，发射结虽处于正向电压之下，但集电结反偏电压很小， 如： uCE< 1 V UBE=0.7 V 则：uCB= uCE- uBE =0.3V <0.7 V 集电区收集电子的能力 很弱， 决定。 很弱，iC主要由uCE决定。
图 共射接法输入特性曲线
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1.3.3 BJT的特性曲线 的特性曲线
二. 输出特性曲线 iC=f(uCE) IB=const
输出特性曲线的三个区域: 输出特性曲线的三个区域 饱和区：iC明显受 CE控 饱和区： 明显受u 截止区： 截止区：i 该区域内， 制的区域，该区域内， 制的区域，C接近零的 区域， ：i 平行于u 区域 相当i 平行于 的曲 放大区： 放大区 一般uCE 相当CB=0的曲 CE 硅管)。 一般 ，＜0.7V(硅管 。 轴的 硅管 线的下方。此时， 线的下方。此时， 区域，曲线基本平行等距。 区域，曲线基本平行等距。 此时，发射结正偏， 此时，发射结正偏，集 uBE小于开启电压， ，集电 小于开启电压， 此时，发射结正偏 此时，发射结正偏， 电结正偏。 发射结、集电结均反 发射结、 结反偏。 偏。